Результат пошуку "irf3205" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF
Код товару: 25094
16 Додати до обраних Обраний товар
IR/Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1464 шт
1331 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
64 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Код товару: 36593
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf3205spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
22 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf3205z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 285 шт
184 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-CN IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.97 грн
10+80.78 грн
100+79.97 грн
500+67.94 грн
1000+57.21 грн
2000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.64 грн
10+94.37 грн
100+59.46 грн
500+48.47 грн
1000+44.44 грн
2000+41.24 грн
5000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.09 грн
11+78.53 грн
100+64.99 грн
500+45.65 грн
1000+38.66 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.12 грн
177+79.08 грн
179+78.28 грн
500+67.06 грн
1000+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
10000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S International Rectifier/Infineon irf3205s_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+191.80 грн
100+164.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S IRF3205S JSMicro Semiconductor TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF International Rectifier/Infineon irf3205s_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+88.41 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.25 грн
10+89.65 грн
50+70.90 грн
100+64.20 грн
250+56.42 грн
500+51.23 грн
800+47.88 грн
1600+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.62 грн
250+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.49 грн
10+123.25 грн
100+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+182.92 грн
112+125.54 грн
150+93.38 грн
800+63.04 грн
2400+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.30 грн
10+111.96 грн
100+67.59 грн
500+50.90 грн
800+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.37 грн
10+141.98 грн
50+106.28 грн
100+83.62 грн
250+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z IRF3205Z International Rectifier info-tirf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z IRF3205Z International Rectifier info-tirf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.93 грн
10+70.31 грн
20+65.46 грн
50+58.18 грн
100+53.91 грн
200+49.72 грн
500+44.70 грн
1000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies irf3205z.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.12 грн
50+71.43 грн
100+63.92 грн
500+47.60 грн
1000+43.62 грн
2000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.56 грн
12+73.34 грн
100+60.77 грн
500+50.63 грн
1000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+80.99 грн
500+72.90 грн
1000+67.22 грн
10000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.47 грн
10+92.77 грн
100+54.45 грн
500+44.16 грн
1000+36.72 грн
2000+35.33 грн
5000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.51 грн
50+75.67 грн
100+67.71 грн
500+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS IRF3205ZS Infineon info-tirf3205zs.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.97 грн
10+76.17 грн
50+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.91 грн
1600+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.00 грн
10+127.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.26 грн
1600+64.44 грн
2400+61.82 грн
4000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.23 грн
10+174.73 грн
25+174.23 грн
100+167.51 грн
250+154.65 грн
500+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+118.61 грн
500+106.75 грн
1000+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.14 грн
10+133.72 грн
100+91.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.64 грн
250+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.09 грн
10+123.16 грн
100+73.71 грн
500+55.70 грн
800+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.77 грн
1600+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+174.73 грн
81+174.23 грн
100+173.71 грн
250+167.03 грн
500+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.13 грн
10+136.30 грн
50+115.21 грн
100+86.64 грн
250+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205NSTRLPBF IR 09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF/IR IR 08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF/IR IR 08+;
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRPBF IR 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS IR irf3205z.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 AUIRF3205 Infineon Technologies auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 22940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+149.60 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 AUIRF3205 International Rectifier auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+149.60 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
16 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1464 шт
1331 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
64 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF
Код товару: 36593
2 Додати до обраних Обраний товар
irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
22 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 285 шт
184 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-CN TIRF3205_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf
IRF3205-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+202.97 грн
10+80.78 грн
100+79.97 грн
500+67.94 грн
1000+57.21 грн
2000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.64 грн
10+94.37 грн
100+59.46 грн
500+48.47 грн
1000+44.44 грн
2000+41.24 грн
5000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.09 грн
11+78.53 грн
100+64.99 грн
500+45.65 грн
1000+38.66 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+181.12 грн
177+79.08 грн
179+78.28 грн
500+67.06 грн
1000+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+90.52 грн
500+81.48 грн
1000+75.13 грн
10000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S description irf3205s_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим:
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
50+191.80 грн
100+164.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S description TIRF3205s_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF3205S
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF irf3205s_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
50+88.41 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.25 грн
10+89.65 грн
50+70.90 грн
100+64.20 грн
250+56.42 грн
500+51.23 грн
800+47.88 грн
1600+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.62 грн
250+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.49 грн
10+123.25 грн
100+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+182.92 грн
112+125.54 грн
150+93.38 грн
800+63.04 грн
2400+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.30 грн
10+111.96 грн
100+67.59 грн
500+50.90 грн
800+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.37 грн
10+141.98 грн
50+106.28 грн
100+83.62 грн
250+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
328+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z info-tirf3205z.pdf
IRF3205Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z info-tirf3205z.pdf
IRF3205Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.93 грн
10+70.31 грн
20+65.46 грн
50+58.18 грн
100+53.91 грн
200+49.72 грн
500+44.70 грн
1000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.12 грн
50+71.43 грн
100+63.92 грн
500+47.60 грн
1000+43.62 грн
2000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.56 грн
12+73.34 грн
100+60.77 грн
500+50.63 грн
1000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
431+80.99 грн
500+72.90 грн
1000+67.22 грн
10000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 431
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.47 грн
10+92.77 грн
100+54.45 грн
500+44.16 грн
1000+36.72 грн
2000+35.33 грн
5000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.51 грн
50+75.67 грн
100+67.71 грн
500+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS info-tirf3205zs.pdf
IRF3205ZS
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.97 грн
10+76.17 грн
50+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.91 грн
1600+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.00 грн
10+127.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.26 грн
1600+64.44 грн
2400+61.82 грн
4000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.23 грн
10+174.73 грн
25+174.23 грн
100+167.51 грн
250+154.65 грн
500+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+118.61 грн
500+106.75 грн
1000+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.14 грн
10+133.72 грн
100+91.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.64 грн
250+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.09 грн
10+123.16 грн
100+73.71 грн
500+55.70 грн
800+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.77 грн
1600+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+174.73 грн
81+174.23 грн
100+173.71 грн
250+167.03 грн
500+154.21 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.13 грн
10+136.30 грн
50+115.21 грн
100+86.64 грн
250+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205NSTRLPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS irf3205z.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f
AUIRF3205
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 22940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+149.60 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205 auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f
AUIRF3205
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+149.60 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]