Результат пошуку "irfp0" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 424
Мінімальне замовлення: 126
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 106
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 131
Мінімальне замовлення: 85
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 39
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP064NPBF Код товару: 52519 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170 Монтаж: THT |
у наявності: 267 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFP048N | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 140W 0.016Ω IRFP048N TIRFP048 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP048NPBF | Infineon Technologies |
Description: IRFP048 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 36164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP048PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP048PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP048PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP048PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP048RPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Pulsed drain current: 290A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054N | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRFP054N TIRFP054 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 628 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC |
на замовлення 1909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 8668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 8668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP054NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 55 V, 72 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 8664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054NPBF; 81A; 55V; 170W; 0,012R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFP054PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP054PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 98A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm |
на замовлення 39 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 94500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC |
на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 2859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064NPBF; 98A; 55V; 150W; 8mR; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFP064PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP064PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP064PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP044 | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP044 | IR | 2002 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP048 | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP048 | IR | TO-247 |
на замовлення 12875 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP048PBF | IR | TO-247 |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP048PBF | VISHAY |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRFP048PBF | IR |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRFP048R |
на замовлення 5175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
IRFP048RPBF | IR | TO-247 |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP054 | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRFP054 | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP054 | IR | 2002 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP064N | International Rectifier | N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRFP064N TIRFP064n |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFP064N | International Rectifier | N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRFP064N TIRFP064n |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
AUIRFP064N | International Rectifier |
Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 6075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFP064NPBF 98A 55V N-ch TO-247 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
IRFP064NPBF Код товару: 52519 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
у наявності: 267 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 76 грн |
10+ | 69 грн |
100+ | 64.5 грн |
IRFP048N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 140W 0.016Ω IRFP048N TIRFP048
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 140W 0.016Ω IRFP048N TIRFP048
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 43.83 грн |
IRFP048NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRFP048 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Description: IRFP048 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 36164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
424+ | 48.41 грн |
IRFP048PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
126+ | 95.25 грн |
IRFP048PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.39 грн |
25+ | 238.15 грн |
100+ | 204.12 грн |
IRFP048PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 121.31 грн |
7+ | 88.44 грн |
IRFP048PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 329.75 грн |
10+ | 265.37 грн |
25+ | 172.73 грн |
100+ | 153.61 грн |
250+ | 152.24 грн |
500+ | 144.05 грн |
1000+ | 140.64 грн |
IRFP048RPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.68 грн |
5+ | 110.94 грн |
11+ | 78.23 грн |
29+ | 73.96 грн |
IRFP054N |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRFP054N TIRFP054
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRFP054N TIRFP054
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 82.23 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 186.1 грн |
5+ | 156.45 грн |
7+ | 122.32 грн |
19+ | 115.21 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.32 грн |
5+ | 194.97 грн |
7+ | 146.78 грн |
19+ | 138.25 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC
MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.11 грн |
10+ | 162.52 грн |
100+ | 117.43 грн |
250+ | 116.74 грн |
400+ | 86.02 грн |
1200+ | 84.66 грн |
2800+ | 79.88 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 159.29 грн |
10+ | 128.19 грн |
100+ | 91.29 грн |
250+ | 87.15 грн |
400+ | 79.89 грн |
1200+ | 75.47 грн |
2800+ | 71.4 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.25 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.18 грн |
25+ | 152.19 грн |
100+ | 125.22 грн |
500+ | 99.43 грн |
1000+ | 84.37 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
106+ | 113.68 грн |
116+ | 103.7 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP054NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 55 V, 72 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP054NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 55 V, 72 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 223.63 грн |
10+ | 163.13 грн |
100+ | 140.92 грн |
IRFP054NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 8664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 172.67 грн |
87+ | 138.96 грн |
121+ | 98.96 грн |
250+ | 94.48 грн |
400+ | 86.6 грн |
1200+ | 81.81 грн |
2800+ | 77.4 грн |
IRFP054NPBF; 81A; 55V; 170W; 0,012R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF) |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 80.91 грн |
IRFP054PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.28 грн |
5+ | 130.14 грн |
8+ | 107.38 грн |
21+ | 100.98 грн |
IRFP054PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 175.54 грн |
5+ | 162.18 грн |
8+ | 128.86 грн |
21+ | 121.18 грн |
500+ | 116.91 грн |
IRFP054PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 297.09 грн |
10+ | 245.74 грн |
25+ | 202.08 грн |
100+ | 173.41 грн |
250+ | 163.17 грн |
500+ | 152.93 грн |
1000+ | 131.76 грн |
IRFP054PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.43 грн |
IRFP054PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 222.24 грн |
10+ | 195.46 грн |
25+ | 185.49 грн |
100+ | 158.59 грн |
250+ | 138.95 грн |
IRFP054PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 299.83 грн |
25+ | 229.13 грн |
100+ | 196.39 грн |
500+ | 163.83 грн |
1000+ | 140.28 грн |
IRFP054PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 240.92 грн |
57+ | 211.88 грн |
60+ | 201.07 грн |
100+ | 171.92 грн |
250+ | 150.63 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.22 грн |
5+ | 120.9 грн |
9+ | 100.98 грн |
23+ | 96.01 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 182.34 грн |
10+ | 158.73 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 94500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 168.49 грн |
10+ | 146.28 грн |
100+ | 124.84 грн |
400+ | 89.61 грн |
800+ | 82.06 грн |
1200+ | 81.4 грн |
2800+ | 80.09 грн |
12800+ | 78.77 грн |
25200+ | 77.46 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
131+ | 91.64 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFP064NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
85+ | 140.85 грн |
95+ | 126.49 грн |
129+ | 92.89 грн |
800+ | 73.58 грн |
1200+ | 67.44 грн |
2800+ | 64.1 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 129.93 грн |
10+ | 116.68 грн |
100+ | 85.7 грн |
800+ | 67.88 грн |
1200+ | 62.22 грн |
2800+ | 59.14 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 178.41 грн |
25+ | 157.81 грн |
100+ | 118.11 грн |
400+ | 88.75 грн |
1200+ | 84.66 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54 грн |
IRFP064NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.84 грн |
25+ | 142.34 грн |
100+ | 122.01 грн |
500+ | 101.78 грн |
1000+ | 87.15 грн |
2000+ | 82.06 грн |
IRFP064NPBF; 98A; 55V; 150W; 8mR; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF) |
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 98.01 грн |
IRFP064PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.63 грн |
5+ | 186.32 грн |
6+ | 145.79 грн |
16+ | 137.96 грн |
IRFP064PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 239.95 грн |
100+ | 220.31 грн |
200+ | 206.07 грн |
300+ | 188.42 грн |
IRFP064PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 245.92 грн |
25+ | 187.83 грн |
100+ | 161 грн |
IRFP064PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP064PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP064PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 320.13 грн |
10+ | 247.37 грн |
100+ | 242.78 грн |
500+ | 220.46 грн |
IRFP064PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39+ | 307.31 грн |
IRFP064PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 285.36 грн |
IRFP064PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 285.94 грн |
IRFP064N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRFP064N TIRFP064n
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRFP064N TIRFP064n
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IRFP064N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRFP064N TIRFP064n
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRFP064N TIRFP064n
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)AUIRFP064N |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 163.63 грн |
Транзистор польовий IRFP064NPBF 98A 55V N-ch TO-247 |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 73.46 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]