Результат пошуку "12n60" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2000
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP12N60M2 | STMicroelectronics |
 MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Транзистор польовий SiHF12N60E 12A 650V N-ch TO-220F |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FQA12N60 | FAIRCHILD |
TO-3P 05+ |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60C | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60C | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60C | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N60CTM | Fairchild |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQPF12N60 |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FQPF12N60C51W | Fairchild |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| G12N60A4D |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| HGT1S12N60A4DS | On Semiconductor/Fairchild |
|
на замовлення 15 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD |
07+ TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD |
TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| HGTG12N60A4 |
|
на замовлення 9826 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MF12N60 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MP12N60 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| P12N60 |
на замовлення 4130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| S12N60C3 |
на замовлення 4222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SM12N60F |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SPA12N60C3 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SSP12N60 | Fairchild |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SSS12N60 |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STH12N60 |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STH12N60FI |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STP12N60 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
CS121WF100MT2E | ROYAL OHM |
Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C Type of resistor: thick film Kind of resistor: sensing Mounting: SMD Case - inch: 2512 Case - mm: 6432 Resistance: 10mΩ Power: 1W Tolerance: ±1% Max. operating voltage: 500V Operating temperature: -55...155°C Temperature coefficient: 600ppm/°C кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CS121WF160MT2E | ROYAL OHM |
Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 16mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C Power: 1W Mounting: SMD Operating temperature: -55...155°C Resistance: 16mΩ Tolerance: ±1% Temperature coefficient: 600ppm/°C Kind of resistor: sensing Case - mm: 6432 Case - inch: 2512 Type of resistor: thick film Max. operating voltage: 500V кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 590 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CS121WJ010LT2E | ROYAL OHM |
Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±5%; -55÷155°C Power: 1W Mounting: SMD Operating temperature: -55...155°C Resistance: 10mΩ Tolerance: ±5% Temperature coefficient: 600ppm/°C Kind of resistor: sensing Case - mm: 6432 Case - inch: 2512 Type of resistor: thick film Max. operating voltage: 500V кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
N74F112N,602 | NXP USA Inc. |
Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16DIP Packaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Complementary Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 2 Function: Set(Preset) and Reset Type: JK Type Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Current - Quiescent (Iq): 21 mA Current - Output High, Low: 1mA, 20mA Trigger Type: Negative Edge Clock Frequency: 100 MHz Supplier Device Package: 16-DIP Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Bits per Element: 1 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
12n60c Код товару: 142479 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
AOTF12N60 Код товару: 129208 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
FQP12N60C Код товару: 166497 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
FQPF12N60C Код товару: 92801 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
FQPF12N60C Код товару: 92799 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
HGT1S12N60A4DS Код товару: 50012 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
HGTG12N60C3D TO-247 Код товару: 109889 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
HGTP12N60C3 Код товару: 99779 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
SIHF12N60E-E3 Код товару: 171580 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
TSF12N60M Код товару: 166722 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
AOT12N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOT12N60FD | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOTF12N60FD | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOW12N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOWF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262F |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| ERT-LG12N607T | Panasonic | Panasonic |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FDP12N60NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDP12N60NZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDPF12N60NZ | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDPF12N60NZ | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDPF12N60NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQP12N60C | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQP12N60C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQPF12N60C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQPF12N60CT | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQPF12N60T | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R |
товар відсутній |
| STP12N60M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.22 грн |
| 10+ | 100.83 грн |
| 100+ | 69.75 грн |
| 500+ | 58.99 грн |
| 1000+ | 50.02 грн |
| 2000+ | 46.56 грн |
| 5000+ | 45.1 грн |
| Транзистор польовий SiHF12N60E 12A 650V N-ch TO-220F |
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.61 грн |
| FQB12N60C |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| HGT1S12N60A4DS |
|
Виробник: On Semiconductor/Fairchild
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| HGT1S12N60A4S9A |
|
Виробник: FAIRCHILD
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| CS121WF100MT2E |
|
Виробник: ROYAL OHM
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Kind of resistor: sensing
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6432
Resistance: 10mΩ
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Max. operating voltage: 500V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 600ppm/°C
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Kind of resistor: sensing
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6432
Resistance: 10mΩ
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Max. operating voltage: 500V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 600ppm/°C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.01 грн |
| 100+ | 13.62 грн |
| 1000+ | 11.79 грн |
| 2000+ | 11.38 грн |
| CS121WF160MT2E |
|
Виробник: ROYAL OHM
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 16mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 16mΩ
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 16mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 16mΩ
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 25.4 грн |
| 100+ | 17.76 грн |
| 500+ | 14.86 грн |
| 1000+ | 13.53 грн |
| 4000+ | 12.7 грн |
| CS121WJ010LT2E |
|
Виробник: ROYAL OHM
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±5%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 10mΩ
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±5%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 10mΩ
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 21.1 грн |
| 100+ | 14.49 грн |
| 1000+ | 10.55 грн |
| 4000+ | 9.55 грн |
| N74F112N,602 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 21 mA
Current - Output High, Low: 1mA, 20mA
Trigger Type: Negative Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 1
Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 21 mA
Current - Output High, Low: 1mA, 20mA
Trigger Type: Negative Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Supplier Device Package: 16-DIP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 11.28 грн |
| AOT12N60 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
товар відсутній
| AOT12N60FD |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
| AOTF12N60 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
товар відсутній
| AOTF12N60FD |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
| AOW12N60 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
| AOWF12N60 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262F
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262F
товар відсутній
| FDP12N60NZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
| FDP12N60NZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
товар відсутній
| FDPF12N60NZ |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| FDPF12N60NZ |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| FDPF12N60NZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
| FQP12N60C |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товар відсутній
| FQP12N60C |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
| FQPF12N60C |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
| FQPF12N60CT |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
| FQPF12N60T |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
товар відсутній