Результат пошуку "12n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG12N60A4D HGTG12N60A4D
Код товару: 31158 		Fairchild hgt1s12n60a4ds-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96
у наявності: 3 шт
1+145 грн
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Код товару: 122684 		Fairchild hgtp12n60c3d-1010383.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 13 шт
1+185 грн
10+ 173 грн
12N60
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOT12N60 ALPHA&OMEGA AOT12N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N60 AOTF12N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF12N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.28 грн
5+ 74.04 грн
10+ 65.73 грн
13+ 64.35 грн
25+ 58.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF12N60 AOTF12N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF12N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.47 грн
5+ 88.84 грн
10+ 78.88 грн
13+ 77.22 грн
25+ 70.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF12N60FD ALPHA&OMEGA AOTF12N60FD.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N60L AOTF12N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT12N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.5 грн
50+ 84.06 грн
100+ 69.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ onsemi ONSM-S-A0003584576-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.77 грн
50+ 119.18 грн
100+ 98.06 грн
500+ 77.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ onsemi / Fairchild FDPF12N60NZ_D-2312903.pdf MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.12 грн
10+ 103.13 грн
100+ 81.04 грн
250+ 80.38 грн
500+ 72.4 грн
1000+ 63.64 грн
5000+ 61.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA12N60 FQA12N60 Fairchild Semiconductor FAIRS42369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 189
FQB12N60TM FQB12N60TM Fairchild Semiconductor FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+92.84 грн
Мінімальне замовлення: 217
FQI12N60CTU FQI12N60CTU Fairchild Semiconductor FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQI12N60TU FQI12N60TU Fairchild Semiconductor FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 211
FQP12N60 FQP12N60 Fairchild Semiconductor FAIRS07073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 222
FQP12N60C FQP12N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+121.77 грн
Мінімальне замовлення: 166
FQPF12N60 FQPF12N60 Fairchild Semiconductor FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 55453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+193.76 грн
Мінімальне замовлення: 105
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+665.28 грн
FQPF12N60T FQPF12N60T Fairchild Semiconductor FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 286
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+249.6 грн
Мінімальне замовлення: 81
HGT1S12N60B3 HGT1S12N60B3 Harris Corporation HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+91.5 грн
Мінімальне замовлення: 221
HGT1S12N60B3D HGT1S12N60B3D Harris Corporation HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+91.5 грн
Мінімальне замовлення: 221
HGT1S12N60B3DS Harris Corporation HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+94.19 грн
Мінімальне замовлення: 214
HGT1S12N60B3S HGT1S12N60B3S Harris Corporation HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+94.19 грн
Мінімальне замовлення: 214
HGT1S12N60C3 HGT1S12N60C3 Harris Corporation HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 195
HGT1S12N60C3D HGT1S12N60C3D Harris Corporation HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 226
HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+141.28 грн
Мінімальне замовлення: 143
HGT1S12N60C3R HGT1S12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 229
HGT1S12N60C3S9AR4501 HGT1S12N60C3S9AR4501 Harris Corporation Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+106.3 грн
Мінімальне замовлення: 190
HGTB12N60D1C Harris Corporation HRISD027-3-42.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 12A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+263.73 грн
Мінімальне замовлення: 77
HGTG12N60A4D Fairchild hgt1s12n60a4ds-d.pdf 54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+281.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG12N60A4D ON-Semicoductor hgt1s12n60a4ds-d.pdf 54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+281.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG12N60D1D HGTG12N60D1D Harris Corporation HRISD027-3-46.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+460.85 грн
Мінімальне замовлення: 44
HGTG12N60DID HGTG12N60DID Harris Corporation Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+229.41 грн
Мінімальне замовлення: 88
HGTP12N6001 HGTP12N6001 Harris Corporation Description: HGTP12N6001
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+151.37 грн
Мінімальне замовлення: 134
HGTP12N60A4 HGTP12N60A4 Fairchild Semiconductor FAIRS45383-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 417
HGTP12N60A4D HGTP12N60A4D Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 76616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 165
HGTP12N60C3R HGTP12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 239
SIHA12N60E-E3 SIHA12N60E-E3 Vishay / Siliconix siha12n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.14 грн
10+ 139.03 грн
100+ 98.97 грн
250+ 93.66 грн
500+ 83.7 грн
1000+ 70.41 грн
2000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA12N60E-E3 SIHA12N60E-E3 Vishay Siliconix siha12n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.83 грн
50+ 126.54 грн
100+ 104.12 грн
500+ 82.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA12N60E-GE3 SIHA12N60E-GE3 Vishay Siliconix siha12n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA12N60E-GE3 SIHA12N60E-GE3 Vishay Siliconix siha12n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.83 грн
10+ 130.78 грн
100+ 104.12 грн
500+ 82.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb12n60.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.14 грн
10+ 118.4 грн
100+ 81.7 грн
250+ 75.06 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 59.12 грн
2000+ 57.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF12N60E-E3 SIHF12N60E-E3 Vishay / Siliconix sihf12n6.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.29 грн
10+ 126.81 грн
100+ 94.99 грн
250+ 91 грн
500+ 85.03 грн
1000+ 79.05 грн
2000+ 77.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.51 грн
10+ 145.93 грн
100+ 116.11 грн
500+ 92.2 грн
1000+ 78.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf12n6.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.29 грн
10+ 160.42 грн
100+ 110.93 грн
250+ 105.62 грн
500+ 93 грн
1000+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-BE3 SIHP12N60E-BE3 Vishay Siliconix sihp12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.61 грн
50+ 134.93 грн
100+ 111.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-BE3 SIHP12N60E-BE3 Vishay sihp12n6.pdf MOSFET 600V N-CH
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.77 грн
10+ 148.2 грн
100+ 105.62 грн
250+ 98.31 грн
500+ 89.01 грн
1000+ 72.4 грн
2000+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-E3 SIHP12N60E-E3 Vishay / Siliconix sihp12n6.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.77 грн
10+ 119.93 грн
100+ 89.67 грн
250+ 85.69 грн
500+ 80.38 грн
1000+ 73.07 грн
2000+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Vishay sihp12n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp12n6.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.72 грн
10+ 120.7 грн
100+ 90.34 грн
250+ 85.03 грн
500+ 81.04 грн
1000+ 75.06 грн
2000+ 71.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60DM6 STD12N60DM6 STMicroelectronics std12n60dm6-1927864.pdf MOSFET N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.57 грн
10+ 122.99 грн
100+ 85.03 грн
250+ 78.38 грн
500+ 71.74 грн
1000+ 60.98 грн
2500+ 57.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60DM6 STD12N60DM6 STMicroelectronics std12n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.12 грн
10+ 111.96 грн
100+ 89.09 грн
500+ 70.74 грн
1000+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60M2 STD12N60M2 STMicroelectronics std12n60m2.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.78 грн
10+ 84.55 грн
100+ 65.76 грн
500+ 52.31 грн
1000+ 42.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60M2 STD12N60M2 STMicroelectronics std12n60m2.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF12N60M2 STF12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187616.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.63 грн
50+ 81.76 грн
100+ 67.27 грн
500+ 53.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF12N60M2 STF12N60M2 STMicroelectronics stf12n60m2-1850642.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.15 грн
10+ 90.14 грн
100+ 64.23 грн
250+ 63.04 грн
500+ 53.74 грн
1000+ 46.03 грн
2000+ 43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL12N60M2 STL12N60M2 STMicroelectronics stl12n60m2-1851126.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+120.12 грн
10+ 99.31 грн
100+ 68.42 грн
250+ 67.09 грн
500+ 57.99 грн
1000+ 48.96 грн
3000+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.81 грн
5+ 87.88 грн
12+ 67.81 грн
33+ 64.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+126.98 грн
5+ 109.51 грн
12+ 81.37 грн
33+ 77.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
HGTG12N60A4D
Код товару: 31158		 hgt1s12n60a4ds-d.pdf
HGTG12N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96
у наявності: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+145 грн
HGTP12N60C3D
Код товару: 122684		 hgtp12n60c3d-1010383.pdf
HGTP12N60C3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 13 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+185 грн
10+ 173 грн
12N60
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOT12N60 AOT12N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N60 AOTF12N60-DTE.pdf
AOTF12N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+110.28 грн
5+ 74.04 грн
10+ 65.73 грн
13+ 64.35 грн
25+ 58.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF12N60 AOTF12N60-DTE.pdf
AOTF12N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.47 грн
5+ 88.84 грн
10+ 78.88 грн
13+ 77.22 грн
25+ 70.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF12N60FD AOTF12N60FD.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF12N60L AOT12N60.pdf
AOTF12N60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
50+ 84.06 грн
100+ 69.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF12N60NZ ONSM-S-A0003584576-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF12N60NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.77 грн
50+ 119.18 грн
100+ 98.06 грн
500+ 77.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ_D-2312903.pdf
FDPF12N60NZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.12 грн
10+ 103.13 грн
100+ 81.04 грн
250+ 80.38 грн
500+ 72.4 грн
1000+ 63.64 грн
5000+ 61.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA12N60 FAIRS42369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA12N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
189+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 189
FQB12N60TM FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB12N60TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+92.84 грн
Мінімальне замовлення: 217
FQI12N60CTU FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI12N60CTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
275+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQI12N60TU FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI12N60TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 211
FQP12N60 FAIRS07073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP12N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 222
FQP12N60C FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP12N60C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+121.77 грн
Мінімальне замовлення: 166
FQPF12N60 FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF12N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 55453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+193.76 грн
Мінімальне замовлення: 105
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+665.28 грн
FQPF12N60T FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF12N60T
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 286
HGT1S12N60A4DS FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60A4DS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+249.6 грн
Мінімальне замовлення: 81
HGT1S12N60B3 HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60B3
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+91.5 грн
Мінімальне замовлення: 221
HGT1S12N60B3D HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60B3D
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+91.5 грн
Мінімальне замовлення: 221
HGT1S12N60B3DS HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
214+94.19 грн
Мінімальне замовлення: 214
HGT1S12N60B3S HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60B3S
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
214+94.19 грн
Мінімальне замовлення: 214
HGT1S12N60C3 HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 195
HGT1S12N60C3D HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3D
Виробник: Harris Corporation
Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
226+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 226
HGT1S12N60C3DS FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3DS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+141.28 грн
Мінімальне замовлення: 143
HGT1S12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 229
HGT1S12N60C3S9AR4501
HGT1S12N60C3S9AR4501
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+106.3 грн
Мінімальне замовлення: 190
HGTB12N60D1C HRISD027-3-42.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
77+263.73 грн
Мінімальне замовлення: 77
HGTG12N60A4D hgt1s12n60a4ds-d.pdf
Виробник: Fairchild
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG12N60A4D hgt1s12n60a4ds-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG12N60D1D HRISD027-3-46.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG12N60D1D
Виробник: Harris Corporation
Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+460.85 грн
Мінімальне замовлення: 44
HGTG12N60DID
HGTG12N60DID
Виробник: Harris Corporation
Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+229.41 грн
Мінімальне замовлення: 88
HGTP12N6001
HGTP12N6001
Виробник: Harris Corporation
Description: HGTP12N6001
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+151.37 грн
Мінімальне замовлення: 134
HGTP12N60A4 FAIRS45383-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60A4
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
417+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 417
HGTP12N60A4D FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60A4D
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 76616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 165
HGTP12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 239
SIHA12N60E-E3 siha12n60e.pdf
SIHA12N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.14 грн
10+ 139.03 грн
100+ 98.97 грн
250+ 93.66 грн
500+ 83.7 грн
1000+ 70.41 грн
2000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA12N60E-E3 siha12n60e.pdf
SIHA12N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.83 грн
50+ 126.54 грн
100+ 104.12 грн
500+ 82.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA12N60E-GE3 siha12n60e.pdf
SIHA12N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA12N60E-GE3 siha12n60e.pdf
SIHA12N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.83 грн
10+ 130.78 грн
100+ 104.12 грн
500+ 82.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.14 грн
10+ 118.4 грн
100+ 81.7 грн
250+ 75.06 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 59.12 грн
2000+ 57.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHF12N60E-E3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.29 грн
10+ 126.81 грн
100+ 94.99 грн
250+ 91 грн
500+ 85.03 грн
1000+ 79.05 грн
2000+ 77.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.51 грн
10+ 145.93 грн
100+ 116.11 грн
500+ 92.2 грн
1000+ 78.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.29 грн
10+ 160.42 грн
100+ 110.93 грн
250+ 105.62 грн
500+ 93 грн
1000+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-BE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.61 грн
50+ 134.93 грн
100+ 111.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-BE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-BE3
Виробник: Vishay
MOSFET 600V N-CH
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.77 грн
10+ 148.2 грн
100+ 105.62 грн
250+ 98.31 грн
500+ 89.01 грн
1000+ 72.4 грн
2000+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-E3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.77 грн
10+ 119.93 грн
100+ 89.67 грн
250+ 85.69 грн
500+ 80.38 грн
1000+ 73.07 грн
2000+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.72 грн
10+ 120.7 грн
100+ 90.34 грн
250+ 85.03 грн
500+ 81.04 грн
1000+ 75.06 грн
2000+ 71.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60DM6 std12n60dm6-1927864.pdf
STD12N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.57 грн
10+ 122.99 грн
100+ 85.03 грн
250+ 78.38 грн
500+ 71.74 грн
1000+ 60.98 грн
2500+ 57.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60DM6 std12n60dm6.pdf
STD12N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.12 грн
10+ 111.96 грн
100+ 89.09 грн
500+ 70.74 грн
1000+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60M2 std12n60m2.pdf
STD12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.78 грн
10+ 84.55 грн
100+ 65.76 грн
500+ 52.31 грн
1000+ 42.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N60M2 std12n60m2.pdf
STD12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF12N60M2 en.DM00187616.pdf
STF12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.63 грн
50+ 81.76 грн
100+ 67.27 грн
500+ 53.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF12N60M2 stf12n60m2-1850642.pdf
STF12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.15 грн
10+ 90.14 грн
100+ 64.23 грн
250+ 63.04 грн
500+ 53.74 грн
1000+ 46.03 грн
2000+ 43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL12N60M2 stl12n60m2-1851126.pdf
STL12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.12 грн
10+ 99.31 грн
100+ 68.42 грн
250+ 67.09 грн
500+ 57.99 грн
1000+ 48.96 грн
3000+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.81 грн
5+ 87.88 грн
12+ 67.81 грн
33+ 64.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.98 грн
5+ 109.51 грн
12+ 81.37 грн
33+ 77.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]