Результат пошуку "12n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG12N60A4D HGTG12N60A4D
Код товару: 31158
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgt1s12n60a4ds-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96
у наявності: 7 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Код товару: 122684
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgtp12n60c3d-1010383.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 19 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+185.00 грн
10+173.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
12N60
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOT12N60 ALPHA&OMEGA AOT12N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60 AOTF12N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B498A50&compId=AOTF12N60-DTE.pdf?ci_sign=45ce98480754c09b78461a7fa6ed858ab96e6d3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.64 грн
5+92.48 грн
10+82.91 грн
12+79.72 грн
25+74.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60 AOTF12N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B498A50&compId=AOTF12N60-DTE.pdf?ci_sign=45ce98480754c09b78461a7fa6ed858ab96e6d3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.87 грн
3+129.15 грн
5+110.97 грн
10+99.49 грн
12+95.66 грн
25+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60 TAOTF12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FD ALPHA&OMEGA AOTF12N60FD.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FD ALPHA&OMEGA AOTF12N60FD.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FD ALPHA&OMEGA AOTF12N60FD.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60L AOTF12N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT12N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.37 грн
50+80.52 грн
100+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.24 грн
10+102.04 грн
26+96.46 грн
100+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.29 грн
10+127.16 грн
26+115.75 грн
100+114.80 грн
500+110.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ onsemi FDPF12N60NZ-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.75 грн
50+100.62 грн
100+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ onsemi / Fairchild FDPF12N60NZ-D.PDF MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.40 грн
10+116.18 грн
100+94.13 грн
500+81.89 грн
1000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60 FQA12N60 Fairchild Semiconductor FAIRS42369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60TM FQB12N60TM Fairchild Semiconductor FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+93.19 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
FQI12N60CTU FQI12N60CTU Fairchild Semiconductor FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
FQI12N60TU FQI12N60TU Fairchild Semiconductor FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60 FQP12N60 Fairchild Semiconductor FAIRS07073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+117.38 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+121.65 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60 FQPF12N60 Fairchild Semiconductor FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 55453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+194.92 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60T FQPF12N60T Fairchild Semiconductor FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+91.06 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 54A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+248.99 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3 HGT1S12N60B3 Harris Corporation HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3D HGT1S12N60B3D Harris Corporation HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3DS Harris Corporation HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3 HGT1S12N60C3 Harris Corporation HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3D HGT1S12N60C3D Harris Corporation HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3R HGT1S12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+113.11 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3S9AR4501 HGT1S12N60C3S9AR4501 Harris Corporation Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
HGTB12N60D1C Harris Corporation HRISD027-3-42.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 12A TO-220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+263.21 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D ON-Semicoductor hgt1s12n60a4ds-d.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+320.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D ON-Semicoductor hgt1s12n60a4ds-d.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+320.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D Harris Corporation HRISS472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+319.41 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1D HGTG12N60D1D Harris Corporation HRISD027-3-46.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 21A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+460.26 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60DID HGTG12N60DID Harris Corporation Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+229.06 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4 HGTP12N60A4 Fairchild Semiconductor FAIRS45383-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+62.60 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4D HGTP12N60A4D Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 76446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+122.36 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3R HGTP12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N60E-E3 SIHA12N60E-E3 Vishay Siliconix siha12n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.86 грн
50+105.50 грн
100+100.46 грн
500+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N60E-E3 SIHA12N60E-E3 Vishay / Siliconix siha12n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.22 грн
10+123.22 грн
100+101.02 грн
500+82.65 грн
1000+78.06 грн
2000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N60E-GE3 SIHA12N60E-GE3 Vishay Siliconix siha12n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb12n60.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.36 грн
10+146.98 грн
100+91.07 грн
500+76.46 грн
1000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3 SIHF12N60E-E3 Vishay / Siliconix sihf12n6.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.65 грн
10+130.26 грн
100+107.14 грн
500+97.20 грн
1000+82.65 грн
2000+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf12n6.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.72 грн
10+181.30 грн
100+110.21 грн
500+90.31 грн
1000+88.78 грн
2000+88.01 грн
10000+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.62 грн
10+157.29 грн
100+109.00 грн
500+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-BE3 SIHP12N60E-BE3 Vishay sihp12n6.pdf MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.36 грн
10+129.38 грн
100+111.74 грн
500+91.84 грн
1000+81.89 грн
2000+79.59 грн
5000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-BE3 SIHP12N60E-BE3 Vishay Siliconix sihp12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-E3 SIHP12N60E-E3 Vishay / Siliconix sihp12n6.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.50 грн
10+123.22 грн
100+102.55 грн
500+92.60 грн
1000+79.59 грн
5000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp12n6.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.79 грн
10+177.78 грн
100+118.62 грн
500+99.49 грн
1000+85.72 грн
2000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AG STB12N60DM2AG STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.68 грн
10+178.66 грн
100+118.62 грн
500+99.49 грн
1000+93.37 грн
2000+90.31 грн
10000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM2AG STD12N60DM2AG STMicroelectronics std12n60dm2ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.61 грн
10+167.22 грн
100+107.14 грн
500+89.54 грн
1000+84.95 грн
2500+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6 STD12N60DM6 STMicroelectronics std12n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.02 грн
10+113.92 грн
100+81.75 грн
500+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6 STD12N60DM6 STMicroelectronics std12n60dm6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.86 грн
10+132.02 грн
100+82.65 грн
500+71.63 грн
1000+65.97 грн
2500+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 STD12N60M2 STMicroelectronics std12n60m2.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 STD12N60M2 STMicroelectronics std12n60m2.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.08 грн
10+84.98 грн
100+57.34 грн
500+42.68 грн
1000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2 STF12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187616.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.98 грн
50+59.46 грн
100+56.81 грн
500+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2 STF12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187616.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+99.45 грн
100+57.48 грн
500+47.68 грн
1000+40.41 грн
2000+37.81 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D
Код товару: 31158
Додати до обраних Обраний товар

hgt1s12n60a4ds-d.pdf
HGTG12N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96
у наявності: 7 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3D
Код товару: 122684
Додати до обраних Обраний товар

hgtp12n60c3d-1010383.pdf
HGTP12N60C3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 19 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+185.00 грн
10+173.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
12N60
на замовлення 4653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOT12N60 AOT12N60.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B498A50&compId=AOTF12N60-DTE.pdf?ci_sign=45ce98480754c09b78461a7fa6ed858ab96e6d3b
AOTF12N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.64 грн
5+92.48 грн
10+82.91 грн
12+79.72 грн
25+74.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B498A50&compId=AOTF12N60-DTE.pdf?ci_sign=45ce98480754c09b78461a7fa6ed858ab96e6d3b
AOTF12N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.87 грн
3+129.15 грн
5+110.97 грн
10+99.49 грн
12+95.66 грн
25+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60 TAOTF12n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FD AOTF12N60FD.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FD AOTF12N60FD.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60FD AOTF12N60FD.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF12N60L AOT12N60.pdf
AOTF12N60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.37 грн
50+80.52 грн
100+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.24 грн
10+102.04 грн
26+96.46 грн
100+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.29 грн
10+127.16 грн
26+115.75 грн
100+114.80 грн
500+110.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.75 грн
50+100.62 грн
100+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.40 грн
10+116.18 грн
100+94.13 грн
500+81.89 грн
1000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60 FAIRS42369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA12N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12N60TM FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB12N60TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+93.19 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
FQI12N60CTU FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI12N60CTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
FQI12N60TU FAIRS19087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI12N60TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60 FAIRS07073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP12N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+117.38 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP12N60C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+121.65 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60 FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF12N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 55453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+194.92 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF12N60T FAIRS17575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF12N60T
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+91.06 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DS FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60A4DS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 54A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+248.99 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3 HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60B3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3D HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60B3D
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3DS HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3 HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3D HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3D
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3DS FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3DS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 24A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+113.11 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3S9AR4501
HGT1S12N60C3S9AR4501
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
HGTB12N60D1C HRISD027-3-42.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 12A TO-220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+263.21 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D hgt1s12n60a4ds-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D hgt1s12n60a4ds-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3D HRISS472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG12N60C3D
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+319.41 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1D HRISD027-3-46.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG12N60D1D
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 21A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+460.26 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60DID
HGTG12N60DID
Виробник: Harris Corporation
Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+229.06 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4 FAIRS45383-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60A4
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
342+62.60 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4D FAIR-S-A0000012348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60A4D
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 76446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+122.36 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N60E-E3 siha12n60e.pdf
SIHA12N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.86 грн
50+105.50 грн
100+100.46 грн
500+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N60E-E3 siha12n60e.pdf
SIHA12N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.22 грн
10+123.22 грн
100+101.02 грн
500+82.65 грн
1000+78.06 грн
2000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N60E-GE3 siha12n60e.pdf
SIHA12N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.36 грн
10+146.98 грн
100+91.07 грн
500+76.46 грн
1000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.65 грн
10+130.26 грн
100+107.14 грн
500+97.20 грн
1000+82.65 грн
2000+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.72 грн
10+181.30 грн
100+110.21 грн
500+90.31 грн
1000+88.78 грн
2000+88.01 грн
10000+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.62 грн
10+157.29 грн
100+109.00 грн
500+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-BE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-BE3
Виробник: Vishay
MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.36 грн
10+129.38 грн
100+111.74 грн
500+91.84 грн
1000+81.89 грн
2000+79.59 грн
5000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-BE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-E3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.50 грн
10+123.22 грн
100+102.55 грн
500+92.60 грн
1000+79.59 грн
5000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.79 грн
10+177.78 грн
100+118.62 грн
500+99.49 грн
1000+85.72 грн
2000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AG
STB12N60DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.68 грн
10+178.66 грн
100+118.62 грн
500+99.49 грн
1000+93.37 грн
2000+90.31 грн
10000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM2AG std12n60dm2ag.pdf
STD12N60DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.61 грн
10+167.22 грн
100+107.14 грн
500+89.54 грн
1000+84.95 грн
2500+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6 std12n60dm6.pdf
STD12N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.02 грн
10+113.92 грн
100+81.75 грн
500+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6 std12n60dm6.pdf
STD12N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.86 грн
10+132.02 грн
100+82.65 грн
500+71.63 грн
1000+65.97 грн
2500+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 std12n60m2.pdf
STD12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60M2 std12n60m2.pdf
STD12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.08 грн
10+84.98 грн
100+57.34 грн
500+42.68 грн
1000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2 en.DM00187616.pdf
STF12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.98 грн
50+59.46 грн
100+56.81 грн
500+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N60M2 en.DM00187616.pdf
STF12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.04 грн
10+99.45 грн
100+57.48 грн
500+47.68 грн
1000+40.41 грн
2000+37.81 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]