Результат пошуку "20n50" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG20N50C SIHG20N50C
Код товару: 44837
1 Додати до обраних Обраний товар
Vishay Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
11 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+82.50 грн
10+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A 3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A E-T-A D_3120-N_en.pdf Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2389.89 грн
5+2277.17 грн
10+1560.41 грн
50+1465.59 грн
100+1437.00 грн
250+1391.68 грн
500+1383.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A 3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A E-T-A D_3120_N...T1_en.pdf Circuit Breakers Min Ord Qty 10. The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for o
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7217.66 грн
5+5952.72 грн
10+4711.22 грн
50+4347.26 грн
100+4195.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies BD60120N50100AHF.pdf Signal Conditioning
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.84 грн
10+66.71 грн
25+54.18 грн
100+52.57 грн
250+50.48 грн
500+48.25 грн
1000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies, Inc. BD60120N50100AHF.pdf Description: BALUN 5.9GHZ-11.7GHZ 50/100 0404
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies, Inc. BD60120N50100AHF.pdf Description: BALUN 5.9GHZ-11.7GHZ 50/100 0404
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 7815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.30 грн
10+65.94 грн
25+63.36 грн
50+57.67 грн
100+55.94 грн
250+53.72 грн
500+51.23 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies, Inc. C20N50Z4.pdf Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard SMD
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.61 грн
10+225.32 грн
25+213.04 грн
100+184.03 грн
250+174.51 грн
500+167.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies C20N50Z4.pdf High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.20 грн
10+238.14 грн
25+195.23 грн
100+179.89 грн
250+164.55 грн
500+156.18 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies, Inc. C20N50Z4.pdf Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 20W
Package / Case: Nonstandard SMD
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited C20N50Z4B.pdf Description: SMD TERM 20W 50 OHM 6GHZ 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: 5G, AMPS, Cellular, DCS, GSM, LTE, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 20W
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.93 грн
10+245.56 грн
25+232.16 грн
100+200.62 грн
250+190.27 грн
500+182.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B C20N50Z4B TTM Technologies C20N50Z4B.pdf High Frequency/RF Resistors
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.41 грн
10+258.99 грн
25+212.66 грн
100+195.92 грн
250+179.89 грн
500+171.52 грн
1000+165.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102FCT CHV2220N500102FCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 COG 1000PF 1% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.37 грн
10+231.89 грн
50+196.51 грн
100+174.14 грн
500+162.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102JCT CHV2220N500102JCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 COG 1000PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.30 грн
10+167.84 грн
50+140.13 грн
100+123.48 грн
500+110.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500104KXT CHV2220N500104KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 X7R .1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV2220N500105KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+72.24 грн
1000+66.46 грн
1500+64.91 грн
2500+59.29 грн
3500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV2220N500105KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.45 грн
10+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500393KXT CHV2220N500393KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 X7R .039UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.37 грн
10+106.73 грн
50+87.26 грн
100+76.24 грн
500+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500472JCT CHV2220N500472JCT Cal-Chip Electronics, Inc. GMC-Series-3.pdf Description: HVCAP2220 COG 4700PF 5% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500474KXT CHV2220N500474KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 X7R .47UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500684KXT CHV2220N500684KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series.pdf Description: HVCAP2220 X7R .68UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.68 µF
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.29 грн
10+109.75 грн
50+89.86 грн
100+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50 FDA20N50 Fairchild Semiconductor FAIRS31552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 80014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+242.00 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F onsemi fdb20n50f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.19 грн
1600+104.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F onsemi fdb20n50f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 11422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.31 грн
10+207.72 грн
100+147.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F onsemi fdb20n50f-d.pdf MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.59 грн
10+224.51 грн
100+152.69 грн
500+128.29 грн
800+118.53 грн
2400+111.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.12 грн
3+214.85 грн
4+203.94 грн
10+167.85 грн
30+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F onsemi FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 6752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.43 грн
10+203.66 грн
100+138.75 грн
500+115.74 грн
1000+107.37 грн
2000+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+222.41 грн
10+177.92 грн
20+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT onsemi FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.50 грн
10+162.77 грн
100+125.50 грн
500+103.19 грн
1000+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT onsemi FDPF20N50FT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.13 грн
50+151.37 грн
100+137.60 грн
500+106.48 грн
1000+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT Fairchild FDPF20N50FT-D.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.76 грн
3+232.48 грн
10+207.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T onsemi fdpf20n50t-d.pdf MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
на замовлення 7328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.66 грн
10+169.99 грн
100+131.78 грн
500+115.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T onsemi fdpf20n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.07 грн
50+169.12 грн
100+154.03 грн
500+119.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1D HGTG20N50C1D Harris Corporation HRISD027-3-71.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+587.30 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50C1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+523.17 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1D Harris Corporation HRISD027-3-76.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50EID Harris Corporation Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N50 IGTH20N50 Harris Corporation TOCSS00194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+209.94 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.57 грн
3+192.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+474.51 грн
5+362.56 грн
10+321.44 грн
30+271.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8 Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.03 грн
30+294.81 грн
120+247.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.60 грн
10+296.67 грн
120+216.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+435.64 грн
10+264.37 грн
30+234.15 грн
60+233.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.30 грн
10+271.02 грн
120+195.92 грн
1020+195.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC120N-50 MC120N-50 Amphenol Positronic C014RevG3_PCS-2604346.pdf D-Sub Contacts
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.57 грн
10+483.50 грн
25+396.73 грн
50+387.66 грн
100+367.44 грн
250+289.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC120N-50 Amphenol Positronic Description: MC120N-50
Packaging: Bulk
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+585.94 грн
100+352.33 грн
250+335.42 грн
500+264.76 грн
1000+240.36 грн
2500+228.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF MOT20N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_42.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.42 грн
10+150.77 грн
100+90.46 грн
500+59.43 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W MOT20N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_43.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.43 грн
10+220.11 грн
100+132.06 грн
600+86.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA NB20N50104JBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA NB20N50104JBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.38 грн
12+26.13 грн
13+24.62 грн
25+21.55 грн
50+20.44 грн
100+19.46 грн
500+17.19 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA NB20N50104JBA Kyocera AVX nb21-nb12-nb20.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100KOhm 5%
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.98 грн
13+25.90 грн
25+20.92 грн
50+19.94 грн
100+18.96 грн
500+17.36 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA NB20N50104KBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.26 грн
21+14.50 грн
23+13.60 грн
25+11.82 грн
50+11.20 грн
100+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA NB20N50104KBA Kyocera AVX nb21-nb12-nb20.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.11 грн
23+14.43 грн
26+11.02 грн
100+10.53 грн
500+10.46 грн
1000+9.76 грн
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-E3 SIHA20N50E-E3 Vishay Siliconix siha20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.85 грн
50+125.91 грн
100+113.94 грн
500+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 SIHA20N50E-GE3 Vishay Siliconix siha20n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 SIHA20N50E-GE3 Vishay / Siliconix siha20n50e.pdf MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.61 грн
10+165.18 грн
100+100.40 грн
500+87.85 грн
1000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 SIHA20N50E-GE3 Vishay Siliconix siha20n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.63 грн
10+163.61 грн
100+114.37 грн
500+87.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 SIHB20N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihb20n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.87 грн
10+206.07 грн
100+126.90 грн
500+105.28 грн
1000+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.34 грн
10+192.69 грн
100+136.00 грн
500+104.90 грн
1000+97.61 грн
2000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C
Код товару: 44837
1 Додати до обраних Обраний товар
SIHG20N50C
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
11 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+82.50 грн
10+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A D_3120-N_en.pdf
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2389.89 грн
5+2277.17 грн
10+1560.41 грн
50+1465.59 грн
100+1437.00 грн
250+1391.68 грн
500+1383.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A D_3120_N...T1_en.pdf
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers Min Ord Qty 10. The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for o
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7217.66 грн
5+5952.72 грн
10+4711.22 грн
50+4347.26 грн
100+4195.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Виробник: TTM Technologies
Signal Conditioning
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.84 грн
10+66.71 грн
25+54.18 грн
100+52.57 грн
250+50.48 грн
500+48.25 грн
1000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: BALUN 5.9GHZ-11.7GHZ 50/100 0404
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: BALUN 5.9GHZ-11.7GHZ 50/100 0404
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 7815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.30 грн
10+65.94 грн
25+63.36 грн
50+57.67 грн
100+55.94 грн
250+53.72 грн
500+51.23 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard SMD
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.61 грн
10+225.32 грн
25+213.04 грн
100+184.03 грн
250+174.51 грн
500+167.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Виробник: TTM Technologies
High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.20 грн
10+238.14 грн
25+195.23 грн
100+179.89 грн
250+164.55 грн
500+156.18 грн
1000+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 20W
Package / Case: Nonstandard SMD
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B C20N50Z4B.pdf
Виробник: TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited
Description: SMD TERM 20W 50 OHM 6GHZ 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: 5G, AMPS, Cellular, DCS, GSM, LTE, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 20W
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.93 грн
10+245.56 грн
25+232.16 грн
100+200.62 грн
250+190.27 грн
500+182.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B C20N50Z4B.pdf
C20N50Z4B
Виробник: TTM Technologies
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.41 грн
10+258.99 грн
25+212.66 грн
100+195.92 грн
250+179.89 грн
500+171.52 грн
1000+165.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102FCT CHV-Series.pdf
CHV2220N500102FCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 1000PF 1% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.37 грн
10+231.89 грн
50+196.51 грн
100+174.14 грн
500+162.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102JCT CHV-Series.pdf
CHV2220N500102JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 1000PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.30 грн
10+167.84 грн
50+140.13 грн
100+123.48 грн
500+110.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500104KXT CHV-Series.pdf
CHV2220N500104KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV-Series.pdf
CHV2220N500105KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+72.24 грн
1000+66.46 грн
1500+64.91 грн
2500+59.29 грн
3500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV-Series.pdf
CHV2220N500105KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.45 грн
10+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500393KXT CHV-Series.pdf
CHV2220N500393KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .039UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.37 грн
10+106.73 грн
50+87.26 грн
100+76.24 грн
500+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500472JCT GMC-Series-3.pdf
CHV2220N500472JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 4700PF 5% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+153.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500474KXT CHV-Series.pdf
CHV2220N500474KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .47UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500684KXT CHV-Series.pdf
CHV2220N500684KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .68UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.68 µF
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.29 грн
10+109.75 грн
50+89.86 грн
100+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50 FAIRS31552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDA20N50
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 80014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+242.00 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
FDB20N50F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+112.19 грн
1600+104.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
FDB20N50F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 11422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.31 грн
10+207.72 грн
100+147.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
FDB20N50F
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.59 грн
10+224.51 грн
100+152.69 грн
500+128.29 грн
800+118.53 грн
2400+111.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.12 грн
3+214.85 грн
4+203.94 грн
10+167.85 грн
30+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 6752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.43 грн
10+203.66 грн
100+138.75 грн
500+115.74 грн
1000+107.37 грн
2000+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.41 грн
10+177.92 грн
20+163.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT-D.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.50 грн
10+162.77 грн
100+125.50 грн
500+103.19 грн
1000+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT-D.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.13 грн
50+151.37 грн
100+137.60 грн
500+106.48 грн
1000+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT-D.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.76 грн
3+232.48 грн
10+207.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
на замовлення 7328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.66 грн
10+169.99 грн
100+131.78 грн
500+115.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.07 грн
50+169.12 грн
100+154.03 грн
500+119.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1D HRISD027-3-71.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N50C1D
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+587.30 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50C1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+523.17 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1D HRISD027-3-76.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50EID
Виробник: Harris Corporation
Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+261.91 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N50 TOCSS00194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGTH20N50
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+209.94 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.57 грн
3+192.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.51 грн
5+362.56 грн
10+321.44 грн
30+271.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.03 грн
30+294.81 грн
120+247.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.60 грн
10+296.67 грн
120+216.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+435.64 грн
10+264.37 грн
30+234.15 грн
60+233.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.30 грн
10+271.02 грн
120+195.92 грн
1020+195.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC120N-50 C014RevG3_PCS-2604346.pdf
MC120N-50
Виробник: Amphenol Positronic
D-Sub Contacts
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.57 грн
10+483.50 грн
25+396.73 грн
50+387.66 грн
100+367.44 грн
250+289.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC120N-50
Виробник: Amphenol Positronic
Description: MC120N-50
Packaging: Bulk
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+585.94 грн
100+352.33 грн
250+335.42 грн
500+264.76 грн
1000+240.36 грн
2500+228.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF index_42.html
MOT20N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.42 грн
10+150.77 грн
100+90.46 грн
500+59.43 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W index_43.html
MOT20N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.43 грн
10+220.11 грн
100+132.06 грн
600+86.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104JBA
Виробник: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104JBA
Виробник: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.38 грн
12+26.13 грн
13+24.62 грн
25+21.55 грн
50+20.44 грн
100+19.46 грн
500+17.19 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104JBA
Виробник: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100KOhm 5%
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.98 грн
13+25.90 грн
25+20.92 грн
50+19.94 грн
100+18.96 грн
500+17.36 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Виробник: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.26 грн
21+14.50 грн
23+13.60 грн
25+11.82 грн
50+11.20 грн
100+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Виробник: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.11 грн
23+14.43 грн
26+11.02 грн
100+10.53 грн
500+10.46 грн
1000+9.76 грн
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-E3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.85 грн
50+125.91 грн
100+113.94 грн
500+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+89.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.61 грн
10+165.18 грн
100+100.40 грн
500+87.85 грн
1000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.63 грн
10+163.61 грн
100+114.37 грн
500+87.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 sihb20n50e.pdf
SIHB20N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.87 грн
10+206.07 грн
100+126.90 грн
500+105.28 грн
1000+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 sihb20n50e.pdf
SIHB20N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.34 грн
10+192.69 грн
100+136.00 грн
500+104.90 грн
1000+97.61 грн
2000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]