Результат пошуку "2sc55" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A-4-TR-E onsemi ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1652+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 1652
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-E ON Semiconductor 2629ena1061-d.pdf Trans RF BJT NPN 10V 0.07A Automotive 4-Pin Case MCP T/R
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2488+12.38 грн
10000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 2488
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5507-T2-A Renesas RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NPN Silicon RF Transistor
на замовлення 36533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1668+18.47 грн
10000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 1668
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5507-T2-A 2SC5507-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ M04
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
на замовлення 36633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1107+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1107
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B-A 2SC5508-T2B-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1904116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B-A Renesas RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 1904116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+39.05 грн
1000+36.01 грн
10000+32.11 грн
100000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A Renesas RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC5509-T2-A
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+39.05 грн
1000+36.01 грн
10000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A Renesas RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC5509-T2-A
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+39.05 грн
1000+36.01 грн
10000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A California Eastern Laboratories 3559313063157538ne663m04.pdf NPN Silicon RF Transistor
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT-343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-H 2SC5536A-TL-H onsemi ena1092-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
на замовлення 160933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1512+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 1512
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-H ON Semiconductor ena1092-d.pdf RF Transistor
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2278+13.52 грн
10000+12.06 грн
100000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 2278
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-H ON Semiconductor ena1092-d.pdf RF Transistor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2278+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 2278
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5537A-TL-H ON Semiconductor 2SC5537A-TL-H
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+5.65 грн
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 5455
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5537A-TL-H onsemi Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3620
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548(TE16L1,NQ) Toshiba Trans GP BJT NPN 370V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1281+24.05 грн
10000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1281
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548(TE16L1,NQ) Toshiba Trans GP BJT NPN 370V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1281+24.05 грн
10000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1281
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5562(TP,Q) Toshiba Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.01 грн
13+31.99 грн
100+21.77 грн
500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.41 грн
10+39.86 грн
100+26.13 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+22.53 грн
10000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.06 грн
10+41.49 грн
100+27.02 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+62.82 грн
312+39.50 грн
500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi 2SA2013-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.82 грн
10+40.21 грн
100+25.92 грн
500+20.07 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+22.53 грн
10000+20.09 грн
100000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.49 грн
20+43.74 грн
100+32.48 грн
500+23.36 грн
1000+17.03 грн
5000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+22.53 грн
10000+20.09 грн
100000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.48 грн
500+23.36 грн
1000+17.03 грн
5000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI en6309-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 560...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 330MHz
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.47 грн
12+35.86 грн
50+28.11 грн
100+25.49 грн
200+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI en6309-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 560...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 330MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.97 грн
10+44.69 грн
50+33.73 грн
100+30.59 грн
200+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2sa2016d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+23.82 грн
523+23.59 грн
553+22.29 грн
559+21.27 грн
563+19.55 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 518
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2sa2016d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+27.60 грн
28+25.27 грн
100+23.03 грн
250+21.10 грн
500+20.11 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi 2SA2016-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
на замовлення 22164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.33 грн
10+47.37 грн
100+28.81 грн
500+23.33 грн
1000+21.59 грн
2000+19.76 грн
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.05 грн
16+53.63 грн
50+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 6223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.68 грн
10+50.99 грн
100+33.55 грн
500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.55 грн
2000+21.61 грн
3000+20.57 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2sa2016d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 136370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+32.36 грн
1032+29.84 грн
10000+26.60 грн
100000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.39 грн
500+9.34 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
695+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 695
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.01 грн
18+19.49 грн
100+10.72 грн
500+8.06 грн
1000+7.14 грн
3000+5.93 грн
6000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.28 грн
41+21.14 грн
100+13.39 грн
500+9.34 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.60 грн
19+17.58 грн
100+11.12 грн
500+7.78 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+14.54 грн
879+14.02 грн
1000+13.57 грн
2500+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 20365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+25.46 грн
1000+23.73 грн
2000+16.51 грн
3000+15.60 грн
12000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.29 грн
14+23.83 грн
100+15.21 грн
500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL 2SC5585TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.45 грн
14+26.40 грн
100+14.67 грн
500+11.02 грн
1000+10.11 грн
3000+8.82 грн
6000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-E Renesas RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+75.67 грн
500+68.11 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-E 2SC5594XP-TL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-H 2SC5594XP-TL-H Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-H Renesas RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+75.67 грн
500+68.11 грн
1000+62.81 грн
10000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
2SC55 NEC CAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC550 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508 NEC SOT-343
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508 NSC
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2 NEC SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B NEC/RENESAS 10+ SOT-343
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-TL-A RENESAS SOT343
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-E ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5501A-4-TR-E
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1652+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 1652
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-E 2629ena1061-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A Automotive 4-Pin Case MCP T/R
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2488+12.38 грн
10000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 2488
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5507-T2-A RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
NPN Silicon RF Transistor
на замовлення 36533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1668+18.47 грн
10000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 1668
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5507-T2-A RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5507-T2-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ M04
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
на замовлення 36633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1107+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1107
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B-A RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5508-T2B-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1904116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B-A RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 1904116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
789+39.05 грн
1000+36.01 грн
10000+32.11 грн
100000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SC5509-T2-A
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
789+39.05 грн
1000+36.01 грн
10000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
2SC5509-T2-A
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
789+39.05 грн
1000+36.01 грн
10000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 789
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A 3559313063157538ne663m04.pdf
2SC5509-T2-A
Виробник: California Eastern Laboratories
NPN Silicon RF Transistor
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5509-T2-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT-343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
2SC5536A-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
на замовлення 160933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1512+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 1512
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
RF Transistor
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2278+13.52 грн
10000+12.06 грн
100000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 2278
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
RF Transistor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2278+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 2278
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5537A-TL-H
Виробник: ON Semiconductor
2SC5537A-TL-H
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5455+5.65 грн
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 5455
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5537A-TL-H
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3620+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3620
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 370V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1281+24.05 грн
10000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1281
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 370V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1281+24.05 грн
10000+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1281
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5562(TP,Q)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.01 грн
13+31.99 грн
100+21.77 грн
500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.41 грн
10+39.86 грн
100+26.13 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1367+22.53 грн
10000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.06 грн
10+41.49 грн
100+27.02 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+62.82 грн
312+39.50 грн
500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.82 грн
10+40.21 грн
100+25.92 грн
500+20.07 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1367+22.53 грн
10000+20.09 грн
100000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.49 грн
20+43.74 грн
100+32.48 грн
500+23.36 грн
1000+17.03 грн
5000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1367+22.53 грн
10000+20.09 грн
100000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 1367
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.48 грн
500+23.36 грн
1000+17.03 грн
5000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 560...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 330MHz
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.47 грн
12+35.86 грн
50+28.11 грн
100+25.49 грн
200+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 560...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 330MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.97 грн
10+44.69 грн
50+33.73 грн
100+30.59 грн
200+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2sa2016d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
518+23.82 грн
523+23.59 грн
553+22.29 грн
559+21.27 грн
563+19.55 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 518
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2sa2016d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+27.60 грн
28+25.27 грн
100+23.03 грн
250+21.10 грн
500+20.11 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SA2016-D.PDF
2SC5569-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
на замовлення 22164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.33 грн
10+47.37 грн
100+28.81 грн
500+23.33 грн
1000+21.59 грн
2000+19.76 грн
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.05 грн
16+53.63 грн
50+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 6223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.68 грн
10+50.99 грн
100+33.55 грн
500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.55 грн
2000+21.61 грн
3000+20.57 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2sa2016d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 136370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
952+32.36 грн
1032+29.84 грн
10000+26.60 грн
100000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.39 грн
500+9.34 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
695+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 695
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.01 грн
18+19.49 грн
100+10.72 грн
500+8.06 грн
1000+7.14 грн
3000+5.93 грн
6000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.28 грн
41+21.14 грн
100+13.39 грн
500+9.34 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TL datasheet?p=2SC5585E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.60 грн
19+17.58 грн
100+11.12 грн
500+7.78 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+14.54 грн
879+14.02 грн
1000+13.57 грн
2500+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 20365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+25.46 грн
1000+23.73 грн
2000+16.51 грн
3000+15.60 грн
12000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SC5585TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.29 грн
14+23.83 грн
100+15.21 грн
500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SC5585TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.45 грн
14+26.40 грн
100+14.67 грн
500+11.02 грн
1000+10.11 грн
3000+8.82 грн
6000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-E RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
408+75.67 грн
500+68.11 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-E RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-H RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-H
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-H RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
408+75.67 грн
500+68.11 грн
1000+62.81 грн
10000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
2SC55
Виробник: NEC
CAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC550
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508
Виробник: NEC
SOT-343
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508
Виробник: NSC
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2
Виробник: NEC
SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B
Виробник: NEC/RENESAS
10+ SOT-343
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-TL-A
Виробник: RENESAS
SOT343
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]