Результат пошуку "E13009" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MJE13009F (транзистор біполярный NPN) MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845
mje13009f.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
у наявності: 86 шт
1+30 грн
E13009
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-1 FAIRCHILD 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-2 FAIRCHILD 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-2 FAIRCHILD 2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-2 FSC 09+
на замовлення 9818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009F2 FAIRCHILD 2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009L FAIRCHILD 2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009FTU KSE13009FTU onsemi FAIRS19502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
на замовлення 82328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 952
KSE13009FTU KSE13009FTU Fairchild Semiconductor FAIRS19502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
на замовлення 13687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 952
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.13 грн
11+ 33.23 грн
25+ 29.17 грн
30+ 26.38 грн
82+ 24.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.36 грн
7+ 41.42 грн
25+ 35 грн
30+ 31.66 грн
82+ 29.95 грн
250+ 29.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors PHE13009-2887047.pdf Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS
на замовлення 6105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.52 грн
10+ 49.87 грн
100+ 29.56 грн
500+ 24.68 грн
1000+ 21.03 грн
2000+ 19.01 грн
5000+ 17.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 NXP USA Inc. PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
912+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 912
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw phe13009.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+60.77 грн
10+ 52.87 грн
100+ 31.38 грн
500+ 26.24 грн
1000+ 22.2 грн
2000+ 20.19 грн
5000+ 18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSE13009 FSC 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009 FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009-2 FSC
на замовлення 45888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009F Samsung
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009H2 FSC
на замовлення 45888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009H2TU FAIRCHILD TO-220 04+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009-1
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009-2
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009A
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009AR
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009F
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009G mje13009-d.pdf description
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009H3(25-32)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009L
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MLE13009L
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHE13009 NXP TO-220 08+
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TE13009
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJP13009H2TU ON-Semicoductor fjp13009-d.pdf NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 fai
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTE379 NTE379 NTE Electronics nte379.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Current gain: 6...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.97 грн
2+ 461.22 грн
5+ 436.12 грн
ST13009L ST NPN 12A 400V 2W 4MHz ST13009 MJE13009 TMJE13009
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66 грн
Мінімальне замовлення: 10
E13009L (транзистор биролярный)
Код товару: 100550
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
KSE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30179
Motorola Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
товар відсутній
KSE13009L
Код товару: 116676
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312
Fairchild Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
товар відсутній
MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
KSE13009FTU onsemi FAIRS19502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: KSE13009FTU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
KSE13009FTU ON Semiconductor kse13009f.pdf NPN Silicon GP BJT Transistor
товар відсутній
KSE13009LTU KSE13009LTU ON Semiconductor kse13009l.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
KSE13009TU KSE13009TU ON Semiconductor kse13008.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE13009 MJE13009 onsemi MJE13009-D%20%28Rev.%20Feb%202006%29.pdf Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE13009G MJE13009G onsemi mje13009-d.pdf description Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE13009G MJE13009G ON Semiconductor mje13009-d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
PHE13009,127 PHE13009,127 Ween phe13009.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Description: TRANS NPN 400V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
товар відсутній
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Description: TRANS NPN 400V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
UFE1300-96S24C1J UFE1300-96S24C1J Artesyn Embedded Technologies fe_ufr_2000_single_ds_1210635350.pdfcrc13bc6e9417951dc83.pdf AC/DC Power Supply Single-OUT 21V to 28.5V 0A 1300W 13-Pin
товар відсутній
UFE1300-96S24C1J Artesyn Embedded Technologies Artesyn_UFE1300-3399522.pdf Rack Mount Power Supplies 24V output, 1300W 1U x 5.4" x 10", I2C (UFE1300-96S24C1J)
товар відсутній
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845
mje13009f.pdf
MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
у наявності: 86 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
E13009
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-1
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-2
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-2
Виробник: FAIRCHILD
2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009-2
Виробник: FSC
09+
на замовлення 9818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009F2
Виробник: FAIRCHILD
2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
E13009L
Виробник: FAIRCHILD
2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009FTU FAIRS19502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KSE13009FTU
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
на замовлення 82328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 952
KSE13009FTU FAIRS19502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KSE13009FTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
на замовлення 13687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 952
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.13 грн
11+ 33.23 грн
25+ 29.17 грн
30+ 26.38 грн
82+ 24.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.36 грн
7+ 41.42 грн
25+ 35 грн
30+ 31.66 грн
82+ 29.95 грн
250+ 29.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
PHE13009,127 PHE13009-2887047.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS
на замовлення 6105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.52 грн
10+ 49.87 грн
100+ 29.56 грн
500+ 24.68 грн
1000+ 21.03 грн
2000+ 19.01 грн
5000+ 17.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
PHE13009/DG,127 PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PHE13009/DG,127
Виробник: NXP USA Inc.
Description: NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
912+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 912
PHE13009/DG,127 PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.77 грн
10+ 52.87 грн
100+ 31.38 грн
500+ 26.24 грн
1000+ 22.2 грн
2000+ 20.19 грн
5000+ 18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSE13009
Виробник: FSC
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009-2
Виробник: FSC
на замовлення 45888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009F
Виробник: Samsung
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009H2
Виробник: FSC
на замовлення 45888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSE13009H2TU
Виробник: FAIRCHILD
TO-220 04+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009-1
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009-2
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009A
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009AR
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009F
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009G description mje13009-d.pdf
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009H3(25-32)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009L
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MLE13009L
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHE13009
Виробник: NXP
TO-220 08+
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TE13009
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJP13009H2TU fjp13009-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 fai
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTE379 nte379.pdf
NTE379
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Current gain: 6...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+663.97 грн
2+ 461.22 грн
5+ 436.12 грн
ST13009L
Виробник: ST
NPN 12A 400V 2W 4MHz ST13009 MJE13009 TMJE13009
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+66 грн
Мінімальне замовлення: 10
KSE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30179
Виробник: Motorola
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
товар відсутній
KSE13009L
Код товару: 116676
товар відсутній
MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
товар відсутній
MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141
товар відсутній
KSE13009FTU FAIRS19502-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: KSE13009FTU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
KSE13009FTU kse13009f.pdf
Виробник: ON Semiconductor
NPN Silicon GP BJT Transistor
товар відсутній
KSE13009LTU kse13009l.pdf
KSE13009LTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
KSE13009TU kse13008.pdf
KSE13009TU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE13009 MJE13009-D%20%28Rev.%20Feb%202006%29.pdf
MJE13009
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE13009G description mje13009-d.pdf
MJE13009G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE13009G description mje13009-d.pdf
MJE13009G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: Ween
Trans GP BJT NPN 400V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
PHE13009/DG,127 PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
товар відсутній
PHE13009/DG,127 phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
UFE1300-96S24C1J fe_ufr_2000_single_ds_1210635350.pdfcrc13bc6e9417951dc83.pdf
UFE1300-96S24C1J
Виробник: Artesyn Embedded Technologies
AC/DC Power Supply Single-OUT 21V to 28.5V 0A 1300W 13-Pin
товар відсутній
UFE1300-96S24C1J Artesyn_UFE1300-3399522.pdf
Виробник: Artesyn Embedded Technologies
Rack Mount Power Supplies 24V output, 1300W 1U x 5.4" x 10", I2C (UFE1300-96S24C1J)
товар відсутній
PHE13009/DG,127 PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]