Результат пошуку "F7103" : 33
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: SO-8 Uds,V: 50 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 290/12 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 23 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 9 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||
F7103 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
F7103Q | IOR | 09+ SOP8 |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
F7103Q | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103TR | IR |
![]() |
на замовлення 272 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 10588 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | UMW |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF7103 | IR |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103 | IR |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103 | IR |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103 | IOR |
![]() |
на замовлення 123828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103 | IR |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103 | IOR |
![]() |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103 | IR |
![]() |
на замовлення 733 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103 | IOR |
![]() |
на замовлення 123948 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103/IR | IR | 08+; |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103PBF | IR |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF7103QTRPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 73 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MGF7103-21 |
на замовлення 5170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
AUIRF7103QTR Код товару: 208998
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRF7103Q Код товару: 163741
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
3UF71031AA000 | Siemens |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
3UF71031BA000 | Siemens |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
AUIRF7103QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 2.4W Gate charge: 10nC Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IF7103 | IFM ELECTRONIC |
![]() Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IF7103 | IFM ELECTRONIC |
![]() Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
AUIRF7103QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 2.4W Gate charge: 10nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.50 грн |
10+ | 24.80 грн |
100+ | 21.80 грн |
F7103 |
Виробник: IOR
01+ SOP
01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
F7103Q |
Виробник: IOR
09+ SOP8
09+ SOP8
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
F7103Q |
Виробник: IOR
01+ SOP
01+ SOP
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103TR |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 36.57 грн |
IRF7103TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 14.79 грн |
IRF7103TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 11.09 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 76.41 грн |
7+ | 57.72 грн |
50+ | 33.32 грн |
65+ | 14.59 грн |
177+ | 13.79 грн |
IRF7103TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.69 грн |
5+ | 71.93 грн |
50+ | 39.99 грн |
65+ | 17.51 грн |
177+ | 16.55 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 87.59 грн |
10+ | 54.30 грн |
100+ | 31.22 грн |
500+ | 24.34 грн |
1000+ | 21.81 грн |
2000+ | 19.97 грн |
4000+ | 17.14 грн |
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IR
09+ TO-220
09+ TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IR
SO-8
SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IOR
на замовлення 123828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IR
05+ SOP-8;
05+ SOP-8;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IOR
09+
09+
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103 | ![]() |
Виробник: IOR
09+ SO-8
09+ SO-8
на замовлення 123948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103PBF |
Виробник: IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7103QTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AUIRF7103QTR Код товару: 208998
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7103Q Код товару: 163741
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
3UF71031AA000 |
![]() |
Виробник: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
3UF71031BA000 |
![]() |
Виробник: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIRF7103QTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IF7103 |
![]() |
Виробник: IFM ELECTRONIC
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IF7103 |
![]() |
Виробник: IFM ELECTRONIC
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIRF7103QTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.