Результат пошуку "F7103" : 45
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Idd, А: 3 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 200 шт
на замовлення: 6 шт
|
|
||||||||||||||||||
| F7103 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| F7103Q | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
3UF71031BA000 | Siemens |
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IF7103 | IFM ELECTRONIC |
Category: DC Cylindrical Inductive SensorsDescription: Sensor: inductive Type of sensor: inductive |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7103QTRPBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7103TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 638 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7103TR | JSMicro Semiconductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSMкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7103TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMWкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 14499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBFXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
на замовлення 2733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR FET |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
UMWIRF7103TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7103 | IOR |
09+ SO-8 |
на замовлення 123948 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7103/IR | IR | 08+; |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7103PBF | IR |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MGF7103-21 |
на замовлення 5170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||||
|
AUIRF7103QTR Код товару: 208998
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
|
IRF7103Q Код товару: 163741
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 3UF71031AA000 | Siemens |
Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20Packaging: Box |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
3UF71031AA000 | Siemens |
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 3UF71031BA000 | Siemens |
Description: SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200Packaging: Box |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
AUIRF7103Q | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
AUIRF7103QTR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7103 | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7103PBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRF7103PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF7103Q | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 760 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF7103TRPBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
UMWIRF7103TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
Транзистор польовий IRF7103 IR | IR | Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm Транзистори польові |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
Транзистор польовий IRF7103TR IR | IR | Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm Транзистори польові |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRF7103Q | International Rectifier |
AUIRF7103Q Multi Channel Transistors Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRF7103QTR | International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7103PBF | International Rectifier |
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8, Pbf) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7103Q | International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF7103QTRPBF | International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRF7103TRPBF | International Rectifier |
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
59022-3-U-02-E | Littelfuse Inc. |
Description: SENSOR REED SWITCH SPDT W LEADSPart Status: Obsolete Actuator Material: Magnet Must Operate: 6.50mm Termination Style: Wire Leads with Connector Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Type: Reed Switch Output Type: SPDT Package / Case: Barrel (Plastic Housed), Wire Leads Packaging: Box |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF7103TRPBF Код товару: 19112
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 200 шт
- 158 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
- 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27.50 грн |
| 10+ | 24.80 грн |
| 100+ | 21.80 грн |
| F7103 |
Виробник: IOR
01+ SOP
01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| F7103Q |
Виробник: IOR
01+ SOP
01+ SOP
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 3UF71031BA000 |
![]() |
Виробник: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IF7103 |
![]() |
Виробник: IFM ELECTRONIC
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2393.86 грн |
| IRF7103QTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 30.89 грн |
| 190+ | 26.47 грн |
| IRF7103TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.49 грн |
| IRF7103TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 638 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.49 грн |
| IRF7103TR |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.05 грн |
| IRF7103TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 12.11 грн |
| IRF7103TR |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.49 грн |
| IRF7103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.75 грн |
| 8+ | 53.56 грн |
| 10+ | 45.35 грн |
| 20+ | 36.48 грн |
| 50+ | 26.86 грн |
| 100+ | 22.14 грн |
| 200+ | 19.32 грн |
| 250+ | 18.74 грн |
| 500+ | 17.33 грн |
| IRF7103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.39 грн |
| 10+ | 44.32 грн |
| 100+ | 28.97 грн |
| 500+ | 20.96 грн |
| 1000+ | 18.96 грн |
| 2000+ | 17.27 грн |
| IRF7103TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 17.54 грн |
| 8000+ | 15.62 грн |
| 12000+ | 14.97 грн |
| IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 75.90 грн |
| 10+ | 44.69 грн |
| 100+ | 29.02 грн |
| 500+ | 22.47 грн |
| 1000+ | 20.40 грн |
| 2000+ | 18.66 грн |
| IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.39 грн |
| 10+ | 44.32 грн |
| 100+ | 28.97 грн |
| 500+ | 20.96 грн |
| 1000+ | 18.96 грн |
| 2000+ | 17.27 грн |
| IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UMWIRF7103TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.94 грн |
| 10+ | 45.59 грн |
| 100+ | 29.79 грн |
| 500+ | 21.58 грн |
| 1000+ | 19.53 грн |
| IRF7103 | ![]() |
Виробник: IOR
09+ SO-8
09+ SO-8
на замовлення 123948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF7103/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRF7103PBF |
Виробник: IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| AUIRF7103QTR Код товару: 208998
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103Q Код товару: 163741
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 3UF71031AA000 |
![]() |
Виробник: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRF7103Q |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRF7103QTR |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103 |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103Q |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRF7103TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор польовий IRF7103 IR |
Виробник: IR
Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор польовий IRF7103TR IR |
Виробник: IR
Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRF7103Q |
![]() |
Виробник: International Rectifier
AUIRF7103Q Multi Channel Transistors Транзистори
AUIRF7103Q Multi Channel Transistors Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRF7103QTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Транзистори
MOSFET 2N-CH 50V 3.0A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8, Pbf) Транзистори
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8, Pbf) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103Q |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103QTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) Транзистори
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 59022-3-U-02-E |
![]() |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SENSOR REED SWITCH SPDT W LEADS
Part Status: Obsolete
Actuator Material: Magnet
Must Operate: 6.50mm
Termination Style: Wire Leads with Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: Reed Switch
Output Type: SPDT
Package / Case: Barrel (Plastic Housed), Wire Leads
Packaging: Box
Description: SENSOR REED SWITCH SPDT W LEADS
Part Status: Obsolete
Actuator Material: Magnet
Must Operate: 6.50mm
Termination Style: Wire Leads with Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: Reed Switch
Output Type: SPDT
Package / Case: Barrel (Plastic Housed), Wire Leads
Packaging: Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.


















