Результат пошуку "IRF2807" : 56
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 236
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 159
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 351
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 351
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 292
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 209
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 281
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 213
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 224
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2807PBF Код товару: 88517
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 Монтаж: THT |
у наявності: 74 шт
18 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 563 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 83354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 83347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF2807STRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF2807STRRPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRF2807STRRPBF |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 223000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF2807 | IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
IRF2807 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF2807PBF |
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF2807S-111 |
на замовлення 8250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF2807STRPBF | IR | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF2807ZS | IR |
07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF2807ZSTRLPBF | Infineon |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| Транзистор IRF2807STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF2807 Код товару: 23680
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF2807SPBF Код товару: 3880
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF Код товару: 203787
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF2807Z Код товару: 46772
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF2807ZPBF Код товару: 58174
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF2807ZS Код товару: 186277
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AUIRF2807 Код товару: 46389
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF2807PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 82, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3820 @ 25 В, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 43 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Окількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF2807STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF2807SPBF | International Rectifier |
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF2807STRLPBF | International Rectifier |
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, D2PAK-3 (TO-263-3) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF2807ZPBF | International Rectifier |
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF1312PBF | International Rectifier |
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF2807PBF Код товару: 88517
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 74 шт
18 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 42.00 грн |
| 100+ | 37.50 грн |
| IRF2807 | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 48.64 грн |
| IRF2807 | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 48.64 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 142.22 грн |
| 10+ | 80.75 грн |
| 25+ | 70.66 грн |
| 50+ | 63.93 грн |
| 100+ | 58.88 грн |
| 500+ | 53.84 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 236+ | 54.93 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 178.46 грн |
| 10+ | 96.42 грн |
| 100+ | 87.30 грн |
| 500+ | 68.59 грн |
| 1000+ | 52.54 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 159+ | 81.59 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 203.82 грн |
| 10+ | 99.47 грн |
| 100+ | 88.87 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 351+ | 92.28 грн |
| 500+ | 83.05 грн |
| 1000+ | 76.59 грн |
| 10000+ | 65.85 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.40 грн |
| 10+ | 81.97 грн |
| 100+ | 64.29 грн |
| 500+ | 51.22 грн |
| 1000+ | 47.03 грн |
| 2000+ | 43.54 грн |
| 5000+ | 43.33 грн |
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 351+ | 92.28 грн |
| 500+ | 83.05 грн |
| IRF2807STRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 63.51 грн |
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 292+ | 111.03 грн |
| 500+ | 99.93 грн |
| 1000+ | 92.16 грн |
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 100.69 грн |
| 250+ | 90.85 грн |
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.44 грн |
| 10+ | 116.53 грн |
| 100+ | 69.74 грн |
| 500+ | 52.27 грн |
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 241.33 грн |
| 10+ | 155.72 грн |
| 50+ | 132.08 грн |
| 100+ | 100.69 грн |
| 250+ | 90.85 грн |
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 136.07 грн |
| IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 209+ | 61.95 грн |
| IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 66.37 грн |
| IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF2807STRRPBF
IRF2807STRRPBF
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 281+ | 115.35 грн |
| 500+ | 103.82 грн |
| 1000+ | 95.74 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 163.96 грн |
| 5+ | 105.99 грн |
| 10+ | 98.42 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 213+ | 60.75 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 271+ | 119.66 грн |
| 500+ | 107.70 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 187.52 грн |
| 10+ | 122.29 грн |
| 100+ | 91.31 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 223000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 271+ | 119.66 грн |
| 500+ | 107.70 грн |
| 1000+ | 99.31 грн |
| 10000+ | 85.39 грн |
| 100000+ | 66.24 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 271+ | 119.66 грн |
| 500+ | 107.70 грн |
| 1000+ | 99.31 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 271+ | 119.66 грн |
| 500+ | 107.70 грн |
| 1000+ | 99.31 грн |
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 271+ | 119.66 грн |
| 500+ | 107.70 грн |
| IRF2807ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 224+ | 144.45 грн |
| 500+ | 130.44 грн |
| 1000+ | 119.66 грн |
| 10000+ | 103.08 грн |
| IRF2807 | ![]() |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807PBF |
![]() |
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 4 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807STRPBF |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807ZS |
![]() |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор IRF2807STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF2807 Код товару: 23680
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807SPBF Код товару: 3880
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| IRF2807STRLPBF Код товару: 203787
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807Z Код товару: 46772
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807ZPBF Код товару: 58174
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807ZS Код товару: 186277
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRF2807 Код товару: 46389
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 82, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3820 @ 25 В, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 43 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 82, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3820 @ 25 В, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 43 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB О
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, D2PAK-3 (TO-263-3) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, D2PAK-3 (TO-263-3) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
N-кан. MOSFET 75V, 82A, 0.013Ом, 230Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1312PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.













