Результат пошуку "IRF2807" : 58

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807PBF IRF2807PBF
Код товару: 88517
Додати до обраних Обраний товар

IR irf2807pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 153 шт
126 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.65 грн
10+106.83 грн
17+55.80 грн
47+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.78 грн
10+133.12 грн
17+66.97 грн
47+63.14 грн
1000+62.18 грн
5000+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.97 грн
10+132.21 грн
100+95.30 грн
500+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+151.20 грн
93+133.22 грн
108+114.42 грн
200+87.48 грн
500+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+143.46 грн
25+88.78 грн
100+78.83 грн
500+59.31 грн
1000+58.01 грн
2000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+87.45 грн
500+78.71 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+87.45 грн
500+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF IR irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL International Rectifier irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN-3362782.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 7606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.18 грн
10+133.78 грн
100+82.65 грн
500+69.57 грн
800+59.24 грн
2400+56.25 грн
4800+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.60 грн
10+132.21 грн
50+112.47 грн
100+85.30 грн
250+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.30 грн
250+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.09 грн
10+67.62 грн
25+64.27 грн
100+59.48 грн
500+53.47 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+72.88 грн
177+69.27 грн
185+66.49 грн
500+62.25 грн
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z International Rectifier irf2807z.pdf N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.86 грн
5+114.80 грн
10+101.25 грн
21+46.08 грн
56+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+113.40 грн
500+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+113.40 грн
500+102.07 грн
1000+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+113.40 грн
500+102.07 грн
1000+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+187.17 грн
97+126.68 грн
100+125.05 грн
200+85.91 грн
500+75.16 грн
1000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+113.40 грн
500+102.07 грн
1000+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.74 грн
10+139.08 грн
100+97.87 грн
500+76.77 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF IR 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2912 NTE2912 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар

IR description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар

irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807 AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IRF2807 Infineon / IR Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf description MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.23 грн
5+143.06 грн
10+121.49 грн
21+55.29 грн
56+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF
Код товару: 88517
Додати до обраних Обраний товар

irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 153 шт
126 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.65 грн
10+106.83 грн
17+55.80 грн
47+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.78 грн
10+133.12 грн
17+66.97 грн
47+63.14 грн
1000+62.18 грн
5000+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.97 грн
10+132.21 грн
100+95.30 грн
500+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+151.20 грн
93+133.22 грн
108+114.42 грн
200+87.48 грн
500+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.25 грн
10+143.46 грн
25+88.78 грн
100+78.83 грн
500+59.31 грн
1000+58.01 грн
2000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+87.45 грн
500+78.71 грн
1000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+87.45 грн
500+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN-3362782.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 7606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.18 грн
10+133.78 грн
100+82.65 грн
500+69.57 грн
800+59.24 грн
2400+56.25 грн
4800+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.60 грн
10+132.21 грн
50+112.47 грн
100+85.30 грн
250+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.30 грн
250+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+73.09 грн
10+67.62 грн
25+64.27 грн
100+59.48 грн
500+53.47 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+72.88 грн
177+69.27 грн
185+66.49 грн
500+62.25 грн
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z irf2807z.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.86 грн
5+114.80 грн
10+101.25 грн
21+46.08 грн
56+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+113.40 грн
500+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+113.40 грн
500+102.07 грн
1000+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+113.40 грн
500+102.07 грн
1000+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+187.17 грн
97+126.68 грн
100+125.05 грн
200+85.91 грн
500+75.16 грн
1000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+113.40 грн
500+102.07 грн
1000+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.74 грн
10+139.08 грн
100+97.87 грн
500+76.77 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2912 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78
NTE2912
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар

description
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар

description irf2807spbf-datasheet.pdf
IRF2807SPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf
IRF2807Z
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар

description irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390
AUIRF2807
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf
IRF2807
Виробник: Infineon / IR
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.23 грн
5+143.06 грн
10+121.49 грн
21+55.29 грн
56+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.