Результат пошуку "IRF2807" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF2807PBF IRF2807PBF
Код товару: 88517
3 Додати до обраних Обраний товар
IR irf2807pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
  • 9 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IRF2807 Infineon info-tirf2807.pdf description IRF2807 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; TIRF2807
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IRF2807 International Rectifier info-tirf2807.pdf description IRF2807 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; TIRF2807
на замовлення 90 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.43 грн
10+82.18 грн
17+59.30 грн
45+55.91 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+83.63 грн
500+75.26 грн
1000+69.42 грн
10000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+83.63 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+135.82 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.48 грн
10+89.82 грн
50+67.72 грн
100+56.86 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon_irf2807_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.78 грн
10+75.03 грн
100+57.88 грн
500+45.87 грн
1000+43.32 грн
2000+40.46 грн
5000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL International Rectifier irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 IRF2807S Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; TIRF2807s
на замовлення 47 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+125.45 грн
500+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+125.45 грн
500+112.91 грн
1000+104.12 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 86 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+211.08 грн
10+102.74 грн
100+80.33 грн
500+60.81 грн
800+60.21 грн
4800+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF International Rectifier HiRel Products irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 IRF2807STRRPBF
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+130.33 грн
500+117.30 грн
1000+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z International Rectifier irf2807z.pdf IRF2807Z N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω TIRF2807z
на замовлення 140 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
10+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+135.20 грн
500+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+135.20 грн
500+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+216.00 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+135.20 грн
500+121.68 грн
1000+112.21 грн
10000+96.48 грн
100000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+135.20 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+135.20 грн
500+121.68 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-en.pdf IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF IR 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807 AUIRF2807 International Rectifier IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар
IR description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,013 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар
irf2807spbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар
irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар
irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар
irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар
irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар
IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807L IRF2807L Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF International Rectifier/Infineon irf2807pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 82, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3820 @ 25 В, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 43 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S IRF2807S Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF IRF2807SPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL IRF2807STRL Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z IRF2807Z Infineon Technologies irf2807z.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZLPBF IRF2807ZLPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF
Код товару: 88517
3 Додати до обраних Обраний товар
irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
  • 9 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description info-tirf2807.pdf
IRF2807
Виробник: Infineon
IRF2807 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; TIRF2807
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description info-tirf2807.pdf
IRF2807
Виробник: International Rectifier
IRF2807 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; TIRF2807
на замовлення 90 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.43 грн
10+82.18 грн
17+59.30 грн
45+55.91 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+83.63 грн
500+75.26 грн
1000+69.42 грн
10000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+83.63 грн
500+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+135.82 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.48 грн
10+89.82 грн
50+67.72 грн
100+56.86 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon_irf2807_datasheet_en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.78 грн
10+75.03 грн
100+57.88 грн
500+45.87 грн
1000+43.32 грн
2000+40.46 грн
5000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Виробник: International Rectifier
IRF2807S Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; TIRF2807s
на замовлення 47 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
292+125.45 грн
500+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
292+125.45 грн
500+112.91 грн
1000+104.12 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+217.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 86 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.08 грн
10+102.74 грн
100+80.33 грн
500+60.81 грн
800+60.21 грн
4800+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF2807STRRPBF
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+130.33 грн
500+117.30 грн
1000+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z irf2807z.pdf
Виробник: International Rectifier
IRF2807Z N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω TIRF2807z
на замовлення 140 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+216.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+135.20 грн
500+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+135.20 грн
500+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+216.00 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+135.20 грн
500+121.68 грн
1000+112.21 грн
10000+96.48 грн
100000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+135.20 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+135.20 грн
500+121.68 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-en.pdf
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807 IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF2807
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар
description
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,013 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар
description irf2807spbf-datasheet.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар
irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар
irf2807z.pdf
IRF2807Z
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар
description irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар
irf2807z.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар
IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807L irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 82, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3820 @ 25 В, Qg, нКл = 160 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 43 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z irf2807z.pdf
IRF2807Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.