Результат пошуку "IRF5210" : 47

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5210PBF IRF5210PBF
Код товару: 113380
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5210pbf-221443.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 151 шт
151 шт - склад
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.04 грн
10+107.16 грн
15+65.40 грн
39+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF Infineon irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+291.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 713 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.25 грн
10+133.54 грн
15+78.48 грн
39+74.70 грн
5000+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+215.77 грн
63+195.34 грн
117+105.43 грн
500+97.73 грн
1000+70.27 грн
2000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+150.77 грн
85+145.03 грн
100+140.11 грн
250+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.98 грн
10+120.65 грн
25+100.51 грн
100+89.04 грн
500+70.67 грн
2000+63.92 грн
5000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN-3363195.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 10734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.39 грн
10+113.95 грн
100+96.82 грн
500+79.42 грн
1000+72.16 грн
2000+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.84 грн
10+218.92 грн
100+113.71 грн
500+83.52 грн
1000+74.19 грн
5000+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S IRF5210S MULTICOMP PRO 4419348.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.46 грн
500+71.23 грн
1000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S IRF5210S MULTICOMP PRO 4419348.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.77 грн
10+153.59 грн
100+109.46 грн
500+71.23 грн
1000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF International Rectifier HiRel Products irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+314.67 грн
103+299.34 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CN CHIPNOBO Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.56 грн
5+178.86 грн
9+107.16 грн
24+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+233.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.48 грн
5+222.89 грн
9+128.59 грн
24+121.97 грн
500+119.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.75 грн
10+142.56 грн
100+136.62 грн
500+113.46 грн
1000+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.59 грн
1600+103.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN-3362884.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.04 грн
10+138.31 грн
100+119.51 грн
500+95.31 грн
800+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+156.93 грн
104+118.51 грн
105+117.69 грн
500+107.19 грн
1600+84.65 грн
3200+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.13 грн
1600+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.62 грн
500+113.46 грн
1000+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.46 грн
1600+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.33 грн
1600+108.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+163.46 грн
500+147.12 грн
1000+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 JSMSEMI description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e description P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF International Rectifier/Infineon irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL International Rectifier Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR IR irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5210-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар

irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e description Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5210spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар

irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF
Код товару: 113380
Додати до обраних Обраний товар

irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 151 шт
151 шт - склад
Кількість Ціна
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.04 грн
10+107.16 грн
15+65.40 грн
39+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+291.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 713 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.25 грн
10+133.54 грн
15+78.48 грн
39+74.70 грн
5000+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+215.77 грн
63+195.34 грн
117+105.43 грн
500+97.73 грн
1000+70.27 грн
2000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+150.77 грн
85+145.03 грн
100+140.11 грн
250+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+151.98 грн
10+120.65 грн
25+100.51 грн
100+89.04 грн
500+70.67 грн
2000+63.92 грн
5000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN-3363195.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 10734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.39 грн
10+113.95 грн
100+96.82 грн
500+79.42 грн
1000+72.16 грн
2000+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+241.84 грн
10+218.92 грн
100+113.71 грн
500+83.52 грн
1000+74.19 грн
5000+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S 4419348.pdf
IRF5210S
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.46 грн
500+71.23 грн
1000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S 4419348.pdf
IRF5210S
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.77 грн
10+153.59 грн
100+109.46 грн
500+71.23 грн
1000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+314.67 грн
103+299.34 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.56 грн
5+178.86 грн
9+107.16 грн
24+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+305.48 грн
5+222.89 грн
9+128.59 грн
24+121.97 грн
500+119.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.75 грн
10+142.56 грн
100+136.62 грн
500+113.46 грн
1000+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.59 грн
1600+103.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN-3362884.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.04 грн
10+138.31 грн
100+119.51 грн
500+95.31 грн
800+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+156.93 грн
104+118.51 грн
105+117.69 грн
500+107.19 грн
1600+84.65 грн
3200+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+113.13 грн
1600+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.62 грн
500+113.46 грн
1000+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.46 грн
1600+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 76800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+110.33 грн
1600+108.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+163.46 грн
500+147.12 грн
1000+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар

description irf5210-datasheet.pdf
IRF5210
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар

description irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210LPBF
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар

irf5210spbf-datasheet.pdf
IRF5210SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 38 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар

irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.