Результат пошуку "IRF9Z34N" : 52

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар

IR irf9z34npbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 295 шт
247 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
Додати до обраних Обраний товар

IR irf9z34nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 173 шт
81 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N International Rectifier 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N International Rectifier 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N JSMicro Semiconductor 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N International Rectifier 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N UMW 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+122.73 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.96 грн
25+34.92 грн
38+23.89 грн
103+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IR irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+28.98 грн
11+25.83 грн
100+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.75 грн
25+43.52 грн
38+28.66 грн
103+27.12 грн
2000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN-3363049.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.28 грн
10+90.13 грн
25+31.42 грн
100+28.16 грн
250+28.08 грн
500+23.08 грн
1000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.06 грн
10+85.47 грн
100+39.97 грн
500+29.03 грн
1000+24.28 грн
5000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.42 грн
50+30.21 грн
100+28.32 грн
500+21.77 грн
1000+19.19 грн
2000+18.15 грн
5000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.26 грн
2000+18.97 грн
5000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 54189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
50+31.93 грн
100+30.35 грн
500+22.92 грн
1000+20.89 грн
2000+19.36 грн
5000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+65.48 грн
200+61.99 грн
500+51.28 грн
1000+45.07 грн
2000+39.78 грн
4000+37.28 грн
8000+37.07 грн
16000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF IR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+42.94 грн
10+35.28 грн
100+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTR Infineon P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+34.24 грн
367+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.69 грн
10+69.24 грн
100+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.06 грн
50+73.02 грн
100+61.38 грн
500+48.76 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.38 грн
500+48.76 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363292.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.29 грн
10+74.69 грн
25+62.77 грн
100+51.74 грн
250+51.16 грн
500+42.38 грн
800+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.03 грн
1600+34.89 грн
2400+34.12 грн
4000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 119000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+66.90 грн
506+60.21 грн
1000+55.53 грн
10000+47.73 грн
100000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description 08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS : IRF9Z34NSTRLPBF International Rectifier Corporation IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF International Rectifier/Infineon irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 19 А; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25; Qg, нКл = 35 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N International Rectifier IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N International Rectifier AUIRF9Z34N.pdf IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N-INF AUIRF9Z34N-INF Infineon Technologies IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF9Z34N UMWIRF9Z34N UMW 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.71 грн
10+47.02 грн
100+30.83 грн
500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N IRF9Z34N
Код товару: 1336
Додати до обраних Обраний товар

IR irf9z34n.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар

IR irf9z34ns.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+18.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NL IRF9Z34NL Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRR Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Infineon Technologies AUIRF9Z34N.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34 IRF9Z34 Vishay Siliconix IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар

description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 295 шт
247 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
Додати до обраних Обраний товар

description irf9z34nspbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 173 шт
81 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+122.73 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.96 грн
25+34.92 грн
38+23.89 грн
103+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+28.98 грн
11+25.83 грн
100+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.75 грн
25+43.52 грн
38+28.66 грн
103+27.12 грн
2000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN-3363049.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+90.13 грн
25+31.42 грн
100+28.16 грн
250+28.08 грн
500+23.08 грн
1000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.06 грн
10+85.47 грн
100+39.97 грн
500+29.03 грн
1000+24.28 грн
5000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.42 грн
50+30.21 грн
100+28.32 грн
500+21.77 грн
1000+19.19 грн
2000+18.15 грн
5000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.26 грн
2000+18.97 грн
5000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 54189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.28 грн
50+31.93 грн
100+30.35 грн
500+22.92 грн
1000+20.89 грн
2000+19.36 грн
5000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
186+65.48 грн
200+61.99 грн
500+51.28 грн
1000+45.07 грн
2000+39.78 грн
4000+37.28 грн
8000+37.07 грн
16000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.94 грн
10+35.28 грн
100+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTR
Виробник: Infineon
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
356+34.24 грн
367+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.69 грн
10+69.24 грн
100+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.06 грн
50+73.02 грн
100+61.38 грн
500+48.76 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.38 грн
500+48.76 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363292.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.29 грн
10+74.69 грн
25+62.77 грн
100+51.74 грн
250+51.16 грн
500+42.38 грн
800+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.03 грн
1600+34.89 грн
2400+34.12 грн
4000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 119000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+66.90 грн
506+60.21 грн
1000+55.53 грн
10000+47.73 грн
100000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Виробник: IR
08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS : IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: International Rectifier Corporation
IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 19 А; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25; Qg, нКл = 35 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
318+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N.pdf IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N-INF IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
318+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRF9Z34N 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
UMWIRF9Z34N
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.71 грн
10+47.02 грн
100+30.83 грн
500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N
Код товару: 1336
Додати до обраних Обраний товар

description irf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар

irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NS
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NL irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N.pdf
AUIRF9Z34N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34 IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf
IRF9Z34
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.