Результат пошуку "IRFP250" : 20
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
у наявності: 67 шт
24 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
|
IRFP250NPBF Код товару: 40169
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123 Монтаж: THT |
у наявності: 144 шт
90 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ 14 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
| IRFP250 | Siliconix |
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP250 | Siliconix |
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP250 | Siliconix |
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP250M | Infineon |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 123nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP250N | International Rectifier |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250nкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 123nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 956 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP250PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP250 |
|
на замовлення 1642 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP250N IR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
|
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP250P |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRFP250 Код товару: 171437
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||
|
IRFP250A Код товару: 46979
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 67 шт
24 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 72.00 грн |
| 10+ | 65.00 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| IRFP250NPBF Код товару: 40169
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
у наявності: 144 шт
90 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 100+ | 62.50 грн |
| IRFP250 |
![]() |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 132.66 грн |
| IRFP250 |
![]() |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 132.66 грн |
| IRFP250 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 132.66 грн |
| IRFP250M |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 112.32 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.46 грн |
| 10+ | 141.08 грн |
| 25+ | 111.60 грн |
| 50+ | 98.01 грн |
| 100+ | 88.31 грн |
| 125+ | 85.40 грн |
| 250+ | 82.48 грн |
| IRFP250N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 78.17 грн |
| IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.36 грн |
| 10+ | 152.17 грн |
| 25+ | 134.89 грн |
| 50+ | 127.12 грн |
| 100+ | 119.36 грн |
| 400+ | 104.80 грн |
| 500+ | 102.86 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.33 грн |
| 5+ | 193.49 грн |
| 10+ | 177.59 грн |
| 25+ | 166.91 грн |
| 1000+ | 152.35 грн |
| IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 68.08 грн |
| IRFP250 Код товару: 171437
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 34.70 грн |




