Результат пошуку "IRFP250" : 56

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP250 (IRFP250PBF) IRFP250 (IRFP250PBF)
Код товару: 7938
Додати до обраних Обраний товар

ST IRFP250.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 67 шт
24 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+72.00 грн
10+65.00 грн
100+58.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF
Код товару: 40169
Додати до обраних Обраний товар

IR irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
129 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+75.00 грн
10+69.00 грн
100+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250M Infineon N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.62 грн
10+118.98 грн
13+73.28 грн
35+69.34 грн
250+68.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.14 грн
10+148.27 грн
13+87.93 грн
35+83.21 грн
250+82.26 грн
400+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.01 грн
10+129.54 грн
100+87.89 грн
500+77.49 грн
1600+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.80 грн
10+111.34 грн
100+87.74 грн
400+65.73 грн
1200+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.38 грн
25+110.00 грн
100+88.85 грн
500+67.47 грн
1000+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+120.46 грн
150+81.73 грн
500+74.74 грн
1600+71.32 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.62 грн
10+114.55 грн
100+100.13 грн
500+62.88 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250N International Rectifier description N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+210.44 грн
10+127.65 грн
15+62.25 грн
42+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.53 грн
10+159.07 грн
15+74.70 грн
42+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+156.67 грн
114+108.07 грн
800+96.71 грн
1200+92.33 грн
2800+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFP250N-DataSheet-v02_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.74 грн
10+140.05 грн
100+113.46 грн
400+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.35 грн
10+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+281.72 грн
10+168.86 грн
100+151.04 грн
500+106.37 грн
1000+96.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 21402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.56 грн
10+168.47 грн
100+116.21 грн
800+100.28 грн
1200+91.93 грн
2800+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.93 грн
25+129.95 грн
100+117.90 грн
500+88.08 грн
1000+83.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+189.23 грн
5+163.10 грн
10+156.01 грн
11+88.25 грн
29+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.07 грн
5+203.25 грн
10+187.21 грн
11+105.90 грн
29+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Siliconix irfp250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.29 грн
25+168.93 грн
1000+168.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY VISH-S-A0014425709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.32 грн
10+196.01 грн
100+195.17 грн
500+180.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.74 грн
10+185.28 грн
500+183.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+159.05 грн
84+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Semiconductors irfp250.pdf MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.39 грн
10+178.33 грн
500+154.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.41 грн
10+157.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+236.90 грн
72+172.31 грн
500+170.58 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453 IRFP250S2453 Harris Corporation Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453 HARRIS IRFP250S2453
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+142.01 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250N IR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
9+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2376 NTE2376 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8ADB1303D80C1&compId=nte2376.pdf?ci_sign=4c36f580485af8806695fb82752388a85e7a5d74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+807.82 грн
2+609.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
Код товару: 171437
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250A
Код товару: 46979
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00002160.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 onsemi / Fairchild DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 STMicroelectronics DS_497_IRFP250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 IXYS DS_238_IRFP250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 IXYS ixys_92602.pdf MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Vishay / Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 (IRFP250PBF)
Код товару: 7938
Додати до обраних Обраний товар

IRFP250.pdf
IRFP250 (IRFP250PBF)
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 67 шт
24 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+72.00 грн
10+65.00 грн
100+58.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF
Код товару: 40169
Додати до обраних Обраний товар

description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
IRFP250NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
129 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+75.00 грн
10+69.00 грн
100+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250M
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+110.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.62 грн
10+118.98 грн
13+73.28 грн
35+69.34 грн
250+68.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.14 грн
10+148.27 грн
13+87.93 грн
35+83.21 грн
250+82.26 грн
400+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+254.01 грн
10+129.54 грн
100+87.89 грн
500+77.49 грн
1600+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.80 грн
10+111.34 грн
100+87.74 грн
400+65.73 грн
1200+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.38 грн
25+110.00 грн
100+88.85 грн
500+67.47 грн
1000+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+120.46 грн
150+81.73 грн
500+74.74 грн
1600+71.32 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.62 грн
10+114.55 грн
100+100.13 грн
500+62.88 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.44 грн
10+127.65 грн
15+62.25 грн
42+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.53 грн
10+159.07 грн
15+74.70 грн
42+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+156.67 грн
114+108.07 грн
800+96.71 грн
1200+92.33 грн
2800+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description Infineon-IRFP250N-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.74 грн
10+140.05 грн
100+113.46 грн
400+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.35 грн
10+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+281.72 грн
10+168.86 грн
100+151.04 грн
500+106.37 грн
1000+96.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 21402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.56 грн
10+168.47 грн
100+116.21 грн
800+100.28 грн
1200+91.93 грн
2800+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.93 грн
25+129.95 грн
100+117.90 грн
500+88.08 грн
1000+83.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+189.23 грн
5+163.10 грн
10+156.01 грн
11+88.25 грн
29+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.07 грн
5+203.25 грн
10+187.21 грн
11+105.90 грн
29+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.29 грн
25+168.93 грн
1000+168.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF VISH-S-A0014425709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.32 грн
10+196.01 грн
100+195.17 грн
500+180.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+254.74 грн
10+185.28 грн
500+183.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+159.05 грн
84+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.39 грн
10+178.33 грн
500+154.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.41 грн
10+157.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+236.90 грн
72+172.31 грн
500+170.58 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453
IRFP250S2453
Виробник: Harris Corporation
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+128.44 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250S2453
Виробник: HARRIS
IRFP250S2453
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+142.01 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250N IR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
Виробник: Infineon Technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2376 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8ADB1303D80C1&compId=nte2376.pdf?ci_sign=4c36f580485af8806695fb82752388a85e7a5d74
NTE2376
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+807.82 грн
2+609.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
Код товару: 171437
Додати до обраних Обраний товар

DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250A
Код товару: 46979
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 stmicroelectronics_cd00002160.pdf
IRFP250
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
IRFP250
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_497_IRFP250.pdf
IRFP250
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf
IRFP250
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 ixys_92602.pdf
IRFP250
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
IRFP250
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.