Результат пошуку "IRFP250" : 53
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 231
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 322
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 97
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 231
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 72
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 231
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 91
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 69
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 216
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
у наявності: 67 шт
24 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF Код товару: 40169
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123 Монтаж: THT |
у наявності: 174 шт
132 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
IRFP250 | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP250 | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP250M | Infineon |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 123nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 123nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP250N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 609 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 4649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 25202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 3856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250NPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP250S2453 | HARRIS | IRFP250S2453 |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP250 |
![]() ![]() |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFP250N IR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFP250P |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 13 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP250 Код товару: 171437
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
![]() ![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
IRFP250A Код товару: 46979
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFP250 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250 | Vishay / Siliconix |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250 | onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 67 шт
24 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 72.00 грн |
10+ | 65.00 грн |
100+ | 58.50 грн |
IRFP250NPBF Код товару: 40169
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
у наявності: 174 шт
132 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 75.00 грн |
10+ | 69.00 грн |
100+ | 62.50 грн |
IRFP250 |
![]() ![]() |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 93.47 грн |
IRFP250 |
![]() ![]() |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 93.47 грн |
IRFP250M |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 109.67 грн |
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 212.57 грн |
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.66 грн |
5+ | 195.80 грн |
10+ | 168.65 грн |
13+ | 89.06 грн |
35+ | 84.32 грн |
400+ | 80.54 грн |
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 215.12 грн |
10+ | 111.39 грн |
100+ | 98.63 грн |
500+ | 62.77 грн |
1000+ | 56.78 грн |
IRFP250N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 76.32 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 216.82 грн |
10+ | 143.70 грн |
15+ | 62.38 грн |
42+ | 58.43 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 260.19 грн |
10+ | 179.07 грн |
15+ | 74.85 грн |
42+ | 70.11 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
231+ | 131.54 грн |
500+ | 124.46 грн |
1000+ | 117.37 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
322+ | 103.94 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
97+ | 126.28 грн |
151+ | 80.54 грн |
172+ | 70.94 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
231+ | 131.54 грн |
500+ | 124.46 грн |
1000+ | 117.37 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
72+ | 169.28 грн |
77+ | 157.94 грн |
111+ | 109.77 грн |
500+ | 105.76 грн |
1000+ | 92.20 грн |
2000+ | 87.89 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 25202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 181.95 грн |
25+ | 169.76 грн |
100+ | 117.99 грн |
500+ | 113.67 грн |
1000+ | 99.10 грн |
2000+ | 94.46 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
231+ | 131.54 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 136.30 грн |
25+ | 131.21 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.91 грн |
10+ | 149.06 грн |
100+ | 115.97 грн |
400+ | 87.93 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 293.35 грн |
10+ | 179.41 грн |
100+ | 146.25 грн |
500+ | 110.54 грн |
1000+ | 97.66 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 168.36 грн |
10+ | 141.33 грн |
11+ | 88.43 грн |
29+ | 82.90 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 202.03 грн |
10+ | 176.12 грн |
11+ | 106.12 грн |
29+ | 99.48 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
91+ | 134.29 грн |
92+ | 132.92 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.46 грн |
10+ | 179.56 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
69+ | 177.50 грн |
70+ | 175.89 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 190.78 грн |
25+ | 189.05 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 143.89 грн |
25+ | 142.41 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 256.79 грн |
10+ | 182.81 грн |
100+ | 175.16 грн |
IRFP250S2453 |
Виробник: HARRIS
IRFP250S2453
IRFP250S2453
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
216+ | 140.65 грн |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 46.11 грн |
NTE2376 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 806.08 грн |
2+ | 609.54 грн |
IRFP250 Код товару: 171437
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 39.00 грн |
10+ | 34.70 грн |
IRFP250A Код товару: 46979
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250 |
![]() ![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.