Результат пошуку "IRFP250" : > 60
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP250NPBF Код товару: 40169
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 30 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2159/123 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
очікується: 150 шт
|
|
||||||||||||||||
| IRFP250 | Siliconix |
IRFP250 N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω TIRFP250 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFP250 | Siliconix |
IRFP250 N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω TIRFP250 |
на замовлення 75 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFP250M | Infineon | IRFP250M N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω TIRFP250m |
на замовлення 145 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP250N | International Rectifier |
IRFP250N N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω TIRFP250n |
на замовлення 100 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | Infineon |
Транзистори |
на замовлення 40 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 57783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 57776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC |
на замовлення 269 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 419 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 180W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFP250S2453 | HARRIS | IRFP250S2453 |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRFP250S2453 | Harris Corporation |
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFP250 |
|
на замовлення 1642 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP250N IR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP250P |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRFP250 Код товару: 171437
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 33 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
|
IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 33 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRFP250A Код товару: 46979
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRFP250 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250 | IXYS |
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP250 | ONS/FAI |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFP250B | ONS/FAI | Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFP250N | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | JSMSEMI |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP250NPBF Код товару: 40169
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 150 шт
- 150 шт - очікується 26.11.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 100+ | 62.50 грн |
| IRFP250 |
![]() |
Виробник: Siliconix
IRFP250 N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω TIRFP250
IRFP250 N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω TIRFP250
на замовлення 24 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 135.41 грн |
| IRFP250 |
![]() |
Виробник: Siliconix
IRFP250 N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω TIRFP250
IRFP250 N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω TIRFP250
на замовлення 75 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 135.41 грн |
| IRFP250M |
Виробник: Infineon
IRFP250M N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω TIRFP250m
IRFP250M N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω TIRFP250m
на замовлення 145 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 124.67 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 216.07 грн |
| 5+ | 136.26 грн |
| 10+ | 114.53 грн |
| 13+ | 78.58 грн |
| 34+ | 74.40 грн |
| 100+ | 73.57 грн |
| 125+ | 71.89 грн |
| 250+ | 71.06 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 150.71 грн |
| 500+ | 136.12 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 150.71 грн |
| 500+ | 136.12 грн |
| 1000+ | 125.18 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.67 грн |
| 25+ | 119.09 грн |
| 50+ | 106.66 грн |
| 100+ | 90.26 грн |
| 500+ | 73.02 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 305.87 грн |
| 95+ | 154.72 грн |
| 127+ | 115.23 грн |
| 500+ | 107.60 грн |
| 1600+ | 98.63 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 150.71 грн |
| 500+ | 136.12 грн |
| 1000+ | 125.18 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 307.89 грн |
| 10+ | 155.74 грн |
| 100+ | 115.99 грн |
| 500+ | 108.31 грн |
| 1600+ | 99.28 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 100.03 грн |
| 1600+ | 99.03 грн |
| 3200+ | 98.04 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 100.03 грн |
| 1600+ | 99.03 грн |
| 3200+ | 98.04 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 238.54 грн |
| 10+ | 117.56 грн |
| 100+ | 83.71 грн |
| 400+ | 72.01 грн |
| IRFP250N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
IRFP250N N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω TIRFP250n
IRFP250N N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω TIRFP250n
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 83.04 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 188.16 грн |
| 10+ | 161.34 грн |
| 15+ | 66.04 грн |
| 40+ | 61.86 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори
Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 319.75 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 274.92 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 57783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 307.06 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 112.84 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 112.84 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 57776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 306.27 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 275.42 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 152.25 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 269 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.80 грн |
| 10+ | 124.38 грн |
| 100+ | 90.38 грн |
| 400+ | 77.04 грн |
| 1200+ | 74.82 грн |
| 2800+ | 72.60 грн |
| 5200+ | 70.08 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 396.12 грн |
| 5+ | 286.74 грн |
| 10+ | 240.76 грн |
| 11+ | 93.63 грн |
| 29+ | 88.61 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 507.47 грн |
| 10+ | 281.15 грн |
| 100+ | 242.81 грн |
| 500+ | 192.14 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 510.94 грн |
| 53+ | 278.56 грн |
| 100+ | 239.96 грн |
| 500+ | 189.30 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 216.73 грн |
| 10+ | 183.86 грн |
| 100+ | 174.53 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 420.62 грн |
| 45+ | 329.42 грн |
| 52+ | 285.86 грн |
| 100+ | 248.08 грн |
| 125+ | 224.84 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 68+ | 216.73 грн |
| 80+ | 183.86 грн |
| 100+ | 174.53 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 510.94 грн |
| 10+ | 278.56 грн |
| 100+ | 239.96 грн |
| 500+ | 189.30 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 528.95 грн |
| 25+ | 300.65 грн |
| 50+ | 273.61 грн |
| 100+ | 235.41 грн |
| 500+ | 198.02 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 504.13 грн |
| 53+ | 279.30 грн |
| 100+ | 241.22 грн |
| 500+ | 190.87 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 453.74 грн |
| 10+ | 233.43 грн |
| 100+ | 171.12 грн |
| 500+ | 143.72 грн |
| 1000+ | 134.08 грн |
| IRFP250S2453 |
Виробник: HARRIS
IRFP250S2453
IRFP250S2453
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 216+ | 168.94 грн |
| IRFP250S2453 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 164+ | 139.01 грн |
| Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 48.47 грн |
| Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 57.47 грн |
| IRFP250 Код товару: 171437
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 39.00 грн |
| 10+ | 34.70 грн |
| IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 72.00 грн |
| 10+ | 65.00 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| IRFP250A Код товару: 46979
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP250N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.














