Результат пошуку "IRL540" : 43
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 367
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 367
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 87
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 186
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 98
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 88
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL540NPBF Код товару: 25626
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 65 шт
13 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Харків 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540A | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540A | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 49.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 49.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540NSTRL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 707 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 51200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 49600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540PBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 869 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL540N | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540N; IRL540N TIRL540 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540N | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N UMW TIRL540 UMW |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540NS |
![]() |
на замовлення 91 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRL540NSC | IR |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IRL540S | IR |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540SPBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
Транзистор IRL540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate |
на замовлення 46 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL540NS Код товару: 99527
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540PBF Код товару: 42050
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2200/64 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540 | Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRL540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL540STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRL540NPBF Код товару: 25626
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 65 шт
13 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 56.00 грн |
10+ | 50.50 грн |
IRL540A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
367+ | 82.87 грн |
500+ | 74.59 грн |
1000+ | 68.79 грн |
IRL540A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
367+ | 82.87 грн |
500+ | 74.59 грн |
1000+ | 68.79 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 117.34 грн |
10+ | 91.43 грн |
25+ | 74.53 грн |
29+ | 32.37 грн |
79+ | 30.56 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.81 грн |
10+ | 113.94 грн |
25+ | 89.44 грн |
29+ | 38.85 грн |
79+ | 36.67 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
87+ | 140.85 грн |
183+ | 66.70 грн |
200+ | 65.49 грн |
500+ | 57.22 грн |
1000+ | 51.89 грн |
2000+ | 39.41 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
186+ | 65.62 грн |
217+ | 56.19 грн |
500+ | 47.74 грн |
1000+ | 39.75 грн |
3000+ | 31.09 грн |
10000+ | 29.55 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.95 грн |
10+ | 61.89 грн |
100+ | 49.80 грн |
500+ | 39.34 грн |
1000+ | 36.08 грн |
2000+ | 33.50 грн |
5000+ | 30.93 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 147.31 грн |
10+ | 70.53 грн |
100+ | 60.40 грн |
500+ | 49.48 грн |
1000+ | 39.56 грн |
3000+ | 32.08 грн |
10000+ | 31.76 грн |
IRL540NSTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 72.66 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 119.89 грн |
18+ | 52.11 грн |
50+ | 48.95 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.87 грн |
18+ | 64.94 грн |
50+ | 58.74 грн |
1600+ | 56.85 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
98+ | 125.15 грн |
99+ | 123.89 грн |
135+ | 90.51 грн |
250+ | 85.34 грн |
500+ | 52.53 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
88+ | 139.23 грн |
98+ | 124.66 грн |
100+ | 123.04 грн |
200+ | 85.08 грн |
500+ | 77.33 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 51.85 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 154.75 грн |
10+ | 121.16 грн |
100+ | 74.96 грн |
500+ | 64.05 грн |
800+ | 51.92 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 60.24 грн |
1600+ | 59.16 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 150.24 грн |
10+ | 134.08 грн |
25+ | 132.74 грн |
100+ | 93.51 грн |
250+ | 84.66 грн |
500+ | 54.03 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 64.74 грн |
1600+ | 63.59 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 48.39 грн |
IRL540PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRL540PBF THT N channel transistors
IRL540PBF THT N channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.53 грн |
21+ | 53.63 грн |
57+ | 50.69 грн |
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 111.44 грн |
23+ | 30.60 грн |
24+ | 29.84 грн |
IRL540N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540N; IRL540N TIRL540
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540N; IRL540N TIRL540
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540N |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N UMW TIRL540 UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N UMW TIRL540 UMW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540NS | ![]() |
IRL540NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540NSC |
Виробник: IR
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540S |
![]() |
Виробник: IR
SOT263 10+
SOT263 10+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Транзистор IRL540NPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.08 грн |
IRL540NS Код товару: 99527
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.50 грн |
IRL540PBF Код товару: 42050
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2200/64
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2200/64
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27.00 грн |
10+ | 24.50 грн |
IRL540 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL540STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.