Результат пошуку "irfp1" : 112

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF Vishay Siliconix TO247AC_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.67 грн
25+ 347.04 грн
100+ 310.5 грн
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF Vishay Semiconductors TO247AC_Front.jpg MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.24 грн
10+ 425.8 грн
25+ 335.63 грн
100+ 233.74 грн
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF Vishay irfp17n50l.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP120 IR 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP140(94-5756) IR TO-247
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP150MPBF International Rectifier Corporation irfp150mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356285f3f1fd2 MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFP150NPBF/IR IR 08+;
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP150V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP150`
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP15N60LPBF IRFP15N60L%2CSiHFP15N60L.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP17N50L IR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP17N50LPBF IR TO247AC_Front.jpg 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP17N50LPBF VISHAY TO247AC_Front.jpg
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRFP1405 AUIRFP1405 Infineon Technologies IRSDS11927-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+171.62 грн
Мінімальне замовлення: 117
AUIRFP1405 AUIRFP1405 International Rectifier IRSDS11927-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+171.62 грн
Мінімальне замовлення: 117
AUIRFP1405-203 AUIRFP1405-203 International Rectifier IRSDS11927-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Part Status: Obsolete
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+134.37 грн
Мінімальне замовлення: 150
Транзистор польовий IRFP150_IRFP150N 42A 100V N-ch TO-247AC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+53.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP1405PBF IRFP1405PBF
Код товару: 117174
irfp1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356284dd81fce Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFP140N
Код товару: 158617
irfp140npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628568b1fd0 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFP1405 IRFP1405 Infineon Technologies irfp1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356284dd81fce Description: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP1405PBF IRFP1405PBF Infineon Technologies infineon-irfp1405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140N IRFP140N Infineon Technologies irfp140npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628568b1fd0 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP140NPBF IRFP140NPBF Infineon Technologies infineon-irfp140n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140NPBF IRFP140NPBF Infineon Technologies infineon-irfp140n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140NPBF IRFP140NPBF Infineon Technologies irfp140npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628568b1fd0 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP140NPBF IRFP140NPBF Infineon Technologies infineon-irfp140n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140PBF IRFP140PBF Vishay irfp140.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 Vishay Siliconix HRISD017-4-483.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 ON Semiconductor irfp150.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 Vishay 91203.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150A IRFP150A ON Semiconductor 3676918352766604irfp150a.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
IRFP150A IRFP150A onsemi irfp150a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 193W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP150MPBF IRFP150MPBF Infineon Technologies irfp150mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP150N IRFP150N Infineon Technologies IRFP150N.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP150N IRFP150N Infineon Technologies irfp150n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP150PBF IRFP150PBF Vishay irfp150.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150PBF IRFP150PBF Vishay irfp150.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150VPBF IRFP150VPBF Infineon Technologies irfp150vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP15N60LPBF IRFP15N60LPBF Vishay Siliconix IRFP15N60L%2CSiHFP15N60L.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP17N50L IRFP17N50L Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP17N50LPBF VISHAY TO247AC_Front.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 64A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP17N50LPBF VISHAY TO247AC_Front.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 64A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF Vishay irfp17n50l.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF Vishay irfp17n50l.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
AUIRFP1405 AUIRFP1405 Infineon Technologies AUIRFP1405.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP17N50LPBF TO247AC_Front.jpg
IRFP17N50LPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.67 грн
25+ 347.04 грн
100+ 310.5 грн
IRFP17N50LPBF TO247AC_Front.jpg
IRFP17N50LPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+490.24 грн
10+ 425.8 грн
25+ 335.63 грн
100+ 233.74 грн
IRFP17N50LPBF irfp17n50l.pdf
IRFP17N50LPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP120
Виробник: IR
09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP140(94-5756)
Виробник: IR
TO-247
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP150MPBF irfp150mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356285f3f1fd2
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFP150NPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP150V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP150`
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP15N60LPBF IRFP15N60L%2CSiHFP15N60L.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP17N50L
Виробник: IR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP17N50LPBF TO247AC_Front.jpg
Виробник: IR
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP17N50LPBF TO247AC_Front.jpg
Виробник: VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRFP1405 IRSDS11927-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP1405
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+171.62 грн
Мінімальне замовлення: 117
AUIRFP1405 IRSDS11927-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP1405
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+171.62 грн
Мінімальне замовлення: 117
AUIRFP1405-203 IRSDS11927-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP1405-203
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Part Status: Obsolete
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+134.37 грн
Мінімальне замовлення: 150
Транзистор польовий IRFP150_IRFP150N 42A 100V N-ch TO-247AC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+53.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP1405PBF
Код товару: 117174
irfp1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356284dd81fce
IRFP1405PBF
товар відсутній
IRFP140N
Код товару: 158617
irfp140npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628568b1fd0
товар відсутній
IRFP1405 irfp1405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356284dd81fce
IRFP1405
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP1405PBF infineon-irfp1405-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140N irfp140npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628568b1fd0
IRFP140N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP140NPBF infineon-irfp140n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140NPBF infineon-irfp140n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140NPBF irfp140npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628568b1fd0
IRFP140NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP140NPBF infineon-irfp140n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP140PBF irfp140.pdf
IRFP140PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150 HRISD017-4-483.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP150
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP150 irfp150.pdf
IRFP150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IRFP150 91203.pdf
IRFP150
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150A 3676918352766604irfp150a.pdf
IRFP150A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
IRFP150A irfp150a-d.pdf
IRFP150A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 193W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP150MPBF irfp150mpbf.pdf
IRFP150MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP150N description IRFP150N.pdf
IRFP150N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP150N description irfp150n.pdf
IRFP150N
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP150PBF irfp150.pdf
IRFP150PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150PBF irfp150.pdf
IRFP150PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150VPBF irfp150vpbf.pdf
IRFP150VPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP15N60LPBF IRFP15N60L%2CSiHFP15N60L.pdf
IRFP15N60LPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP17N50L
IRFP17N50L
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP17N50LPBF TO247AC_Front.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 64A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP17N50LPBF TO247AC_Front.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 64A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP17N50LPBF irfp17n50l.pdf
IRFP17N50LPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP17N50LPBF irfp17n50l.pdf
IRFP17N50LPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
AUIRFP1405 AUIRFP1405.pdf
AUIRFP1405
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2