Результат пошуку "irl5" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRL520PBF IRL520PBF VISHAY VISH-S-A0013856952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.85 грн
10+ 80.13 грн
100+ 62.39 грн
500+ 49.1 грн
1000+ 34.73 грн
5000+ 33.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL520PBF IRL520PBF Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+71.18 грн
177+ 66.11 грн
189+ 62.02 грн
200+ 56.51 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRL520PBF IRL520PBF Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+46.09 грн
266+ 44.01 грн
500+ 43.9 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRL520PBF IRL520PBF Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.63 грн
11+ 54.8 грн
100+ 47.78 грн
500+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL520PBF IRL520PBF Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRL520PBF IRL520PBF Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.8 грн
100+ 40.96 грн
500+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRL520PBF IRL520PBF Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.33 грн
50+ 73.56 грн
100+ 58.3 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 37.77 грн
2000+ 35.56 грн
5000+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL520PBF IRL520PBF Vishay irl520.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.62 грн
10+ 58.8 грн
100+ 51.56 грн
500+ 38.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL520PBF-BE3 IRL520PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.36 грн
10+ 63.88 грн
100+ 47.4 грн
500+ 42.59 грн
1000+ 36.52 грн
2000+ 35.38 грн
5000+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL520PBF-BE3 IRL520PBF-BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.33 грн
50+ 73.56 грн
100+ 58.3 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530N VBsemi description N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 150mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; IRL530N INFINEON TIRL530n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL530NS; 17A; 100V; 0,10 Om; 3,8 (79)W; N-канальный; logic level; Корпус: D2PAK (TO-263); INFINEON
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL530NSTRL Infineon irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Transistor N-Channel MOSFET HEXFET; 100V; 20V; 100mOhm; 17A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRL530NSTRL; IRL530NS; IRL530NS-GURT; IRL530NSTRR; IRL530NS TIRL530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.6 грн
21+ 39.36 грн
57+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.59 грн
5+ 64.3 грн
21+ 47.23 грн
57+ 44.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.77 грн
10+ 76.15 грн
100+ 59.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+89.4 грн
Мінімальне замовлення: 131
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.08 грн
10+ 88.37 грн
50+ 76.39 грн
100+ 59.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40 грн
2400+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+22.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.09 грн
1600+ 40.86 грн
2400+ 38.47 грн
5600+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+100.89 грн
10+ 83.01 грн
25+ 80.77 грн
100+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.57 грн
2400+ 36.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf MOSFET PLANAR 40<-<100V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.59 грн
10+ 83.69 грн
100+ 53.48 грн
500+ 51.47 грн
800+ 37.65 грн
2400+ 36.05 грн
4800+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+62.7 грн
196+ 59.78 грн
220+ 53.34 грн
229+ 49.46 грн
500+ 45.71 грн
Мінімальне замовлення: 187
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.9 грн
25+ 56.33 грн
100+ 53.69 грн
250+ 39.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.74 грн
2400+ 44.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.52 грн
2400+ 34.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.08 грн
2400+ 36.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+61.28 грн
193+ 60.67 грн
196+ 59.96 грн
250+ 46.49 грн
Мінімальне замовлення: 191
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.33 грн
2400+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530PBF IRL530PBF Vishay irl530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+94.44 грн
162+ 72.31 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRL530PBF IRL530PBF Vishay irl530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.03 грн
10+ 62.91 грн
100+ 55.01 грн
500+ 49.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL530PBF IRL530PBF Vishay Semiconductors IRL530%2CSiHL530.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.16 грн
10+ 90.6 грн
100+ 62.09 грн
500+ 53.68 грн
1000+ 44.26 грн
2000+ 43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530PBF IRL530PBF Vishay irl530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+73.76 грн
174+ 67.31 грн
199+ 58.87 грн
500+ 52.96 грн
Мінімальне замовлення: 159
IRL530PBF IRL530PBF Vishay irl530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.94 грн
10+ 88.94 грн
100+ 67.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL530PBF IRL530PBF Vishay Siliconix IRL530%2CSiHL530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 10050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
50+ 84.87 грн
100+ 67.26 грн
500+ 53.5 грн
1000+ 43.58 грн
2000+ 41.03 грн
5000+ 38.43 грн
10000+ 36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530PBF IRL530PBF VISHAY VISH-S-A0013856917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.33 грн
10+ 90.62 грн
100+ 68.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL530PBF-BE3 IRL530PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.83 грн
10+ 94.43 грн
100+ 63.96 грн
500+ 54.34 грн
1000+ 44.26 грн
2000+ 41.66 грн
5000+ 39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530PBF-BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540 Siliconix packaging.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRL540A IRL540A Fairchild Semiconductor FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 430
IRL540A ONSEMI FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRL540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
IRL540N International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540N TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.42 грн
8+ 47.5 грн
10+ 42.28 грн
23+ 36.23 грн
61+ 34.28 грн
1000+ 33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL540NPBF Infineon irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567 Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+100.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.1 грн
5+ 59.19 грн
10+ 50.74 грн
23+ 43.48 грн
61+ 41.14 грн
1000+ 40.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRL540N_DataSheet_v01_01_EN-3363532.pdf MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.58 грн
10+ 79.08 грн
100+ 53.74 грн
500+ 45.93 грн
1000+ 37.39 грн
2000+ 35.18 грн
5000+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineon-irl540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+79.76 грн
158+ 74.11 грн
188+ 62.41 грн
200+ 56.89 грн
500+ 52.5 грн
1000+ 45.55 грн
2000+ 42.96 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 22936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.44 грн
50+ 71.75 грн
100+ 56.86 грн
500+ 45.23 грн
1000+ 36.84 грн
2000+ 34.68 грн
5000+ 32.49 грн
10000+ 30.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON INFN-S-A0012813896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.09 грн
10+ 86.13 грн
100+ 64.56 грн
500+ 57.37 грн
1000+ 40.44 грн
5000+ 40.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineon-irl540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+94.39 грн
10+ 78.14 грн
100+ 58.39 грн
500+ 46.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineon-irl540n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+84.16 грн
184+ 63.67 грн
500+ 57.1 грн
Мінімальне замовлення: 140
IRL540NSTRL International Rectifier irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.1 грн
10+ 88.32 грн
18+ 45.9 грн
49+ 43.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 533 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.52 грн
10+ 110.06 грн
18+ 55.08 грн
49+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.41 грн
2400+ 60.67 грн
4800+ 58.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.76 грн
250+ 70.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL520PBF VISH-S-A0013856952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL520PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRL520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.85 грн
10+ 80.13 грн
100+ 62.39 грн
500+ 49.1 грн
1000+ 34.73 грн
5000+ 33.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL520PBF irl520.pdf
IRL520PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+71.18 грн
177+ 66.11 грн
189+ 62.02 грн
200+ 56.51 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRL520PBF irl520.pdf
IRL520PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+46.09 грн
266+ 44.01 грн
500+ 43.9 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRL520PBF irl520.pdf
IRL520PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.63 грн
11+ 54.8 грн
100+ 47.78 грн
500+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL520PBF irl520.pdf
IRL520PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRL520PBF irl520.pdf
IRL520PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.8 грн
100+ 40.96 грн
500+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRL520PBF packaging.pdf
IRL520PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.33 грн
50+ 73.56 грн
100+ 58.3 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 37.77 грн
2000+ 35.56 грн
5000+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL520PBF irl520.pdf
IRL520PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+65.62 грн
10+ 58.8 грн
100+ 51.56 грн
500+ 38.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL520PBF-BE3
IRL520PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.36 грн
10+ 63.88 грн
100+ 47.4 грн
500+ 42.59 грн
1000+ 36.52 грн
2000+ 35.38 грн
5000+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL520PBF-BE3
IRL520PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.33 грн
50+ 73.56 грн
100+ 58.3 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530N description
Виробник: VBsemi
N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 150mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; IRL530N INFINEON TIRL530n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL530NS; 17A; 100V; 0,10 Om; 3,8 (79)W; N-канальный; logic level; Корпус: D2PAK (TO-263); INFINEON
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL530NSTRL irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET HEXFET; 100V; 20V; 100mOhm; 17A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRL530NSTRL; IRL530NS; IRL530NS-GURT; IRL530NSTRR; IRL530NS TIRL530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.6 грн
21+ 39.36 грн
57+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.59 грн
5+ 64.3 грн
21+ 47.23 грн
57+ 44.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.77 грн
10+ 76.15 грн
100+ 59.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530NSTRLPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
131+89.4 грн
Мінімальне замовлення: 131
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.08 грн
10+ 88.37 грн
50+ 76.39 грн
100+ 59.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL530NSTRLPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+40 грн
2400+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+22.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+52.09 грн
1600+ 40.86 грн
2400+ 38.47 грн
5600+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+100.89 грн
10+ 83.01 грн
25+ 80.77 грн
100+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL530NSTRLPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+37.57 грн
2400+ 36.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRLPBF Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET PLANAR 40<-<100V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.59 грн
10+ 83.69 грн
100+ 53.48 грн
500+ 51.47 грн
800+ 37.65 грн
2400+ 36.05 грн
4800+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530NSTRLPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
187+62.7 грн
196+ 59.78 грн
220+ 53.34 грн
229+ 49.46 грн
500+ 45.71 грн
Мінімальне замовлення: 187
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL530NSTRRPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.9 грн
25+ 56.33 грн
100+ 53.69 грн
250+ 39.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL530NSTRRPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+47.74 грн
2400+ 44.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+35.52 грн
2400+ 34.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+38.08 грн
2400+ 36.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530NSTRRPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+61.28 грн
193+ 60.67 грн
196+ 59.96 грн
250+ 46.49 грн
Мінімальне замовлення: 191
IRL530NSTRRPBF infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL530NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+44.33 грн
2400+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL530PBF irl530.pdf
IRL530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+94.44 грн
162+ 72.31 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRL530PBF irl530.pdf
IRL530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+69.03 грн
10+ 62.91 грн
100+ 55.01 грн
500+ 49.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL530PBF IRL530%2CSiHL530.pdf
IRL530PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.16 грн
10+ 90.6 грн
100+ 62.09 грн
500+ 53.68 грн
1000+ 44.26 грн
2000+ 43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530PBF irl530.pdf
IRL530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+73.76 грн
174+ 67.31 грн
199+ 58.87 грн
500+ 52.96 грн
Мінімальне замовлення: 159
IRL530PBF irl530.pdf
IRL530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+109.94 грн
10+ 88.94 грн
100+ 67.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL530PBF IRL530%2CSiHL530.pdf
IRL530PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 10050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.77 грн
50+ 84.87 грн
100+ 67.26 грн
500+ 53.5 грн
1000+ 43.58 грн
2000+ 41.03 грн
5000+ 38.43 грн
10000+ 36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530PBF VISH-S-A0013856917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRL530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.33 грн
10+ 90.62 грн
100+ 68.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL530PBF-BE3
IRL530PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.83 грн
10+ 94.43 грн
100+ 63.96 грн
500+ 54.34 грн
1000+ 44.26 грн
2000+ 41.66 грн
5000+ 39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL530PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540 packaging.pdf
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRL540A FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL540A
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
430+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 430
IRL540A FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRL540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
517+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 517
IRL540N
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540N TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.42 грн
8+ 47.5 грн
10+ 42.28 грн
23+ 36.23 грн
61+ 34.28 грн
1000+ 33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL540NPBF irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.1 грн
5+ 59.19 грн
10+ 50.74 грн
23+ 43.48 грн
61+ 41.14 грн
1000+ 40.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NPBF Infineon_IRL540N_DataSheet_v01_01_EN-3363532.pdf
IRL540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.58 грн
10+ 79.08 грн
100+ 53.74 грн
500+ 45.93 грн
1000+ 37.39 грн
2000+ 35.18 грн
5000+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NPBF infineon-irl540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+79.76 грн
158+ 74.11 грн
188+ 62.41 грн
200+ 56.89 грн
500+ 52.5 грн
1000+ 45.55 грн
2000+ 42.96 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRL540NPBF irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567
IRL540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 22936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.44 грн
50+ 71.75 грн
100+ 56.86 грн
500+ 45.23 грн
1000+ 36.84 грн
2000+ 34.68 грн
5000+ 32.49 грн
10000+ 30.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NPBF INFN-S-A0012813896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+113.09 грн
10+ 86.13 грн
100+ 64.56 грн
500+ 57.37 грн
1000+ 40.44 грн
5000+ 40.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL540NPBF infineon-irl540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+94.39 грн
10+ 78.14 грн
100+ 58.39 грн
500+ 46.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL540NPBF infineon-irl540n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+84.16 грн
184+ 63.67 грн
500+ 57.1 грн
Мінімальне замовлення: 140
IRL540NSTRL irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.1 грн
10+ 88.32 грн
18+ 45.9 грн
49+ 43.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 533 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.52 грн
10+ 110.06 грн
18+ 55.08 грн
49+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL540NSTRLPBF infineon-irl540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.41 грн
2400+ 60.67 грн
4800+ 58.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL540NSTRLPBF INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+82.76 грн
250+ 70.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]