Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2882) > Сторінка 32 з 49
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 38.5nC On-state resistance: 50mΩ Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P16B6SB-5071 | SHINDENGEN | P16B6SB-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P17F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P17F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P17F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC On-state resistance: 44mΩ Drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 99W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Case: FB (TO252AA) Gate charge: 3.9nC On-state resistance: 5Ω Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P20F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P20F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P20F50HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P211FZ4QMKA-5071 | SHINDENGEN | P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P21F28HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 280V Drain current: 21A Power dissipation: 85W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate charge: 20.5nC Pulsed drain current: 84A |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P21F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P21F28HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 280V Drain current: 21A Power dissipation: 85W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate charge: 20.5nC Pulsed drain current: 84A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P22F10SN-5600 | SHINDENGEN | P22F10SN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P22FE4SBK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 24W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P25B6EB-5071 | Shindengen |
MOSFET High Switching Speed |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P25B6EB-5071 | SHINDENGEN | P25B6EB-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P25LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 30mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 142W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P25LF12SL-5071 | SHINDENGEN | P25LF12SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P25LF12SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 25A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P25LF12SN-5071 | SHINDENGEN | P25LF12SN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P25LF12SNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 25A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P26B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P26B10SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P26B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P26B10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 46W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P26B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 35nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P26F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P26F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | SHINDENGEN | P30B10EL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 3282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Case: FE (TO252AB similar) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 90A Technology: EETMOS3 Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30FE7R5SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 30A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30W60HP2V-5100 | SHINDENGEN | P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | SHINDENGEN | P32F12SN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN | P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | SHINDENGEN | P34F6EL-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F25HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P36F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 35nC On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 62W Drain current: 39A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 117A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P3F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P3F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F10SN-5600 | SHINDENGEN | P40F10SN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | SHINDENGEN | P40F12SN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.96 грн |
| 5+ | 106.81 грн |
| 25+ | 90.59 грн |
| 100+ | 89.64 грн |
| P15LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P16B6SB-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P16B6SB-5071 SMD N channel transistors
P16B6SB-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.95 грн |
| 38+ | 29.70 грн |
| 104+ | 28.08 грн |
| P17F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P17F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.43 грн |
| 16+ | 72.66 грн |
| 42+ | 68.88 грн |
| 500+ | 68.59 грн |
| P18LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: FB (TO252AA)
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: FB (TO252AA)
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 5Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P20F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.79 грн |
| 10+ | 336.83 грн |
| 100+ | 235.53 грн |
| 500+ | 209.86 грн |
| 1000+ | 179.67 грн |
| 2500+ | 169.10 грн |
| P20F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P20F50HP2-5600 THT N channel transistors
P20F50HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.94 грн |
| 14+ | 83.98 грн |
| 37+ | 79.26 грн |
| P211FZ4QMKA-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors
P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.71 грн |
| 10+ | 117.95 грн |
| 27+ | 111.35 грн |
| 500+ | 110.73 грн |
| P21F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 87.28 грн |
| P21F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P21F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 21A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.99 грн |
| 5+ | 108.77 грн |
| 25+ | 92.47 грн |
| 100+ | 85.87 грн |
| P22F10SN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P22F10SN-5600 THT N channel transistors
P22F10SN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.58 грн |
| 33+ | 34.91 грн |
| 89+ | 33.03 грн |
| P22FE4SBK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25B6EB-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET High Switching Speed
MOSFET High Switching Speed
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25B6EB-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P25B6EB-5071 SMD N channel transistors
P25B6EB-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.11 грн |
| 44+ | 25.83 грн |
| 119+ | 24.42 грн |
| P25LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25LF12SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P25LF12SL-5071 SMD N channel transistors
P25LF12SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 61.89 грн |
| 25+ | 45.29 грн |
| 69+ | 42.46 грн |
| 500+ | 42.33 грн |
| P25LF12SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25LF12SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P25LF12SN-5071 SMD N channel transistors
P25LF12SN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.04 грн |
| 14+ | 81.15 грн |
| 38+ | 76.43 грн |
| P25LF12SNK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.97 грн |
| 25+ | 29.09 грн |
| 100+ | 25.71 грн |
| 500+ | 23.12 грн |
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.97 грн |
| 25+ | 36.26 грн |
| 100+ | 30.86 грн |
| 500+ | 27.74 грн |
| P26B10SLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.01 грн |
| 12+ | 100.97 грн |
| 31+ | 95.31 грн |
| 500+ | 95.05 грн |
| P26FE10SLK-5061 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30B10EL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.92 грн |
| 31+ | 36.80 грн |
| 84+ | 34.91 грн |
| P30FE4SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Technology: EETMOS3
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Technology: EETMOS3
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30FE7R5SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30W60HP2V-5100 |
Виробник: SHINDENGEN
P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 694.07 грн |
| 3+ | 471.81 грн |
| 7+ | 446.33 грн |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P32F12SN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P32F12SN-5600 THT N channel transistors
P32F12SN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.70 грн |
| 17+ | 67.94 грн |
| 45+ | 65.11 грн |
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P32FG15SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.60 грн |
| 18+ | 65.11 грн |
| 47+ | 61.34 грн |
| P32LF10SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 61.89 грн |
| 25+ | 45.29 грн |
| 69+ | 42.46 грн |
| 500+ | 42.33 грн |
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.80 грн |
| 24+ | 48.12 грн |
| 65+ | 45.29 грн |
| P36F25HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 16+ | 70.02 грн |
| 44+ | 66.24 грн |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P36F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.10 грн |
| 9+ | 127.39 грн |
| 25+ | 119.84 грн |
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.00 грн |
| 10+ | 131.09 грн |
| 100+ | 89.83 грн |
| 500+ | 75.49 грн |
| 1000+ | 64.85 грн |
| 2500+ | 61.60 грн |
| 5000+ | 61.15 грн |
| P3F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.50 грн |
| 30+ | 37.46 грн |
| 82+ | 35.39 грн |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 49.12 грн |
| 10+ | 40.58 грн |
| 25+ | 35.78 грн |
| 100+ | 32.24 грн |
| 500+ | 32.16 грн |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 50.56 грн |
| 25+ | 42.93 грн |
| 100+ | 38.69 грн |
| 500+ | 38.59 грн |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.21 грн |
| 11+ | 38.85 грн |
| 25+ | 34.36 грн |
| 100+ | 30.90 грн |
| 500+ | 30.82 грн |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.25 грн |
| 7+ | 48.41 грн |
| 25+ | 41.24 грн |
| 100+ | 37.08 грн |
| 500+ | 36.99 грн |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.13 грн |
| 25+ | 28.54 грн |
| 100+ | 25.24 грн |
| 500+ | 22.65 грн |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.95 грн |
| 25+ | 35.57 грн |
| 100+ | 30.29 грн |
| 500+ | 27.18 грн |
| P40F10SN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P40F10SN-5600 THT N channel transistors
P40F10SN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.70 грн |
| 17+ | 67.00 грн |
| 46+ | 64.17 грн |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFET EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40F12SN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P40F12SN-5600 THT N channel transistors
P40F12SN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 102.64 грн |
| 15+ | 74.55 грн |
| 42+ | 70.77 грн |
| 500+ | 70.55 грн |
| P40LF12SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.30 грн |
| 20+ | 58.50 грн |
| 53+ | 55.67 грн |
| 500+ | 54.88 грн |







