Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2831) > Сторінка 32 з 48
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P2B60HP2F-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W Mounting: SMD Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 8A Drain current: 2A Gate charge: 6.8nC Power dissipation: 35W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P2FE60VX5K-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 8A Drain current: 2A Gate charge: 12nC Power dissipation: 27W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: FE (TO252AB similar) Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | SHINDENGEN | P30B10EL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 3122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Case: FE (TO252AB similar) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 90A Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30FE6SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30FE7R5SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 30A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 142W Case: LA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30W60HP2V-5100 | SHINDENGEN | P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN | P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN | P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | SHINDENGEN | P34F6EL-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F25HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P36F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 35nC On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 62W Drain current: 39A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 117A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P3F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P3F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P40B10SL-5071 | SHINDENGEN | P40B10SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P40B10SN-5071 | SHINDENGEN | P40B10SN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P40B6SL-5071 | SHINDENGEN | P40B6SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P42F6EN-5600 | SHINDENGEN | P42F6EN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 1.9Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P4F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P4F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN | P4F90VX3-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P50B4EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 62.5W Pulsed drain current: 200A Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50B6EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P55F6EN-5600 | SHINDENGEN | P55F6EN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P5F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P5F50HP2F-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B4EL-5071 | SHINDENGEN | P60B4EL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P60B4SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 60A; Idm: 180A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W
Mounting: SMD
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 6.8nC
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W
Mounting: SMD
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 6.8nC
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P2FE60VX5K-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 12nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FE (TO252AB similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 27W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 12nC
Power dissipation: 27W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FE (TO252AB similar)
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30B10EL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
P30B10EL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.41 грн |
| 31+ | 38.38 грн |
| 85+ | 36.41 грн |
| P30FE4SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30FE6SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30FE7R5SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 30A; Idm: 90A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30LA10SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30W60HP2V-5100 |
Виробник: SHINDENGEN
P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
P30W60HP2V-5100 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 723.82 грн |
| 3+ | 494.99 грн |
| 7+ | 468.42 грн |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 81.25 грн |
| 7+ | 68.06 грн |
| 25+ | 59.86 грн |
| 100+ | 54.12 грн |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.50 грн |
| 5+ | 84.82 грн |
| 25+ | 71.84 грн |
| 100+ | 64.95 грн |
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P32FG15SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
P32FG15SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 18+ | 68.88 грн |
| 47+ | 64.95 грн |
| P32LF10SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
P32LF10SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.12 грн |
| 25+ | 47.24 грн |
| 69+ | 44.28 грн |
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
P34F6EL-5600 THT N channel transistors
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.56 грн |
| 24+ | 50.19 грн |
| 65+ | 47.24 грн |
| P36F25HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
P36F25HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.22 грн |
| 16+ | 73.51 грн |
| 44+ | 69.48 грн |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P36F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.42 грн |
| 9+ | 133.83 грн |
| 25+ | 125.96 грн |
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.23 грн |
| 10+ | 136.71 грн |
| 100+ | 93.68 грн |
| 500+ | 78.73 грн |
| 1000+ | 67.63 грн |
| 2500+ | 64.24 грн |
| 5000+ | 63.77 грн |
| P3F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.13 грн |
| 30+ | 39.36 грн |
| 82+ | 37.20 грн |
| P40B10SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40B10SL-5071 SMD N channel transistors
P40B10SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.88 грн |
| 27+ | 44.28 грн |
| 73+ | 42.32 грн |
| P40B10SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40B10SN-5071 SMD N channel transistors
P40B10SN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.84 грн |
| 28+ | 42.32 грн |
| 76+ | 40.35 грн |
| P40B6SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40B6SL-5071 SMD N channel transistors
P40B6SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.41 грн |
| 38+ | 31.17 грн |
| 104+ | 29.47 грн |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 81.25 грн |
| 7+ | 68.06 грн |
| 25+ | 59.86 грн |
| 100+ | 54.12 грн |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.50 грн |
| 5+ | 84.82 грн |
| 25+ | 71.84 грн |
| 100+ | 64.95 грн |
| 500+ | 63.96 грн |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 89.20 грн |
| 6+ | 74.63 грн |
| 25+ | 65.60 грн |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.04 грн |
| 5+ | 92.99 грн |
| 25+ | 78.73 грн |
| 100+ | 70.85 грн |
| P40LF12SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.98 грн |
| 20+ | 61.01 грн |
| 53+ | 58.06 грн |
| P40LF12SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.98 грн |
| 20+ | 61.01 грн |
| 53+ | 58.06 грн |
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P42F6EN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.99 грн |
| 28+ | 43.30 грн |
| 75+ | 40.35 грн |
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.20 грн |
| 27+ | 43.30 грн |
| 74+ | 41.33 грн |
| P4F90VX3-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.26 грн |
| 20+ | 60.03 грн |
| 54+ | 56.09 грн |
| P50B4EA-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50B6EA-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.01 грн |
| 25+ | 72.99 грн |
| 100+ | 64.78 грн |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.63 грн |
| 5+ | 102.19 грн |
| 25+ | 87.58 грн |
| 100+ | 77.74 грн |
| 500+ | 76.76 грн |
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P55F6EN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.75 грн |
| 16+ | 76.76 грн |
| 42+ | 72.82 грн |
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.06 грн |
| 10+ | 137.61 грн |
| 100+ | 95.26 грн |
| 500+ | 79.51 грн |
| 1000+ | 68.33 грн |
| 2500+ | 64.95 грн |
| 5000+ | 64.48 грн |
| P5F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.64 грн |
| 28+ | 41.92 грн |
| 77+ | 39.66 грн |
| P5F50HP2F-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.42 грн |
| 35+ | 33.46 грн |
| 95+ | 32.47 грн |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.61 грн |
| 26+ | 46.25 грн |
| 70+ | 43.30 грн |
| P60B10SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P60B4EL-5071 SMD N channel transistors
P60B4EL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.44 грн |
| 28+ | 42.32 грн |
| 76+ | 40.35 грн |
| P60B4SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 60A; Idm: 180A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 60A; Idm: 180A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.







