Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2461) > Сторінка 28 з 42
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
P25LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Mounting: SMD Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Gate charge: 61nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 29mΩ |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P25LF12SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Mounting: SMD Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Gate charge: 61nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 29mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P25LF12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Mounting: SMD Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Gate charge: 48nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 27mΩ |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P25LF12SNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Mounting: SMD Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Gate charge: 48nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 27mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P26B10SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P26B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P26B10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 46W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P26B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 35nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Case: FE (TO252AB similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Gate charge: 44nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30FE6SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W Mounting: SMD Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FE (TO252AB similar) On-state resistance: 13.8mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Case: LA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 142W Gate charge: 61nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P32F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
P34F6EL-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W Mounting: THT Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 35W Gate charge: 41nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS2 Drain current: 34A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: bulk Case: FTO-220AG (SC91) On-state resistance: 11mΩ |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | Shindengen | MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 62W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 74 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1419 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 44W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ |
на замовлення 822 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 102nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 16.3mΩ |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40LF12SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 102nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 16.3mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 15.4mΩ |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40LF12SNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LF (MO235B similar) On-state resistance: 15.4mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Mounting: SMD Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 35W Gate charge: 6.5nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 1.9Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 79W Gate charge: 21nC Application: automotive industry |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P50B4EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W Gate charge: 52nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS2 Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50B6EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P56LA4SN-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA Case: LA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 99W Gate charge: 38nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 56A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 70 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
P64LF6QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
P66F7R5SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 66A Pulsed drain current: 264A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W Mounting: SMD Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 54W Gate charge: 10nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 1.05Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| P25LF12SL-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 29mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 29mΩ
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.33 грн |
| 10+ | 44.99 грн |
| 25+ | 39.78 грн |
| P25LF12SLK-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 29mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 29mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P25LF12SN-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 27mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 98.87 грн |
| 6+ | 81.88 грн |
| 25+ | 72.79 грн |
| P25LF12SNK-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 27mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 27mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 36.79 грн |
| 25+ | 30.60 грн |
| 100+ | 27.05 грн |
| 500+ | 24.32 грн |
| P26B10SLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SN-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26F28HP2-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26FE10SLK-5061 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P2B60HP2F-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30B10EL-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30FE4SLK-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30FE6SLK-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
On-state resistance: 13.8mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 30A; Idm: 90A; 44W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
On-state resistance: 13.8mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30LA10SL-5070 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P32F12SN-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P32F12SN-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 81.95 грн |
| 7+ | 68.65 грн |
| 25+ | 60.38 грн |
| 100+ | 54.59 грн |
| P32FG15SL-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
On-state resistance: 11mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
On-state resistance: 11mΩ
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 67.70 грн |
| 9+ | 48.96 грн |
| 25+ | 44.00 грн |
| 100+ | 38.87 грн |
| P34F6EL-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P36F25HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 81.95 грн |
| 7+ | 68.65 грн |
| 25+ | 60.38 грн |
| 100+ | 53.76 грн |
| P36F28HP2-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P39LF6QTKD-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P3F60HP2-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 74 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.91 грн |
| 10+ | 113.28 грн |
| 100+ | 77.63 грн |
| 500+ | 65.23 грн |
| 1000+ | 56.03 грн |
| 2500+ | 53.23 грн |
| 5000+ | 52.84 грн |
| P40B10SL-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 51.66 грн |
| 10+ | 42.68 грн |
| 25+ | 37.63 грн |
| 100+ | 33.91 грн |
| 500+ | 33.83 грн |
| P40B10SN-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.59 грн |
| 11+ | 40.86 грн |
| 25+ | 36.14 грн |
| 100+ | 32.51 грн |
| 500+ | 30.27 грн |
| P40B6SL-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 35.90 грн |
| 25+ | 30.02 грн |
| 100+ | 26.55 грн |
| 500+ | 23.82 грн |
| P40F10SN-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 81.95 грн |
| 7+ | 68.65 грн |
| 25+ | 60.38 грн |
| 100+ | 54.59 грн |
| P40F10SN-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P40F12SN-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 89.96 грн |
| 6+ | 75.27 грн |
| 25+ | 66.17 грн |
| P40F12SN-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40LF12SL-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 59.55 грн |
| 25+ | 52.11 грн |
| P40LF12SLK-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 102nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 16.3mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P40LF12SN-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 59.55 грн |
| 25+ | 52.11 грн |
| P40LF12SNK-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LF (MO235B similar)
On-state resistance: 15.4mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P42F6EN-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.9Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.9Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4F60HP2-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4F90VX3-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 52.11 грн |
| P50B4EA-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P50B6EA-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 82.71 грн |
| 25+ | 73.61 грн |
| 100+ | 65.34 грн |
| P55F6EN-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P56LA4SN-5070 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P5B52HP2-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F50HP2-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 70 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.43 грн |
| 10+ | 114.03 грн |
| 100+ | 78.93 грн |
| 500+ | 65.88 грн |
| 1000+ | 56.62 грн |
| 2500+ | 53.82 грн |
| 5000+ | 53.43 грн |
| P5F60HP2-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 49.88 грн |
| 10+ | 42.02 грн |
| 25+ | 37.05 грн |
| P5F60HP2-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B10SB-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EN-5071 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6SN-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P64LF6QL-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.46 грн |
| 9+ | 46.81 грн |
| 25+ | 41.36 грн |
| P66F7R5SN-5600 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 97.98 грн |
| 6+ | 81.88 грн |
| 25+ | 72.79 грн |
| P66F7R5SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B40HP2-5071 |
|
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.05Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.05Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.