Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2417) > Сторінка 28 з 41
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 79W Gate charge: 21nC Application: automotive industry |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC On-state resistance: 8.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P56LA4SN-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA Case: LA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 99W Gate charge: 38nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 56A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P64LF6QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P6B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W Mounting: SMD Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 54W Gate charge: 10nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 1.05Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P6B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P6F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P6FE25VX5K-5061 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P6FE25VX5K-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P70F5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P70F5EN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 50V; 70A; Idm: 280A; 53W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 53W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P70F7R5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P70FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 178W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P70LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Pulsed drain current: 210A Power dissipation: 123W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 4975 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P7F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 1.05Ω Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 79W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) |
на замовлення 346 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P7F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P7F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 95W Gate charge: 42nC Application: automotive industry |
на замовлення 209 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P80FG6EAL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Case: FG (TO263AB) Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC On-state resistance: 4.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 128W Pulsed drain current: 320A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P80FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P80FH5ENK-7071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P82F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P85FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P85GC28HP2F-5100 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 280V Drain current: 85A Power dissipation: 430W Case: GC (TO247AD); TO247AD Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P85W28HP2F-7071 | Shindengen |
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P86F6SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P8B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 94mΩ Power dissipation: 20W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P8B10SBK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 94mΩ Power dissipation: 23W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P8B30HP2-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P8F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P8F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P8F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 65W Mounting: THT Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1Ω Power dissipation: 65W Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of package: bulk Case: FTO-220AG (SC91) Kind of channel: enhancement |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P8FE10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FE (TO252AB similar) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FE (TO252AB similar) Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P90FG5R5SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P94FG5R5SL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P98LF6QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 126nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P98LF6QLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 126nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P98LF6QN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 96nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P98LF6QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 217W Gate charge: 96nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 98A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P9B40HP2 | Shindengen | MOSFET Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P9B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W Mounting: SMD Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 40W Gate charge: 14.5nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 0.8Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P9B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PB508AC | SHINDENGEN | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS4160DPN T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS4240T T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS4250X/T3 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS4350X T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS4540Z T/R | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| P4F90VX3-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 53.33 грн |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 84.65 грн |
| 25+ | 75.34 грн |
| 100+ | 66.87 грн |
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P56LA4SN-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 51.05 грн |
| 10+ | 43.00 грн |
| 25+ | 37.92 грн |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B10SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EN-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6SN-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P64LF6QL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.90 грн |
| 9+ | 47.91 грн |
| 25+ | 42.33 грн |
| P66F7R5SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.05Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.05Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P6B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6FE25VX5K-5061 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P6FE25VX5K-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P70F5EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P70F5EN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 50V; 70A; Idm: 280A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 53W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 50V; 70A; Idm: 280A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 53W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 121.25 грн |
| 5+ | 101.58 грн |
| 25+ | 89.73 грн |
| P70F7R5EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P70FP12SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 178W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 178W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P70LF4QNK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 123W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 123W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 65.64 грн |
| 8+ | 55.19 грн |
| 25+ | 48.51 грн |
| 100+ | 43.60 грн |
| 500+ | 42.92 грн |
| P7F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.08 грн |
| 9+ | 50.79 грн |
| 25+ | 45.71 грн |
| 100+ | 44.87 грн |
| P7F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P7F90VX3-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 88.04 грн |
| 25+ | 77.88 грн |
| 100+ | 75.34 грн |
| P80FG6EAL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 128W
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 128W
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P80FG6EAL-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P80FH5ENK-7071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P82F7R5SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P85FG6EAL-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P85GC28HP2F-5100 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 335.48 грн |
| 5+ | 280.20 грн |
| 30+ | 247.18 грн |
| P85W28HP2F-7071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| P86F6SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P8B10SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 20W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.70 грн |
| 25+ | 19.81 грн |
| 100+ | 17.44 грн |
| 500+ | 15.75 грн |
| P8B10SBK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 23W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 23W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P8B30HP2-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P8F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P8F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 65W
Mounting: THT
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 65W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 65W
Mounting: THT
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 65W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: bulk
Case: FTO-220AG (SC91)
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 56.52 грн |
| 10+ | 42.83 грн |
| 25+ | 38.52 грн |
| P8FE10SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FE (TO252AB similar)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FE (TO252AB similar)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FE (TO252AB similar)
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P90FG5R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P94FG5R5SL-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P98LF6QL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P98LF6QLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P98LF6QN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P98LF6QNK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 98A; Idm: 392A; 217W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 217W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P9B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 0.8Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 0.8Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P9B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi Voltage Low Noise
MOSFETs Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PB508AC |
Виробник: SHINDENGEN
07+;
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| PBSS4160DPN T/R |
Виробник: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PBSS4240T T/R |
Виробник: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PBSS4250X/T3 |
Виробник: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PBSS4350X T/R |
Виробник: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PBSS4540Z T/R |
Виробник: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


















