Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2831) > Сторінка 31 з 48
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
P0R5B60HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 4.3nC Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P100FA7R5EN-5100 | Shindengen |
MOSFETs 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| P100FH4ENK-7071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P100FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 238W Case: FP (SC83 similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 79W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 40A Kind of package: bulk |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P10F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 79W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 40A Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 85W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 40A Kind of package: bulk |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P10F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 85W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 40A Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN | P126FP10SN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
P12F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P12F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P13F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P13F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
P13F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| P13F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P13F50HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 413 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
P13LA10EL-5070 | Shindengen | MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| P140LF4QL-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 4067 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN | P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 4827 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P14FE6SBK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 14A; Idm: 42A; 24W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 24W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
P15F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| P15F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P15F50HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
P15F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P15F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
P15F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| P15F60HP2F-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 38.5nC On-state resistance: 50mΩ Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
P16B6SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 37mΩ Drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 60V Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P16B6SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 37mΩ Drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 60V Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| P17F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P17F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P17F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC On-state resistance: 44mΩ Drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 99W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Drain current: 1.5A On-state resistance: 5Ω Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
P20F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P20F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
P20F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| P211FZ4QMKA-5071 | SHINDENGEN | P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
P21F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| P21F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P21F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
P22F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 35W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| P22F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
P22F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 35W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| P22FE4SBK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 24W Case: FE (TO252AB similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P24B4SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 18.5mΩ Drain current: 24A Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 40V Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P25B6EB-5071 | Shindengen |
MOSFET High Switching Speed |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P25B6EB-5071 | SHINDENGEN | P25B6EB-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P25LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 30mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 142W Drain-source voltage: 120V Case: LA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P25LF12SL-5071 | SHINDENGEN | P25LF12SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P25LF12SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 25A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P25LF12SN-5071 | SHINDENGEN | P25LF12SN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P25LF12SNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 25A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P26B10SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| P26B10SL-5071 | SHINDENGEN | P26B10SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| P26F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P26F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| P0R5B60HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 4.3nC
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 4.3nC
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.35 грн |
| 7+ | 45.68 грн |
| 10+ | 32.87 грн |
| 25+ | 30.60 грн |
| 100+ | 23.03 грн |
| P100FA7R5EN-5100 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P100FH4ENK-7071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P100FP12SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 238W
Case: FP (SC83 similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P10F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 78.60 грн |
| 7+ | 65.60 грн |
| 25+ | 57.40 грн |
| P10F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P10F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.32 грн |
| 5+ | 81.75 грн |
| 25+ | 68.88 грн |
| 100+ | 62.98 грн |
| 500+ | 61.01 грн |
| P10F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 80.37 грн |
| 7+ | 67.24 грн |
| 25+ | 59.04 грн |
| 100+ | 54.12 грн |
| P10F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P10F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.44 грн |
| 5+ | 83.80 грн |
| 25+ | 70.85 грн |
| 100+ | 64.95 грн |
| P126FP10SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P126FP10SN-5071 SMD N channel transistors
P126FP10SN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 234.21 грн |
| 9+ | 135.80 грн |
| 24+ | 128.91 грн |
| P12F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P12F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P12F60HP2-5600 THT N channel transistors
P12F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.40 грн |
| 16+ | 73.81 грн |
| 44+ | 69.87 грн |
| P13F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P13F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
P13F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.56 грн |
| 17+ | 69.87 грн |
| 46+ | 65.93 грн |
| P13F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P13F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
P13F50HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 18+ | 67.90 грн |
| 48+ | 63.96 грн |
| P13LA10EL-5070 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P140LF4QL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P140LF4QL-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.20 грн |
| 22+ | 53.63 грн |
| 60+ | 50.78 грн |
| P140LF4QN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors
P140LF4QN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.02 грн |
| 22+ | 53.53 грн |
| 61+ | 50.58 грн |
| P14FE6SBK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 14A; Idm: 42A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 14A; Idm: 42A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
P15F50HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.10 грн |
| 16+ | 74.79 грн |
| 43+ | 70.85 грн |
| P15F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 145.72 грн |
| 5+ | 122.19 грн |
| 25+ | 107.43 грн |
| 100+ | 96.77 грн |
| P15F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.86 грн |
| 5+ | 152.27 грн |
| 25+ | 128.91 грн |
| 100+ | 116.12 грн |
| P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 89.39 грн |
| 25+ | 78.73 грн |
| 100+ | 77.91 грн |
| P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.23 грн |
| 5+ | 111.39 грн |
| 25+ | 94.47 грн |
| 100+ | 93.49 грн |
| P15LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.5nC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P16B6SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.94 грн |
| 25+ | 29.85 грн |
| 100+ | 26.49 грн |
| 500+ | 23.70 грн |
| P16B6SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.13 грн |
| 25+ | 37.20 грн |
| 100+ | 31.79 грн |
| 500+ | 28.44 грн |
| 3000+ | 28.14 грн |
| P17F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P17F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
P17F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.57 грн |
| 16+ | 76.76 грн |
| 42+ | 72.82 грн |
| P18LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P20F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 105.98 грн |
| 10+ | 77.91 грн |
| 100+ | 71.35 грн |
| 500+ | 67.24 грн |
| 1000+ | 65.60 грн |
| P20F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 448.21 грн |
| 10+ | 351.27 грн |
| 100+ | 245.62 грн |
| 500+ | 218.86 грн |
| 1000+ | 187.37 грн |
| 2500+ | 176.35 грн |
| P20F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.17 грн |
| 10+ | 97.08 грн |
| 100+ | 85.61 грн |
| 500+ | 80.69 грн |
| 1000+ | 78.73 грн |
| P211FZ4QMKA-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors
P211FZ4QMKA-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.98 грн |
| 10+ | 123.01 грн |
| 27+ | 116.12 грн |
| P21F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P21F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P21F28HP2-5600 THT N channel transistors
P21F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.37 грн |
| 12+ | 98.41 грн |
| 33+ | 93.49 грн |
| P22F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 58.29 грн |
| 9+ | 45.60 грн |
| 25+ | 38.30 грн |
| P22F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P22F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.94 грн |
| 6+ | 56.82 грн |
| 25+ | 45.96 грн |
| 100+ | 41.33 грн |
| 500+ | 36.51 грн |
| P22FE4SBK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 22A; Idm: 66A; 24W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 24W
Case: FE (TO252AB similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P24B4SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 24A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 24A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 40V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25B6EB-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET High Switching Speed
MOSFET High Switching Speed
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25B6EB-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P25B6EB-5071 SMD N channel transistors
P25B6EB-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.60 грн |
| 44+ | 27.11 грн |
| 119+ | 25.63 грн |
| P25LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Case: LA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25LF12SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P25LF12SL-5071 SMD N channel transistors
P25LF12SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.12 грн |
| 25+ | 47.24 грн |
| 69+ | 44.28 грн |
| P25LF12SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25LF12SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P25LF12SN-5071 SMD N channel transistors
P25LF12SN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.53 грн |
| 14+ | 84.63 грн |
| 39+ | 79.71 грн |
| P25LF12SNK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P26B10SL-5071 SMD N channel transistors
P26B10SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.58 грн |
| 37+ | 31.82 грн |
| 101+ | 30.09 грн |
| P26F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
P26F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 12+ | 106.28 грн |
| 31+ | 100.38 грн |
| P26FE10SLK-5061 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.










