Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2921) > Сторінка 33 з 49
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P36F28HP2-5600 | SHINDENGEN | P36F28HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 35nC On-state resistance: 10.4mΩ Power dissipation: 62W Drain current: 39A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 117A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P3F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P3F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 120A Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P40F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 44W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P40F12SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P40LF12SN-5071 | SHINDENGEN | P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P42F6EN-5600 | SHINDENGEN | P42F6EN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC On-state resistance: 1.9Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 400V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P4F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P4F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN | P4F90VX3-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 418 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P50B4EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 62.5W Pulsed drain current: 200A Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50B6EA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Technology: EETMOS2 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P55F6EN-5600 | SHINDENGEN | P55F6EN-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P5F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P5F50HP2F-5600 | SHINDENGEN | P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN | P5F60HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Mounting: SMD Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B4EL-5071 | SHINDENGEN | P60B4EL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P60B4SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 60A; Idm: 180A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | SHINDENGEN | P60B6EL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 1024 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P64LF6QL-5071 | SHINDENGEN | P64LF6QL-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P64LF6QN-5071 | SHINDENGEN | P64LF6QN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P66F7R5SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 66A Pulsed drain current: 264A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P66F7R5SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 66A Pulsed drain current: 264A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P66F7R5SNK-5600 | SHINDENGEN | P66F7R5SNK-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W Case: FB (TO252AA) Kind of channel: enhancement Technology: Hi-PotMOS2 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC On-state resistance: 1.05Ω Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 400V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | Shindengen | MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P6B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P6B52HP2-5071 | SHINDENGEN | P6B52HP2-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
P6F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P6F50HP2-5600 | SHINDENGEN | P6F50HP2-5600 THT N channel transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5061 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| P36F28HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
P36F28HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.61 грн |
| 9+ | 131.01 грн |
| 25+ | 123.24 грн |
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 10.4mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.45 грн |
| 10+ | 134.81 грн |
| 100+ | 92.38 грн |
| 500+ | 77.63 грн |
| 1000+ | 66.69 грн |
| 2500+ | 63.35 грн |
| 5000+ | 62.88 грн |
| P3F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
P3F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.65 грн |
| 30+ | 38.53 грн |
| 82+ | 36.39 грн |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.51 грн |
| 10+ | 41.73 грн |
| 25+ | 36.79 грн |
| 100+ | 33.16 грн |
| 500+ | 33.07 грн |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.00 грн |
| 25+ | 44.15 грн |
| 100+ | 39.79 грн |
| 500+ | 39.69 грн |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 67.06 грн |
| 11+ | 39.95 грн |
| 25+ | 35.34 грн |
| 100+ | 31.78 грн |
| 500+ | 31.70 грн |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.47 грн |
| 7+ | 49.78 грн |
| 25+ | 42.41 грн |
| 100+ | 38.14 грн |
| 500+ | 38.04 грн |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.10 грн |
| 25+ | 29.35 грн |
| 100+ | 25.96 грн |
| 500+ | 23.29 грн |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.12 грн |
| 25+ | 36.58 грн |
| 100+ | 31.15 грн |
| 500+ | 27.95 грн |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 80.12 грн |
| 7+ | 67.12 грн |
| 25+ | 59.03 грн |
| 100+ | 53.37 грн |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.15 грн |
| 5+ | 83.64 грн |
| 25+ | 70.84 грн |
| 100+ | 64.05 грн |
| 500+ | 63.08 грн |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 87.96 грн |
| 6+ | 73.59 грн |
| 25+ | 64.69 грн |
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.55 грн |
| 5+ | 91.70 грн |
| 25+ | 77.63 грн |
| 100+ | 69.87 грн |
| P40LF12SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.60 грн |
| 20+ | 60.17 грн |
| 53+ | 57.25 грн |
| 500+ | 56.43 грн |
| P40LF12SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
P40LF12SN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.60 грн |
| 20+ | 60.17 грн |
| 53+ | 57.25 грн |
| 500+ | 56.43 грн |
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P42F6EN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
P42F6EN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.93 грн |
| 28+ | 41.73 грн |
| 75+ | 39.79 грн |
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
P4F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.14 грн |
| 27+ | 42.70 грн |
| 74+ | 40.76 грн |
| P4F90VX3-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
P4F90VX3-5600 THT N channel transistors
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.15 грн |
| 20+ | 58.22 грн |
| 54+ | 55.31 грн |
| P50B4EA-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 62.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62.5W
Pulsed drain current: 200A
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50B6EA-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.87 грн |
| 25+ | 71.97 грн |
| 100+ | 63.89 грн |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.00 грн |
| 5+ | 100.77 грн |
| 25+ | 86.37 грн |
| 100+ | 76.66 грн |
| 500+ | 75.69 грн |
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P55F6EN-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
P55F6EN-5600 THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.09 грн |
| 16+ | 75.69 грн |
| 42+ | 70.84 грн |
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.26 грн |
| 10+ | 135.70 грн |
| 100+ | 93.94 грн |
| 500+ | 78.41 грн |
| 1000+ | 67.39 грн |
| 2500+ | 64.05 грн |
| 5000+ | 63.58 грн |
| P5F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.32 грн |
| 28+ | 41.05 грн |
| 77+ | 38.82 грн |
| P5F50HP2F-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
P5F50HP2F-5600 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.51 грн |
| 35+ | 32.99 грн |
| 95+ | 31.05 грн |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
P5F60HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.63 грн |
| 26+ | 44.64 грн |
| 70+ | 42.70 грн |
| 500+ | 42.53 грн |
| P60B10SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P60B4EL-5071 SMD N channel transistors
P60B4EL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.00 грн |
| 28+ | 42.70 грн |
| 75+ | 39.79 грн |
| P60B4SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 60A; Idm: 180A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 60A; Idm: 180A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P60B6EL-5071 SMD N channel transistors
P60B6EL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.23 грн |
| 26+ | 44.64 грн |
| 71+ | 41.73 грн |
| P60B6EN-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6SN-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P64LF6QL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P64LF6QL-5071 SMD N channel transistors
P64LF6QL-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.72 грн |
| 25+ | 47.55 грн |
| 67+ | 44.64 грн |
| P64LF6QN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P64LF6QN-5071 SMD N channel transistors
P64LF6QN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.64 грн |
| 25+ | 46.58 грн |
| 68+ | 43.67 грн |
| P66F7R5SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 95.80 грн |
| 6+ | 80.06 грн |
| 25+ | 71.16 грн |
| P66F7R5SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P66F7R5SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.96 грн |
| 5+ | 99.77 грн |
| 25+ | 85.40 грн |
| 100+ | 75.69 грн |
| P66F7R5SNK-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P66F7R5SNK-5600 THT N channel transistors
P66F7R5SNK-5600 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.40 грн |
| 11+ | 106.75 грн |
| 30+ | 100.92 грн |
| 500+ | 100.77 грн |
| P6B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 400V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Case: FB (TO252AA)
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B40HP2-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B52HP2-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P6B52HP2-5071 SMD N channel transistors
P6B52HP2-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.63 грн |
| 34+ | 33.96 грн |
| 92+ | 32.02 грн |
| P6F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
P6F50HP2-5600 THT N channel transistors
P6F50HP2-5600 THT N channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.41 грн |
| 27+ | 43.67 грн |
| 72+ | 41.73 грн |
| P6FE25VX5K-5061 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6FE25VX5K-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.











