Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2366) > Сторінка 27 з 40
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P140LF4QLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P140LF4QN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4787 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P140LF4QNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P15F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P15F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P15F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P15F60HP2F-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 95W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 402 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P15F60HP2F-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P15LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 83W Gate charge: 38.5nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 15A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P16B6SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 20W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 16A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P170FZ6QNKA-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 170A Pulsed drain current: 510A Power dissipation: 178W Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P17F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P18LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 99W Gate charge: 47nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W Mounting: SMD Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 35W Gate charge: 3.9nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 5Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P1R5B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P20F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P21F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P22F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P24B4SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 20W Gate charge: 16.5nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 18.5mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P25B6EB-5071 | Shindengen |
MOSFET High Switching Speed |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P25LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 142W Gate charge: 61nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P26B10SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P26B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P26B10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 46W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P26B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 35nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Case: FE (TO252AB similar) Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 44W Gate charge: 44nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P34F6EL-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 35W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P34F6EL-5600 | Shindengen | MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 62W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1419 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 44W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ |
на замовлення 834 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| P4B40HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W Mounting: SMD Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 35W Gate charge: 6.5nC Polarisation: unipolar Technology: Hi-PotMOS2 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) On-state resistance: 1.9Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P4F90VX3-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 79W Gate charge: 21nC Application: automotive industry |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC On-state resistance: 8.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P56LA4SN-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 99W Case: LA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: FB (TO252AA) Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| P140LF4QLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P140LF4QN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.22 грн |
| 9+ | 51.58 грн |
| 25+ | 45.47 грн |
| 100+ | 41.23 грн |
| P140LF4QNK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 140A; Idm: 560A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 150.75 грн |
| 5+ | 126.41 грн |
| 25+ | 111.14 грн |
| 100+ | 100.11 грн |
| P15F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 92.48 грн |
| 25+ | 81.45 грн |
| 100+ | 80.60 грн |
| P15F60HP2F-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P15LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 38.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 15A; Idm: 45A; 83W; LA
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 38.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P16B6SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 37.19 грн |
| 25+ | 30.88 грн |
| 100+ | 27.40 грн |
| 500+ | 24.52 грн |
| P170FZ6QNKA-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 510A
Power dissipation: 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170A; Idm: 510A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 510A
Power dissipation: 178W
Case: FZ7 (TO263SC); FZ (TO236AB)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P17F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P18LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 99W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 3.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 5Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 1.5A; Idm: 6A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 3.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 5Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P1R5B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P20F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| P21F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P22F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P24B4SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 24A; Idm: 72A; 20W
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 16.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P25B6EB-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET High Switching Speed
MOSFET High Switching Speed
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 37.73 грн |
| 25+ | 31.39 грн |
| 100+ | 27.74 грн |
| 500+ | 24.94 грн |
| P26B10SLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26FE10SLK-5061 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30FE4SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 34A; Idm: 136A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 69.44 грн |
| 9+ | 50.23 грн |
| 25+ | 45.13 грн |
| 100+ | 39.87 грн |
| P34F6EL-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P36F25HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 84.06 грн |
| 7+ | 70.42 грн |
| 25+ | 61.93 грн |
| 100+ | 55.15 грн |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 52.99 грн |
| 10+ | 43.78 грн |
| 25+ | 38.60 грн |
| 100+ | 34.78 грн |
| 500+ | 34.70 грн |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 70.35 грн |
| 11+ | 41.91 грн |
| 25+ | 37.08 грн |
| 100+ | 33.34 грн |
| 500+ | 31.05 грн |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 36.82 грн |
| 25+ | 30.80 грн |
| 100+ | 27.23 грн |
| 500+ | 24.43 грн |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.9Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Hi-PotMOS2
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
On-state resistance: 1.9Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4F90VX3-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 53.45 грн |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 84.84 грн |
| 25+ | 75.51 грн |
| 100+ | 67.02 грн |
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P56LA4SN-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 56A; Idm: 168A; 99W; LA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 99W
Case: LA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 51.17 грн |
| 10+ | 43.10 грн |
| 25+ | 38.01 грн |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B10SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.



















