Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (3610) > Сторінка 36 з 61
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MTD2009J | Shindengen | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Power IC |
товар відсутній |
||||||||||||||
MTD2009J | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2013G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2017G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2019J | SHINDENGEN |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
MTD2019J | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2019JA | SHINDENGEN | 00+ SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2019JA | SHINDENGEN | 2004 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2023G | SHINDENGEN | 00+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2025J | SHINDENGEN | 2004 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2033G-3072 | Shindengen | Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD |
товар відсутній |
||||||||||||||
MTD2035G | SHINDENGEN |
на замовлення 9180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
MTD2035G | SHINDENGEN | HSOP24 |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2039G | SHINDENGEN | HSOP24 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2113F | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2113F | SHINDENGEN | 2003 |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2113G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 338 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114G | SHINDENGEN | 02+ SOP |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114G | SHINDENGEN | 03+ LF HSOP28 |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114G | SHINDENGEN | 2005 |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2114R | SHINDENGEN |
на замовлення 9287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
MTD2123 | SHINDENGEN | 2000 |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2213G | SHINDENGEN | 2003 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MTD2525J | SHINDENGEN | 2000 |
на замовлення 614 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
MV1001SC-5072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товар відсутній |
||||||||||||||
MV1002SC-5072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товар відсутній |
||||||||||||||
MV1011SC-5072 | Shindengen | Switching Controllers LED Driver Power IC MV series |
товар відсутній |
||||||||||||||
MV1012SC-5072 | Shindengen | Switching Controllers LED Driver Power IC MV series |
товар відсутній |
||||||||||||||
MV2002SG-3072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товар відсутній |
||||||||||||||
MV2052SG-3072 | Shindengen | LED Lighting Drivers LED Driver IC |
товар відсутній |
||||||||||||||
NSD03A40 | Shindengen |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
NSD03C20 | SHINDENGEN |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
NSF03A60 | SHINDENGEN |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
P0R5B60HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A Mounting: SMD Case: FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Power dissipation: 35W Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.3nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2A Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P0R5B60HP2-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A Mounting: SMD Case: FB (TO252AA) Polarisation: unipolar Power dissipation: 35W Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.3nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2A Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P100FA7R5EN-5100 | Shindengen | MOSFET 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
P100FH4ENK-7071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товар відсутній |
||||||||||||||
P100FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 238W Polarisation: unipolar Gate charge: 164nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 120V Drain current: 100A |
товар відсутній |
||||||||||||||
P100FP12SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 238W Polarisation: unipolar Gate charge: 164nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 120V Drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
P105LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 168W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 105A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V |
товар відсутній |
||||||||||||||
P105LF4QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W Mounting: SMD Case: LF (MO235B similar) Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 168W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS4 Drain current: 105A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
P105LF4QLK-5071 | SHINDENGEN | P105LF4QLK-5071 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
P105LF4QN-5071 | SHINDENGEN | P105LF4QN-5071 SMD N channel transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P105LF4QNK-5071 | SHINDENGEN | P105LF4QNK-5071 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
P10B28HP2-5071 | SHINDENGEN | P10B28HP2-5071 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 79W |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P10F50HP2-5600 | Shindengen | MOSFET High Switching Speed High Voltage |
товар відсутній |
||||||||||||||
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 79W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P10F60HP2-5600 | Shindengen | MOSFET Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 348 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
P120LF6GLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
P120LF6GMK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar) Case: LF (MO235B similar) Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 504A Power dissipation: 238W Gate charge: 160nC Technology: EETMOS3 Drain current: 126A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FP (SC83 similar) On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P126FP10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 504A Power dissipation: 238W Gate charge: 160nC Technology: EETMOS3 Drain current: 126A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FP (SC83 similar) On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P126FP7R5SNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar) Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |
||||||||||||||
P126FP7R5SNK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar) Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
P12F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W Mounting: THT Case: FTO-220AG (SC91) Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 670mΩ Gate charge: 26.5nC Drain current: 12A Drain-source voltage: 600V Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 48A Polarisation: unipolar Power dissipation: 90W |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
MTD2033G-3072 |
Виробник: Shindengen
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Stepping Motor Driver Power ICs MTD
товар відсутній
MV1011SC-5072 |
Виробник: Shindengen
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
товар відсутній
MV1012SC-5072 |
Виробник: Shindengen
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
Switching Controllers LED Driver Power IC MV series
товар відсутній
P0R5B60HP2-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.43 грн |
10+ | 36.86 грн |
13+ | 27.54 грн |
25+ | 25.73 грн |
55+ | 14.74 грн |
150+ | 13.98 грн |
P0R5B60HP2-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 2A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 59.31 грн |
6+ | 45.93 грн |
10+ | 33.05 грн |
25+ | 30.88 грн |
55+ | 17.69 грн |
150+ | 16.77 грн |
P100FP12SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
товар відсутній
P100FP12SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P105LF4QL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 76nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 105A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 76nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 105A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
товар відсутній
P105LF4QL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 76nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 105A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W
Mounting: SMD
Case: LF (MO235B similar)
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 168W
Gate charge: 76nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS4
Drain current: 105A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P105LF4QN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
P105LF4QN-5071 SMD N channel transistors
P105LF4QN-5071 SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.04 грн |
25+ | 39.22 грн |
68+ | 37.55 грн |
P10F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.81 грн |
17+ | 47.29 грн |
P10F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.28 грн |
5+ | 74.53 грн |
17+ | 56.75 грн |
47+ | 54.24 грн |
P10F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 61.2 грн |
17+ | 49.38 грн |
45+ | 46.59 грн |
P10F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.07 грн |
5+ | 76.26 грн |
17+ | 59.25 грн |
45+ | 55.91 грн |
P120LF6GLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
P120LF6GLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P120LF6GMK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
P120LF6GMK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; LF (MO235B similar)
Case: LF (MO235B similar)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P126FP10SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Drain current: 126A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FP (SC83 similar)
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Drain current: 126A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FP (SC83 similar)
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.7 грн |
8+ | 104.31 грн |
22+ | 98.75 грн |
P126FP10SN-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Drain current: 126A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FP (SC83 similar)
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Drain current: 126A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FP (SC83 similar)
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.61 грн |
3+ | 171.59 грн |
8+ | 125.18 грн |
22+ | 118.5 грн |
240+ | 117.67 грн |
P126FP7R5SNK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
P126FP7R5SNK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FP (SC83 similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P12F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 670mΩ
Gate charge: 26.5nC
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 600V
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 90W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 670mΩ
Gate charge: 26.5nC
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 600V
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 90W
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.13 грн |
6+ | 66.76 грн |
15+ | 55.63 грн |
40+ | 52.16 грн |