Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170387) > Сторінка 1108 з 2840

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 568 852 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1136 1420 1704 1988 2272 2556 2840  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STM1001RWX6F STMicroelectronics en.CD00017849.pdf description Схема скидання; Uth, В = 2,63; Iвих, мА = 20; Iживл, мкА = 6; tз, мс = 140; Наявн. ручн. RESET = Так; Тексп, °С = -40...+85; Тип вих. каск = Відкритий сток чи відкритий колектор; SOT-23-3
на замовлення 49 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STM809SWX6F STMicroelectronics en.CD00003591.pdf схема сброса (Vrst=2.93V, Vcc=1,2....5,5V, tres=210ms, tol=10%, t=-40...+85C) SOT-23-3
на замовлення 247 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWD100NYWY3F STMicroelectronics en.CD00176077.pdf Супервізор живлення; tз, мс = 1 120; Тексп, °С = 40...+125; Тип вих. каск = Відкритий сток чи відкритий колектор; SOT-23-5
на замовлення 78 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
L6598D STMicroelectronics en.CD00001777.pdf description ШІМ-регулятор; Fosc = 400 кГц; Iвих = 450 мА; Uвих, В = 4.6; Uживл, В = 10...16.6; К-т заповн, % = 52; Тексп, °С = -40...+125; SO-16
на замовлення 33 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UC3844BD1G STMicroelectronics uc3844b-d.pdf description ШІМ-регулятор; Fosc = 275 кГц; Uживл, В = 10...30; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = 0...+70; SOIC-8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SN250Q STMicroelectronics SN250.pdf ФМ приймач; F, МГц = 2400; Тексп, °C = 0....+70; Стандарт = IEEE 802.15.4; QFN-48
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUCLEO-F303K8 STMicroelectronics en.DM00214578.pdf Налагоджувальна платформа для 32-бітних мікроконтролерів з процесором ARM® Cortex®-M4; Сімейства ІС, що підтр. = STM32F303K8; Комплект = Плата; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUCLEO-L053R8 STMicroelectronics en.DM00105918.pdf Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з ядром ARM® Cortex®-M0+; Сімейства ІС, що підтр. = STM32L053R8, mbed-Enabled Development; Комплект = Плати; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P-NUCLEO-WB55 STMicroelectronics P-NUCLEO-WB55_Rev.1_DB.pdf Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з трансівером і Bluetooth; Сімейства ІС, що підтр. = STM32WB55; Комплект = Плати; F = 2,4 ГГц; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STEVAL-IDW001V1 STMicroelectronics en.DM00106857.pdf Налагоджувальна плата для RF/RFID-рідерів; Комплектність = Плата; Сімейства ІС, що підтр. = SPWF01SA; Тип = 802.11 b/g/n (WiFi, WLAN); F = 2,4 ГГц; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STM32F469I-DISCO STMicroelectronics en.DM00218382.pdf Налагоджувальний набір; Сімейства ІС, що підтр. = STM32 F4; Kit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STM8-SO8-DISCO STMicroelectronics stm8-so8-disco.pdf Налагоджувальна плата; Сімейства ІС, що підтр. = STM8; Комплект = Плата; Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600CWRG STMicroelectronics 63870a63e46ed89b2fd3bd7a2ace4952.pdf en.CD00002265.pdf description Тиристор (альтерністор) вивідний; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; dIT/dt = 50 А/мкс; dVD/dt = 8,5 В/мкс; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; TO-220AB
на замовлення 335 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BWRG STMicroelectronics en.CD00002265.pdf 6f0c7d9a8c808df48eeaf1a1ac886e8c.pdf description Тиристор вивідний; Udrm, В = 800; It(rms), А = 16; Igt, мА = 50; Ih, мА = 50; Тексп, °C = -40...+125; TO-220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMP100LC-200 STMicroelectronics en.CD00002051.pdf Тиристор smd; Udrm, В = 200; It(rms), А = 100; Ih, мА = 150; Тексп, °С = -40...+150; SMB
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMP100LC-8 STMicroelectronics en.CD00002051.pdf Тиристор smd; Udrm, В = 8; It(rms), А = 400; Ih, мА = 50; Тексп, °С = -40...+150; C = 75 пФ; SMB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T1235-600G STMicroelectronics en.CD00002267.pdf Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T1235H-600G STMicroelectronics T1235H_Rev_6.pdf description Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+150; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T1635-600G-TR STMicroelectronics en.CD00002265.pdf Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
на замовлення 490 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN1215-600B STMicroelectronics en.CD00002269.pdf Тиристор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; dIT/dt = 50; dVD/dt = 200; Igt, мА = 15; Ih, мА = 40; Тексп, °С = -40...+125; D-PAK
на замовлення 124 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STU STMicroelectronics Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU508D STMicroelectronics description Транзистор NPN; Ptot, Вт = 125; Uceo, В = 1 500; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 7; Icutoff-max = 1 мА; Тексп, °С = -65...+150; TO-218
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 STMicroelectronics en.CD00000930.pdf MJE340.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MPS2222ARLRAG STMicroelectronics mps2222-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В@ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ST13003-K STMicroelectronics en.CD00160678.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 400; Ic = 1,5 А; hFE = 5 @ 1 А, 2 В; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 A; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -40...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3(TO-126-3)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD136-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Транзистор PNP; Uceo, В = 45; Ic = 1,5 А; hFE = 40 @ 150 мА, 2 В; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3
на замовлення 723 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD140-16 STMicroelectronics bd139.pdf description Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32(TO-126)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ2955 STMicroelectronics 2N3055%2C%20MJ2955.pdf MJ2955.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 115; Uceo, В = 70; Ic = 18; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 3; hFE = 20...70 @ 4 A, 4 V; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 60 @ 200 mA, 0; Тексп, °С = -65...+200; Комплементарний 2N3055; TO-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD679A STMicroelectronics en.CD00000939.pdf BD681-D.pdf description Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 40; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 80; Ic = 4 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 40; hFE = 750 @ 2 А, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BDX33C STMicroelectronics en.CD00000901.pdf ONSM-S-A0003590210-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bdx33c-d.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А; Р, Вт = 70 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53C STMicroelectronics en.CD00000902.pdf BDX53%2C54B%2CC.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 60; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2 @ 12 мA, 3 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 STMicroelectronics en.CD00000911.pdf TIP122.pdf TIP120-22.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP127 STMicroelectronics en.CD00000911.pdf TIP127.pdf tip127-d.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 103 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP147G STMicroelectronics tip140-d.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 125; Тип стр. = PNP; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 3 @ 40 мA, 10 А; Icutoff-max = 2 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А; Тексп, °С = -65...+150; TO-247-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2003D1013TR STMicroelectronics en.CD00001244.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -40...+85; SOICN-16
на замовлення 738 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2803A STMicroelectronics en.CD00000179.pdf ULN2803.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2,25; Тип стр. = 8 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -20...+85; DIP-18
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ULQ2003D1013TR STMicroelectronics en.CD00000180.pdf Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мкA; Тексп, °C = -40...+105; Тип монт. = вивідний; SOICN-16
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003028.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 245 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00002970.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 7,2 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2 STMicroelectronics en.DM00107139.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V; Qg, нКл = 12; Rds = 0,53 Ом; Ugs(th) = 25; Р, Вт = 85; Тексп, °C = -55...150; DPAK
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; DPAK-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003040.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03L STMicroelectronics en.CD00002146.pdf N-канальный ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ptot, Вт = 3,3; Тип монт. = smd; Qg, нКл = 9; Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 10 D; Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В; SOT-223
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DP-E STMicroelectronics en.CD00269563.pdf N-канальний ПТ OMNIFET II; Id = 1,7 А; Ptot, Вт = 4; Udss, В = 40; Тип монт. = smd; Rds = 250 мОм; Tексп, °C = -40...+150; SOIC-8
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 STMicroelectronics en.CD00050744.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 1 500; Id = 4 A; Ptot, Вт = 63; Тип монт. = вивідний; Qg, нКл = 30; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В; TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101797.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 42 А; Ptot, Вт = 75; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STMicroelectronics en.DM00066885.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48; Qg, нКл = 6,4 @ 10 В; Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,6; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100A 1.5KE100A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.07 грн
10+34.00 грн
50+26.88 грн
65+16.93 грн
177+16.00 грн
600+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA 1.5KE100CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 11A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: THT
Case: DO201
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.12 грн
10+60.47 грн
58+18.98 грн
160+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE120A 1.5KE120A STMicroelectronics en.CD00000663.pdf 15ke68.pdf 1.5KE_Datasheet.pdf littelfuse_tvs_diode_1_5ke_datasheet.pdf?assetguid=9d02c7d2-86a5-4bff-9251-966d6af02bf7 1.5KE%20SERIES%20N0209%20REV.E.pdf 1.5KE SERIES_O2104.pdf description Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 102V
Breakdown voltage: 120V
Max. forward impulse current: 9.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.10 грн
10+42.31 грн
57+19.25 грн
156+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12CA 1.5KE12CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 12V; 90A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 90A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.12 грн
10+48.39 грн
61+18.14 грн
166+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE150A 1.5KE150A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 128V
Breakdown voltage: 150V
Max. forward impulse current: 7.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.08 грн
10+30.04 грн
64+17.21 грн
174+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE15A 1.5KE15A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.09 грн
50+39.41 грн
57+19.34 грн
155+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE15CA 1.5KE15CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 71A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.10 грн
10+49.84 грн
25+44.56 грн
53+20.61 грн
146+19.49 грн
6000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180A 1.5KE180A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58F9E6D4451944469&compId=1.5KE180A.pdf?ci_sign=89cbd24df7ddf8eb06485dac8acb5bd529952585 description Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 180V; 6.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.12 грн
10+47.81 грн
59+18.42 грн
163+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA 1.5KE180CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 31.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 154V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 31.5A
Breakdown voltage: 180V
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: THT
Case: DO201
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.10 грн
10+49.84 грн
25+44.56 грн
56+19.82 грн
152+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A 1.5KE18A STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.08 грн
10+33.42 грн
63+17.58 грн
171+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA 1.5KE18CA STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687 Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.06 грн
11+26.47 грн
60+18.42 грн
163+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STM1001RWX6F description en.CD00017849.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Схема скидання; Uth, В = 2,63; Iвих, мА = 20; Iживл, мкА = 6; tз, мс = 140; Наявн. ручн. RESET = Так; Тексп, °С = -40...+85; Тип вих. каск = Відкритий сток чи відкритий колектор; SOT-23-3
на замовлення 49 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STM809SWX6F en.CD00003591.pdf
Виробник: STMicroelectronics
схема сброса (Vrst=2.93V, Vcc=1,2....5,5V, tres=210ms, tol=10%, t=-40...+85C) SOT-23-3
на замовлення 247 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWD100NYWY3F en.CD00176077.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Супервізор живлення; tз, мс = 1 120; Тексп, °С = 40...+125; Тип вих. каск = Відкритий сток чи відкритий колектор; SOT-23-5
на замовлення 78 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
L6598D description en.CD00001777.pdf
Виробник: STMicroelectronics
ШІМ-регулятор; Fosc = 400 кГц; Iвих = 450 мА; Uвих, В = 4.6; Uживл, В = 10...16.6; К-т заповн, % = 52; Тексп, °С = -40...+125; SO-16
на замовлення 33 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UC3844BD1G description uc3844b-d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
ШІМ-регулятор; Fosc = 275 кГц; Uживл, В = 10...30; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = 0...+70; SOIC-8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SN250Q SN250.pdf
Виробник: STMicroelectronics
ФМ приймач; F, МГц = 2400; Тексп, °C = 0....+70; Стандарт = IEEE 802.15.4; QFN-48
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUCLEO-F303K8 en.DM00214578.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна платформа для 32-бітних мікроконтролерів з процесором ARM® Cortex®-M4; Сімейства ІС, що підтр. = STM32F303K8; Комплект = Плата; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NUCLEO-L053R8 en.DM00105918.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з ядром ARM® Cortex®-M0+; Сімейства ІС, що підтр. = STM32L053R8, mbed-Enabled Development; Комплект = Плати; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P-NUCLEO-WB55 P-NUCLEO-WB55_Rev.1_DB.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з трансівером і Bluetooth; Сімейства ІС, що підтр. = STM32WB55; Комплект = Плати; F = 2,4 ГГц; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STEVAL-IDW001V1 en.DM00106857.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата для RF/RFID-рідерів; Комплектність = Плата; Сімейства ІС, що підтр. = SPWF01SA; Тип = 802.11 b/g/n (WiFi, WLAN); F = 2,4 ГГц; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STM32F469I-DISCO en.DM00218382.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальний набір; Сімейства ІС, що підтр. = STM32 F4; Kit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STM8-SO8-DISCO stm8-so8-disco.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата; Сімейства ІС, що підтр. = STM8; Комплект = Плата; Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600CWRG description 63870a63e46ed89b2fd3bd7a2ace4952.pdf en.CD00002265.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор (альтерністор) вивідний; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; dIT/dt = 50 А/мкс; dVD/dt = 8,5 В/мкс; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; TO-220AB
на замовлення 335 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BWRG description en.CD00002265.pdf 6f0c7d9a8c808df48eeaf1a1ac886e8c.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор вивідний; Udrm, В = 800; It(rms), А = 16; Igt, мА = 50; Ih, мА = 50; Тексп, °C = -40...+125; TO-220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMP100LC-200 en.CD00002051.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор smd; Udrm, В = 200; It(rms), А = 100; Ih, мА = 150; Тексп, °С = -40...+150; SMB
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMP100LC-8 en.CD00002051.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор smd; Udrm, В = 8; It(rms), А = 400; Ih, мА = 50; Тексп, °С = -40...+150; C = 75 пФ; SMB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T1235-600G en.CD00002267.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T1235H-600G description T1235H_Rev_6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+150; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T1635-600G-TR en.CD00002265.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
на замовлення 490 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN1215-600B en.CD00002269.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; dIT/dt = 50; dVD/dt = 200; Igt, мА = 15; Ih, мА = 40; Тексп, °С = -40...+125; D-PAK
на замовлення 124 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STU
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16 description bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU508D description
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 125; Uceo, В = 1 500; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 7; Icutoff-max = 1 мА; Тексп, °С = -65...+150; TO-218
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 en.CD00000930.pdf MJE340.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MPS2222ARLRAG mps2222-d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В@ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ST13003-K en.CD00160678.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 400; Ic = 1,5 А; hFE = 5 @ 1 А, 2 В; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 A; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -40...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3(TO-126-3)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD136-16 description bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор PNP; Uceo, В = 45; Ic = 1,5 А; hFE = 40 @ 150 мА, 2 В; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3
на замовлення 723 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD140-16 description bd139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32(TO-126)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJ2955 2N3055%2C%20MJ2955.pdf MJ2955.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 115; Uceo, В = 70; Ic = 18; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 3; hFE = 20...70 @ 4 A, 4 V; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 60 @ 200 mA, 0; Тексп, °С = -65...+200; Комплементарний 2N3055; TO-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD679A description en.CD00000939.pdf BD681-D.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 40; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 80; Ic = 4 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 40; hFE = 750 @ 2 А, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BDX33C en.CD00000901.pdf ONSM-S-A0003590210-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bdx33c-d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А; Р, Вт = 70 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53C en.CD00000902.pdf BDX53%2C54B%2CC.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 60; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2 @ 12 мA, 3 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 en.CD00000911.pdf TIP122.pdf TIP120-22.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP127 en.CD00000911.pdf TIP127.pdf tip127-d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 103 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TIP147G tip140-d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 125; Тип стр. = PNP; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 3 @ 40 мA, 10 А; Icutoff-max = 2 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А; Тексп, °С = -65...+150; TO-247-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2003D1013TR en.CD00001244.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -40...+85; SOICN-16
на замовлення 738 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2803A en.CD00000179.pdf ULN2803.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2,25; Тип стр. = 8 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -20...+85; DIP-18
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ULQ2003D1013TR en.CD00000180.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мкA; Тексп, °C = -40...+105; Тип монт. = вивідний; SOICN-16
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4 en.CD00003028.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 245 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK50ZT4 en.CD00002970.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 7,2 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N50M2 en.DM00107139.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V; Qg, нКл = 12; Rds = 0,53 Ом; Ugs(th) = 25; Р, Вт = 85; Тексп, °C = -55...150; DPAK
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 en.CD00002085.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; DPAK-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7NK40ZT4 en.CD00003040.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN4NF03L en.CD00002146.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальный ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ptot, Вт = 3,3; Тип монт. = smd; Qg, нКл = 9; Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 10 D; Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В; SOT-223
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VNS1NV04DP-E en.CD00269563.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ OMNIFET II; Id = 1,7 А; Ptot, Вт = 4; Udss, В = 40; Тип монт. = smd; Rds = 250 мОм; Tексп, °C = -40...+150; SOIC-8
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150 en.CD00050744.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 500; Id = 4 A; Ptot, Вт = 63; Тип монт. = вивідний; Qg, нКл = 30; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В; TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 en.DM00101797.pdf
Виробник: STMicroelectronics
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 42 А; Ptot, Вт = 75; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 en.DM00066885.pdf
Виробник: STMicroelectronics
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48; Qg, нКл = 6,4 @ 10 В; Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,6; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE100A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.07 грн
10+34.00 грн
50+26.88 грн
65+16.93 грн
177+16.00 грн
600+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE100CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 11A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: THT
Case: DO201
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.12 грн
10+60.47 грн
58+18.98 грн
160+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE120A description en.CD00000663.pdf 15ke68.pdf 1.5KE_Datasheet.pdf littelfuse_tvs_diode_1_5ke_datasheet.pdf?assetguid=9d02c7d2-86a5-4bff-9251-966d6af02bf7 1.5KE%20SERIES%20N0209%20REV.E.pdf 1.5KE SERIES_O2104.pdf
1.5KE120A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 102V
Breakdown voltage: 120V
Max. forward impulse current: 9.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
10+42.31 грн
57+19.25 грн
156+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE12CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 12V; 90A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 90A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.12 грн
10+48.39 грн
61+18.14 грн
166+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE150A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE150A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 128V
Breakdown voltage: 150V
Max. forward impulse current: 7.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.08 грн
10+30.04 грн
64+17.21 грн
174+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE15A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE15A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.09 грн
50+39.41 грн
57+19.34 грн
155+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE15CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE15CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 71A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.10 грн
10+49.84 грн
25+44.56 грн
53+20.61 грн
146+19.49 грн
6000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180A description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58F9E6D4451944469&compId=1.5KE180A.pdf?ci_sign=89cbd24df7ddf8eb06485dac8acb5bd529952585
1.5KE180A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 180V; 6.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.12 грн
10+47.81 грн
59+18.42 грн
163+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE180CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 31.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 154V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 31.5A
Breakdown voltage: 180V
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: THT
Case: DO201
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.10 грн
10+49.84 грн
25+44.56 грн
56+19.82 грн
152+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE18A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.08 грн
10+33.42 грн
63+17.58 грн
171+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588AB71DE5CABC469&compId=1.5KE100A.pdf?ci_sign=1c2df97ff47c44e9d04a40563cb02cd29cfa5687
1.5KE18CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.06 грн
11+26.47 грн
60+18.42 грн
163+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 284 568 852 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1112 1113 1136 1420 1704 1988 2272 2556 2840  [ Наступна Сторінка >> ]