Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170073) > Сторінка 1111 з 2835
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUV48A | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 15A; 125W; TO247-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 1kV Collector current: 15A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BUX87 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUXD87T4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BZW04-28B | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BZW04-376B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 418V; 3A; bidirectional; ±5%; DO15; 400W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 376V Breakdown voltage: 418V Max. forward impulse current: 3A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Peak pulse power dissipation: 0.4kW Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 1mA Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 206 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BZW04-48B | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BZW04-5V8 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BZW04-5V8B | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BZW06-15B | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BZW06-28 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 31.4V; 13.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 31.4V Max. forward impulse current: 13.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 1mA Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW06-28B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 31.4V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 31.4V Max. forward impulse current: 13.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 1mA Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 516 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BZW06-33 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 887 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BZW06-33B | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BZW06-342BRL | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BZW06-376BRL | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BZW06-5V8 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Diode: TVS; 600W; 6.45V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 5.8V Breakdown voltage: 6.45V Max. forward impulse current: 57A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO15 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% Leakage current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-100B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 111V; 28A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 100V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 28A Breakdown voltage: 111V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-120B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 133V; 23A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Case: R6 Max. off-state voltage: 120V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 23A Breakdown voltage: 133V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZW50-12B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 13.3V; 227A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Case: R6 Max. off-state voltage: 12V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 227A Breakdown voltage: 13.3V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZW50-15 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 16.6V; 186A; unidirectional; R6; reel,tape Case: R6 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 15V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 186A Breakdown voltage: 16.6V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-150 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 166V; 19A; unidirectional; R6; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 150V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 19A Breakdown voltage: 166V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-150B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 166V; 19A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 150V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 19A Breakdown voltage: 166V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-15B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 16.6V; 186A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Case: R6 Max. off-state voltage: 15V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 186A Breakdown voltage: 16.6V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-18 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 20V; 155A; unidirectional; R6; reel,tape Max. off-state voltage: 18V Max. forward impulse current: 155A Case: R6 Semiconductor structure: unidirectional Breakdown voltage: 20V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZW50-180 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 200V; 16A; unidirectional; R6; Ammo Pack Max. off-state voltage: 180V Max. forward impulse current: 16A Case: R6 Semiconductor structure: unidirectional Breakdown voltage: 200V Leakage current: 5µA Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 262 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-180B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 200V; 16A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Max. off-state voltage: 180V Max. forward impulse current: 16A Case: R6 Semiconductor structure: bidirectional Breakdown voltage: 200V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-22 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 24.4V; 127A; unidirectional; R6; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 22V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 127A Breakdown voltage: 24.4V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZW50-22B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 24.4V; 127A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 22V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 127A Breakdown voltage: 24.4V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZW50-27 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 30V; 103A; unidirectional; R6; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 27V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 103A Breakdown voltage: 30V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-27B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 30V; 103A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Case: R6 Max. off-state voltage: 27V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 103A Breakdown voltage: 30V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 173 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-33 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 36.6V; 85A; unidirectional; R6; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.6V Max. forward impulse current: 85A Semiconductor structure: unidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 5µA Peak pulse power dissipation: 5kW Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.6V Max. forward impulse current: 85A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-33BRL | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.6V Max. forward impulse current: 85A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 5µA Peak pulse power dissipation: 5kW Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 827 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-39 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 43.3V; 72A; unidirectional; R6; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 39V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 72A Breakdown voltage: 43.3V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-39B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 43.3V; 72A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 39V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 72A Breakdown voltage: 43.3V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-47B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 52V; 60.1A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 47V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 60.1A Breakdown voltage: 52V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-56 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 62.2V; 50A; unidirectional; R6; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 56V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 50A Breakdown voltage: 62.2V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-56B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 99.6V; 50A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Case: R6 Max. off-state voltage: 56V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 50A Breakdown voltage: 99.6V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-68 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 75.6V; 41A; unidirectional; R6; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 68V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 41A Breakdown voltage: 75.6V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZW50-68B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 75.6V; 41A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 68V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 41A Breakdown voltage: 75.6V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZW50-82 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 5kW; 91V; 34A; unidirectional; R6; Ammo Pack Case: R6 Max. off-state voltage: 82V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 34A Breakdown voltage: 91V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZW50-82B | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 91V; 34A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape Case: R6 Max. off-state voltage: 82V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 34A Breakdown voltage: 91V Leakage current: 5µA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CLT3-4BT6 | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: CLT limiter; TSSOP20; -25÷85°C; tube; -30÷30V; 6us Type of integrated circuit: CLT limiter Case: TSSOP20 Mounting: SMD Operating temperature: -25...85°C Kind of package: tube Delay time: 6µs Input voltage: -30...30V DC supply current: 550µA Output current: 3mA Number of channels: 4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
CLT3-4BT6-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CR95HF-VMD5T | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: NFC/RFID tag; 2.7÷5.5VDC; SPI,UART; SMD; VFQFPN32; reel,tape Interface: SPI; UART Supply voltage: 2.7...5.5V DC Frequency: 13.56MHz Type of integrated circuit: NFC/RFID tag Kind of package: reel; tape Case: VFQFPN32 Operating temperature: -25...85°C Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
CS30AL | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: instrumentation amplifier; 500kHz; Ch: 1; Uoper: 4÷24V; SOT23-5 Type of integrated circuit: instrumentation amplifier Bandwidth: 500kHz Number of channels: 1 Operating voltage: 4...24V Mounting: SMT Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...125°C Slew rate: 0.9V/μs Input offset voltage: 2.3mV Kind of package: reel; tape Input bias current: 8µA Kind of integrated circuit: current sense кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CS30BL | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CS30CL | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CS70P | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
D44H11 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
D44H8 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
D45H11 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 721 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DA108S1RL | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DA112S1 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD Case: SO8 Max. off-state voltage: 18V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 12A Leakage current: 2µA Number of channels: 6 Type of diode: TVS array Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.73W Mounting: SMD кількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DA112S1RL | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD Case: SO8 Max. off-state voltage: 15V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 12A Leakage current: 2µA Number of channels: 6 Type of diode: TVS array Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.73W Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DALC208SC6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: diode arrays; 6A; bidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD Type of diode: diode arrays Semiconductor structure: bidirectional Mounting: SMD Case: SOT23-6 Max. off-state voltage: 9V Kind of package: reel; tape Version: ESD Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DB3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diac; 2A; DO35; 28÷36V; THT; Ammo Pack Type of thyristor: diac Max. load current: 2A Case: DO35 Breakover voltage: 28...36V Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DB3TG | STMicroelectronics |
![]() Description: Diac; 2A; DO35; 30÷34V; THT; Ammo Pack Type of thyristor: diac Max. load current: 2A Case: DO35 Breakover voltage: 30...34V Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DB4 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diac; 2A; DO35; 35÷45V; THT; Ammo Pack Type of thyristor: diac Max. load current: 2A Case: DO35 Breakover voltage: 35...45V Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 817 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DSILC6-4P6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; 90W; bidirectional; SOT666; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6V Mounting: SMD Case: SOT666 Leakage current: 0.5µA Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Application: Ethernet; USB Version: ESD Peak pulse power dissipation: 90W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4559 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
BUV48A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 15A; 125W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 15A; 125W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 605.10 грн |
6+ | 221.55 грн |
14+ | 202.31 грн |
25+ | 201.39 грн |
150+ | 200.47 грн |
270+ | 197.71 грн |
450+ | 196.79 грн |
BUX87 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BUX87 NPN THT Darlington transistors
BUX87 NPN THT Darlington transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.01 грн |
32+ | 34.12 грн |
87+ | 32.28 грн |
BUXD87T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BUXD87T4 NPN SMD transistors
BUXD87T4 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW04-28B |
![]() ![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW04-28B-ST Bidirectional TVS THT diodes
BZW04-28B-ST Bidirectional TVS THT diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW04-376B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 418V; 3A; bidirectional; ±5%; DO15; 400W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 418V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 1mA
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 418V; 3A; bidirectional; ±5%; DO15; 400W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 418V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 1mA
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.52 грн |
10+ | 42.59 грн |
25+ | 36.69 грн |
68+ | 16.18 грн |
187+ | 15.36 грн |
5000+ | 14.90 грн |
BZW04-48B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW04-48B-ST Bidirectional TVS THT diodes
BZW04-48B-ST Bidirectional TVS THT diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW04-5V8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW04-5V8-ST Unidirectional TVS THT diodes
BZW04-5V8-ST Unidirectional TVS THT diodes
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.01 грн |
126+ | 8.59 грн |
345+ | 8.12 грн |
BZW04-5V8B | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW04-5V8B-ST Bidirectional TVS THT diodes
BZW04-5V8B-ST Bidirectional TVS THT diodes
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.23 грн |
94+ | 11.50 грн |
259+ | 10.85 грн |
BZW06-15B | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW06-15B-ST Bidirectional TVS THT diodes
BZW06-15B-ST Bidirectional TVS THT diodes
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.65 грн |
98+ | 11.04 грн |
269+ | 10.48 грн |
BZW06-28 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.4V; 13.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.4V; 13.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.67 грн |
10+ | 28.65 грн |
25+ | 24.65 грн |
100+ | 20.51 грн |
103+ | 10.76 грн |
282+ | 10.21 грн |
5000+ | 9.93 грн |
BZW06-28B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 31.4V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 31.4V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.64 грн |
11+ | 26.64 грн |
98+ | 11.31 грн |
269+ | 10.67 грн |
1000+ | 10.30 грн |
BZW06-33 |
![]() ![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW06-33-ST Unidirectional TVS THT diodes
BZW06-33-ST Unidirectional TVS THT diodes
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 43.28 грн |
108+ | 10.02 грн |
297+ | 9.47 грн |
BZW06-33B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW06-33B-ST Bidirectional TVS THT diodes
BZW06-33B-ST Bidirectional TVS THT diodes
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.65 грн |
86+ | 12.60 грн |
236+ | 11.86 грн |
BZW06-342BRL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW06-342BRL-ST Bidirectional TVS THT diodes
BZW06-342BRL-ST Bidirectional TVS THT diodes
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.95 грн |
66+ | 16.46 грн |
181+ | 15.54 грн |
5000+ | 15.47 грн |
BZW06-376BRL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
BZW06-376BRL-ST Bidirectional TVS THT diodes
BZW06-376BRL-ST Bidirectional TVS THT diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW06-5V8 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.45V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.45V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.45V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.45V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.70 грн |
11+ | 26.07 грн |
25+ | 22.71 грн |
100+ | 18.94 грн |
113+ | 9.84 грн |
309+ | 9.29 грн |
5000+ | 9.10 грн |
BZW50-100B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 111V; 28A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 100V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 28A
Breakdown voltage: 111V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 111V; 28A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 100V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 28A
Breakdown voltage: 111V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.44 грн |
3+ | 229.19 грн |
8+ | 145.30 грн |
21+ | 137.02 грн |
BZW50-120B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 133V; 23A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 120V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 23A
Breakdown voltage: 133V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 133V; 23A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 120V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 23A
Breakdown voltage: 133V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW50-12B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 13.3V; 227A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 227A
Breakdown voltage: 13.3V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 13.3V; 227A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 227A
Breakdown voltage: 13.3V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW50-15 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 16.6V; 186A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 186A
Breakdown voltage: 16.6V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 16.6V; 186A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 186A
Breakdown voltage: 16.6V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.53 грн |
3+ | 221.55 грн |
8+ | 140.70 грн |
22+ | 132.42 грн |
BZW50-150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 166V; 19A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 150V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 19A
Breakdown voltage: 166V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 166V; 19A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 150V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 19A
Breakdown voltage: 166V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 222.83 грн |
10+ | 118.42 грн |
27+ | 107.59 грн |
2500+ | 103.92 грн |
BZW50-150B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 166V; 19A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 150V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 19A
Breakdown voltage: 166V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 166V; 19A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 150V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 19A
Breakdown voltage: 166V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 278.29 грн |
3+ | 243.52 грн |
7+ | 161.85 грн |
19+ | 152.65 грн |
BZW50-15B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 16.6V; 186A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 186A
Breakdown voltage: 16.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 16.6V; 186A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 186A
Breakdown voltage: 16.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 244.61 грн |
3+ | 212.96 грн |
8+ | 139.78 грн |
22+ | 132.42 грн |
BZW50-18 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 20V; 155A; unidirectional; R6; reel,tape
Max. off-state voltage: 18V
Max. forward impulse current: 155A
Case: R6
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 20V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 20V; 155A; unidirectional; R6; reel,tape
Max. off-state voltage: 18V
Max. forward impulse current: 155A
Case: R6
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 20V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW50-180 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 200V; 16A; unidirectional; R6; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 180V
Max. forward impulse current: 16A
Case: R6
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 200V; 16A; unidirectional; R6; Ammo Pack
Max. off-state voltage: 180V
Max. forward impulse current: 16A
Case: R6
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.75 грн |
3+ | 201.50 грн |
9+ | 132.42 грн |
23+ | 125.99 грн |
BZW50-180B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 16A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Max. off-state voltage: 180V
Max. forward impulse current: 16A
Case: R6
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 16A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Max. off-state voltage: 180V
Max. forward impulse current: 16A
Case: R6
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 200V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.60 грн |
8+ | 155.59 грн |
20+ | 141.66 грн |
300+ | 138.86 грн |
500+ | 136.10 грн |
BZW50-22 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 24.4V; 127A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 127A
Breakdown voltage: 24.4V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 24.4V; 127A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 127A
Breakdown voltage: 24.4V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW50-22B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 24.4V; 127A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 127A
Breakdown voltage: 24.4V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 24.4V; 127A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 127A
Breakdown voltage: 24.4V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW50-27 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 30V; 103A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 103A
Breakdown voltage: 30V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 30V; 103A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 103A
Breakdown voltage: 30V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 255.51 грн |
3+ | 223.46 грн |
8+ | 144.38 грн |
21+ | 137.02 грн |
BZW50-27B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 103A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 103A
Breakdown voltage: 30V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 103A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 103A
Breakdown voltage: 30V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 268.38 грн |
3+ | 233.97 грн |
8+ | 148.06 грн |
21+ | 139.78 грн |
BZW50-33 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 36.6V; 85A; unidirectional; R6; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.6V
Max. forward impulse current: 85A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 5kW
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 36.6V; 85A; unidirectional; R6; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.6V
Max. forward impulse current: 85A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 5kW
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 222.83 грн |
10+ | 122.24 грн |
26+ | 111.27 грн |
1000+ | 106.67 грн |
BZW50-33B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.6V
Max. forward impulse current: 85A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.6V
Max. forward impulse current: 85A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 250.56 грн |
10+ | 118.42 грн |
26+ | 108.51 грн |
300+ | 103.92 грн |
BZW50-33BRL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.6V
Max. forward impulse current: 85A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 5kW
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.6V
Max. forward impulse current: 85A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 5kW
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.89 грн |
5+ | 187.17 грн |
8+ | 139.78 грн |
22+ | 132.42 грн |
1000+ | 128.74 грн |
BZW50-39 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 43.3V; 72A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 39V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 72A
Breakdown voltage: 43.3V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 43.3V; 72A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 39V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 72A
Breakdown voltage: 43.3V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 205.99 грн |
3+ | 179.53 грн |
10+ | 114.95 грн |
27+ | 108.51 грн |
BZW50-39B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 43.3V; 72A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 39V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 72A
Breakdown voltage: 43.3V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 43.3V; 72A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 39V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 72A
Breakdown voltage: 43.3V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 267.39 грн |
3+ | 233.01 грн |
8+ | 148.06 грн |
21+ | 139.78 грн |
BZW50-47B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 52V; 60.1A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 47V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 60.1A
Breakdown voltage: 52V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 52V; 60.1A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 47V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 60.1A
Breakdown voltage: 52V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 267.39 грн |
3+ | 233.01 грн |
8+ | 148.06 грн |
21+ | 139.78 грн |
BZW50-56 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 62.2V; 50A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 56V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 50A
Breakdown voltage: 62.2V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 62.2V; 50A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 56V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 50A
Breakdown voltage: 62.2V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.04 грн |
8+ | 148.98 грн |
10+ | 142.54 грн |
22+ | 135.18 грн |
300+ | 129.66 грн |
BZW50-56B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 99.6V; 50A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 56V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 50A
Breakdown voltage: 99.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 99.6V; 50A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 56V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 50A
Breakdown voltage: 99.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.26 грн |
3+ | 245.43 грн |
8+ | 155.41 грн |
20+ | 147.14 грн |
BZW50-68 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 75.6V; 41A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 68V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 41A
Breakdown voltage: 75.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 75.6V; 41A; unidirectional; R6; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 68V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 41A
Breakdown voltage: 75.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW50-68B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 75.6V; 41A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 68V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 41A
Breakdown voltage: 75.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 75.6V; 41A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 68V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 41A
Breakdown voltage: 75.6V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 251.55 грн |
3+ | 219.64 грн |
8+ | 138.86 грн |
22+ | 131.50 грн |
BZW50-82 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 91V; 34A; unidirectional; R6; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 82V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 34A
Breakdown voltage: 91V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 91V; 34A; unidirectional; R6; Ammo Pack
Case: R6
Max. off-state voltage: 82V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 34A
Breakdown voltage: 91V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZW50-82B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 91V; 34A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 82V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 34A
Breakdown voltage: 91V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 91V; 34A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Case: R6
Max. off-state voltage: 82V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 34A
Breakdown voltage: 91V
Leakage current: 5µA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 258.48 грн |
3+ | 226.33 грн |
8+ | 143.46 грн |
10+ | 142.54 грн |
22+ | 135.18 грн |
CLT3-4BT6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: CLT limiter; TSSOP20; -25÷85°C; tube; -30÷30V; 6us
Type of integrated circuit: CLT limiter
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: tube
Delay time: 6µs
Input voltage: -30...30V
DC supply current: 550µA
Output current: 3mA
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: CLT limiter; TSSOP20; -25÷85°C; tube; -30÷30V; 6us
Type of integrated circuit: CLT limiter
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: tube
Delay time: 6µs
Input voltage: -30...30V
DC supply current: 550µA
Output current: 3mA
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 225.80 грн |
3+ | 199.59 грн |
8+ | 145.30 грн |
21+ | 137.02 грн |
74+ | 132.42 грн |
CLT3-4BT6-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
CLT3-4BT6-TR Integrated circuits - others
CLT3-4BT6-TR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CR95HF-VMD5T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: NFC/RFID tag; 2.7÷5.5VDC; SPI,UART; SMD; VFQFPN32; reel,tape
Interface: SPI; UART
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Frequency: 13.56MHz
Type of integrated circuit: NFC/RFID tag
Kind of package: reel; tape
Case: VFQFPN32
Operating temperature: -25...85°C
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: NFC/RFID tag; 2.7÷5.5VDC; SPI,UART; SMD; VFQFPN32; reel,tape
Interface: SPI; UART
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Frequency: 13.56MHz
Type of integrated circuit: NFC/RFID tag
Kind of package: reel; tape
Case: VFQFPN32
Operating temperature: -25...85°C
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CS30AL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier; 500kHz; Ch: 1; Uoper: 4÷24V; SOT23-5
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
Bandwidth: 500kHz
Number of channels: 1
Operating voltage: 4...24V
Mounting: SMT
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.9V/μs
Input offset voltage: 2.3mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 8µA
Kind of integrated circuit: current sense
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier; 500kHz; Ch: 1; Uoper: 4÷24V; SOT23-5
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
Bandwidth: 500kHz
Number of channels: 1
Operating voltage: 4...24V
Mounting: SMT
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.9V/μs
Input offset voltage: 2.3mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 8µA
Kind of integrated circuit: current sense
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CS30BL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
CS30BL SMD operational amplifiers
CS30BL SMD operational amplifiers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CS30CL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
CS30CL SMD operational amplifiers
CS30CL SMD operational amplifiers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CS70P |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
CS70P SMD operational amplifiers
CS70P SMD operational amplifiers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
D44H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.81 грн |
5+ | 61.40 грн |
10+ | 50.03 грн |
25+ | 43.41 грн |
50+ | 41.20 грн |
69+ | 41.01 грн |
100+ | 39.45 грн |
D44H8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
D44H8-ST NPN THT transistors
D44H8-ST NPN THT transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.46 грн |
25+ | 44.14 грн |
68+ | 41.38 грн |
D45H11 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 721 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.59 грн |
10+ | 55.29 грн |
28+ | 39.45 грн |
75+ | 37.34 грн |
500+ | 35.86 грн |
DA108S1RL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
DA108S1RL Protection diodes - arrays
DA108S1RL Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DA112S1 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 18V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Leakage current: 2µA
Number of channels: 6
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.73W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 100 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 18V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Leakage current: 2µA
Number of channels: 6
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.73W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DA112S1RL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Leakage current: 2µA
Number of channels: 6
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.73W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Leakage current: 2µA
Number of channels: 6
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.73W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DALC208SC6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; 6A; bidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Max. off-state voltage: 9V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; 6A; bidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Max. off-state voltage: 9V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.64 грн |
12+ | 24.07 грн |
50+ | 18.39 грн |
100+ | 16.55 грн |
118+ | 9.10 грн |
324+ | 8.64 грн |
3000+ | 8.37 грн |
DB3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diacs
Description: Diac; 2A; DO35; 28÷36V; THT; Ammo Pack
Type of thyristor: diac
Max. load current: 2A
Case: DO35
Breakover voltage: 28...36V
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diacs
Description: Diac; 2A; DO35; 28÷36V; THT; Ammo Pack
Type of thyristor: diac
Max. load current: 2A
Case: DO35
Breakover voltage: 28...36V
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
63+ | 4.77 грн |
100+ | 4.56 грн |
547+ | 1.97 грн |
1503+ | 1.87 грн |
DB3TG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diacs
Description: Diac; 2A; DO35; 30÷34V; THT; Ammo Pack
Type of thyristor: diac
Max. load current: 2A
Case: DO35
Breakover voltage: 30...34V
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diacs
Description: Diac; 2A; DO35; 30÷34V; THT; Ammo Pack
Type of thyristor: diac
Max. load current: 2A
Case: DO35
Breakover voltage: 30...34V
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.89 грн |
37+ | 7.83 грн |
100+ | 4.04 грн |
500+ | 3.66 грн |
533+ | 2.02 грн |
1464+ | 1.91 грн |
100000+ | 1.87 грн |
DB4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diacs
Description: Diac; 2A; DO35; 35÷45V; THT; Ammo Pack
Type of thyristor: diac
Max. load current: 2A
Case: DO35
Breakover voltage: 35...45V
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diacs
Description: Diac; 2A; DO35; 35÷45V; THT; Ammo Pack
Type of thyristor: diac
Max. load current: 2A
Case: DO35
Breakover voltage: 35...45V
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.79 грн |
22+ | 13.08 грн |
100+ | 8.01 грн |
250+ | 6.66 грн |
296+ | 3.65 грн |
812+ | 3.45 грн |
5000+ | 3.43 грн |
DSILC6-4P6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; 90W; bidirectional; SOT666; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Mounting: SMD
Case: SOT666
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Application: Ethernet; USB
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 90W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; 90W; bidirectional; SOT666; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Mounting: SMD
Case: SOT666
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Application: Ethernet; USB
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 90W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 43.58 грн |
12+ | 24.92 грн |
50+ | 20.87 грн |
80+ | 13.89 грн |
218+ | 13.15 грн |