Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170314) > Сторінка 1165 з 2839

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2839  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113757.pdf STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+494.85 грн
4+303.24 грн
10+286.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116918.pdf STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.58 грн
3+294.61 грн
5+235.33 грн
13+222.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics en.DM00673147.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2 STMicroelectronics stgwa30hp65fb2.pdf STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DF STMicroelectronics stgwa30ih65df.pdf STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35IH135DF2 STMicroelectronics stgwa35ih135df2.pdf STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB STMicroelectronics stgwa40h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+363.63 грн
6+212.51 грн
15+193.48 грн
120+189.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf STGWA40H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics stgwa40hp65fb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DF STMicroelectronics stgwa40ih65df.pdf STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113760.pdf STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116916.pdf STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2 STMicroelectronics stgwa50hp65fb2.pdf STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249585.pdf STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+480.83 грн
4+332.29 грн
10+302.31 грн
120+291.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+684.18 грн
3+418.58 грн
8+396.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFB STMicroelectronics STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAG STMicroelectronics stgwa80h65dfbag.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf STGWA80H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA8M120DF3 STMicroelectronics en.DM00294677.pdf STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWF30NC60S STMicroelectronics en.CD00164830.pdf STGWF30NC60S THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H65FB STMicroelectronics en.DM00130550.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20IH125DF STMicroelectronics en.DM00095632.pdf STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGWT20V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT28IH125DF STMicroelectronics en.DM00095615.pdf STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30HP65FB STMicroelectronics en.DM00245474.pdf STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40H65DFB STMicroelectronics STGWT40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.45 грн
7+172.90 грн
19+157.20 грн
120+155.34 грн
510+151.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65DFB STGWT60H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+479.83 грн
3+416.32 грн
4+306.96 грн
10+290.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf STGWT60H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf STGWT80H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGWT80V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60F STMicroelectronics en.DM00117327.pdf STGWT80V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VD STMicroelectronics en.CD00003462.pdf STGY40NC60VD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A63EB7DB8CE0D2&compId=stgya120m65df2.pdf?ci_sign=7be02cbd88351d04aecf038938321c183fb7873b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A641C3FE39E0D2&compId=stgya120m65df2ag.pdf?ci_sign=b6100f628ed78c74692871f473e9af72f958f19c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247; automotive industry
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2 STMicroelectronics stgya50h120df2.pdf STGYA50H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+994.71 грн
2+652.98 грн
5+617.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50M120DF3 STMicroelectronics stgya50m120df3.pdf STGYA50M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA75H120DF2 STMicroelectronics stgya75h120df2.pdf STGYA75H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf STH12N120K5-2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AG STMicroelectronics sth2n120k5-2ag.pdf STH2N120K5-2AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC166760D2&compId=sth30n65dm6-7ag.pdf?ci_sign=b77e27ea77a5d055bcea01bcf880db958369150a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2 STH3N150-2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AA33AB0C60D2&compId=sth3n150-2.pdf?ci_sign=0cf8dc2d277446eda8e1aac8189c83d548c85884 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 STMicroelectronics en.DM00156940.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI24N60M2 STI24N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.30 грн
39+28.65 грн
50+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 en.DM00113757.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.85 грн
4+303.24 грн
10+286.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25S120DF3 en.DM00116918.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H60DFB en.DM00125118.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f
STGWA30H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.58 грн
3+294.61 грн
5+235.33 грн
13+222.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB2 en.DM00673147.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30HP65FB2 stgwa30hp65fb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DF stgwa30ih65df.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA35IH135DF2 stgwa35ih135df2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120F2 en.DM00106123.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB stgwa40h65dfb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778
STGWA40H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.63 грн
6+212.51 грн
15+193.48 грн
120+189.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65FB en.DM00093857.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40HP65FB2 stgwa40hp65fb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40IH65DF stgwa40ih65df.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40M120DF3 en.DM00113760.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40S120DF3 en.DM00116916.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2 stgwa50h65dfb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50HP65FB2 stgwa50hp65fb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50HP65FB2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF stgwa50ih65df.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50M65DF2 en.DM00249585.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60V60DF en.DM00074810.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.83 грн
4+332.29 грн
10+302.31 грн
120+291.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+684.18 грн
3+418.58 грн
8+396.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFB STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65DFBAG stgwa80h65dfbag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA80H65FB en.DM00118301.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA80H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA8M120DF3 en.DM00294677.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWF30NC60S en.CD00164830.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWF30NC60S THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20H65FB en.DM00130550.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20IH125DF en.DM00095632.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT20V60DF en.DM00079434.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT28IH125DF en.DM00095615.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB en.DM00125118.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30HP65FB en.DM00245474.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40H65DFB STGWT40H65DFB.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a
STGWT40HP65FB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.45 грн
7+172.90 грн
19+157.20 грн
120+155.34 грн
510+151.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAA56A5DE2D280C7&compId=STGWx60H65DFB.pdf?ci_sign=8b804906e12b081c9d06412ea3a8b4a3a1b23cb9
STGWT60H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.83 грн
3+416.32 грн
4+306.96 грн
10+290.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FB en.DM00094070.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60V60DF en.DM00074810.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFB en.DM00079449.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65FB en.DM00118301.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT80H65FB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60DF en.DM00079438.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT80V60DF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80V60F en.DM00117327.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT80V60F THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VD en.CD00003462.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A63EB7DB8CE0D2&compId=stgya120m65df2.pdf?ci_sign=7be02cbd88351d04aecf038938321c183fb7873b
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3A641C3FE39E0D2&compId=stgya120m65df2ag.pdf?ci_sign=b6100f628ed78c74692871f473e9af72f958f19c
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247; automotive industry
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2 stgya50h120df2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGYA50H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+994.71 грн
2+652.98 грн
5+617.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50M120DF3 stgya50m120df3.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGYA50M120DF3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA75H120DF2 stgya75h120df2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGYA75H120DF2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2 en.DM00036727.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STH12N120K5-2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH2N120K5-2AG sth2n120k5-2ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STH2N120K5-2AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH30N65DM6-7AG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC166760D2&compId=sth30n65dm6-7ag.pdf?ci_sign=b77e27ea77a5d055bcea01bcf880db958369150a
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH3N150-2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AA33AB0C60D2&compId=sth3n150-2.pdf?ci_sign=0cf8dc2d277446eda8e1aac8189c83d548c85884
STH3N150-2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH6N95K5-2 en.DM00156940.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 110W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI24N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7974C9B7A74DE28&compId=STx24N60M2-DTE.pdf?ci_sign=88eaf8686493f39241678339b864e8a98ed3b3e4
STI24N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 en.CD00274723.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.30 грн
39+28.65 грн
50+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1160 1161 1162 1163 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2839  [ Наступна Сторінка >> ]