Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (164606) > Сторінка 1138 з 2744

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 274 548 822 1096 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1370 1644 1918 2192 2466 2740 2744  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGF10NB60SD STMicroelectronics en.CD00077672.pdf STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.35 грн
10+124.69 грн
26+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NC60KD STGF10NC60KD STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.53 грн
10+104.54 грн
50+99.75 грн
150+90.16 грн
500+83.44 грн
1000+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF14NC60KD STGF14NC60KD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E947F9565C745&compId=STGF14NC60KD.pdf?ci_sign=a79ff2fffe93302c99915e960978398ca5cd5623 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.46 грн
10+139.44 грн
50+88.24 грн
100+70.98 грн
250+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60HD STGF19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.49 грн
10+118.93 грн
50+117.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60KD STGF19NC60KD STMicroelectronics en.CD00196439.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.91 грн
3+188.25 грн
10+167.85 грн
50+160.17 грн
150+143.87 грн
500+134.28 грн
1000+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf STGF20H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.96 грн
11+111.26 грн
28+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.82 грн
3+158.37 грн
10+141.95 грн
50+135.24 грн
150+121.81 грн
500+113.18 грн
1000+110.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.38 грн
10+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf STGF7H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.95 грн
16+71.93 грн
44+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7NB60SL STMicroelectronics en.CD00003578.pdf STGF7NB60SL THT IGBT transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.99 грн
10+122.77 грн
26+116.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGIF5CH60TS-L STGIF5CH60TS-L STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FB8410C0D2&compId=stgif5ch60ts-l.pdf?ci_sign=8dfef0d95bd80d50050d8650b33318eab4077de3 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+822.19 грн
3+710.16 грн
5+633.98 грн
10+605.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60 STMicroelectronics en.DM00032611.pdf STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+842.85 грн
2+733.73 грн
5+693.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60AT STGIPN3H60AT STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FBEF7900D2&compId=stgipn3h60at.pdf?ci_sign=dcfd1b1a06b4c325bfab2dbe18af48e13dd5d5eb Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano
Case: NDIP-26L
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 12...17/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 8W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+714.77 грн
5+566.73 грн
10+483.40 грн
17+479.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPQ3H60T-HZS STGIPQ3H60T-HZS STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9CA1D95F7426C0C7&compId=STGIPQ3H60T.pdf?ci_sign=5efa05c9107188b076d8bab0a38539851354b4e3 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 3A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano 2nd
Case: N2DIP-26L type Z
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+693.08 грн
3+616.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.54 грн
10+88.65 грн
50+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.51 грн
10+104.54 грн
50+93.99 грн
100+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60KD STGP10NC60KD STMicroelectronics STGP10NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.03 грн
10+89.64 грн
50+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KD STGP14NC60KD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EB58B1E538745&compId=STGP14NC60KD.pdf?ci_sign=c4a0654f47e8bd067e74b7be74cd74f0a913b21f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.03 грн
3+145.42 грн
10+120.85 грн
50+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+239.63 грн
3+207.17 грн
10+177.44 грн
50+160.17 грн
250+149.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DF STGP20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.47 грн
10+118.93 грн
50+114.14 грн
150+101.67 грн
500+94.95 грн
1000+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60V STGP20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.33 грн
3+227.09 грн
10+202.38 грн
50+192.78 грн
150+172.64 грн
500+161.13 грн
1000+156.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF STGP20V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.99 грн
10+153.39 грн
50+130.44 грн
100+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DF STGP30H60DF STMicroelectronics en.DM00040343.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.58 грн
3+179.28 грн
10+160.17 грн
50+152.50 грн
150+137.16 грн
500+127.56 грн
1000+124.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.31 грн
3+199.20 грн
10+177.44 грн
50+169.77 грн
150+152.50 грн
500+142.91 грн
1000+138.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD STGP3NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.57 грн
10+106.57 грн
50+98.79 грн
100+88.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF STGP5H60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.34 грн
10+110.56 грн
25+89.20 грн
50+74.81 грн
100+64.26 грн
250+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD STGP6NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E8D24380D2&compId=stgp6nc60hd.pdf?ci_sign=14f10daaefb180d1d04f25c96ca03690c410a029 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.20 грн
100+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF STGP7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.67 грн
10+73.85 грн
50+70.02 грн
150+63.30 грн
500+58.51 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD STGP7NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0336FF2088259&compId=STGP7NC60HD.pdf?ci_sign=06de8f892967fcc2d3a3e9bedea21ad28757bfe9 description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.94 грн
10+105.58 грн
50+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD STGP8NC60KD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9640D2&compId=stgp8nc60kd.pdf?ci_sign=dcccd3bae1e3b9490df458967865813570b8353d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.48 грн
10+82.67 грн
50+65.22 грн
100+59.47 грн
500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9780D2&compId=stgw19nc60hd.pdf?ci_sign=9d39c2cf540cc313cb4c89135147e07ed357eb6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+305.74 грн
3+276.89 грн
10+227.31 грн
30+174.56 грн
120+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF STGW20IH125DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2FA8A465DC320C7&compId=STGW20IH125DF.pdf?ci_sign=4ce85dc0838ce5ead5a9be44c3705ffdcc6c4b6c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+283.02 грн
10+218.13 грн
30+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V STGW20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.28 грн
10+227.09 грн
30+190.87 грн
120+160.17 грн
300+142.91 грн
510+139.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics STGW20NC60VD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.29 грн
10+166.33 грн
30+136.20 грн
90+117.01 грн
120+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+336.73 грн
7+187.03 грн
17+177.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF STGW28IH125DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2F87B639828E0C7&compId=STGW28IH125DF.pdf?ci_sign=4355d01effbf2c8fc70d0795c89b919a428d62a9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.40 грн
3+282.87 грн
10+240.74 грн
30+216.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF98C0D2&compId=stgw30h60dfb.pdf?ci_sign=4a35b0e4dbdcd5731a839f704c5683cf3ba4fc12 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.24 грн
10+200.20 грн
30+166.89 грн
120+123.73 грн
510+119.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB STGW30H65FB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF2A775ED3A0D2&compId=stgw30h65fb.pdf?ci_sign=ea25e6199fe27e90535ba94f936116779c74811b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+308.84 грн
5+262.95 грн
10+226.35 грн
30+178.40 грн
120+176.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD STGW30NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E83835ED6A745&compId=STGW30NC120HD.pdf?ci_sign=50b19e995318f4955fab31f3759417e6fefdf236 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.35 грн
2+309.76 грн
3+283.90 грн
10+250.33 грн
25+243.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+444.15 грн
10+349.60 грн
30+260.88 грн
90+201.42 грн
120+191.83 грн
510+172.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F7ED942B58811C&compId=STGW30NC60WD-dte.pdf?ci_sign=b8c0a7c8d642528e6e13f3f188f9b2ef1e953bfa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+422.46 грн
10+352.59 грн
20+298.29 грн
30+269.51 грн
120+255.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STGW30V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.15 грн
3+260.96 грн
10+212.93 грн
30+205.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+301.61 грн
10+271.91 грн
30+242.66 грн
120+216.76 грн
510+197.58 грн
2010+188.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+994.69 грн
3+859.56 грн
10+766.34 грн
30+730.86 грн
120+657.00 грн
600+634.94 грн
1200+612.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics STGW40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.36 грн
10+150.40 грн
30+137.16 грн
90+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD STGW40NC60KD STMicroelectronics en.CD00201325.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.33 грн
3+418.33 грн
10+373.10 грн
30+355.84 грн
120+319.39 грн
600+308.84 грн
1200+298.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.20 грн
5+281.87 грн
10+246.50 грн
30+192.78 грн
60+171.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+391.47 грн
3+357.57 грн
10+294.45 грн
30+227.31 грн
60+221.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+281.98 грн
10+238.05 грн
30+178.40 грн
120+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+626.97 грн
2+550.80 грн
3+525.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.40 грн
5+552.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+535.05 грн
3+380.77 грн
9+359.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2 STGWA15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+334.66 грн
3+290.84 грн
10+258.96 грн
30+246.50 грн
120+221.56 грн
600+214.84 грн
1200+207.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FA0A224443860D5&compId=STGWA25M120DF3.pdf?ci_sign=8fd77ec01072af8c6e517177b493d8b34f8d0b4c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Power dissipation: 375W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+469.97 грн
10+392.43 грн
30+263.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+331.56 грн
3+287.85 грн
10+245.54 грн
30+223.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.38 грн
3+391.43 грн
10+349.12 грн
30+332.82 грн
120+299.25 грн
600+289.66 грн
1200+279.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.75 грн
10+206.18 грн
30+191.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+384.24 грн
3+333.67 грн
10+297.33 грн
30+283.90 грн
120+255.13 грн
600+246.50 грн
1200+237.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+413.16 грн
2+369.52 грн
10+300.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 STGWA75M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB67B88B8DFE0D5&compId=STGWA75M65DF2.pdf?ci_sign=cf11ecc06cba585270433b254ae659ae4d296ddb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+523.68 грн
3+454.18 грн
10+386.53 грн
30+347.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NB60SD en.CD00077672.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.35 грн
10+124.69 грн
26+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF10NC60KD en.CD00058414.pdf
STGF10NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.53 грн
10+104.54 грн
50+99.75 грн
150+90.16 грн
500+83.44 грн
1000+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF14NC60KD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E947F9565C745&compId=STGF14NC60KD.pdf?ci_sign=a79ff2fffe93302c99915e960978398ca5cd5623
STGF14NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.46 грн
10+139.44 грн
50+88.24 грн
100+70.98 грн
250+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60HD en.CD00144165.pdf
STGF19NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.49 грн
10+118.93 грн
50+117.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF19NC60KD en.CD00196439.pdf
STGF19NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.91 грн
3+188.25 грн
10+167.85 грн
50+160.17 грн
150+143.87 грн
500+134.28 грн
1000+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF20H60DF en.DM00066598.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.96 грн
11+111.26 грн
28+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 en.DM00157912.pdf
STGF30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.82 грн
3+158.37 грн
10+141.95 грн
50+135.24 грн
150+121.81 грн
500+113.18 грн
1000+110.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF3NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGF3NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.38 грн
10+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7H60DF en.DM00164492.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF7H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.95 грн
16+71.93 грн
44+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF7NB60SL en.CD00003578.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGF7NB60SL THT IGBT transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.99 грн
10+122.77 грн
26+116.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGIF5CH60TS-L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FB8410C0D2&compId=stgif5ch60ts-l.pdf?ci_sign=8dfef0d95bd80d50050d8650b33318eab4077de3
STGIF5CH60TS-L
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+822.19 грн
3+710.16 грн
5+633.98 грн
10+605.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60 en.DM00032611.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.85 грн
2+733.73 грн
5+693.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPN3H60AT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A8FBEF7900D2&compId=stgipn3h60at.pdf?ci_sign=dcfd1b1a06b4c325bfab2dbe18af48e13dd5d5eb
STGIPN3H60AT
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano
Case: NDIP-26L
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 12...17/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 8W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+714.77 грн
5+566.73 грн
10+483.40 грн
17+479.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPQ3H60T-HZS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9CA1D95F7426C0C7&compId=STGIPQ3H60T.pdf?ci_sign=5efa05c9107188b076d8bab0a38539851354b4e3
STGIPQ3H60T-HZS
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 3A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano 2nd
Case: N2DIP-26L type Z
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+693.08 грн
3+616.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228
STGP10M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.54 грн
10+88.65 грн
50+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD stgb10nc60hd.pdf
STGP10NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.51 грн
10+104.54 грн
50+93.99 грн
100+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60KD STGP10NC60KD.pdf
STGP10NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.03 грн
10+89.64 грн
50+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EB58B1E538745&compId=STGP14NC60KD.pdf?ci_sign=c4a0654f47e8bd067e74b7be74cd74f0a913b21f
STGP14NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.03 грн
3+145.42 грн
10+120.85 грн
50+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df
STGP19NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.63 грн
3+207.17 грн
10+177.44 грн
50+160.17 грн
250+149.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DF en.DM00066598.pdf
STGP20H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.47 грн
10+118.93 грн
50+114.14 грн
150+101.67 грн
500+94.95 грн
1000+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20NC60V description en.CD00003669.pdf
STGP20NC60V
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.33 грн
3+227.09 грн
10+202.38 грн
50+192.78 грн
150+172.64 грн
500+161.13 грн
1000+156.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2
STGP20V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.99 грн
10+153.39 грн
50+130.44 грн
100+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DF en.DM00040343.pdf
STGP30H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.58 грн
3+179.28 грн
10+160.17 грн
50+152.50 грн
150+137.16 грн
500+127.56 грн
1000+124.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 en.DM00155781.pdf
STGP30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.31 грн
3+199.20 грн
10+177.44 грн
50+169.77 грн
150+152.50 грн
500+142.91 грн
1000+138.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGP3NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.57 грн
10+106.57 грн
50+98.79 грн
100+88.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72
STGP5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.34 грн
10+110.56 грн
25+89.20 грн
50+74.81 грн
100+64.26 грн
250+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E8D24380D2&compId=stgp6nc60hd.pdf?ci_sign=14f10daaefb180d1d04f25c96ca03690c410a029
STGP6NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.20 грн
100+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF en.DM00164492.pdf
STGP7H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.67 грн
10+73.85 грн
50+70.02 грн
150+63.30 грн
500+58.51 грн
1000+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0336FF2088259&compId=STGP7NC60HD.pdf?ci_sign=06de8f892967fcc2d3a3e9bedea21ad28757bfe9
STGP7NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.94 грн
10+105.58 грн
50+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9640D2&compId=stgp8nc60kd.pdf?ci_sign=dcccd3bae1e3b9490df458967865813570b8353d
STGP8NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.48 грн
10+82.67 грн
50+65.22 грн
100+59.47 грн
500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9780D2&compId=stgw19nc60hd.pdf?ci_sign=9d39c2cf540cc313cb4c89135147e07ed357eb6f
STGW19NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.74 грн
3+276.89 грн
10+227.31 грн
30+174.56 грн
120+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2FA8A465DC320C7&compId=STGW20IH125DF.pdf?ci_sign=4ce85dc0838ce5ead5a9be44c3705ffdcc6c4b6c
STGW20IH125DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.02 грн
10+218.13 грн
30+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V en.CD00003669.pdf
STGW20NC60V
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.28 грн
10+227.09 грн
30+190.87 грн
120+160.17 грн
300+142.91 грн
510+139.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description STGW20NC60VD.pdf
STGW20NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.29 грн
10+166.33 грн
30+136.20 грн
90+117.01 грн
120+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF en.DM00079434.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.73 грн
7+187.03 грн
17+177.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA2F87B639828E0C7&compId=STGW28IH125DF.pdf?ci_sign=4355d01effbf2c8fc70d0795c89b919a428d62a9
STGW28IH125DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.40 грн
3+282.87 грн
10+240.74 грн
30+216.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF98C0D2&compId=stgw30h60dfb.pdf?ci_sign=4a35b0e4dbdcd5731a839f704c5683cf3ba4fc12
STGW30H60DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.24 грн
10+200.20 грн
30+166.89 грн
120+123.73 грн
510+119.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF2A775ED3A0D2&compId=stgw30h65fb.pdf?ci_sign=ea25e6199fe27e90535ba94f936116779c74811b
STGW30H65FB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.84 грн
5+262.95 грн
10+226.35 грн
30+178.40 грн
120+176.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9E83835ED6A745&compId=STGW30NC120HD.pdf?ci_sign=50b19e995318f4955fab31f3759417e6fefdf236
STGW30NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.35 грн
2+309.76 грн
3+283.90 грн
10+250.33 грн
25+243.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD.pdf
STGW30NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.15 грн
10+349.60 грн
30+260.88 грн
90+201.42 грн
120+191.83 грн
510+172.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F7ED942B58811C&compId=STGW30NC60WD-dte.pdf?ci_sign=b8c0a7c8d642528e6e13f3f188f9b2ef1e953bfa
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.46 грн
10+352.59 грн
20+298.29 грн
30+269.51 грн
120+255.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae
STGW30V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.15 грн
3+260.96 грн
10+212.93 грн
30+205.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.61 грн
10+271.91 грн
30+242.66 грн
120+216.76 грн
510+197.58 грн
2010+188.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
STGW40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+994.69 грн
3+859.56 грн
10+766.34 грн
30+730.86 грн
120+657.00 грн
600+634.94 грн
1200+612.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.36 грн
10+150.40 грн
30+137.16 грн
90+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD en.CD00201325.pdf
STGW40NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.33 грн
3+418.33 грн
10+373.10 грн
30+355.84 грн
120+319.39 грн
600+308.84 грн
1200+298.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF stgw40v60df.pdf
STGW40V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.20 грн
5+281.87 грн
10+246.50 грн
30+192.78 грн
60+171.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
STGW60H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.47 грн
3+357.57 грн
10+294.45 грн
30+227.31 грн
60+221.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF.pdf
STGW60V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.98 грн
10+238.05 грн
30+178.40 грн
120+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.97 грн
2+550.80 грн
3+525.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.40 грн
5+552.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF en.DM00079438.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.05 грн
3+380.77 грн
9+359.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2 en.DM00066773.pdf
STGWA15H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.66 грн
3+290.84 грн
10+258.96 грн
30+246.50 грн
120+221.56 грн
600+214.84 грн
1200+207.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FA0A224443860D5&compId=STGWA25M120DF3.pdf?ci_sign=8fd77ec01072af8c6e517177b493d8b34f8d0b4c
STGWA25M120DF3
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Power dissipation: 375W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.97 грн
10+392.43 грн
30+263.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f
STGWA30H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.56 грн
3+287.85 грн
10+245.54 грн
30+223.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
STGWA40H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.38 грн
3+391.43 грн
10+349.12 грн
30+332.82 грн
120+299.25 грн
600+289.66 грн
1200+279.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778
STGWA40H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.75 грн
10+206.18 грн
30+191.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF stgwa50ih65df.pdf
STGWA50IH65DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.24 грн
3+333.67 грн
10+297.33 грн
30+283.90 грн
120+255.13 грн
600+246.50 грн
1200+237.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.16 грн
2+369.52 грн
10+300.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB67B88B8DFE0D5&compId=STGWA75M65DF2.pdf?ci_sign=cf11ecc06cba585270433b254ae659ae4d296ddb
STGWA75M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.68 грн
3+454.18 грн
10+386.53 грн
30+347.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 274 548 822 1096 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1370 1644 1918 2192 2466 2740 2744  [ Наступна Сторінка >> ]