Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (161816) > Сторінка 1138 з 2697
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF22N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF22NM60N | STMicroelectronics |
STF22NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 72 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF23N80K5 | STMicroelectronics |
STF23N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: FDmesh™ II Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics |
STF24NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 309 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF25N60M2-EP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC On-state resistance: 188mΩ Drain current: 18A Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 30W Pulsed drain current: 72A Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics |
STF25N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 151 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF28N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF28NM50N | STMicroelectronics |
STF28NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF2N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 3nC On-state resistance: 3.5Ω Drain current: 2A Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF33N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 35W Case: TO220FP On-state resistance: 108mΩ Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF33N65M2 | STMicroelectronics |
STF33N65M2 THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF34NM60ND | STMicroelectronics |
STF34NM60ND THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF38N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF3LN80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.25Ω Mounting: THT Gate charge: 2.63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF3NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF40N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF40NF20 | STMicroelectronics |
STF40NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF4N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate charge: 5.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF5NK100Z | STMicroelectronics |
STF5NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 628 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF6N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF6N95K5 | STMicroelectronics |
STF6N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF7N105K5 | STMicroelectronics |
STF7N105K5 THT N channel transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF80N1K1K6 | STMicroelectronics | STF80N1K1K6 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF80N340K6 | STMicroelectronics | STF80N340K6 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF80N450K6 | STMicroelectronics | STF80N450K6 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF80N900K6 | STMicroelectronics | STF80N900K6 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
STF8N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF8N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 24A Gate charge: 16.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF8NK100Z | STMicroelectronics |
STF8NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 92 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF8NM50N | STMicroelectronics |
STF8NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF9N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 22A Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF9NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STFW12N120K5 | STMicroelectronics |
STFW12N120K5 THT N channel transistors |
на замовлення 120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STFW1N105K3 | STMicroelectronics |
STFW1N105K3 THT N channel transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STFW4N150 | STMicroelectronics |
STFW4N150 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STG3157CTR | STMicroelectronics |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Case: SOT323-6L Supply voltage: 1.65...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8816 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STG719STR | STMicroelectronics |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Case: SOT23-6 Supply voltage: 1.8...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 422 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 718 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors |
на замовлення 947 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGD5H60DF | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 5A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 10A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2417 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGD6NC60H-1 | STMicroelectronics |
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 56W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1774 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGE200NB60S | STMicroelectronics |
STGE200NB60S IGBT modules |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF10H60DF | STMicroelectronics |
STGF10H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 190 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics |
STGF10NB60SD THT IGBT transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGF10NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGF14NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 34.4nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics |
STGF15H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 130 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| STF22N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.59 грн |
| 3+ | 201.72 грн |
| 10+ | 183.35 грн |
| 50+ | 179.38 грн |
| STF22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF22NM60N THT N channel transistors
STF22NM60N THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 547.52 грн |
| 9+ | 131.81 грн |
| 25+ | 123.88 грн |
| STF23N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF23N80K5 THT N channel transistors
STF23N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 522.97 грн |
| 4+ | 299.30 грн |
| 11+ | 282.45 грн |
| STF24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™ II Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.11 грн |
| 50+ | 114.24 грн |
| STF24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.37 грн |
| 10+ | 156.43 грн |
| 50+ | 119.92 грн |
| 100+ | 110.01 грн |
| STF24N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.11 грн |
| 10+ | 161.58 грн |
| 25+ | 147.67 грн |
| STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF24NM60N THT N channel transistors
STF24NM60N THT N channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 377.82 грн |
| 8+ | 150.64 грн |
| 22+ | 142.71 грн |
| 1000+ | 142.03 грн |
| STF25N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 188mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 72A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 188mΩ
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 30W
Pulsed drain current: 72A
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.05 грн |
| 3+ | 169.81 грн |
| 10+ | 146.68 грн |
| 25+ | 138.75 грн |
| STF25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF25N80K5 THT N channel transistors
STF25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 521.91 грн |
| 4+ | 376.60 грн |
| 9+ | 355.79 грн |
| STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.00 грн |
| 100+ | 290.23 грн |
| 250+ | 265.60 грн |
| 400+ | 257.68 грн |
| 500+ | 254.70 грн |
| 750+ | 247.76 грн |
| 1000+ | 242.81 грн |
| STF28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 293.51 грн |
| 10+ | 183.19 грн |
| STF28NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF28NM50N THT N channel transistors
STF28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 566.73 грн |
| 8+ | 161.54 грн |
| 20+ | 153.61 грн |
| STF2N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 3nC
On-state resistance: 3.5Ω
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 3nC
On-state resistance: 3.5Ω
Drain current: 2A
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.98 грн |
| 10+ | 68.95 грн |
| 50+ | 61.45 грн |
| 100+ | 58.47 грн |
| 500+ | 52.53 грн |
| STF33N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STF33N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF33N65M2 THT N channel transistors
STF33N65M2 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.25 грн |
| 7+ | 185.33 грн |
| 18+ | 174.43 грн |
| STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF34NM60ND THT N channel transistors
STF34NM60ND THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 496.29 грн |
| 4+ | 353.81 грн |
| 10+ | 334.98 грн |
| STF35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 572.07 грн |
| 3+ | 496.06 грн |
| 10+ | 422.19 грн |
| 50+ | 379.58 грн |
| STF38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.57 грн |
| 50+ | 327.28 грн |
| STF3LN80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.40 грн |
| 10+ | 72.04 грн |
| 25+ | 64.42 грн |
| STF3NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.06 грн |
| 10+ | 124.53 грн |
| 50+ | 101.09 грн |
| 100+ | 94.15 грн |
| 250+ | 84.24 грн |
| 500+ | 78.29 грн |
| 1000+ | 72.35 грн |
| STF40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.47 грн |
| 5+ | 344.77 грн |
| 10+ | 293.35 грн |
| 50+ | 258.67 грн |
| STF40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF40NF20 THT N channel transistors
STF40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.36 грн |
| 7+ | 177.40 грн |
| 19+ | 167.49 грн |
| STF45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 601.95 грн |
| 5+ | 518.70 грн |
| 10+ | 495.53 грн |
| STF4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.22 грн |
| 10+ | 81.30 грн |
| 50+ | 65.41 грн |
| 100+ | 63.43 грн |
| STF4N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.98 грн |
| 10+ | 127.62 грн |
| 25+ | 100.10 грн |
| 50+ | 92.17 грн |
| STF5NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5NK100Z THT N channel transistors
STF5NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 628 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.50 грн |
| 13+ | 94.15 грн |
| 35+ | 89.20 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.55 грн |
| 10+ | 91.60 грн |
| 25+ | 75.32 грн |
| 50+ | 67.39 грн |
| STF6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.53 грн |
| 10+ | 107.03 грн |
| 50+ | 100.10 грн |
| STF6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF6N95K5 THT N channel transistors
STF6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.53 грн |
| 10+ | 122.89 грн |
| 27+ | 115.95 грн |
| STF7N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF7N105K5 THT N channel transistors
STF7N105K5 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.78 грн |
| 8+ | 147.67 грн |
| 22+ | 139.74 грн |
| STF80N1K1K6 |
Виробник: STMicroelectronics
STF80N1K1K6 THT N channel transistors
STF80N1K1K6 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.09 грн |
| 14+ | 89.20 грн |
| 37+ | 85.23 грн |
| STF80N340K6 |
Виробник: STMicroelectronics
STF80N340K6 THT N channel transistors
STF80N340K6 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 360.75 грн |
| 6+ | 219.02 грн |
| 15+ | 207.13 грн |
| STF80N450K6 |
Виробник: STMicroelectronics
STF80N450K6 THT N channel transistors
STF80N450K6 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 336.20 грн |
| 6+ | 204.16 грн |
| 16+ | 193.26 грн |
| STF80N900K6 |
Виробник: STMicroelectronics
STF80N900K6 THT N channel transistors
STF80N900K6 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STF8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.02 грн |
| 3+ | 216.13 грн |
| 10+ | 187.31 грн |
| 50+ | 174.43 грн |
| 100+ | 165.51 грн |
| 250+ | 141.72 грн |
| STF8N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.37 грн |
| 50+ | 138.94 грн |
| STF8NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF8NK100Z THT N channel transistors
STF8NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 438.66 грн |
| 8+ | 147.67 грн |
| 22+ | 139.74 грн |
| STF8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF8NM50N THT N channel transistors
STF8NM50N THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.59 грн |
| 22+ | 53.52 грн |
| 61+ | 50.54 грн |
| STF9N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.34 грн |
| 10+ | 87.89 грн |
| 50+ | 69.77 грн |
| 100+ | 63.63 грн |
| 250+ | 55.80 грн |
| 500+ | 53.81 грн |
| STF9NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.90 грн |
| 10+ | 152.32 грн |
| 50+ | 134.78 грн |
| 100+ | 129.83 грн |
| 500+ | 122.89 грн |
| 1000+ | 111.00 грн |
| STFW12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STFW12N120K5 THT N channel transistors
STFW12N120K5 THT N channel transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1052.35 грн |
| 2+ | 683.83 грн |
| 5+ | 647.16 грн |
| STFW1N105K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
STFW1N105K3 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.34 грн |
| 8+ | 148.09 грн |
| 22+ | 140.02 грн |
| STFW4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STFW4N150 THT N channel transistors
STFW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 551.79 грн |
| 3+ | 415.25 грн |
| 8+ | 392.46 грн |
| STG3157CTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT323-6L
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8816 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.09 грн |
| 12+ | 25.83 грн |
| 25+ | 23.59 грн |
| 100+ | 21.61 грн |
| 250+ | 20.32 грн |
| 500+ | 19.33 грн |
| 1000+ | 18.33 грн |
| STG719STR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Case: SOT23-6
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Interface: GPIO
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.31 грн |
| 10+ | 45.90 грн |
| 25+ | 41.03 грн |
| 100+ | 36.37 грн |
| 250+ | 33.40 грн |
| 500+ | 31.12 грн |
| 1000+ | 30.52 грн |
| STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.14 грн |
| 10+ | 225.39 грн |
| 50+ | 169.47 грн |
| 100+ | 149.65 грн |
| 250+ | 123.88 грн |
| 500+ | 104.06 грн |
| 1000+ | 94.15 грн |
| STGB10NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.80 грн |
| 5+ | 170.84 грн |
| 10+ | 143.70 грн |
| 100+ | 93.16 грн |
| STGB19NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors
STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors
на замовлення 947 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.45 грн |
| 11+ | 110.01 грн |
| 30+ | 104.06 грн |
| STGD10NC60KDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.54 грн |
| 5+ | 102.92 грн |
| 25+ | 89.20 грн |
| 100+ | 82.26 грн |
| STGD5H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.27 грн |
| 10+ | 70.70 грн |
| 50+ | 51.93 грн |
| 100+ | 46.28 грн |
| 200+ | 44.40 грн |
| STGD5NB120SZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.99 грн |
| 10+ | 127.62 грн |
| 100+ | 85.23 грн |
| 250+ | 82.26 грн |
| STGD6NC60H-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.66 грн |
| 19+ | 62.44 грн |
| 52+ | 59.46 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.39 грн |
| 5+ | 87.48 грн |
| 25+ | 74.33 грн |
| 100+ | 67.39 грн |
| 500+ | 62.44 грн |
| STGD7NB60ST4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.83 грн |
| 5+ | 133.79 грн |
| 25+ | 119.92 грн |
| 50+ | 111.99 грн |
| 100+ | 106.04 грн |
| 250+ | 104.06 грн |
| STGE200NB60S |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGE200NB60S IGBT modules
STGE200NB60S IGBT modules
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2809.65 грн |
| 2+ | 2656.04 грн |
| STGF10H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF10H60DF THT IGBT transistors
STGF10H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.83 грн |
| 14+ | 87.21 грн |
| 37+ | 82.26 грн |
| STGF10NB60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.45 грн |
| 10+ | 127.85 грн |
| 26+ | 120.91 грн |
| STGF10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.22 грн |
| 10+ | 68.38 грн |
| 50+ | 65.41 грн |
| 150+ | 58.47 грн |
| 500+ | 55.50 грн |
| 1000+ | 53.52 грн |
| STGF14NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.17 грн |
| 10+ | 144.08 грн |
| 50+ | 91.18 грн |
| 100+ | 73.34 грн |
| 250+ | 68.38 грн |
| STGF15H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF15H60DF THT IGBT transistors
STGF15H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.78 грн |
| 13+ | 91.18 грн |
| 36+ | 86.22 грн |





















