Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (165585) > Сторінка 1138 з 2760
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGF19NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMicroelectronics |
STGF20H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGF30M65DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 38W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 80nC Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGF3NC120HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 3A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGF7H60DF | STMicroelectronics |
STGF7H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGF7NB60SL | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 25W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Gate charge: 22nC Collector current: 7A Pulsed collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 25W Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGIF5CH60TS-L | STMicroelectronics |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Technology: SLLIMM 2nd Case: SDIP2F-26L Output current: 5A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC Frequency: 20kHz Power dissipation: 30W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGIPN3H60 | STMicroelectronics |
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGIPN3H60AT | STMicroelectronics |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Technology: SLLIMM nano Case: NDIP-26L Output current: 3A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Operating voltage: 12...17/0...500V DC Frequency: 25kHz Power dissipation: 8W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGIPQ3H60T-HZS | STMicroelectronics |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 3A; Ch: 6 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Technology: SLLIMM nano 2nd Case: N2DIP-26L type Z Output current: 3A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Operating voltage: 13.5...18/0...500V DC Frequency: 25kHz Power dissipation: 12W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP10M65DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 10A Power dissipation: 115W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP10NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 65W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 19.2nC Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP10NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP14NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 34.4nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGP20H60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGP20NC60V | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP20V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGP30H60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 260W Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 105nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGP30M65DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 258W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 80nC Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP3NC120HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 7A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP5H60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 5A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP6NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGP7H60DF | STMicroelectronics |
STGP7H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGP7NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Collector current: 14A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGP8NC60KD | STMicroelectronics |
STGP8NC60KD THT IGBT transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW20IH125DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW20NC60V | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW20NC60VD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW20V60DF | STMicroelectronics |
STGW20V60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW28IH125DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 30A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 260W Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 149nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW30H65FB | STMicroelectronics |
STGW30H65FB THT IGBT transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW30NC120HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 220W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 135A Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW30NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 125A Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW30NC60WD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW30V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 163nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 258W Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW39NC60VD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW40H120DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW40H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 334 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW40NC60KD | STMicroelectronics |
STGW40NC60KD THT IGBT transistors |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW60V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW75H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 71A Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW80H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW80V60DF | STMicroelectronics |
STGW80V60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGWA15H120DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWA25M120DF3 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWA30H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWA40H120DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGWA50IH65DF | STMicroelectronics |
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 225nC Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWT40HP65FB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWT60H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGY40NC60VD | STMicroelectronics |
STGY40NC60VD THT IGBT transistors |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGYA50H120DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 535W Case: MAX247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STGF19NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.91 грн |
| 3+ | 185.64 грн |
| 10+ | 165.53 грн |
| 50+ | 157.96 грн |
| 150+ | 141.88 грн |
| 500+ | 132.42 грн |
| 1000+ | 128.64 грн |
| STGF20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H60DF THT IGBT transistors
STGF20H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.37 грн |
| 11+ | 109.72 грн |
| 28+ | 104.04 грн |
| STGF30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.30 грн |
| 3+ | 156.18 грн |
| 10+ | 139.99 грн |
| 50+ | 133.37 грн |
| 150+ | 120.12 грн |
| 500+ | 111.61 грн |
| 1000+ | 108.77 грн |
| STGF3NC120HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.48 грн |
| 10+ | 104.12 грн |
| STGF7H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF7H60DF THT IGBT transistors
STGF7H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.23 грн |
| 16+ | 70.94 грн |
| 44+ | 67.16 грн |
| STGF7NB60SL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.22 грн |
| 10+ | 125.73 грн |
| 26+ | 114.45 грн |
| STGIF5CH60TS-L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM 2nd
Case: SDIP2F-26L
Output current: 5A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 30W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM 2nd
Case: SDIP2F-26L
Output current: 5A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 30W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 810.82 грн |
| 3+ | 700.34 грн |
| 5+ | 625.21 грн |
| 10+ | 596.84 грн |
| STGIPN3H60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 831.19 грн |
| 2+ | 723.58 грн |
| 5+ | 683.86 грн |
| STGIPN3H60AT |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano
Case: NDIP-26L
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 12...17/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 8W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM nano
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano
Case: NDIP-26L
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 12...17/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 8W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 704.89 грн |
| 5+ | 558.90 грн |
| 10+ | 476.71 грн |
| 17+ | 472.93 грн |
| STGIPQ3H60T-HZS |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 3A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano 2nd
Case: N2DIP-26L type Z
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 3A; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: SLLIMM nano 2nd
Case: N2DIP-26L type Z
Output current: 3A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18/0...500V DC
Frequency: 25kHz
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 683.49 грн |
| 3+ | 608.01 грн |
| STGP10M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.57 грн |
| 10+ | 87.42 грн |
| 50+ | 76.61 грн |
| STGP10NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.80 грн |
| 10+ | 103.10 грн |
| 50+ | 92.69 грн |
| 100+ | 87.02 грн |
| STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 155.85 грн |
| 10+ | 88.40 грн |
| 50+ | 69.99 грн |
| STGP14NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 155.85 грн |
| 3+ | 143.41 грн |
| 10+ | 119.18 грн |
| 50+ | 101.21 грн |
| STGP19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.32 грн |
| 3+ | 204.31 грн |
| 10+ | 174.98 грн |
| 50+ | 157.96 грн |
| 250+ | 147.55 грн |
| STGP20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.92 грн |
| 3+ | 139.48 грн |
| 10+ | 123.91 грн |
| 12+ | 100.26 грн |
| 31+ | 94.59 грн |
| 2000+ | 91.75 грн |
| 6000+ | 90.80 грн |
| STGP20NC60V | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.71 грн |
| 3+ | 223.95 грн |
| 10+ | 199.58 грн |
| 50+ | 190.12 грн |
| 150+ | 170.26 грн |
| 500+ | 158.90 грн |
| 1000+ | 154.18 грн |
| STGP20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.91 грн |
| 8+ | 154.21 грн |
| 21+ | 139.99 грн |
| STGP30H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 105nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 105nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.72 грн |
| 3+ | 176.80 грн |
| 10+ | 157.96 грн |
| 50+ | 150.39 грн |
| 150+ | 135.26 грн |
| 500+ | 125.80 грн |
| 1000+ | 122.96 грн |
| STGP30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.13 грн |
| 3+ | 196.45 грн |
| 10+ | 174.98 грн |
| 50+ | 167.42 грн |
| 150+ | 150.39 грн |
| 500+ | 140.93 грн |
| 1000+ | 136.20 грн |
| STGP3NC120HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.59 грн |
| 10+ | 105.10 грн |
| 50+ | 97.42 грн |
| 100+ | 87.02 грн |
| STGP5H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.46 грн |
| 10+ | 109.03 грн |
| 25+ | 87.97 грн |
| 50+ | 73.78 грн |
| 100+ | 63.37 грн |
| 250+ | 62.43 грн |
| STGP6NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.25 грн |
| 100+ | 63.85 грн |
| STGP7H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
STGP7H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 103.90 грн |
| 18+ | 62.43 грн |
| 50+ | 59.59 грн |
| STGP7NC60HD | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.96 грн |
| 10+ | 110.01 грн |
| 16+ | 73.78 грн |
| 42+ | 69.99 грн |
| 50+ | 69.05 грн |
| 100+ | 67.16 грн |
| STGP8NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 153.81 грн |
| 18+ | 62.43 грн |
| 50+ | 59.59 грн |
| STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 301.51 грн |
| 3+ | 273.06 грн |
| 10+ | 224.17 грн |
| 30+ | 172.15 грн |
| 120+ | 165.53 грн |
| STGW20IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.10 грн |
| 10+ | 215.11 грн |
| 30+ | 184.44 грн |
| STGW20NC60V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.25 грн |
| 10+ | 223.95 грн |
| 30+ | 188.23 грн |
| 120+ | 157.96 грн |
| 300+ | 140.93 грн |
| 510+ | 137.15 грн |
| STGW20NC60VD | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.90 грн |
| 10+ | 170.91 грн |
| 30+ | 140.93 грн |
| 90+ | 121.07 грн |
| 120+ | 118.23 грн |
| STGW20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.07 грн |
| 7+ | 184.44 грн |
| 17+ | 174.98 грн |
| STGW28IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 321.88 грн |
| 3+ | 278.96 грн |
| 10+ | 237.41 грн |
| 30+ | 213.76 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 149nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 149nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.10 грн |
| 10+ | 197.43 грн |
| 30+ | 164.58 грн |
| 120+ | 122.02 грн |
| 510+ | 118.23 грн |
| STGW30H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
STGW30H65FB THT IGBT transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.18 грн |
| 6+ | 191.06 грн |
| 17+ | 180.66 грн |
| STGW30NC120HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.42 грн |
| 2+ | 305.48 грн |
| 3+ | 279.98 грн |
| 10+ | 246.87 грн |
| 25+ | 240.25 грн |
| STGW30NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 438.01 грн |
| 10+ | 344.77 грн |
| 30+ | 257.27 грн |
| 90+ | 198.63 грн |
| 120+ | 189.17 грн |
| 510+ | 170.26 грн |
| STGW30NC60WD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.04 грн |
| 5+ | 287.80 грн |
| 12+ | 262.00 грн |
| 120+ | 260.11 грн |
| STGW30V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 163nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 163nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 258W
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.47 грн |
| 3+ | 271.10 грн |
| 5+ | 222.28 грн |
| 14+ | 209.98 грн |
| 30+ | 207.14 грн |
| STGW39NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.44 грн |
| 10+ | 268.15 грн |
| 30+ | 239.30 грн |
| 120+ | 213.76 грн |
| 510+ | 194.85 грн |
| 2010+ | 186.33 грн |
| STGW40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 980.93 грн |
| 3+ | 847.67 грн |
| 10+ | 755.74 грн |
| 30+ | 720.75 грн |
| 120+ | 647.92 грн |
| 600+ | 626.16 грн |
| 1200+ | 604.41 грн |
| STGW40H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.04 грн |
| 10+ | 148.32 грн |
| 30+ | 135.26 грн |
| 90+ | 132.42 грн |
| STGW40NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40NC60KD THT IGBT transistors
STGW40NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.65 грн |
| 4+ | 314.97 грн |
| 10+ | 297.00 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 315.77 грн |
| 5+ | 277.97 грн |
| 10+ | 243.09 грн |
| 30+ | 190.12 грн |
| 60+ | 169.31 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.06 грн |
| 3+ | 352.62 грн |
| 10+ | 290.38 грн |
| 30+ | 224.17 грн |
| 60+ | 218.49 грн |
| STGW60V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 350.41 грн |
| 30+ | 295.65 грн |
| 120+ | 220.39 грн |
| STGW75H65DFB2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 618.30 грн |
| 2+ | 543.18 грн |
| 3+ | 518.33 грн |
| STGW80H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 569.41 грн |
| 5+ | 545.14 грн |
| STGW80V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.65 грн |
| 3+ | 375.51 грн |
| 9+ | 354.70 грн |
| STGWA15H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.03 грн |
| 3+ | 286.81 грн |
| 10+ | 255.38 грн |
| 30+ | 243.09 грн |
| 120+ | 218.49 грн |
| 600+ | 211.87 грн |
| 1200+ | 204.31 грн |
| STGWA25M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 463.47 грн |
| 10+ | 387.00 грн |
| 30+ | 260.11 грн |
| STGWA30H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 326.98 грн |
| 3+ | 283.87 грн |
| 10+ | 242.14 грн |
| 30+ | 220.39 грн |
| STGWA40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.14 грн |
| 3+ | 386.02 грн |
| 10+ | 344.29 грн |
| 30+ | 328.21 грн |
| 120+ | 295.11 грн |
| 600+ | 285.65 грн |
| 1200+ | 275.25 грн |
| STGWA40H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.95 грн |
| 10+ | 203.32 грн |
| 30+ | 189.17 грн |
| STGWA50IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
STGWA50IH65DF THT IGBT transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 420.69 грн |
| 5+ | 250.65 грн |
| 13+ | 237.41 грн |
| STGWA75H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 407.45 грн |
| 2+ | 364.41 грн |
| 10+ | 296.05 грн |
| STGWA75M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 225nC
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 225nC
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 516.44 грн |
| 3+ | 447.90 грн |
| 10+ | 381.18 грн |
| 30+ | 342.40 грн |
| STGWT40HP65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.62 грн |
| 10+ | 193.50 грн |
| 30+ | 154.18 грн |
| STGWT60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 355.50 грн |
| 3+ | 324.14 грн |
| 5+ | 297.00 грн |
| 10+ | 283.76 грн |
| STGY40NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 623.40 грн |
| 4+ | 370.78 грн |
| 9+ | 350.91 грн |
| STGYA50H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 535W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 535W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 655.99 грн |
























