Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162230) > Сторінка 1138 з 2704
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF24NM60N | STMicroelectronics |
STF24NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF25N60M2-EP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics |
STF25N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF28NM50N | STMicroelectronics |
STF28NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF33N65M2 | STMicroelectronics |
STF33N65M2 THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 116A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF38N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF3LN80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.25Ω Mounting: THT Gate charge: 2.63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF3NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF40NF20 | STMicroelectronics |
STF40NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF4N80K5 | STMicroelectronics |
STF4N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 20W Gate charge: 5.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF5NK100Z | STMicroelectronics |
STF5NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 628 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF6N90K5 | STMicroelectronics |
STF6N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF6N95K5 | STMicroelectronics |
STF6N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF7N105K5 | STMicroelectronics |
STF7N105K5 THT N channel transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF80N450K6 | STMicroelectronics | STF80N450K6 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF8N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF8N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 24A Gate charge: 16.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF8NK100Z | STMicroelectronics |
STF8NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF8NM50N | STMicroelectronics |
STF8NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF9N60M2 | STMicroelectronics |
STF9N60M2 THT N channel transistors |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STF9NK90Z | STMicroelectronics |
STF9NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STFW12N120K5 | STMicroelectronics |
STFW12N120K5 THT N channel transistors |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STFW1N105K3 | STMicroelectronics |
STFW1N105K3 THT N channel transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STFW3N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 63W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STFW4N150 | STMicroelectronics |
STFW4N150 THT N channel transistors |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics |
STG3157CTR Interfaces others - integrated circuits |
на замовлення 8816 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STG719STR | STMicroelectronics |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Supply voltage: 1.8...5.5V DC Interface: GPIO Mounting: SMD Case: SOT23-6 Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors |
на замовлення 957 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1896 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGD5H60DF | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 5A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 10A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGD6NC60H-1 | STMicroelectronics |
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 56W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGE200NB60S | STMicroelectronics |
STGE200NB60S IGBT modules |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGF10H60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics |
STGF10NB60SD THT IGBT transistors |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics |
STGF10NC60KD THT IGBT transistors |
на замовлення 151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGF14NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 34.4nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics |
STGF15H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF19NC60HD | STMicroelectronics |
STGF19NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGF19NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMicroelectronics |
STGF20H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF20H65DFB2 | STMicroelectronics |
STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGF30M65DF2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGF3NC120HD | STMicroelectronics |
STGF3NC120HD THT IGBT transistors |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF6NC60HD | STMicroelectronics |
STGF6NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF7NB60SL | STMicroelectronics |
STGF7NB60SL THT IGBT transistors |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGIF5CH60TS-L | STMicroelectronics |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Technology: SLLIMM 2nd Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Power dissipation: 30W Output current: 5A Number of channels: 6 Collector-emitter voltage: 600V Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC Frequency: 20kHz Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Case: SDIP2F-26L кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGIPN3H60 | STMicroelectronics |
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGIPN3H60AT | STMicroelectronics |
STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGIPQ3H60T-HZS | STMicroelectronics |
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STF24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF24NM60N THT N channel transistors
STF24NM60N THT N channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.13 грн |
| 8+ | 152.79 грн |
| 22+ | 144.75 грн |
| STF25N60M2-EP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.77 грн |
| 3+ | 172.23 грн |
| 10+ | 148.77 грн |
| 25+ | 140.72 грн |
| STF25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF25N80K5 THT N channel transistors
STF25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 540.17 грн |
| 4+ | 382.97 грн |
| 9+ | 361.86 грн |
| STF26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 337.74 грн |
| 100+ | 294.36 грн |
| 250+ | 269.39 грн |
| 400+ | 261.35 грн |
| 500+ | 258.33 грн |
| 750+ | 251.29 грн |
| 1000+ | 246.27 грн |
| STF28NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF28NM50N THT N channel transistors
STF28NM50N THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 604.04 грн |
| 7+ | 195.00 грн |
| 17+ | 183.95 грн |
| STF33N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF33N65M2 THT N channel transistors
STF33N65M2 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.60 грн |
| 7+ | 187.97 грн |
| 18+ | 177.92 грн |
| STF34NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 488.21 грн |
| 3+ | 423.80 грн |
| 10+ | 359.85 грн |
| 50+ | 325.68 грн |
| STF35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 580.22 грн |
| 3+ | 503.13 грн |
| 10+ | 428.21 грн |
| 50+ | 384.98 грн |
| STF38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 411.35 грн |
| 50+ | 331.94 грн |
| STF3LN80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2.63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.08 грн |
| 10+ | 73.07 грн |
| 25+ | 65.34 грн |
| STF3NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.24 грн |
| 10+ | 126.30 грн |
| 50+ | 102.53 грн |
| 100+ | 95.49 грн |
| 250+ | 85.44 грн |
| 500+ | 79.41 грн |
| 1000+ | 73.38 грн |
| STF40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF40NF20 THT N channel transistors
STF40NF20 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.68 грн |
| 7+ | 179.93 грн |
| 19+ | 169.88 грн |
| STF45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 643.00 грн |
| 5+ | 521.92 грн |
| STF4N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF4N80K5 THT N channel transistors
STF4N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.87 грн |
| 17+ | 70.36 грн |
| 47+ | 66.34 грн |
| STF4N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.68 грн |
| 10+ | 129.44 грн |
| 25+ | 101.52 грн |
| 50+ | 93.48 грн |
| STF5NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF5NK100Z THT N channel transistors
STF5NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 336.66 грн |
| 13+ | 95.49 грн |
| 35+ | 90.47 грн |
| STF6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.40 грн |
| 10+ | 80.38 грн |
| 25+ | 71.37 грн |
| 50+ | 68.35 грн |
| STF6N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF6N90K5 THT N channel transistors
STF6N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.14 грн |
| 11+ | 111.57 грн |
| 30+ | 105.54 грн |
| STF6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF6N95K5 THT N channel transistors
STF6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.52 грн |
| 10+ | 124.64 грн |
| 27+ | 118.61 грн |
| STF7N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF7N105K5 THT N channel transistors
STF7N105K5 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.30 грн |
| 8+ | 150.78 грн |
| 22+ | 142.74 грн |
| STF80N450K6 |
Виробник: STMicroelectronics
STF80N450K6 THT N channel transistors
STF80N450K6 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.99 грн |
| 6+ | 207.07 грн |
| 16+ | 196.01 грн |
| STF8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.64 грн |
| 3+ | 219.21 грн |
| 10+ | 189.98 грн |
| 50+ | 176.91 грн |
| 100+ | 167.86 грн |
| 250+ | 143.74 грн |
| STF8N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.94 грн |
| 50+ | 140.92 грн |
| STF8NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF8NK100Z THT N channel transistors
STF8NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 482.80 грн |
| 8+ | 150.78 грн |
| 22+ | 142.74 грн |
| STF8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF8NM50N THT N channel transistors
STF8NM50N THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.13 грн |
| 22+ | 54.38 грн |
| 61+ | 51.47 грн |
| STF9N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF9N60M2 THT N channel transistors
STF9N60M2 THT N channel transistors
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.23 грн |
| 20+ | 60.01 грн |
| 55+ | 56.79 грн |
| STF9NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STF9NK90Z THT N channel transistors
STF9NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.18 грн |
| 14+ | 91.47 грн |
| 36+ | 86.45 грн |
| STFW12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STFW12N120K5 THT N channel transistors
STFW12N120K5 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1342.30 грн |
| 2+ | 874.51 грн |
| 4+ | 827.26 грн |
| STFW1N105K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STFW1N105K3 THT N channel transistors
STFW1N105K3 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.81 грн |
| 8+ | 150.54 грн |
| 22+ | 142.32 грн |
| STFW3N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 312.84 грн |
| 5+ | 279.75 грн |
| STFW4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STFW4N150 THT N channel transistors
STFW4N150 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 556.40 грн |
| 3+ | 421.17 грн |
| 8+ | 399.06 грн |
| STG3157CTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STG3157CTR Interfaces others - integrated circuits
STG3157CTR Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 8816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.10 грн |
| 72+ | 16.69 грн |
| 197+ | 15.78 грн |
| STG719STR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Interface: GPIO
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.28 грн |
| 10+ | 46.56 грн |
| 25+ | 41.61 грн |
| 100+ | 36.89 грн |
| 250+ | 33.87 грн |
| 500+ | 31.56 грн |
| 1000+ | 30.96 грн |
| STGB10NB37LZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 356.14 грн |
| 10+ | 228.60 грн |
| 50+ | 171.89 грн |
| 100+ | 151.78 грн |
| 250+ | 125.65 грн |
| 500+ | 105.54 грн |
| 1000+ | 95.49 грн |
| STGB10NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.91 грн |
| 5+ | 173.28 грн |
| 10+ | 145.75 грн |
| 100+ | 94.49 грн |
| STGB19NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors
STGB19NC60HDT4 SMD IGBT transistors
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.80 грн |
| 11+ | 111.57 грн |
| 30+ | 105.54 грн |
| STGD10NC60KDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.24 грн |
| 5+ | 104.38 грн |
| 25+ | 90.47 грн |
| 100+ | 83.43 грн |
| STGD5H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.91 грн |
| 10+ | 71.71 грн |
| 50+ | 52.67 грн |
| 100+ | 46.94 грн |
| 200+ | 45.03 грн |
| STGD5NB120SZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.92 грн |
| 10+ | 129.44 грн |
| 100+ | 86.45 грн |
| 250+ | 83.43 грн |
| STGD6NC60H-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
STGD6NC60H-1 SMD IGBT transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.17 грн |
| 19+ | 63.33 грн |
| 52+ | 60.31 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.84 грн |
| 5+ | 88.73 грн |
| 25+ | 75.39 грн |
| 100+ | 68.35 грн |
| 500+ | 63.33 грн |
| STGD7NB60ST4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 55W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.28 грн |
| 5+ | 135.70 грн |
| 25+ | 121.63 грн |
| 50+ | 113.59 грн |
| 100+ | 107.55 грн |
| 250+ | 105.54 грн |
| STGE200NB60S |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGE200NB60S IGBT modules
STGE200NB60S IGBT modules
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2853.70 грн |
| 2+ | 2698.90 грн |
| STGF10H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.91 грн |
| 10+ | 104.54 грн |
| 50+ | 99.51 грн |
| 150+ | 89.46 грн |
| 500+ | 83.43 грн |
| 1000+ | 80.41 грн |
| STGF10NB60SD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
STGF10NB60SD THT IGBT transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.92 грн |
| 10+ | 129.67 грн |
| 26+ | 122.63 грн |
| STGF10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF10NC60KD THT IGBT transistors
STGF10NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.04 грн |
| 13+ | 94.49 грн |
| 35+ | 89.46 грн |
| STGF14NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.70 грн |
| 10+ | 146.14 грн |
| 50+ | 92.48 грн |
| 100+ | 74.38 грн |
| 250+ | 69.36 грн |
| STGF15H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF15H60DF THT IGBT transistors
STGF15H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.02 грн |
| 13+ | 92.48 грн |
| 36+ | 87.45 грн |
| STGF19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF19NC60HD THT IGBT transistors
STGF19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.21 грн |
| 9+ | 136.70 грн |
| 25+ | 128.66 грн |
| STGF19NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.32 грн |
| 3+ | 197.29 грн |
| 10+ | 175.91 грн |
| 50+ | 167.86 грн |
| 150+ | 150.78 грн |
| 500+ | 140.72 грн |
| 1000+ | 136.70 грн |
| STGF20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H60DF THT IGBT transistors
STGF20H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.93 грн |
| 11+ | 116.60 грн |
| 29+ | 110.57 грн |
| STGF20H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors
STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.36 грн |
| 11+ | 112.58 грн |
| 30+ | 106.55 грн |
| STGF30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.60 грн |
| 3+ | 165.97 грн |
| 10+ | 148.77 грн |
| 50+ | 141.73 грн |
| 150+ | 127.66 грн |
| 500+ | 118.61 грн |
| 1000+ | 115.60 грн |
| STGF3NC120HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF3NC120HD THT IGBT transistors
STGF3NC120HD THT IGBT transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.21 грн |
| 11+ | 117.61 грн |
| 28+ | 110.57 грн |
| STGF6NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF6NC60HD THT IGBT transistors
STGF6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.55 грн |
| 18+ | 69.36 грн |
| 48+ | 65.34 грн |
| STGF7NB60SL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF7NB60SL THT IGBT transistors
STGF7NB60SL THT IGBT transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.02 грн |
| 10+ | 128.66 грн |
| 26+ | 121.63 грн |
| STGIF5CH60TS-L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SLLIMM 2nd
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Technology: SLLIMM 2nd
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Power dissipation: 30W
Output current: 5A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...18/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SDIP2F-26L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 861.67 грн |
| 3+ | 744.26 грн |
| 5+ | 664.42 грн |
| 10+ | 634.27 грн |
| STGIPN3H60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 883.32 грн |
| 2+ | 767.96 грн |
| 5+ | 726.74 грн |
| STGIPN3H60AT |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers
STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 832.44 грн |
| 3+ | 552.85 грн |
| 6+ | 522.69 грн |
| STGIPQ3H60T-HZS |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 807.54 грн |
| 2+ | 684.53 грн |
| 5+ | 647.34 грн |





















