Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170079) > Сторінка 1141 з 2835

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1144 1145 1146 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2835  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P6KE36A P6KE36A STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Mounting: THT
Case: DO15
Breakdown voltage: 36V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 31V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
11+27.72 грн
50+22.29 грн
100+10.73 грн
274+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE36CA P6KE36CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.48 грн
11+27.06 грн
98+11.01 грн
269+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE39A P6KE39A STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.54 грн
10+29.72 грн
25+25.04 грн
100+17.89 грн
105+10.27 грн
288+9.72 грн
10000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE39CA P6KE39CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
10+30.49 грн
25+25.60 грн
100+18.35 грн
104+10.46 грн
284+9.91 грн
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE400A P6KE400A STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE400CA P6KE400CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.27 грн
10+47.63 грн
25+40.09 грн
63+17.06 грн
172+16.15 грн
2000+16.05 грн
5000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE440A P6KE440A STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 440V; 1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.30 грн
10+44.97 грн
25+37.80 грн
69+15.96 грн
190+15.05 грн
5000+14.86 грн
10000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE440CA P6KE440CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.30 грн
10+45.35 грн
25+38.16 грн
70+15.69 грн
193+14.86 грн
10000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE47CA P6KE47CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6V8A P6KE6V8A STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
10+30.49 грн
25+25.60 грн
100+18.35 грн
109+10.09 грн
300+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6V8CA P6KE6V8CA STMicroelectronics P6KE6V8A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO15
Semiconductor structure: bidirectional
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Max. forward impulse current: 57A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
10+35.06 грн
50+27.25 грн
100+24.77 грн
109+9.91 грн
250+9.82 грн
299+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PB137ACV PB137ACV STMicroelectronics pb137.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.45 грн
10+82.88 грн
18+59.63 грн
50+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PD54008L-E STMicroelectronics pd54008l-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics PD55003-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1145.04 грн
2+761.18 грн
5+692.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015-E PD55015-E STMicroelectronics PD55015-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1883.04 грн
2+1716.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015S-E STMicroelectronics en.CD00128612.pdf PD55015S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E STMicroelectronics en.CD00108676.pdf PD55025S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E STMicroelectronics pd57018-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57030S-E STMicroelectronics en.CD00128988.pdf PD57030S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060-E PD57060-E STMicroelectronics PD57060-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PKC-136 PKC-136 STMicroelectronics pkc-136-dte.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.86 грн
10+60.59 грн
29+37.52 грн
79+35.41 грн
250+35.14 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PM8841D STMicroelectronics en.DM00141527.pdf PM8841D MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERSTEP01 STMicroelectronics en.DM00090983.pdf POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBO08-40G STMicroelectronics en.CD00001319.pdf RBO08-40G Protection diodes - arrays
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.64 грн
9+126.60 грн
24+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G RBO40-40G STMicroelectronics RBO40-40.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.77 грн
7+176.24 грн
18+160.54 грн
100+159.63 грн
200+155.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G-TR STMicroelectronics en.CD00001320.pdf RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2-LPQTR STMicroelectronics en.DM00339133.pdf S2-LPQTR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG STMicroelectronics SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics sct015w120g3-4ag.pdf SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG STMicroelectronics SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics sct025w120g3-4ag.pdf SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AG STMicroelectronics sct040h120g3ag.pdf SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG STMicroelectronics sct040h65g3ag.pdf SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AG STMicroelectronics sct040hu65g3ag.pdf SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AG STMicroelectronics SCT040W120G3AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AG STMicroelectronics sct055hu65g3ag.pdf SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG STMicroelectronics en.DM00950837.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG STMicroelectronics sct070h120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AG STMicroelectronics sct070hu120g3ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics sct070w120g3-4ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170 STMicroelectronics sct1000n170.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120 STMicroelectronics sct10n120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120AG SCT10N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120H STMicroelectronics sct10n120h.pdf SCT10N120H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics SCT20N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG SCT20N120AG STMicroelectronics sct10n120ag.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1326.82 грн
3+1209.89 грн
25+1164.16 грн
30+1157.74 грн
510+1120.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H STMicroelectronics sct20n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1901.81 грн
2+1733.86 грн
30+1605.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120H STMicroelectronics sct30n120h.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics SCT50N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 318W
Gate charge: 122nC
Technology: SiC; SiCFET
Gate-source voltage: -10...25V
Pulsed drain current: 130A
Case: HIP247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3472.66 грн
3+3323.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics scth100n65g2-7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics scth35n65g2v-7ag.pdf SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics scth40n120g2v7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7 STMicroelectronics scth60n120g2-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7 STMicroelectronics scth70n120g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE36A P6KE6V8A.pdf
P6KE36A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Mounting: THT
Case: DO15
Breakdown voltage: 36V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 31V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
11+27.72 грн
50+22.29 грн
100+10.73 грн
274+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE36CA P6KE6V8A.pdf
P6KE36CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.48 грн
11+27.06 грн
98+11.01 грн
269+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE39A P6KE6V8A.pdf
P6KE39A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.54 грн
10+29.72 грн
25+25.04 грн
100+17.89 грн
105+10.27 грн
288+9.72 грн
10000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE39CA P6KE6V8A.pdf
P6KE39CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
10+30.49 грн
25+25.60 грн
100+18.35 грн
104+10.46 грн
284+9.91 грн
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE400A P6KE6V8A.pdf
P6KE400A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE400CA P6KE6V8A.pdf
P6KE400CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.27 грн
10+47.63 грн
25+40.09 грн
63+17.06 грн
172+16.15 грн
2000+16.05 грн
5000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE440A P6KE6V8A.pdf
P6KE440A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 440V; 1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+44.97 грн
25+37.80 грн
69+15.96 грн
190+15.05 грн
5000+14.86 грн
10000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE440CA P6KE6V8A.pdf
P6KE440CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+45.35 грн
25+38.16 грн
70+15.69 грн
193+14.86 грн
10000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE47CA P6KE6V8A.pdf
P6KE47CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6V8A P6KE6V8A.pdf
P6KE6V8A
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
10+30.49 грн
25+25.60 грн
100+18.35 грн
109+10.09 грн
300+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6V8CA P6KE6V8A.pdf
P6KE6V8CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO15
Semiconductor structure: bidirectional
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Max. forward impulse current: 57A
Breakdown voltage: 6.8V
Leakage current: 20µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
10+35.06 грн
50+27.25 грн
100+24.77 грн
109+9.91 грн
250+9.82 грн
299+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PB137ACV pb137.pdf
PB137ACV
Виробник: STMicroelectronics
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.45 грн
10+82.88 грн
18+59.63 грн
50+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PD54008L-E pd54008l-e.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26.7W; PowerFLAT; SMT
Case: PowerFLAT
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 15dB
Output power: 8W
Power dissipation: 26.7W
Efficiency: 50%
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55003-E PD55003-E.pdf
PD55003-E
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1145.04 грн
2+761.18 грн
5+692.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015-E PD55015-E.pdf
PD55015-E
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1883.04 грн
2+1716.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55015S-E en.CD00128612.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PD55015S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E en.CD00108676.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PD55025S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E pd57018-e.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57030S-E en.CD00128988.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PD57030S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060-E PD57060-E.pdf
PD57060-E
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PKC-136 pkc-136-dte.pdf
PKC-136
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.86 грн
10+60.59 грн
29+37.52 грн
79+35.41 грн
250+35.14 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PM8841D en.DM00141527.pdf
Виробник: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
POWERSTEP01 en.DM00090983.pdf
Виробник: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBO08-40G en.CD00001319.pdf
Виробник: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.64 грн
9+126.60 грн
24+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G RBO40-40.pdf
RBO40-40G
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.77 грн
7+176.24 грн
18+160.54 грн
100+159.63 грн
200+155.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBO40-40G-TR en.CD00001320.pdf
Виробник: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2-LPQTR en.DM00339133.pdf
Виробник: STMicroelectronics
S2-LPQTR Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT012H90G3AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT015W120G3-4AG sct015w120g3-4ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018H65G3AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT018H65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT018W65G3-4AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT025W120G3-4AG sct025w120g3-4ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT027W65G3-4AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H120G3AG sct040h120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT040H120G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040H65G3AG sct040h65g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT040H65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040HU65G3AG sct040hu65g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT040HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT040W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AG
Виробник: STMicroelectronics
SCT040W120G3AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AG sct055hu65g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AG en.DM00950837.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AG sct070h120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AG sct070hu120g3ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4AG sct070w120g3-4ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 236W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170 sct1000n170.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120 sct10n120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120AG sct10n120ag.pdf
SCT10N120AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10N120H sct10n120h.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120 SCT20N120.pdf
SCT20N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AG sct10n120ag.pdf
SCT20N120AG
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1326.82 грн
3+1209.89 грн
25+1164.16 грн
30+1157.74 грн
510+1120.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120H sct20n120h.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120.pdf
SCT30N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1901.81 грн
2+1733.86 грн
30+1605.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120H sct30n120h.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT50N120 SCT50N120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 318W
Gate charge: 122nC
Technology: SiC; SiCFET
Gate-source voltage: -10...25V
Pulsed drain current: 130A
Case: HIP247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3472.66 грн
3+3323.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH100N65G2-7AG scth100n65g2-7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AG scth35n65g2v-7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V7AG scth40n120g2v7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH60N120G2-7 scth60n120g2-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH70N120G2V-7 scth70n120g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 283 566 849 1132 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1144 1145 1146 1415 1698 1981 2264 2547 2830 2835  [ Наступна Сторінка >> ]