Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162230) > Сторінка 1136 з 2704
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ST715M33R | STMicroelectronics |
ST715M33R LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 2131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ST715MR | STMicroelectronics |
ST715MR LDO adjustable voltage regulators |
на замовлення 2733 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ST732M50R | STMicroelectronics |
ST732M50R LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 2292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ST890BDR | STMicroelectronics |
ST890BDR Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ST901T | STMicroelectronics |
ST901T NPN THT transistors |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STA540 | STMicroelectronics |
Category: RTV - audio integrated circuitsDescription: IC: audio amplifier; Pout: 13W; 8÷22VDC; Ch: 4; Amp.class: AB; 2Ω Type of integrated circuit: audio amplifier Output power: 13W Mounting: THT Supply voltage: 8...22V DC Number of channels: 4 Amplifier class: AB Case: MULTIWATT15 Impedance: 2Ω Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STB100NF04T4 | STMicroelectronics |
STB100NF04T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB11N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.6A Power dissipation: 85W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 17nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB11NK40ZT4 | STMicroelectronics |
STB11NK40ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
STB11NK50ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 651 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB140NF75T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB16NF06LT4 | STMicroelectronics |
STB16NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STB18NF25 | STMicroelectronics |
STB18NF25 SMD N channel transistors |
на замовлення 991 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STB23NM50N | STMicroelectronics |
STB23NM50N SMD N channel transistors |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
STB30NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 698 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB40N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 879 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB55NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 677 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB6N80K5 | STMicroelectronics |
STB6N80K5 SMD N channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB75NF75LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics |
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
STB80NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB8N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STC4054GR | STMicroelectronics |
Category: Battery and battery cells controllersDescription: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery charging controller Integrated circuit features: Li-Ion Mounting: SMD Output current: 0.8A Output voltage: 4.2V Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.25...6.5V DC Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STCS1APHR | STMicroelectronics |
STCS1APHR LED drivers |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STCS2ASPR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 2A Case: PowerSO10 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: PWM Input voltage: 4.5...40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD10N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
STD10NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD10NM60N | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD10P6F6 | STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A Power dissipation: 35W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
STD12NF06L-1 THT N channel transistors |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD13NM60N | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD15NF10T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD1802T4 | STMicroelectronics |
STD1802T4 NPN SMD transistors |
на замовлення 564 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD18N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W On-state resistance: 8.5Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Case: I2PAK Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD1NK60T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Technology: SuperMesh™ Drain current: 1A Power dissipation: 30W On-state resistance: 8.5Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 600V Case: DPAK Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics |
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD20NF06LT4 | STMicroelectronics |
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD20NF06T4 | STMicroelectronics |
STD20NF06T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD20NF20 | STMicroelectronics |
STD20NF20 SMD N channel transistors |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD25NF10LA | STMicroelectronics |
STD25NF10LA SMD N channel transistors |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD25NF10T4 | STMicroelectronics |
STD25NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 3766 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics |
STD2HNK60Z SMD N channel transistors |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
STD2LN60K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics |
STD2N105K5 SMD N channel transistors |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2NK100Z | STMicroelectronics |
STD2NK100Z SMD N channel transistors |
на замовлення 774 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD35NF06LT4 | STMicroelectronics |
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| ST715M33R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715M33R LDO fixed voltage regulators
ST715M33R LDO fixed voltage regulators
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.28 грн |
| 25+ | 48.65 грн |
| 68+ | 46.04 грн |
| ST715MR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST715MR LDO adjustable voltage regulators
ST715MR LDO adjustable voltage regulators
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.20 грн |
| 30+ | 40.81 грн |
| 81+ | 38.60 грн |
| ST732M50R |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST732M50R LDO fixed voltage regulators
ST732M50R LDO fixed voltage regulators
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.34 грн |
| 25+ | 49.15 грн |
| 50+ | 47.08 грн |
| 67+ | 46.44 грн |
| ST890BDR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST890BDR Power switches - integrated circuits
ST890BDR Power switches - integrated circuits
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.84 грн |
| 23+ | 53.27 грн |
| 62+ | 51.26 грн |
| ST901T |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
ST901T NPN THT transistors
ST901T NPN THT transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.06 грн |
| 31+ | 39.20 грн |
| 84+ | 37.09 грн |
| STA540 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 13W; 8÷22VDC; Ch: 4; Amp.class: AB; 2Ω
Type of integrated circuit: audio amplifier
Output power: 13W
Mounting: THT
Supply voltage: 8...22V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: AB
Case: MULTIWATT15
Impedance: 2Ω
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 13W; 8÷22VDC; Ch: 4; Amp.class: AB; 2Ω
Type of integrated circuit: audio amplifier
Output power: 13W
Mounting: THT
Supply voltage: 8...22V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: AB
Case: MULTIWATT15
Impedance: 2Ω
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 452.48 грн |
| 3+ | 413.36 грн |
| 10+ | 361.86 грн |
| 25+ | 316.63 грн |
| 100+ | 301.55 грн |
| STB100NF04T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB100NF04T4 SMD N channel transistors
STB100NF04T4 SMD N channel transistors
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 293.36 грн |
| 6+ | 218.12 грн |
| 16+ | 207.07 грн |
| STB11N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.59 грн |
| 10+ | 145.09 грн |
| 50+ | 111.57 грн |
| 100+ | 105.54 грн |
| STB11NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB11NK40ZT4 SMD N channel transistors
STB11NK40ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.33 грн |
| 15+ | 82.42 грн |
| 40+ | 77.40 грн |
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB11NK50ZT4 SMD N channel transistors
STB11NK50ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.88 грн |
| 14+ | 89.46 грн |
| 37+ | 85.44 грн |
| STB13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.50 грн |
| 10+ | 152.40 грн |
| 25+ | 126.65 грн |
| 50+ | 113.59 грн |
| STB140NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.54 грн |
| 10+ | 207.72 грн |
| 50+ | 170.88 грн |
| 100+ | 159.82 грн |
| 500+ | 137.71 грн |
| 1000+ | 129.67 грн |
| STB16NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB16NF06LT4 SMD N channel transistors
STB16NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.57 грн |
| 30+ | 39.91 грн |
| 83+ | 37.69 грн |
| STB18NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB18NF25 SMD N channel transistors
STB18NF25 SMD N channel transistors
на замовлення 991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.66 грн |
| 13+ | 95.49 грн |
| 35+ | 90.47 грн |
| STB23NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB23NM50N SMD N channel transistors
STB23NM50N SMD N channel transistors
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 428.67 грн |
| 11+ | 117.61 грн |
| 28+ | 110.57 грн |
| STB24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.02 грн |
| 10+ | 193.11 грн |
| 50+ | 155.80 грн |
| 100+ | 150.78 грн |
| STB30NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 24+ | 51.16 грн |
| 65+ | 48.35 грн |
| STB40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 464.39 грн |
| 10+ | 300.63 грн |
| 100+ | 276.42 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.98 грн |
| 10+ | 164.93 грн |
| 100+ | 114.59 грн |
| 250+ | 100.52 грн |
| 500+ | 92.48 грн |
| 1000+ | 84.44 грн |
| 2000+ | 77.40 грн |
| STB55NF06LT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.21 грн |
| 10+ | 106.47 грн |
| 50+ | 84.44 грн |
| STB55NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.24 грн |
| 10+ | 131.52 грн |
| 100+ | 93.48 грн |
| 250+ | 87.45 грн |
| 500+ | 78.40 грн |
| 1000+ | 76.39 грн |
| STB60NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.11 грн |
| 10+ | 136.74 грн |
| 50+ | 101.52 грн |
| 100+ | 98.51 грн |
| STB60NF06T4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.56 грн |
| 5+ | 119.00 грн |
| 25+ | 102.53 грн |
| 100+ | 96.50 грн |
| STB6N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB6N80K5 SMD N channel transistors
STB6N80K5 SMD N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.44 грн |
| 13+ | 96.50 грн |
| 34+ | 91.47 грн |
| STB6NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 295.52 грн |
| 4+ | 248.43 грн |
| 10+ | 208.07 грн |
| 25+ | 177.92 грн |
| 50+ | 158.82 грн |
| 100+ | 143.74 грн |
| 200+ | 129.67 грн |
| STB75NF75LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.66 грн |
| 5+ | 176.41 грн |
| 10+ | 151.78 грн |
| 25+ | 145.75 грн |
| STB7NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.62 грн |
| 14+ | 89.46 грн |
| 37+ | 85.44 грн |
| STB80NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB80NF10T4 SMD N channel transistors
STB80NF10T4 SMD N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.42 грн |
| 14+ | 90.47 грн |
| 37+ | 86.45 грн |
| STB8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.46 грн |
| 10+ | 197.29 грн |
| 100+ | 178.92 грн |
| STC4054GR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.27 грн |
| 10+ | 132.57 грн |
| 25+ | 118.61 грн |
| 100+ | 105.54 грн |
| 250+ | 98.51 грн |
| STCS1APHR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STCS1APHR LED drivers
STCS1APHR LED drivers
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.73 грн |
| 8+ | 150.78 грн |
| 22+ | 142.74 грн |
| STCS2ASPR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 2A
Case: PowerSO10
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: PWM
Input voltage: 4.5...40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 2A
Case: PowerSO10
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: PWM
Input voltage: 4.5...40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.96 грн |
| 3+ | 205.64 грн |
| 10+ | 170.88 грн |
| 25+ | 163.84 грн |
| STD10N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.90 грн |
| 5+ | 103.34 грн |
| 10+ | 88.46 грн |
| 25+ | 76.39 грн |
| STD10NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD10NF10T4 SMD N channel transistors
STD10NF10T4 SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.72 грн |
| 43+ | 28.14 грн |
| 117+ | 26.64 грн |
| STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.17 грн |
| 2500+ | 90.81 грн |
| STD10P6F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.59 грн |
| 10+ | 65.87 грн |
| 50+ | 49.86 грн |
| 100+ | 45.23 грн |
| STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD12NF06L-1 THT N channel transistors
STD12NF06L-1 THT N channel transistors
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.59 грн |
| 74+ | 16.18 грн |
| 203+ | 15.28 грн |
| STD13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.79 грн |
| 10+ | 133.61 грн |
| 100+ | 103.53 грн |
| 250+ | 95.49 грн |
| STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.84 грн |
| 10+ | 164.93 грн |
| 100+ | 123.64 грн |
| 250+ | 112.58 грн |
| 500+ | 105.54 грн |
| 1000+ | 98.51 грн |
| 2500+ | 90.47 грн |
| STD15NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.67 грн |
| 10+ | 74.84 грн |
| 50+ | 56.89 грн |
| 100+ | 51.57 грн |
| 250+ | 45.94 грн |
| 500+ | 42.32 грн |
| 1000+ | 39.40 грн |
| STD16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.36 грн |
| 5+ | 148.23 грн |
| 10+ | 140.72 грн |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.21 грн |
| 10+ | 40.61 грн |
| 50+ | 30.86 грн |
| 100+ | 27.94 грн |
| 500+ | 22.52 грн |
| 1000+ | 20.51 грн |
| 2500+ | 19.00 грн |
| STD1802T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1802T4 NPN SMD transistors
STD1802T4 NPN SMD transistors
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.25 грн |
| 25+ | 48.64 грн |
| 28+ | 42.82 грн |
| 77+ | 40.51 грн |
| STD18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.98 грн |
| 10+ | 98.12 грн |
| 25+ | 83.43 грн |
| 50+ | 79.41 грн |
| STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.64 грн |
| 5+ | 208.77 грн |
| 10+ | 179.93 грн |
| 25+ | 153.79 грн |
| 50+ | 136.70 грн |
| 100+ | 123.64 грн |
| 250+ | 122.63 грн |
| STD1NK60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Case: I2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Case: I2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.46 грн |
| 10+ | 37.27 грн |
| 75+ | 29.15 грн |
| 525+ | 27.14 грн |
| STD1NK60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.42 грн |
| 10+ | 70.04 грн |
| 50+ | 53.07 грн |
| 100+ | 47.85 грн |
| 500+ | 37.59 грн |
| 1000+ | 33.87 грн |
| 2500+ | 29.55 грн |
| STD1NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.82 грн |
| 44+ | 27.64 грн |
| 119+ | 26.13 грн |
| STD20NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.33 грн |
| 17+ | 71.37 грн |
| 47+ | 67.35 грн |
| 100+ | 66.81 грн |
| STD20NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.06 грн |
| 26+ | 46.64 грн |
| 71+ | 44.03 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF20 SMD N channel transistors
STD20NF20 SMD N channel transistors
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.66 грн |
| 15+ | 82.42 грн |
| 40+ | 78.40 грн |
| STD25NF10LA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF10LA SMD N channel transistors
STD25NF10LA SMD N channel transistors
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.21 грн |
| 10+ | 121.63 грн |
| 25+ | 119.00 грн |
| 27+ | 114.59 грн |
| STD25NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF10T4 SMD N channel transistors
STD25NF10T4 SMD N channel transistors
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.28 грн |
| 27+ | 44.53 грн |
| 74+ | 42.12 грн |
| STD2HNK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2HNK60Z SMD N channel transistors
STD2HNK60Z SMD N channel transistors
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.12 грн |
| 52+ | 23.12 грн |
| 143+ | 21.81 грн |
| STD2LN60K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.22 грн |
| 39+ | 30.76 грн |
| 107+ | 29.05 грн |
| STD2N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N105K5 SMD N channel transistors
STD2N105K5 SMD N channel transistors
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.34 грн |
| 14+ | 88.46 грн |
| 38+ | 83.43 грн |
| STD2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z SMD N channel transistors
STD2NK100Z SMD N channel transistors
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.70 грн |
| 31+ | 39.50 грн |
| 84+ | 37.29 грн |
| STD2NK90ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.59 грн |
| 26+ | 46.54 грн |
| 71+ | 44.03 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.49 грн |
| 10+ | 86.64 грн |
| 50+ | 78.40 грн |
| STD35NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.40 грн |
| 18+ | 66.34 грн |
| 50+ | 62.32 грн |







