Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (165585) > Сторінка 1136 з 2760
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD18N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W On-state resistance: 8.5Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Case: I2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD1NK60T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain current: 1A Power dissipation: 30W On-state resistance: 8.5Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 600V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD20NF06LT4 | STMicroelectronics |
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD20NF06T4 | STMicroelectronics |
STD20NF06T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10LA | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1803 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics |
STD2HNK60Z SMD N channel transistors |
на замовлення 1436 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
STD2LN60K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 542 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD2N105K5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 0.95A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD2NK100Z | STMicroelectronics |
STD2NK100Z SMD N channel transistors |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD35NF06LT4 | STMicroelectronics |
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 3201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD35P6LLF6 | STMicroelectronics |
STD35P6LLF6 SMD P channel transistors |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD3N62K3 | STMicroelectronics |
STD3N62K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD3NK80Z-1 | STMicroelectronics |
STD3NK80Z-1 THT N channel transistors |
на замовлення 822 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD3NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD3NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Power dissipation: 12W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD45N10F7 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD46P4LLF6 | STMicroelectronics |
STD46P4LLF6 SMD P channel transistors |
на замовлення 4043 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Pulsed drain current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD5N52K3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 2.77A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 472 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD5N52U | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD5NM60-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD60NF55LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD7N52DK3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD7NK40ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD95N4F3 | STMicroelectronics |
STD95N4F3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STE53NC50 | STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 70mΩ Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 460W Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-55G1MBI1 | STMicroelectronics |
Category: Development kits - accessoriesDescription: Camera module; VD55G1 Components: VD55G1 Type of accessories for development kits: camera module кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-66GYMAI1 | STMicroelectronics |
Category: Development kits - accessoriesDescription: Camera module; VD66GY Components: VD66GY Type of accessories for development kits: camera module кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-CAM-M0I | STMicroelectronics |
Category: Development kits - accessories Description: Camera module Type of accessories for development kits: camera module кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-MKI191V1 | STMicroelectronics |
Category: STM development kitsDescription: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IIS2DLPC; 1.6÷3.6VDC Components: IIS2DLPC Kit contents: prototype board Interface: I2C; SPI Kind of connector: pin strips Type of development kit: evaluation Additional functions: integrated accelerometer Operating voltage: 1.6...3.6V DC Number of channels: 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STEVAL-MKI197V1 | STMicroelectronics |
Category: STM development kitsDescription: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: LSM6DSOX; 1.7÷3.6VDC Type of development kit: evaluation Kit contents: prototype board Components: LSM6DSOX Interface: I2C; SPI Kind of connector: pin strips Operating voltage: 1.7...3.6V DC Number of channels: 6 Additional functions: integrated accelerometer; integrated gyroscope кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
STEVAL-SMARTAG1 | STMicroelectronics |
Category: STM development kitsDescription: Dev.kit: evaluation; prototype board; Architecture: Cortex M0+ Components: HTS221; LIS2DW12; LPS22HB; ST25DV04K; STM32L031K6T6 Additional functions: humidity/temperature sensor; integrated accelerometer; NFC; pressure sensor Interface: I2C; LIN; NFC-A; SPI; UART; USART Kit contents: prototype board Output voltage 3: 1.8V DC Application: building automation; environment monitoring; IoT Kind of architecture: Cortex M0+ Kind of connector: CR2032 Type of development kit: evaluation кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF10N65K3 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1Ω Drain current: 10A Gate charge: 42nC Power dissipation: 35W Pulsed drain current: 40A Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF10N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 8A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.5nC Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STF11N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 17nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF11NM80 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF12N120K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 40W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7.6A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF12N50DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 25W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 16nC On-state resistance: 0.35Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF12N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 8.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Pulsed drain current: 34A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF13NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF14NM50N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STF15N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 375mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STD18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.25 грн |
| 10+ | 92.33 грн |
| 25+ | 78.51 грн |
| 50+ | 74.72 грн |
| STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.43 грн |
| 5+ | 196.45 грн |
| 10+ | 169.31 грн |
| 25+ | 144.72 грн |
| 50+ | 128.64 грн |
| 100+ | 116.34 грн |
| 250+ | 115.40 грн |
| STD1NK60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Case: I2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Case: I2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.08 грн |
| 10+ | 37.91 грн |
| 49+ | 22.89 грн |
| 134+ | 21.66 грн |
| STD1NK60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.81 грн |
| 10+ | 71.11 грн |
| 46+ | 24.69 грн |
| 124+ | 23.36 грн |
| STD20NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 102.88 грн |
| 17+ | 66.21 грн |
| 47+ | 62.43 грн |
| STD20NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.51 грн |
| 26+ | 43.89 грн |
| 70+ | 41.43 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.56 грн |
| 5+ | 160.11 грн |
| 10+ | 140.93 грн |
| 15+ | 76.61 грн |
| 40+ | 72.83 грн |
| 2500+ | 69.99 грн |
| STD25NF10LA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.51 грн |
| 5+ | 117.87 грн |
| 10+ | 104.04 грн |
| 25+ | 103.10 грн |
| STD25NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.40 грн |
| 10+ | 99.99 грн |
| 27+ | 41.90 грн |
| 73+ | 39.63 грн |
| STD2HNK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2HNK60Z SMD N channel transistors
STD2HNK60Z SMD N channel transistors
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 50.93 грн |
| 52+ | 21.57 грн |
| 143+ | 20.43 грн |
| STD2LN60K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.66 грн |
| 39+ | 28.75 грн |
| 107+ | 27.15 грн |
| 2500+ | 27.11 грн |
| STD2N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1050V; 0.95A; 60W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.30 грн |
| 10+ | 121.80 грн |
| 14+ | 82.29 грн |
| 38+ | 77.56 грн |
| 250+ | 74.72 грн |
| STD2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z SMD N channel transistors
STD2NK100Z SMD N channel transistors
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.34 грн |
| 31+ | 36.98 грн |
| 84+ | 34.90 грн |
| STD2NK90ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 157.89 грн |
| 10+ | 122.78 грн |
| 26+ | 43.51 грн |
| 71+ | 40.67 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.14 грн |
| 10+ | 81.53 грн |
| 50+ | 73.78 грн |
| STD35NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.59 грн |
| 15+ | 76.61 грн |
| 41+ | 71.89 грн |
| STD35P6LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35P6LLF6 SMD P channel transistors
STD35P6LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.09 грн |
| 18+ | 63.37 грн |
| 49+ | 59.59 грн |
| STD3N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3N62K3 SMD N channel transistors
STD3N62K3 SMD N channel transistors
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 50.93 грн |
| 42+ | 26.67 грн |
| 116+ | 25.16 грн |
| STD3NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.09 грн |
| 5+ | 79.95 грн |
| 10+ | 40.58 грн |
| 75+ | 37.83 грн |
| 150+ | 36.13 грн |
| 525+ | 33.01 грн |
| 750+ | 31.12 грн |
| STD3NK80Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3NK80Z-1 THT N channel transistors
STD3NK80Z-1 THT N channel transistors
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.72 грн |
| 34+ | 33.77 грн |
| 91+ | 31.97 грн |
| STD3NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.00 грн |
| 5+ | 122.19 грн |
| 10+ | 105.65 грн |
| 27+ | 41.90 грн |
| 73+ | 39.63 грн |
| STD3NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.78 грн |
| 10+ | 128.67 грн |
| 100+ | 86.07 грн |
| 500+ | 70.94 грн |
| 1000+ | 66.21 грн |
| 2500+ | 59.59 грн |
| 5000+ | 57.70 грн |
| STD45N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.33 грн |
| 10+ | 103.14 грн |
| 18+ | 62.43 грн |
| 50+ | 58.64 грн |
| 500+ | 56.75 грн |
| STD46P4LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD46P4LLF6 SMD P channel transistors
STD46P4LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.47 грн |
| 21+ | 54.29 грн |
| 57+ | 51.36 грн |
| STD4NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.25 грн |
| 10+ | 44.30 грн |
| 75+ | 31.88 грн |
| 150+ | 28.85 грн |
| 525+ | 24.12 грн |
| 1050+ | 23.65 грн |
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.92 грн |
| 10+ | 55.79 грн |
| 20+ | 47.10 грн |
| 100+ | 37.36 грн |
| 200+ | 34.81 грн |
| 500+ | 32.35 грн |
| 2500+ | 31.97 грн |
| STD4NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.48 грн |
| 10+ | 118.85 грн |
| 20+ | 102.15 грн |
| 100+ | 79.45 грн |
| 200+ | 72.83 грн |
| 500+ | 65.26 грн |
| 1000+ | 59.59 грн |
| STD5N52K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.40 грн |
| 10+ | 80.45 грн |
| 35+ | 32.25 грн |
| 96+ | 30.46 грн |
| STD5N52U |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.75 грн |
| 5+ | 84.47 грн |
| 10+ | 75.67 грн |
| 19+ | 58.64 грн |
| 52+ | 55.81 грн |
| 100+ | 54.86 грн |
| 500+ | 52.97 грн |
| STD5NK40Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 156.77 грн |
| 45+ | 25.25 грн |
| 122+ | 23.84 грн |
| STD5NM60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.99 грн |
| 75+ | 87.42 грн |
| 525+ | 77.56 грн |
| STD60NF55LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.74 грн |
| 10+ | 100.68 грн |
| 100+ | 67.63 грн |
| 250+ | 59.49 грн |
| 500+ | 54.48 грн |
| 1000+ | 50.13 грн |
| 2500+ | 50.04 грн |
| STD7N52DK3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.20 грн |
| 25+ | 21.28 грн |
| STD7NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.74 грн |
| 5+ | 119.44 грн |
| 10+ | 102.06 грн |
| 25+ | 85.70 грн |
| 100+ | 66.40 грн |
| 500+ | 52.12 грн |
| 1000+ | 47.96 грн |
| STD8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.18 грн |
| 5+ | 148.32 грн |
| 25+ | 138.10 грн |
| STD95N4F3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD95N4F3 SMD N channel transistors
STD95N4F3 SMD N channel transistors
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.26 грн |
| 13+ | 92.69 грн |
| 34+ | 87.02 грн |
| STE53NC50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 33A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 460W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3078.27 грн |
| 5+ | 2565.61 грн |
| 10+ | 2219.94 грн |
| 100+ | 1972.12 грн |
| STEVAL-55G1MBI1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD55G1
Components: VD55G1
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD55G1
Components: VD55G1
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6748.36 грн |
| STEVAL-66GYMAI1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD66GY
Components: VD66GY
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module; VD66GY
Components: VD66GY
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7274.99 грн |
| STEVAL-CAM-M0I |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - accessories
Description: Camera module
Type of accessories for development kits: camera module
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4509.43 грн |
| STEVAL-MKI191V1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IIS2DLPC; 1.6÷3.6VDC
Components: IIS2DLPC
Kit contents: prototype board
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Type of development kit: evaluation
Additional functions: integrated accelerometer
Operating voltage: 1.6...3.6V DC
Number of channels: 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IIS2DLPC; 1.6÷3.6VDC
Components: IIS2DLPC
Kit contents: prototype board
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Type of development kit: evaluation
Additional functions: integrated accelerometer
Operating voltage: 1.6...3.6V DC
Number of channels: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2254.21 грн |
| STEVAL-MKI197V1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: LSM6DSOX; 1.7÷3.6VDC
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: LSM6DSOX
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Operating voltage: 1.7...3.6V DC
Number of channels: 6
Additional functions: integrated accelerometer; integrated gyroscope
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: LSM6DSOX; 1.7÷3.6VDC
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: LSM6DSOX
Interface: I2C; SPI
Kind of connector: pin strips
Operating voltage: 1.7...3.6V DC
Number of channels: 6
Additional functions: integrated accelerometer; integrated gyroscope
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2230.78 грн |
| STEVAL-SMARTAG1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Architecture: Cortex M0+
Components: HTS221; LIS2DW12; LPS22HB; ST25DV04K; STM32L031K6T6
Additional functions: humidity/temperature sensor; integrated accelerometer; NFC; pressure sensor
Interface: I2C; LIN; NFC-A; SPI; UART; USART
Kit contents: prototype board
Output voltage 3: 1.8V DC
Application: building automation; environment monitoring; IoT
Kind of architecture: Cortex M0+
Kind of connector: CR2032
Type of development kit: evaluation
кількість в упаковці: 1 шт
Category: STM development kits
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Architecture: Cortex M0+
Components: HTS221; LIS2DW12; LPS22HB; ST25DV04K; STM32L031K6T6
Additional functions: humidity/temperature sensor; integrated accelerometer; NFC; pressure sensor
Interface: I2C; LIN; NFC-A; SPI; UART; USART
Kit contents: prototype board
Output voltage 3: 1.8V DC
Application: building automation; environment monitoring; IoT
Kind of architecture: Cortex M0+
Kind of connector: CR2032
Type of development kit: evaluation
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2164.57 грн |
| STF10N65K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 10A
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 35W
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 10A
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 35W
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.39 грн |
| 10+ | 99.21 грн |
| 50+ | 82.29 грн |
| 100+ | 77.56 грн |
| 250+ | 69.99 грн |
| 500+ | 65.26 грн |
| 1000+ | 64.32 грн |
| STF10N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8A; Idm: 32A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.67 грн |
| 10+ | 193.50 грн |
| 50+ | 177.82 грн |
| 100+ | 159.85 грн |
| 250+ | 155.12 грн |
| STF10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.98 грн |
| 5+ | 165.02 грн |
| 10+ | 142.83 грн |
| 25+ | 122.96 грн |
| 50+ | 112.56 грн |
| 100+ | 103.10 грн |
| 200+ | 97.42 грн |
| STF11N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.17 грн |
| 10+ | 119.83 грн |
| STF11N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.40 грн |
| 10+ | 101.17 грн |
| 50+ | 94.59 грн |
| 100+ | 85.13 грн |
| 250+ | 80.40 грн |
| STF11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.90 грн |
| 10+ | 205.29 грн |
| 25+ | 183.50 грн |
| 50+ | 174.04 грн |
| 100+ | 165.53 грн |
| 500+ | 151.34 грн |
| STF11NM80 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433.93 грн |
| 50+ | 216.09 грн |
| 500+ | 192.01 грн |
| STF12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 869.90 грн |
| 3+ | 793.65 грн |
| 5+ | 760.47 грн |
| STF12N50DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.35Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.35Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.41 грн |
| 10+ | 116.89 грн |
| 25+ | 99.32 грн |
| 50+ | 95.53 грн |
| STF12N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.44 грн |
| 5+ | 164.03 грн |
| 25+ | 139.04 грн |
| 100+ | 125.80 грн |
| 500+ | 122.96 грн |
| STF13N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.92 грн |
| 10+ | 106.08 грн |
| 25+ | 93.64 грн |
| 50+ | 87.02 грн |
| 100+ | 85.13 грн |
| STF13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.23 грн |
| 10+ | 78.58 грн |
| 25+ | 73.78 грн |
| STF13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 318.83 грн |
| 10+ | 202.34 грн |
| STF13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.27 грн |
| 250+ | 110.99 грн |
| 500+ | 100.26 грн |
| 1000+ | 89.86 грн |
| STF13NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 331.05 грн |
| 10+ | 256.36 грн |
| 50+ | 218.49 грн |
| 100+ | 207.14 грн |
| 500+ | 179.71 грн |
| 1000+ | 168.36 грн |
| 2000+ | 156.07 грн |
| STF14NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.27 грн |
| 25+ | 99.21 грн |
| 50+ | 92.69 грн |
| 100+ | 88.91 грн |
| 150+ | 87.02 грн |
| STF15N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 14A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.55 грн |
| 3+ | 310.39 грн |
| 10+ | 263.90 грн |
| 50+ | 237.41 грн |
| 100+ | 229.84 грн |
| 250+ | 225.12 грн |























