Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (161816) > Сторінка 1139 з 2697
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF19NC60HD | STMicroelectronics |
STGF19NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMicroelectronics |
STGF20H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 73 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF20H65DFB2 | STMicroelectronics |
STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics |
STGF30M65DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF6NC60HD | STMicroelectronics |
STGF6NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF7H60DF | STMicroelectronics |
STGF7H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGF7NB60SL | STMicroelectronics |
STGF7NB60SL THT IGBT transistors |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGIF5CH60TS-L | STMicroelectronics |
STGIF5CH60TS-L Motor and PWM drivers |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGIPN3H60 | STMicroelectronics |
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGIPN3H60AT | STMicroelectronics |
STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGIPQ3H60T-HZS | STMicroelectronics |
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGIPQ8C60T-HZ | STMicroelectronics |
STGIPQ8C60T-HZ Motor and PWM drivers |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGP10M65DF2 | STMicroelectronics |
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 131 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGP10NC60HD | STMicroelectronics |
STGP10NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 284 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGP10NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 19nC Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 236 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP14NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 34.4nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGP19NC60HD | STMicroelectronics |
STGP19NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGP20H60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP20NC60V | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGP20V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGP30H60DF | STMicroelectronics |
STGP30H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 364 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGP30H60DFB | STMicroelectronics |
STGP30H60DFB THT IGBT transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGP30M65DF2 | STMicroelectronics |
STGP30M65DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 99 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGP5H60DF | STMicroelectronics |
STGP5H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 93 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGP6NC60HD | STMicroelectronics |
STGP6NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 209 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGP7H60DF | STMicroelectronics |
STGP7H60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 286 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGP7NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGP8NC60KD | STMicroelectronics |
STGP8NC60KD THT IGBT transistors |
на замовлення 136 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
STGW19NC60HD THT IGBT transistors |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW20IH125DF | STMicroelectronics |
STGW20IH125DF THT IGBT transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW20NC60V | STMicroelectronics |
STGW20NC60V THT IGBT transistors |
на замовлення 93 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW20NC60VD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Pulsed collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW20V60DF | STMicroelectronics |
STGW20V60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW28IH125DF | STMicroelectronics |
STGW28IH125DF THT IGBT transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW30H60DFB | STMicroelectronics |
STGW30H60DFB THT IGBT transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW30H65FB | STMicroelectronics |
STGW30H65FB THT IGBT transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW30NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 125A Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW30NC60WD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW30V60DF | STMicroelectronics |
STGW30V60DF THT IGBT transistors |
на замовлення 69 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW39NC60VD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW40H120DF2 | STMicroelectronics |
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW40H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.21µC Pulsed collector current: 160A Gate-emitter voltage: ±30V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW40NC60KD | STMicroelectronics |
STGW40NC60KD THT IGBT transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW40V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 268 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW60V60DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGW75H65DFB2-4 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 71A Power dissipation: 357W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGW75M65DF2 | STMicroelectronics |
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGW80H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGWA15H120DF2 | STMicroelectronics |
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGWA25M120DF3 | STMicroelectronics |
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGWA30H65DFB | STMicroelectronics |
STGWA30H65DFB THT IGBT transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGWA40H120DF2 | STMicroelectronics |
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGWA40H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Collector current: 45A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGWA40IH65DF | STMicroelectronics |
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGWA50IH65DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics |
STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STGWT60H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGY40NC60VD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 260W Case: MAX247 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Gate charge: 214nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| STGF19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF19NC60HD THT IGBT transistors
STGF19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.96 грн |
| 9+ | 133.79 грн |
| 25+ | 126.86 грн |
| STGF20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H60DF THT IGBT transistors
STGF20H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.05 грн |
| 11+ | 114.96 грн |
| 29+ | 109.02 грн |
| STGF20H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors
STGF20H65DFB2 THT IGBT transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.71 грн |
| 11+ | 111.00 грн |
| 30+ | 105.05 грн |
| STGF30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF30M65DF2 THT IGBT transistors
STGF30M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.42 грн |
| 10+ | 125.86 грн |
| 26+ | 118.93 грн |
| STGF6NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF6NC60HD THT IGBT transistors
STGF6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.22 грн |
| 18+ | 67.39 грн |
| 48+ | 64.42 грн |
| STGF7H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF7H60DF THT IGBT transistors
STGF7H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.62 грн |
| 16+ | 74.33 грн |
| 44+ | 70.37 грн |
| STGF7NB60SL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGF7NB60SL THT IGBT transistors
STGF7NB60SL THT IGBT transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.91 грн |
| 10+ | 126.86 грн |
| 26+ | 119.92 грн |
| STGIF5CH60TS-L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIF5CH60TS-L Motor and PWM drivers
STGIF5CH60TS-L Motor and PWM drivers
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 922.14 грн |
| 2+ | 686.80 грн |
| 5+ | 649.14 грн |
| STGIPN3H60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
STGIPN3H60 Motor and PWM drivers
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 749.24 грн |
| 5+ | 714.55 грн |
| STGIPN3H60AT |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers
STGIPN3H60AT Motor and PWM drivers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 704.41 грн |
| 3+ | 544.09 грн |
| 6+ | 514.36 грн |
| STGIPQ3H60T-HZS |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
STGIPQ3H60T-HZS Motor and PWM drivers
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 769.52 грн |
| 2+ | 672.93 грн |
| 5+ | 636.26 грн |
| STGIPQ8C60T-HZ |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGIPQ8C60T-HZ Motor and PWM drivers
STGIPQ8C60T-HZ Motor and PWM drivers
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 870.91 грн |
| 3+ | 571.84 грн |
| 6+ | 540.13 грн |
| STGP10M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 131 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.16 грн |
| 14+ | 87.21 грн |
| 38+ | 82.26 грн |
| STGP10NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP10NC60HD THT IGBT transistors
STGP10NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.72 грн |
| 12+ | 100.10 грн |
| 33+ | 95.14 грн |
| STGP10NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.30 грн |
| 10+ | 92.63 грн |
| 50+ | 73.34 грн |
| STGP14NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.30 грн |
| 3+ | 150.26 грн |
| 10+ | 124.87 грн |
| 50+ | 106.04 грн |
| STGP19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP19NC60HD THT IGBT transistors
STGP19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.59 грн |
| 7+ | 171.45 грн |
| 19+ | 161.54 грн |
| STGP20H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.91 грн |
| 10+ | 122.89 грн |
| 50+ | 117.94 грн |
| 150+ | 105.05 грн |
| 500+ | 98.11 грн |
| 1000+ | 95.14 грн |
| STGP20NC60V | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.03 грн |
| 3+ | 234.65 грн |
| 10+ | 209.11 грн |
| 50+ | 199.20 грн |
| 150+ | 178.39 грн |
| 500+ | 166.50 грн |
| 1000+ | 161.54 грн |
| STGP20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.25 грн |
| 10+ | 158.49 грн |
| 50+ | 134.78 грн |
| 100+ | 129.83 грн |
| STGP30H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP30H60DF THT IGBT transistors
STGP30H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 364 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.08 грн |
| 9+ | 140.73 грн |
| 23+ | 133.79 грн |
| STGP30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP30H60DFB THT IGBT transistors
STGP30H60DFB THT IGBT transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.41 грн |
| 8+ | 165.51 грн |
| 20+ | 156.59 грн |
| STGP30M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP30M65DF2 THT IGBT transistors
STGP30M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.74 грн |
| 11+ | 113.97 грн |
| 29+ | 107.03 грн |
| STGP5H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP5H60DF THT IGBT transistors
STGP5H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.63 грн |
| 17+ | 72.35 грн |
| 45+ | 68.38 грн |
| STGP6NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
STGP6NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.06 грн |
| 19+ | 62.44 грн |
| 52+ | 59.46 грн |
| STGP7H60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP7H60DF THT IGBT transistors
STGP7H60DF THT IGBT transistors
на замовлення 286 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.86 грн |
| 18+ | 65.41 грн |
| 50+ | 61.45 грн |
| STGP7NC60HD | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.09 грн |
| 10+ | 109.09 грн |
| 50+ | 70.37 грн |
| STGP8NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
STGP8NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.75 грн |
| 10+ | 97.77 грн |
| 18+ | 65.41 грн |
| 50+ | 61.45 грн |
| STGW19NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW19NC60HD THT IGBT transistors
STGW19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 341.53 грн |
| 6+ | 209.11 грн |
| 16+ | 198.21 грн |
| STGW20IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20IH125DF THT IGBT transistors
STGW20IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.99 грн |
| 6+ | 208.12 грн |
| 16+ | 196.23 грн |
| STGW20NC60V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20NC60V THT IGBT transistors
STGW20NC60V THT IGBT transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.17 грн |
| 8+ | 157.58 грн |
| 21+ | 149.65 грн |
| STGW20NC60VD | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Pulsed collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.96 грн |
| 10+ | 171.87 грн |
| 30+ | 140.73 грн |
| 90+ | 120.91 грн |
| 120+ | 118.93 грн |
| STGW20V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 367.15 грн |
| 7+ | 193.26 грн |
| 17+ | 183.35 грн |
| STGW28IH125DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW28IH125DF THT IGBT transistors
STGW28IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 374.62 грн |
| 6+ | 226.95 грн |
| 15+ | 215.06 грн |
| STGW30H60DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30H60DFB THT IGBT transistors
STGW30H60DFB THT IGBT transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.19 грн |
| 9+ | 135.78 грн |
| 24+ | 128.84 грн |
| STGW30H65FB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30H65FB THT IGBT transistors
STGW30H65FB THT IGBT transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 359.68 грн |
| 6+ | 200.19 грн |
| 17+ | 189.29 грн |
| STGW30NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 458.94 грн |
| 10+ | 361.24 грн |
| 30+ | 269.57 грн |
| 90+ | 208.12 грн |
| 120+ | 198.21 грн |
| 510+ | 178.39 грн |
| STGW30NC60WD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 436.52 грн |
| 10+ | 364.33 грн |
| 20+ | 308.22 грн |
| 30+ | 278.49 грн |
| 120+ | 263.62 грн |
| STGW30V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW30V60DF THT IGBT transistors
STGW30V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.00 грн |
| 6+ | 232.90 грн |
| 14+ | 220.02 грн |
| STGW39NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.65 грн |
| 10+ | 280.97 грн |
| 30+ | 250.74 грн |
| 120+ | 223.98 грн |
| 510+ | 204.16 грн |
| 2010+ | 195.24 грн |
| STGW40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 661.72 грн |
| 3+ | 444.99 грн |
| 8+ | 421.20 грн |
| STGW40H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.97 грн |
| 10+ | 155.41 грн |
| 30+ | 141.72 грн |
| 90+ | 138.75 грн |
| STGW40NC60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW40NC60KD THT IGBT transistors
STGW40NC60KD THT IGBT transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 552.86 грн |
| 4+ | 329.03 грн |
| 10+ | 311.19 грн |
| STGW40V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.86 грн |
| 5+ | 291.26 грн |
| 10+ | 254.70 грн |
| 30+ | 199.20 грн |
| 60+ | 174.43 грн |
| STGW60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 399.17 грн |
| 3+ | 344.77 грн |
| 5+ | 298.31 грн |
| 10+ | 238.85 грн |
| 15+ | 228.93 грн |
| STGW60V60DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 291.37 грн |
| 10+ | 245.97 грн |
| 30+ | 184.34 грн |
| 120+ | 183.35 грн |
| STGW75H65DFB2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 647.85 грн |
| 2+ | 569.13 грн |
| 3+ | 546.07 грн |
| STGW75M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 538.98 грн |
| 4+ | 337.95 грн |
| 10+ | 319.12 грн |
| STGW80H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 596.62 грн |
| 5+ | 571.19 грн |
| STGWA15H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.97 грн |
| 6+ | 228.93 грн |
| 15+ | 216.05 грн |
| STGWA25M120DF3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 450.40 грн |
| 4+ | 299.30 грн |
| 11+ | 282.45 грн |
| STGWA30H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA30H65DFB THT IGBT transistors
STGWA30H65DFB THT IGBT transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 381.02 грн |
| 5+ | 253.71 грн |
| 13+ | 239.84 грн |
| STGWA40H120DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 512.30 грн |
| 4+ | 308.22 грн |
| 11+ | 291.37 грн |
| STGWA40H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 45A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 45A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.90 грн |
| 10+ | 213.04 грн |
| 30+ | 198.21 грн |
| STGWA40IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
STGWA40IH65DF THT IGBT transistors
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.65 грн |
| 7+ | 177.40 грн |
| 19+ | 167.49 грн |
| STGWA50IH65DF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 397.03 грн |
| 3+ | 344.77 грн |
| 10+ | 307.23 грн |
| 30+ | 293.35 грн |
| 120+ | 263.62 грн |
| 600+ | 254.70 грн |
| 1200+ | 245.78 грн |
| STGWA75H65DFB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.91 грн |
| 10+ | 267.59 грн |
| 30+ | 217.04 грн |
| STGWA75M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
STGWA75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 600.89 грн |
| 4+ | 364.71 грн |
| 9+ | 344.89 грн |
| STGWT60H65DFB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 372.49 грн |
| 3+ | 339.63 грн |
| 5+ | 311.19 грн |
| 10+ | 297.32 грн |
| STGY40NC60VD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 588.08 грн |
| 3+ | 510.47 грн |
| 10+ | 454.90 грн |
| 30+ | 434.08 грн |
| 120+ | 389.49 грн |
| 600+ | 377.59 грн |
| 1200+ | 363.72 грн |













