Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162230) > Сторінка 1139 з 2704

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 270 540 810 1080 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1144 1350 1620 1890 2160 2430 2700 2704  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGIPQ8C60T-HZ STMicroelectronics en.DM00264386.pdf STGIPQ8C60T-HZ Motor and PWM drivers
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+696.05 грн
3+579.99 грн
6+548.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.38 грн
10+92.90 грн
50+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.44 грн
10+109.56 грн
50+98.51 грн
100+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60KD STGP10NC60KD STMicroelectronics STGP10NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.62 грн
10+93.95 грн
50+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KD STGP14NC60KD STMicroelectronics STGP14NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.62 грн
3+152.40 грн
10+126.65 грн
50+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.14 грн
3+217.12 грн
10+185.96 грн
50+167.86 грн
250+156.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DF STGP20H60DF STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.87 грн
10+124.64 грн
50+119.62 грн
150+106.55 грн
500+99.51 грн
1000+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF STGP20V60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.02 грн
10+160.75 грн
50+136.70 грн
100+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DF STGP30H60DF STMicroelectronics en.DM00040343.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.50 грн
3+187.89 грн
10+167.86 грн
50+159.82 грн
150+143.74 грн
500+133.69 грн
1000+130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.32 грн
3+208.77 грн
10+185.96 грн
50+177.92 грн
150+159.82 грн
500+149.77 грн
1000+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD STGP3NC120HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.47 грн
10+111.69 грн
50+103.53 грн
100+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF STGP5H60DF STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.89 грн
10+115.87 грн
25+93.48 грн
50+78.40 грн
100+67.35 грн
250+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD STGP6NC60HD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E8D24380D2&compId=stgp6nc60hd.pdf?ci_sign=14f10daaefb180d1d04f25c96ca03690c410a029 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.53 грн
100+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF STGP7H60DF STMicroelectronics en.DM00164492.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.64 грн
10+77.40 грн
50+73.38 грн
150+66.34 грн
500+61.32 грн
1000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD STGP7NC60HD STMicroelectronics STGP7NC60HD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.38 грн
10+110.65 грн
50+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD STGP8NC60KD STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9640D2&compId=stgp8nc60kd.pdf?ci_sign=dcccd3bae1e3b9490df458967865813570b8353d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.22 грн
10+86.64 грн
50+68.35 грн
100+62.32 грн
500+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf STGW19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.14 грн
7+194.00 грн
17+183.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF STMicroelectronics en.DM00095632.pdf STGW20IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.16 грн
6+212.09 грн
16+200.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V STGW20NC60V STMicroelectronics en.CD00003669.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+305.26 грн
10+238.00 грн
30+200.03 грн
120+167.86 грн
300+149.77 грн
510+145.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics STGW20NC60VD.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.79 грн
10+174.32 грн
30+142.74 грн
90+122.63 грн
120+120.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.90 грн
7+196.01 грн
17+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF STMicroelectronics en.DM00095615.pdf STGW28IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.96 грн
6+231.19 грн
15+218.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF98C0D2&compId=stgw30h60dfb.pdf?ci_sign=4a35b0e4dbdcd5731a839f704c5683cf3ba4fc12 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.15 грн
10+209.81 грн
30+174.90 грн
120+129.67 грн
510+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB STGW30H65FB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF2A775ED3A0D2&compId=stgw30h65fb.pdf?ci_sign=ea25e6199fe27e90535ba94f936116779c74811b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+323.67 грн
5+275.57 грн
10+237.22 грн
30+186.96 грн
120+184.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD STGW30NC120HD STMicroelectronics STGW30NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+373.46 грн
2+324.63 грн
3+297.53 грн
10+262.35 грн
25+255.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+465.48 грн
10+366.39 грн
30+273.41 грн
90+211.09 грн
120+201.04 грн
510+180.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD STMicroelectronics STGW30NC60WD-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+442.74 грн
10+369.52 грн
20+312.61 грн
30+282.46 грн
120+267.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF STMicroelectronics stgb30v60df.pdf STGW30V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+334.49 грн
6+236.22 грн
14+223.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+316.09 грн
10+284.97 грн
30+254.31 грн
120+227.17 грн
510+207.07 грн
2010+198.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1158.28 грн
2+685.53 грн
5+648.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB STMicroelectronics STGW40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.45 грн
10+157.62 грн
30+143.74 грн
90+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD STGW40NC60KD STMicroelectronics en.CD00201325.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+504.44 грн
3+438.41 грн
10+391.01 грн
30+372.92 грн
120+334.72 грн
600+323.67 грн
1200+312.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.58 грн
5+295.41 грн
10+258.33 грн
30+202.04 грн
60+179.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGW60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+410.27 грн
3+374.74 грн
10+308.59 грн
30+238.23 грн
60+232.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF STMicroelectronics STGW60V60DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+295.52 грн
10+249.48 грн
30+186.96 грн
120+185.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics stgw75h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.08 грн
2+577.24 грн
3+553.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+663.57 грн
4+395.04 грн
9+373.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+605.12 грн
5+579.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+560.74 грн
3+401.07 грн
9+378.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066773.pdf STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+389.70 грн
6+232.20 грн
15+219.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113757.pdf STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+547.74 грн
4+304.57 грн
11+287.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.48 грн
3+301.67 грн
10+257.33 грн
30+234.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+526.10 грн
4+316.63 грн
11+299.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics STGWA40H65DFB2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 45A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.94 грн
10+216.07 грн
30+201.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.69 грн
3+349.69 грн
10+311.61 грн
30+297.53 грн
120+267.38 грн
600+258.33 грн
1200+249.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics STGWA75H65DFB2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+304.18 грн
10+271.40 грн
30+220.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 STGWA75M65DF2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB67B88B8DFE0D5&compId=STGWA75M65DF2.pdf?ci_sign=cf11ecc06cba585270433b254ae659ae4d296ddb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+548.83 грн
3+475.99 грн
10+405.09 грн
30+363.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STMicroelectronics en.DM00236841.pdf STGWT40HP65FB THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.77 грн
7+179.93 грн
19+169.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65DFB STGWT60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.79 грн
3+344.47 грн
5+315.63 грн
10+301.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VD STMicroelectronics en.CD00003462.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+596.46 грн
3+517.74 грн
10+461.38 грн
30+440.27 грн
120+395.04 грн
600+382.97 грн
1200+368.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2 STGYA50H120DF2 STMicroelectronics stgya50h120df2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 535W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+699.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.20 грн
10+134.66 грн
50+109.56 грн
100+106.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 STMicroelectronics en.CD00274723.pdf STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.69 грн
50+34.76 грн
61+19.60 грн
168+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STIEC45-30AS STMicroelectronics cd00258714.pdf STIEC45-30AS Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.15 грн
20+62.32 грн
53+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics STL20N6F7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.50 грн
10+79.23 грн
50+58.40 грн
100+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4F7 STMicroelectronics stl260n4f7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.32 грн
10+143.74 грн
100+111.57 грн
250+102.53 грн
500+96.50 грн
1000+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101797.pdf STL42P4LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.70 грн
18+66.34 грн
50+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5 STMicroelectronics en.CD00297242.pdf STL56N3LLH5 SMD N channel transistors
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.64 грн
39+30.66 грн
108+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG STMicroelectronics en.DM00208902.pdf STL8DN6LF6AG Multi channel transistors
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.74 грн
17+72.37 грн
46+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPQ8C60T-HZ en.DM00264386.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGIPQ8C60T-HZ Motor and PWM drivers
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.05 грн
3+579.99 грн
6+548.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228
STGP10M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.38 грн
10+92.90 грн
50+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD stgb10nc60hd.pdf
STGP10NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.44 грн
10+109.56 грн
50+98.51 грн
100+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60KD STGP10NC60KD.pdf
STGP10NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.62 грн
10+93.95 грн
50+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP14NC60KD STGP14NC60KD.pdf
STGP14NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.62 грн
3+152.40 грн
10+126.65 грн
50+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP19NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E10ECDC0D2&compId=stgp19nc60hd.pdf?ci_sign=e4fc1d1876cc91ad98ee94fa1b4081876a9c47df
STGP19NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.14 грн
3+217.12 грн
10+185.96 грн
50+167.86 грн
250+156.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20H60DF en.DM00066598.pdf
STGP20H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.87 грн
10+124.64 грн
50+119.62 грн
150+106.55 грн
500+99.51 грн
1000+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP20V60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8380D2425E2560D2&compId=STGx20V60DF.pdf?ci_sign=372bd6438ff2ed983789d4e89f7e972552c05ec2
STGP20V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.02 грн
10+160.75 грн
50+136.70 грн
100+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DF en.DM00040343.pdf
STGP30H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.50 грн
3+187.89 грн
10+167.86 грн
50+159.82 грн
150+143.74 грн
500+133.69 грн
1000+130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30H60DFB en.DM00125119.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP30M65DF2 en.DM00155781.pdf
STGP30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.32 грн
3+208.77 грн
10+185.96 грн
50+177.92 грн
150+159.82 грн
500+149.77 грн
1000+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP3NC120HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEED9389163FE0C7&compId=STGx3NC120HD.pdf?ci_sign=28d109c69ddf7046490206a96c3a4aab61477cc0
STGP3NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.47 грн
10+111.69 грн
50+103.53 грн
100+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP5H60DF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72
STGP5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.89 грн
10+115.87 грн
25+93.48 грн
50+78.40 грн
100+67.35 грн
250+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP6NC60HD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9E8D24380D2&compId=stgp6nc60hd.pdf?ci_sign=14f10daaefb180d1d04f25c96ca03690c410a029
STGP6NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.53 грн
100+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7H60DF en.DM00164492.pdf
STGP7H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 7A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 28A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.64 грн
10+77.40 грн
50+73.38 грн
150+66.34 грн
500+61.32 грн
1000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGP7NC60HD description STGP7NC60HD.pdf
STGP7NC60HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 14A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.38 грн
10+110.65 грн
50+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP8NC60KD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9640D2&compId=stgp8nc60kd.pdf?ci_sign=dcccd3bae1e3b9490df458967865813570b8353d
STGP8NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.22 грн
10+86.64 грн
50+68.35 грн
100+62.32 грн
500+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGW19NC60HD en.CD00144165.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW19NC60HD THT IGBT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.14 грн
7+194.00 грн
17+183.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20IH125DF en.DM00095632.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.16 грн
6+212.09 грн
16+200.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60V en.CD00003669.pdf
STGW20NC60V
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.26 грн
10+238.00 грн
30+200.03 грн
120+167.86 грн
300+149.77 грн
510+145.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20NC60VD description STGW20NC60VD.pdf
STGW20NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.79 грн
10+174.32 грн
30+142.74 грн
90+122.63 грн
120+120.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW20V60DF en.DM00079434.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW20V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.90 грн
7+196.01 грн
17+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW28IH125DF en.DM00095615.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW28IH125DF THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.96 грн
6+231.19 грн
15+218.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF98C0D2&compId=stgw30h60dfb.pdf?ci_sign=4a35b0e4dbdcd5731a839f704c5683cf3ba4fc12
STGW30H60DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.15 грн
10+209.81 грн
30+174.90 грн
120+129.67 грн
510+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H65FB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD82FF2A775ED3A0D2&compId=stgw30h65fb.pdf?ci_sign=ea25e6199fe27e90535ba94f936116779c74811b
STGW30H65FB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.67 грн
5+275.57 грн
10+237.22 грн
30+186.96 грн
120+184.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC120HD STGW30NC120HD.pdf
STGW30NC120HD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 220W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 220W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.46 грн
2+324.63 грн
3+297.53 грн
10+262.35 грн
25+255.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60KD STGW30NC60KD.pdf
STGW30NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.48 грн
10+366.39 грн
30+273.41 грн
90+211.09 грн
120+201.04 грн
510+180.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30NC60WD STGW30NC60WD-dte.pdf
STGW30NC60WD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.74 грн
10+369.52 грн
20+312.61 грн
30+282.46 грн
120+267.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30V60DF stgb30v60df.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW30V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.49 грн
6+236.22 грн
14+223.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.09 грн
10+284.97 грн
30+254.31 грн
120+227.17 грн
510+207.07 грн
2010+198.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1158.28 грн
2+685.53 грн
5+648.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40H65DFB STGW40H65DFB.pdf
STGW40H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.45 грн
10+157.62 грн
30+143.74 грн
90+140.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40NC60KD en.CD00201325.pdf
STGW40NC60KD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 38A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 38A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.44 грн
3+438.41 грн
10+391.01 грн
30+372.92 грн
120+334.72 грн
600+323.67 грн
1200+312.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW40V60DF stgw40v60df.pdf
STGW40V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.58 грн
5+295.41 грн
10+258.33 грн
30+202.04 грн
60+179.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
STGW60H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.27 грн
3+374.74 грн
10+308.59 грн
30+238.23 грн
60+232.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW60V60DF STGW60V60DF.pdf
STGW60V60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.52 грн
10+249.48 грн
30+186.96 грн
120+185.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75H65DFB2-4 stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.08 грн
2+577.24 грн
3+553.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW75M65DF2 en.DM00249589.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW75M65DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.57 грн
4+395.04 грн
9+373.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9AC1664E0D2&compId=stgw80h65dfb.pdf?ci_sign=be04296e03a4a9b687b41b78ed908309b25ccee8
STGW80H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.12 грн
5+579.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGW80V60DF en.DM00079438.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGW80V60DF THT IGBT transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+560.74 грн
3+401.07 грн
9+378.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120DF2 en.DM00066773.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.70 грн
6+232.20 грн
15+219.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 en.DM00113757.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA25M120DF3 THT IGBT transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.74 грн
4+304.57 грн
11+287.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30H65DFB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991973B519E0D78BF&compId=STGWA30H65DFB.pdf?ci_sign=0b7131cf62275bf46b46c8227fc5785f978c3e6f
STGWA30H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.48 грн
3+301.67 грн
10+257.33 грн
30+234.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.10 грн
4+316.63 грн
11+299.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2.pdf
STGWA40H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 45A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.94 грн
10+216.07 грн
30+201.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50IH65DF stgwa50ih65df.pdf
STGWA50IH65DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.69 грн
3+349.69 грн
10+311.61 грн
30+297.53 грн
120+267.38 грн
600+258.33 грн
1200+249.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.18 грн
10+271.40 грн
30+220.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75M65DF2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB67B88B8DFE0D5&compId=STGWA75M65DF2.pdf?ci_sign=cf11ecc06cba585270433b254ae659ae4d296ddb
STGWA75M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.83 грн
3+475.99 грн
10+405.09 грн
30+363.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB en.DM00236841.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STGWT40HP65FB THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.77 грн
7+179.93 грн
19+169.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
STGWT60H65DFB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.79 грн
3+344.47 грн
5+315.63 грн
10+301.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGY40NC60VD en.CD00003462.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.46 грн
3+517.74 грн
10+461.38 грн
30+440.27 грн
120+395.04 грн
600+382.97 грн
1200+368.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA50H120DF2 stgya50h120df2.pdf
STGYA50H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 535W
Case: MAX247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+699.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
STI18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.20 грн
10+134.66 грн
50+109.56 грн
100+106.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI4N62K3 en.CD00274723.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STI4N62K3 THT N channel transistors
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.69 грн
50+34.76 грн
61+19.60 грн
168+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STIEC45-30AS cd00258714.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STIEC45-30AS Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.15 грн
20+62.32 грн
53+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL20N6F7 STL20N6F7.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.50 грн
10+79.23 грн
50+58.40 грн
100+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL260N4F7 stl260n4f7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.32 грн
10+143.74 грн
100+111.57 грн
250+102.53 грн
500+96.50 грн
1000+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 en.DM00101797.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STL42P4LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.70 грн
18+66.34 грн
50+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL56N3LLH5 en.CD00297242.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STL56N3LLH5 SMD N channel transistors
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.64 грн
39+30.66 грн
108+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STL8DN6LF6AG en.DM00208902.pdf
Виробник: STMicroelectronics
STL8DN6LF6AG Multi channel transistors
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.74 грн
17+72.37 грн
46+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 270 540 810 1080 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1141 1142 1143 1144 1350 1620 1890 2160 2430 2700 2704  [ Наступна Сторінка >> ]