Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170163) > Сторінка 1145 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCT040W120G3-4AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W Polarisation: unipolar Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Kind of package: tube Version: Automotive Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 179A Case: HIP247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT040W120G3AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™ Polarisation: unipolar Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Kind of package: tube Version: Automotive Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 179A Case: HIP247™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT055HU65G3AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT060HU75G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 750V Drain current: 30A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 185W Case: HU3PAK Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT070H120G3AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT070HU120G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 223W Case: HU3PAK Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT070W120G3-4AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT1000N170 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 7A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 96W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT10N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SCT10N120AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 150W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Technology: SiC Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
SCT10N120H | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SCT20N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SCT20N120AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 153W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SCT20N120H | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 150W Case: H2PAK-2 On-state resistance: 239mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SCT30N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SCT30N120H | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 230W Case: H2PAK-2 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCT50N120 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
SCTH100N65G2-7AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH35N65G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH40N120G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 238W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH40N120G2V7AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 33A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 250W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH60N120G2-7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH70N120G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTH90N65G2V-7 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTL35N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTL90N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW100N65G2AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW35N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW35N65G2VAG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW40N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW40N120G2VAG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 290W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Technology: SiC Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW60N120G2 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW70N120G2V | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™ Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Case: HIP247™ Pulsed drain current: 274A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 91A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 547W Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTW90N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA10N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SCTWA20N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 175W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SCTWA30N120 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SCTWA35N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA35N65G2V-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA40N120G2V | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 278W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA40N120G2V-4 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 107A Power dissipation: 277W Case: HIP247-4 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA50N120 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA60N120G2-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA70N120G2V-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA90N65G2V | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SCTWA90N65G2V-4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SD2932W | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W Case: M244 Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 125V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16dB Output power: 300W Power dissipation: 500W Efficiency: 60% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SD2942W | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W Case: M244 Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 130V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 17dB Output power: 350W Power dissipation: 500W Efficiency: 61% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±40V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
SERC816 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SG2525AN | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: PWM controller Case: DIP16 Output current: 0.5A Output voltage: 0.2...5.6V Number of channels: 2 Mounting: THT Supply voltage: 8...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2256 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SG2525AP | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: PWM controller Case: SO16 Output current: 0.5A Output voltage: 0.2...5.6V Number of channels: 2 Mounting: SMD Supply voltage: 8...35V кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
SG3524N | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; DIP16; 100mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Topology: flyback; push-pull Kind of integrated circuit: PWM controller Case: DIP16 Output current: 0.1A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Application: SMPS Frequency: 0.45MHz Kind of package: tube Supply voltage: 8...40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SG3524P | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Topology: flyback; push-pull Kind of integrated circuit: PWM controller Case: SO16 Output current: 0.1A Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Application: SMPS Frequency: 0.45MHz Kind of package: tube Supply voltage: 8...40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
SGT120R65AL | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Power dissipation: 192W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SLVU2.8-4A1 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
SLVU2.8-8A1 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 8; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Mounting: SMD Max. off-state voltage: 2.8V Case: SO8 Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.2µA Kind of package: reel; tape Peak pulse power dissipation: 0.6kW Number of channels: 8 Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 836 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T100A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Max. forward impulse current: 11A Breakdown voltage: 100V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 85.5V Semiconductor structure: unidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T100CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Max. forward impulse current: 11A Breakdown voltage: 100V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 85.5V Semiconductor structure: bidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SM15T12A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; SMC; reel,tape Mounting: SMD Max. forward impulse current: 90A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: SMC Max. off-state voltage: 10.2V Semiconductor structure: unidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 599 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
SCT040W120G3-4AG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040W120G3AG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Kind of package: tube
Version: Automotive
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 179A
Case: HIP247™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT055HU65G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
SCT055HU65G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT060HU75G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 750V; 30A; Idm: 132A; 185W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 185W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT070H120G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
SCT070H120G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT070HU120G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W; HU3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 223W
Case: HU3PAK
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT070W120G3-4AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
SCT070W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT1000N170 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT10N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 24A; 150W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT10N120AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT10N120H |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT10N120H SMD N channel transistors
SCT10N120H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT20N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT20N120AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1326.82 грн |
3+ | 1209.89 грн |
25+ | 1164.16 грн |
30+ | 1157.74 грн |
510+ | 1120.13 грн |
SCT20N120H |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 45A; 150W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 150W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 239mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT30N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1901.81 грн |
2+ | 1733.86 грн |
30+ | 1605.43 грн |
SCT30N120H |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 230W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT50N120 THT N channel transistors
SCT50N120 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3224.61 грн |
30+ | 3220.03 грн |
SCTH100N65G2-7AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
SCTH100N65G2-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH35N65G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
SCTH35N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH35N65G2V-7AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
SCTH35N65G2V-7AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH40N120G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 100A; 238W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH40N120G2V7AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 92A; 250W; H2PAK7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH60N120G2-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
SCTH60N120G2-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH70N120G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
SCTH70N120G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTH90N65G2V-7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
SCTH90N65G2V-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTL35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
SCTL35N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTL90N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
SCTL90N65G2V SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW100N65G2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
SCTW100N65G2AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
SCTW35N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW35N65G2VAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
SCTW35N65G2VAG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW40N120G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW40N120G2VAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Technology: SiC
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW60N120G2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW60N120G2 THT N channel transistors
SCTW60N120G2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW70N120G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W; HIP247™
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Case: HIP247™
Pulsed drain current: 274A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 91A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 547W
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTW90N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
SCTW90N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA10N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 110W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA20N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 175W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1376.22 грн |
2+ | 1003.16 грн |
4+ | 913.72 грн |
SCTWA30N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2337.50 грн |
2+ | 2132.08 грн |
3+ | 2052.19 грн |
SCTWA35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
SCTWA35N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA35N65G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA35N65G2V-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA40N120G2V |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 108A; 278W; HIP247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 278W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA40N120G2V-4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 107A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 107A
Power dissipation: 277W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA50N120 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA50N120 THT N channel transistors
SCTWA50N120 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA60N120G2-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA60N120G2-4 THT N channel transistors
SCTWA60N120G2-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA70N120G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA70N120G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA70N120G2V-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA90N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
SCTWA90N65G2V THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCTWA90N65G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
SCTWA90N65G2V-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SD2932W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 125V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16dB
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 60%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 125V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16dB
Output power: 300W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 60%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SD2942W |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 130V; 40A; 500W; M244; Pout: 350W
Case: M244
Frequency: 175MHz
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17dB
Output power: 350W
Power dissipation: 500W
Efficiency: 61%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
Mechanical mounting: screw
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SERC816 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SERC816 Interfaces others - integrated circuits
SERC816 Interfaces others - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SG2525AN |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; DIP16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: THT
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.42 грн |
10+ | 92.41 грн |
20+ | 54.13 грн |
55+ | 50.46 грн |
SG2525AP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; PWM controller; SO16; 500mA; 0.2÷5.6V; Ch: 2; Usup: 8÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 0.2...5.6V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...35V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SG3524N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; DIP16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; DIP16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: DIP16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
9+ | 131.47 грн |
24+ | 119.26 грн |
50+ | 117.43 грн |
SG3524P |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; flyback,push-pull; PWM controller; SO16; 100mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: SO16
Output current: 0.1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: SMPS
Frequency: 0.45MHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.27 грн |
10+ | 120.04 грн |
11+ | 101.83 грн |
29+ | 96.33 грн |
100+ | 92.66 грн |
SGT120R65AL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 192W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 192W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLVU2.8-4A1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SLVU2.8-4A1 Protection diodes - arrays
SLVU2.8-4A1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLVU2.8-8A1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 2.8V
Case: SO8
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Number of channels: 8
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30A; 600W; SO8; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 2.8V
Case: SO8
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Number of channels: 8
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.99 грн |
10+ | 76.69 грн |
32+ | 34.22 грн |
87+ | 32.38 грн |
2500+ | 31.19 грн |
SM15T100A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.83 грн |
10+ | 69.64 грн |
44+ | 24.95 грн |
120+ | 23.58 грн |
SM15T100CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 100V; 11A; bidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 11A
Breakdown voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 85.5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.83 грн |
10+ | 67.83 грн |
41+ | 26.88 грн |
111+ | 25.41 грн |
SM15T12A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 10.2V
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; SMC; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 10.2V
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
10+ | 59.64 грн |
53+ | 20.46 грн |
146+ | 19.36 грн |