Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (165583) > Сторінка 1145 з 2760
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP12NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP12NM50FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 7.5A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP130N6F7 | STMicroelectronics |
STP130N6F7 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP13NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP13NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP140N6F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 3.5mΩ Power dissipation: 158W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A Case: TO220-3 Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP140NF55 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP140NF75 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 75V; 100A; 310W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ III Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP14NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP14NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP14NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 440A Gate charge: 117nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP15N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 7.6A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Gate charge: 30nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP15NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.8A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP160N3LL | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 112A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 480A Technology: STripFET™ H6 Gate charge: 42nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CP05MTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO24 Operating temperature: -40...125°C Output current: 5...100mA Output voltage: 1.3...20V Number of channels: 16 Input voltage: 3...5.5V Frequency: 30MHz Kind of integrated circuit: LED driver Integrated circuit features: shift register кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 932 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CP05TTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz Type of integrated circuit: driver Case: TSSOP24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Integrated circuit features: shift register Kind of package: reel; tape Output current: 5...100mA Output voltage: 1.3...20V Number of channels: 16 Frequency: 30MHz Kind of integrated circuit: LED driver Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CPC26PTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Operating temperature: -40...125°C Output voltage: 1.3...20V Kind of package: reel; tape Output current: 5...90mA Number of channels: 16 Input voltage: 3...5.5V Frequency: 30MHz Integrated circuit features: shift register Kind of integrated circuit: LED driver Case: QSOP24 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CPC26XTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Case: TSSOP24 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V Number of channels: 16 Frequency: 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Operating temperature: -40...125°C Output current: 5...90mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP17N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP17NK40ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9.4A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 9.4A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP18N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP18NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 35nC Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP18NM80 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.71A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP19NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.45A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP19NM50N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP200N3LL | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 176.5W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.3A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 70A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM50FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 54nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP21N90K5 | STMicroelectronics |
STP21N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP22NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC Pulsed drain current: 64A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP240N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP24NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP25N80K5 | STMicroelectronics |
STP25N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP270N8F7 | STMicroelectronics |
STP270N8F7 THT N channel transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP28N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP2N80K5 | STMicroelectronics |
STP2N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP2NK100Z | STMicroelectronics |
STP2NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP2NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP30NF10 | STMicroelectronics |
STP30NF10 THT N channel transistors |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP30NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP310N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 315W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP315N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 315W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP33N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP33N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP36NF06L | STMicroelectronics |
STP36NF06L THT N channel transistors |
на замовлення 214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STP12NM50 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.20 грн |
| 10+ | 208.24 грн |
| 25+ | 190.12 грн |
| 50+ | 181.61 грн |
| 100+ | 174.04 грн |
| 250+ | 163.63 грн |
| 300+ | 162.69 грн |
| STP12NM50FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 326.98 грн |
| 10+ | 186.63 грн |
| 50+ | 132.42 грн |
| STP130N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP130N6F7 THT N channel transistors
STP130N6F7 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.12 грн |
| 15+ | 77.56 грн |
| 40+ | 73.78 грн |
| 500+ | 73.67 грн |
| STP13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.10 грн |
| 10+ | 74.36 грн |
| 50+ | 63.28 грн |
| 100+ | 59.97 грн |
| 250+ | 55.81 грн |
| 500+ | 53.25 грн |
| 1000+ | 51.64 грн |
| STP13NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.73 грн |
| 10+ | 116.34 грн |
| STP13NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.35 грн |
| 25+ | 154.21 грн |
| 50+ | 134.31 грн |
| 100+ | 118.23 грн |
| 250+ | 116.34 грн |
| STP13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 318.83 грн |
| 10+ | 180.73 грн |
| 25+ | 159.85 грн |
| 50+ | 150.39 грн |
| 100+ | 143.77 грн |
| 250+ | 135.26 грн |
| 500+ | 130.53 грн |
| STP140N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Case: TO220-3
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.5mΩ
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Case: TO220-3
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.41 грн |
| 10+ | 126.71 грн |
| 25+ | 115.40 грн |
| 50+ | 111.61 грн |
| STP140NF55 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.96 грн |
| 10+ | 139.48 грн |
| 50+ | 113.50 грн |
| 100+ | 104.04 грн |
| 500+ | 87.97 грн |
| STP140NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 75V; 100A; 310W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 75V; 100A; 310W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 294.38 грн |
| 10+ | 248.51 грн |
| 25+ | 198.63 грн |
| 50+ | 162.69 грн |
| 100+ | 135.26 грн |
| 1000+ | 126.75 грн |
| STP14NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.47 грн |
| 10+ | 159.12 грн |
| 25+ | 142.83 грн |
| 50+ | 135.26 грн |
| 100+ | 128.64 грн |
| 500+ | 115.40 грн |
| 1000+ | 110.67 грн |
| STP14NK50ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.91 грн |
| 50+ | 148.32 грн |
| 1000+ | 132.42 грн |
| STP14NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 373.83 грн |
| 10+ | 204.31 грн |
| 25+ | 167.42 грн |
| 50+ | 153.23 грн |
| 100+ | 142.83 грн |
| 500+ | 131.47 грн |
| STP150N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 440A
Gate charge: 117nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 440A
Gate charge: 117nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.61 грн |
| 5+ | 169.93 грн |
| STP15N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.47 грн |
| 10+ | 256.36 грн |
| 50+ | 214.71 грн |
| 100+ | 199.58 грн |
| 250+ | 182.55 грн |
| 500+ | 174.98 грн |
| STP15NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.51 грн |
| 10+ | 146.35 грн |
| 25+ | 131.47 грн |
| 50+ | 125.80 грн |
| 100+ | 119.18 грн |
| 500+ | 113.50 грн |
| STP160N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 112A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: STripFET™ H6
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 112A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: STripFET™ H6
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.49 грн |
| 5+ | 73.67 грн |
| STP16CP05MTR | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: shift register
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: shift register
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.38 грн |
| 5+ | 107.06 грн |
| 10+ | 95.53 грн |
| STP16CP05TTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: shift register
Kind of package: reel; tape
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Frequency: 30MHz
Kind of integrated circuit: LED driver
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: shift register
Kind of package: reel; tape
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Frequency: 30MHz
Kind of integrated circuit: LED driver
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.55 грн |
| 5+ | 113.94 грн |
| 10+ | 98.37 грн |
| 25+ | 87.02 грн |
| 50+ | 85.13 грн |
| STP16CPC26PTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Output voltage: 1.3...20V
Kind of package: reel; tape
Output current: 5...90mA
Number of channels: 16
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Integrated circuit features: shift register
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: QSOP24
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Output voltage: 1.3...20V
Kind of package: reel; tape
Output current: 5...90mA
Number of channels: 16
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Integrated circuit features: shift register
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: QSOP24
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.56 грн |
| 5+ | 68.76 грн |
| 10+ | 59.59 грн |
| 25+ | 52.02 грн |
| 100+ | 50.13 грн |
| STP16CPC26XTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Number of channels: 16
Frequency: 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...90mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Number of channels: 16
Frequency: 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...90mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.45 грн |
| 5+ | 64.83 грн |
| 10+ | 55.81 грн |
| 25+ | 52.97 грн |
| STP16NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.33 грн |
| 10+ | 57.26 грн |
| 25+ | 50.79 грн |
| 50+ | 47.77 грн |
| 100+ | 44.93 грн |
| 250+ | 41.33 грн |
| 500+ | 38.78 грн |
| STP17N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.19 грн |
| 5+ | 341.82 грн |
| 25+ | 290.38 грн |
| 100+ | 261.06 грн |
| 500+ | 246.87 грн |
| STP17NK40ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9.4A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9.4A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 319.85 грн |
| 10+ | 250.47 грн |
| 50+ | 202.41 грн |
| 100+ | 189.17 грн |
| 250+ | 174.04 грн |
| 500+ | 163.63 грн |
| 750+ | 159.85 грн |
| STP18N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.22 грн |
| 5+ | 127.69 грн |
| 10+ | 103.10 грн |
| STP18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.76 грн |
| 10+ | 107.06 грн |
| 50+ | 102.15 грн |
| 100+ | 98.37 грн |
| 250+ | 92.69 грн |
| 500+ | 88.91 грн |
| STP18NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.71A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 652.94 грн |
| 5+ | 245.56 грн |
| 13+ | 223.22 грн |
| STP19NF20 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.60 грн |
| 10+ | 83.49 грн |
| STP19NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.84 грн |
| 10+ | 169.93 грн |
| 25+ | 150.39 грн |
| 50+ | 140.93 грн |
| 100+ | 131.47 грн |
| 150+ | 126.75 грн |
| 250+ | 121.07 грн |
| STP200N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.40 грн |
| 10+ | 77.60 грн |
| STP20N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.38 грн |
| 10+ | 191.54 грн |
| STP20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.06 грн |
| STP20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.98 грн |
| 10+ | 106.08 грн |
| STP20NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.47 грн |
| 50+ | 196.45 грн |
| STP20NM50FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.32 грн |
| 50+ | 205.29 грн |
| STP20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.13 грн |
| 10+ | 170.91 грн |
| 50+ | 157.96 грн |
| 100+ | 142.83 грн |
| 250+ | 136.20 грн |
| 500+ | 122.02 грн |
| 1000+ | 116.34 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 436.99 грн |
| 10+ | 296.64 грн |
| 50+ | 253.49 грн |
| 100+ | 241.19 грн |
| 500+ | 212.82 грн |
| 1000+ | 200.52 грн |
| 1250+ | 197.69 грн |
| STP20NM60FP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 456.34 грн |
| 10+ | 386.02 грн |
| 25+ | 318.76 грн |
| 50+ | 271.46 грн |
| 100+ | 236.47 грн |
| 500+ | 221.33 грн |
| STP21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP21N90K5 THT N channel transistors
STP21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 520.52 грн |
| 3+ | 422.80 грн |
| 8+ | 399.15 грн |
| STP22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.56 грн |
| 10+ | 136.53 грн |
| 50+ | 119.18 грн |
| 100+ | 106.88 грн |
| STP240N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 315.77 грн |
| 2+ | 281.90 грн |
| 5+ | 244.98 грн |
| STP24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.52 грн |
| 3+ | 212.16 грн |
| 10+ | 160.80 грн |
| 50+ | 147.55 грн |
| STP24NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.48 грн |
| 5+ | 95.08 грн |
| 10+ | 72.45 грн |
| 25+ | 51.64 грн |
| 50+ | 43.79 грн |
| STP24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.64 грн |
| 5+ | 188.59 грн |
| 10+ | 156.07 грн |
| 25+ | 128.64 грн |
| 50+ | 116.34 грн |
| STP25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP25N80K5 THT N channel transistors
STP25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 343.28 грн |
| 5+ | 231.74 грн |
| 14+ | 219.44 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.34 грн |
| 10+ | 343.78 грн |
| 25+ | 300.78 грн |
| 50+ | 278.08 грн |
| 100+ | 258.22 грн |
| 250+ | 239.30 грн |
| 500+ | 229.84 грн |
| STP270N8F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP270N8F7 THT N channel transistors
STP270N8F7 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.52 грн |
| 4+ | 350.91 грн |
| 9+ | 332.00 грн |
| STP28N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.07 грн |
| 10+ | 200.38 грн |
| 50+ | 160.80 грн |
| 100+ | 151.34 грн |
| STP28N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.13 грн |
| 3+ | 193.50 грн |
| 10+ | 182.55 грн |
| STP2N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2N80K5 THT N channel transistors
STP2N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.06 грн |
| 25+ | 45.97 грн |
| 67+ | 43.42 грн |
| STP2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK100Z THT N channel transistors
STP2NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.54 грн |
| 29+ | 39.44 грн |
| 78+ | 37.27 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.04 грн |
| 10+ | 104.12 грн |
| 50+ | 87.02 грн |
| 100+ | 80.40 грн |
| 200+ | 75.67 грн |
| 500+ | 68.10 грн |
| 1000+ | 62.43 грн |
| STP30NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP30NF10 THT N channel transistors
STP30NF10 THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.90 грн |
| 25+ | 45.97 грн |
| 67+ | 43.51 грн |
| STP30NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.06 грн |
| 5+ | 163.05 грн |
| 10+ | 138.10 грн |
| 12+ | 94.59 грн |
| 33+ | 89.86 грн |
| 250+ | 86.07 грн |
| STP310N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 346.33 грн |
| 10+ | 320.21 грн |
| STP315N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 324.94 грн |
| 10+ | 282.89 грн |
| 50+ | 240.25 грн |
| 100+ | 216.60 грн |
| 500+ | 206.20 грн |
| STP33N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.31 грн |
| 10+ | 186.63 грн |
| STP33N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 343.28 грн |
| 10+ | 197.43 грн |
| 50+ | 171.20 грн |
| STP34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 781.28 грн |
| 50+ | 406.65 грн |
| 500+ | 348.08 грн |
| STP36NF06L | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP36NF06L THT N channel transistors
STP36NF06L THT N channel transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.63 грн |
| 18+ | 65.26 грн |
| 48+ | 61.48 грн |


























