Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162187) > Сторінка 1146 з 2704
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP13NK60Z | STMicroelectronics |
STP13NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP13NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP140N6F7 | STMicroelectronics |
STP140N6F7 THT N channel transistors |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP140NF55 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP140NF75 | STMicroelectronics |
STP140NF75 THT N channel transistors |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP14NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP14NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP14NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP14NM50N | STMicroelectronics |
STP14NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP15N95K5 | STMicroelectronics |
STP15N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP15NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.8A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP160N3LL | STMicroelectronics |
STP160N3LL THT N channel transistors |
на замовлення 936 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP16CP05MTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 5...100mA Case: SO24 Mounting: SMD Frequency: 30MHz Number of channels: 16 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CP05TTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 5...100mA Case: TSSOP24 Mounting: SMD Frequency: 30MHz Number of channels: 16 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP16CP05XTTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Case: TSSOP24EP Output current: 5...100mA Output voltage: 1.3...20V Number of channels: 16 Integrated circuit features: shift register Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Input voltage: 3...5.5V Frequency: 30MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
STP16CPC26PTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 5...90mA Case: QSOP24 Mounting: SMD Frequency: 30MHz Number of channels: 16 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16CPC26XTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V Number of channels: 16 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: 5...90mA Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V Frequency: 30MHz Type of integrated circuit: driver Kind of package: reel; tape Case: TSSOP24 Kind of integrated circuit: LED driver кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP16NF06 | STMicroelectronics |
STP16NF06 THT N channel transistors |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP17N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP17NK40ZFP | STMicroelectronics |
STP17NK40ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP18N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP18NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP18NM80 | STMicroelectronics |
STP18NM80 THT N channel transistors |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP19NF20 | STMicroelectronics |
STP19NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP19NM50N | STMicroelectronics |
STP19NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP200N3LL | STMicroelectronics |
STP200N3LL THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP20N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.3A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 70A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM50FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Gate charge: 53nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 54nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP21N90K5 | STMicroelectronics |
STP21N90K5 THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP22NM60N | STMicroelectronics |
STP22NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP240N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ F7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP24NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP24NM60N | STMicroelectronics |
STP24NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP25N80K5 | STMicroelectronics |
STP25N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP270N8F7 | STMicroelectronics |
STP270N8F7 THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP28N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP2N80K5 | STMicroelectronics |
STP2N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP2NK100Z | STMicroelectronics |
STP2NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP2NK90Z | STMicroelectronics |
STP2NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP30NF10 | STMicroelectronics |
STP30NF10 THT N channel transistors |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP30NF20 | STMicroelectronics |
STP30NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP310N10F7 | STMicroelectronics |
STP310N10F7 THT N channel transistors |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP315N10F7 | STMicroelectronics |
STP315N10F7 THT N channel transistors |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP33N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP33N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP36NF06L | STMicroelectronics |
STP36NF06L THT N channel transistors |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP3N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STP13NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP13NK60Z THT N channel transistors
STP13NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.64 грн |
| 9+ | 135.39 грн |
| 25+ | 127.36 грн |
| STP13NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.40 грн |
| 25+ | 163.50 грн |
| 50+ | 142.41 грн |
| 100+ | 125.36 грн |
| 250+ | 123.35 грн |
| STP13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.04 грн |
| 10+ | 191.62 грн |
| 25+ | 169.48 грн |
| 50+ | 159.45 грн |
| 100+ | 152.43 грн |
| 250+ | 143.41 грн |
| 500+ | 138.39 грн |
| STP140N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP140N6F7 THT N channel transistors
STP140N6F7 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.40 грн |
| 10+ | 129.37 грн |
| 26+ | 122.35 грн |
| STP140NF55 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.72 грн |
| 10+ | 147.88 грн |
| 50+ | 120.34 грн |
| 100+ | 110.31 грн |
| 500+ | 93.27 грн |
| STP140NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP140NF75 THT N channel transistors
STP140NF75 THT N channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.24 грн |
| 11+ | 117.33 грн |
| 28+ | 110.31 грн |
| STP14NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.20 грн |
| 10+ | 168.71 грн |
| 25+ | 151.43 грн |
| 50+ | 143.41 грн |
| 100+ | 136.39 грн |
| 500+ | 122.35 грн |
| 1000+ | 117.33 грн |
| STP14NK50ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.80 грн |
| 50+ | 157.26 грн |
| 1000+ | 140.40 грн |
| STP14NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.36 грн |
| 10+ | 216.62 грн |
| 25+ | 177.51 грн |
| 50+ | 162.46 грн |
| 100+ | 151.43 грн |
| 500+ | 139.40 грн |
| STP14NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP14NM50N THT N channel transistors
STP14NM50N THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.28 грн |
| 13+ | 98.28 грн |
| 34+ | 92.26 грн |
| STP150N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.52 грн |
| 5+ | 180.17 грн |
| STP15N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP15N95K5 THT N channel transistors
STP15N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 492.48 грн |
| 6+ | 203.58 грн |
| 17+ | 192.55 грн |
| STP15NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.8A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.36 грн |
| 10+ | 155.17 грн |
| 25+ | 139.40 грн |
| 50+ | 133.38 грн |
| 100+ | 126.36 грн |
| 500+ | 120.34 грн |
| STP160N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP160N3LL THT N channel transistors
STP160N3LL THT N channel transistors
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.28 грн |
| 10+ | 79.15 грн |
| 40+ | 78.22 грн |
| STP16CP05MTR | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: SO24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: SO24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.24 грн |
| 5+ | 113.52 грн |
| 10+ | 101.29 грн |
| STP16CP05TTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...100mA
Case: TSSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.96 грн |
| 5+ | 120.81 грн |
| 10+ | 104.30 грн |
| 25+ | 92.26 грн |
| 50+ | 90.26 грн |
| STP16CP05XTTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP24EP
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24EP; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 16; 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP24EP
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Number of channels: 16
Integrated circuit features: shift register
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP16CPC26PTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...90mA
Case: QSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; QSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 5...90mA
Case: QSOP24
Mounting: SMD
Frequency: 30MHz
Number of channels: 16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.72 грн |
| 5+ | 72.90 грн |
| 10+ | 63.18 грн |
| 25+ | 55.16 грн |
| 100+ | 53.15 грн |
| STP16CPC26XTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Number of channels: 16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...90mA
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP24
Kind of integrated circuit: LED driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP24; 5÷90mA; 1.3÷20V; Ch: 16; Uin: 3÷5.5V
Number of channels: 16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 5...90mA
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP24
Kind of integrated circuit: LED driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.24 грн |
| 5+ | 68.73 грн |
| 10+ | 59.17 грн |
| 25+ | 56.16 грн |
| STP16NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP16NF06 THT N channel transistors
STP16NF06 THT N channel transistors
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.56 грн |
| 43+ | 28.08 грн |
| 117+ | 26.58 грн |
| STP17N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.88 грн |
| 5+ | 362.42 грн |
| 25+ | 307.88 грн |
| 100+ | 276.79 грн |
| 500+ | 261.75 грн |
| STP17NK40ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP17NK40ZFP THT N channel transistors
STP17NK40ZFP THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.56 грн |
| 9+ | 146.42 грн |
| 23+ | 138.39 грн |
| STP18N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.84 грн |
| 5+ | 135.39 грн |
| 10+ | 109.31 грн |
| STP18NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.16 грн |
| 10+ | 113.52 грн |
| 50+ | 108.31 грн |
| 100+ | 104.30 грн |
| 250+ | 98.28 грн |
| 500+ | 94.27 грн |
| STP18NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP18NM80 THT N channel transistors
STP18NM80 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 676.08 грн |
| 5+ | 249.71 грн |
| 14+ | 235.67 грн |
| STP19NF20 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP19NF20 THT N channel transistors
STP19NF20 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.56 грн |
| 13+ | 94.27 грн |
| 35+ | 89.25 грн |
| STP19NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP19NM50N THT N channel transistors
STP19NM50N THT N channel transistors
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.72 грн |
| 13+ | 92.26 грн |
| 36+ | 87.25 грн |
| STP200N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP200N3LL THT N channel transistors
STP200N3LL THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.76 грн |
| 14+ | 88.25 грн |
| 38+ | 83.24 грн |
| STP20N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.80 грн |
| 10+ | 203.08 грн |
| STP20N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 409.32 грн |
| STP20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.80 грн |
| 10+ | 112.47 грн |
| STP20NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 327.24 грн |
| 10+ | 228.07 грн |
| 25+ | 198.57 грн |
| 50+ | 184.53 грн |
| 100+ | 172.49 грн |
| 250+ | 159.45 грн |
| 500+ | 150.43 грн |
| STP20NM50 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433.08 грн |
| 50+ | 208.29 грн |
| STP20NM50FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 324.00 грн |
| 50+ | 217.66 грн |
| STP20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.76 грн |
| 10+ | 181.21 грн |
| 50+ | 167.48 грн |
| 100+ | 151.43 грн |
| 250+ | 144.41 грн |
| 500+ | 129.37 грн |
| 1000+ | 123.35 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.24 грн |
| 10+ | 275.98 грн |
| 50+ | 236.67 грн |
| 100+ | 224.64 грн |
| 500+ | 199.57 грн |
| 1000+ | 187.53 грн |
| 1250+ | 183.52 грн |
| STP20NM60FP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 336.96 грн |
| 10+ | 284.31 грн |
| 25+ | 234.67 грн |
| 50+ | 200.57 грн |
| 100+ | 174.50 грн |
| 500+ | 163.47 грн |
| STP21N90K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP21N90K5 THT N channel transistors
STP21N90K5 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 551.88 грн |
| 3+ | 448.28 грн |
| 8+ | 424.21 грн |
| STP22NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP22NM60N THT N channel transistors
STP22NM60N THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.24 грн |
| 11+ | 118.34 грн |
| 28+ | 111.32 грн |
| STP240N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.80 грн |
| 2+ | 298.89 грн |
| 5+ | 259.74 грн |
| STP24N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.44 грн |
| 3+ | 224.95 грн |
| 10+ | 170.49 грн |
| 50+ | 156.45 грн |
| STP24NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.64 грн |
| 5+ | 100.81 грн |
| 10+ | 76.82 грн |
| 25+ | 54.76 грн |
| 50+ | 46.43 грн |
| STP24NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP24NM60N THT N channel transistors
STP24NM60N THT N channel transistors
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.64 грн |
| 9+ | 135.39 грн |
| 25+ | 127.36 грн |
| STP25N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP25N80K5 THT N channel transistors
STP25N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 363.96 грн |
| 5+ | 247.71 грн |
| 14+ | 233.67 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 425.52 грн |
| 10+ | 364.50 грн |
| 25+ | 318.91 грн |
| 50+ | 294.84 грн |
| 100+ | 273.78 грн |
| 250+ | 253.72 грн |
| 500+ | 243.69 грн |
| STP270N8F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP270N8F7 THT N channel transistors
STP270N8F7 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 610.20 грн |
| 4+ | 375.07 грн |
| 9+ | 354.01 грн |
| STP28N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.08 грн |
| 10+ | 212.45 грн |
| 50+ | 170.49 грн |
| 100+ | 160.46 грн |
| STP28N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.76 грн |
| 3+ | 205.16 грн |
| 10+ | 193.55 грн |
| STP2N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2N80K5 THT N channel transistors
STP2N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.56 грн |
| 25+ | 49.04 грн |
| 67+ | 46.33 грн |
| STP2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK100Z THT N channel transistors
STP2NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.93 грн |
| 29+ | 42.12 грн |
| 78+ | 39.81 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK90Z THT N channel transistors
STP2NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.80 грн |
| 24+ | 50.14 грн |
| 66+ | 47.13 грн |
| STP30NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP30NF10 THT N channel transistors
STP30NF10 THT N channel transistors
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.48 грн |
| 25+ | 48.74 грн |
| 68+ | 46.13 грн |
| STP30NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP30NF20 THT N channel transistors
STP30NF20 THT N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.40 грн |
| 12+ | 102.29 грн |
| 33+ | 96.27 грн |
| STP310N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP310N10F7 THT N channel transistors
STP310N10F7 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.88 грн |
| 4+ | 360.03 грн |
| 10+ | 339.97 грн |
| STP315N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP315N10F7 THT N channel transistors
STP315N10F7 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 392.04 грн |
| 5+ | 240.69 грн |
| 14+ | 227.65 грн |
| STP33N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.80 грн |
| 10+ | 198.91 грн |
| STP33N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 363.96 грн |
| 10+ | 209.33 грн |
| 50+ | 184.53 грн |
| STP34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 828.36 грн |
| 50+ | 431.15 грн |
| 500+ | 369.05 грн |
| STP36NF06L | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP36NF06L THT N channel transistors
STP36NF06L THT N channel transistors
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.28 грн |
| 18+ | 69.20 грн |
| 48+ | 65.19 грн |
| STP3N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.48 грн |
| 10+ | 306.18 грн |





















