Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (170163) > Сторінка 1144 з 2837
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P0109DA 5AL3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P0111DA 1AA3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P0111DA 5AL3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
P0111MA 1AA3 | STMicroelectronics |
![]() Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 25uA; TO92; THT; bulk Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.8A Load current: 0.5A Gate current: 25µA Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
P0111MN 5AA4 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P0115DA 5AL3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P0118MA 2AL3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P0118MA 5AL3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
P0130AA 2AL3 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
P6KE12CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 12V; 36A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 12V Max. forward impulse current: 36A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE150A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 150V; 2.9A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 128V Breakdown voltage: 150V Max. forward impulse current: 2.9A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE15A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 2.8A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 2.8A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE15CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 491 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE180A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 180V; 12.6A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Case: DO15 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 154V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 12.6A Breakdown voltage: 180V Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 235 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE18A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 18V; 24A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Case: DO15 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 15V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 24A Breakdown voltage: 18V Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE18CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Case: DO15 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 5.3V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 24A Breakdown voltage: 18V Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE200A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 171V Breakdown voltage: 200V Max. forward impulse current: 2.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE200CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 171V Breakdown voltage: 200V Max. forward impulse current: 2.2A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE27A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 27V; 16A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 23V Breakdown voltage: 27V Max. forward impulse current: 16A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE27CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 23V Breakdown voltage: 27V Max. forward impulse current: 16A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE300A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 256V Breakdown voltage: 300V Max. forward impulse current: 1.45A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE30A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 30V Max. forward impulse current: 14.5A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE30CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 30V Max. forward impulse current: 14.5A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE33CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 33V Max. forward impulse current: 13.1A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO15 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Tolerance: ±5% Leakage current: 0.5µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE36A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 31V Breakdown voltage: 36V Max. forward impulse current: 12A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 243 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE36CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 31V Breakdown voltage: 36V Max. forward impulse current: 12A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 512 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE39A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 11.1A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE39CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 11.1A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE400A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 342V Breakdown voltage: 400V Max. forward impulse current: 1.1A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
P6KE400CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 342V Breakdown voltage: 400V Max. forward impulse current: 1.1A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
P6KE440A | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
P6KE440CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 376V Breakdown voltage: 440V Max. forward impulse current: 1A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 869 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE47CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 40V Breakdown voltage: 47V Max. forward impulse current: 9.3A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 0.5µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
P6KE6V8A | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack Type of diode: TVS Breakdown voltage: 6.8V Semiconductor structure: unidirectional Mounting: THT Case: DO15 Max. off-state voltage: 5.8V Kind of package: Ammo Pack Peak pulse power dissipation: 0.6kW Tolerance: ±5% Max. forward impulse current: 57A Leakage current: 10µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
P6KE6V8CA | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5.8V Breakdown voltage: 6.8V Max. forward impulse current: 57A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO15 Mounting: THT Leakage current: 20µA Peak pulse power dissipation: 0.6kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3687 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PB137ACV | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT Kind of package: tube Case: TO220AB Output voltage: 13.7V Output current: 1.5A Type of integrated circuit: voltage regulator Number of channels: 1 Kind of voltage regulator: fixed; linear Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PD54008L-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Frequency: 500MHz Kind of channel: enhancement Output power: 3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17dB Efficiency: 52% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PD55015-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT Frequency: 500MHz Drain-source voltage: 40V Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14dB Output power: 15W Power dissipation: 73W Efficiency: 55% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PD55015S-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PD55025S-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PD57018-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Power dissipation: 31.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PD57030S-E | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PD57060-E | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz Drain-source voltage: 65V Drain current: 7A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.3dB Output power: 60W Power dissipation: 79W Efficiency: 54% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PKC-136 | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V Type of diode: TVS+FRD Max. off-state voltage: 700V Case: DO15 Mounting: THT Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 10µA Breakdown voltage: 160V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PM8841D | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
POWERSTEP01 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RBO08-40G | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RBO40-40G | STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™ Type of diode: TVS array Features of semiconductor devices: RBO Technology: ASD™ Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: SMD Case: D2PAK Max. forward impulse current: 120A Breakdown voltage: 35V Leakage current: 0.1mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 516 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RBO40-40G-TR | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
S2-LPQTR | STMicroelectronics |
![]() Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz Type of integrated circuit: RF transceiver Case: QFN24 Operating temperature: -40...85°C Interface: SPI; UART Transfer rate: 500kbps Kind of modulation: ASK; OOK Communictions protocol: M-Bus; SigFox Receiver sensitivity: -130dBm Transmitter output power: 10dBm Kind of module: RF Band: 1GHz Supply voltage: 1.8...3.6V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SCT012H90G3AG | STMicroelectronics | SCT012H90G3AG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT015W120G3-4AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT018H65G3AG | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7 Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 55A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 385W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 79.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 312A Case: H2PAK7 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT018W65G3-4AG | STMicroelectronics | SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT025W120G3-4AG | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT027W65G3-4AG | STMicroelectronics | SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040H120G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Kind of package: reel; tape Version: Automotive Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 156A Case: H2PAK7 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040H65G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 221W Kind of package: reel; tape Gate charge: 39.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 160A Case: H2PAK7 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SCT040HU65G3AG | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 221W Kind of package: reel; tape Gate charge: 39.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 160A Case: HU3PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
P0109DA 5AL3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0109DA5AL3 SMD/THT thyristors
P0109DA5AL3 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P0111DA 1AA3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0111DA1AA3 SMD/THT thyristors
P0111DA1AA3 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P0111DA 5AL3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0111DA5AL3 SMD/THT thyristors
P0111DA5AL3 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P0111MA 1AA3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 25uA; TO92; THT; bulk
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 25µA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 25uA; TO92; THT; bulk
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 25µA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.51 грн |
12+ | 23.91 грн |
100+ | 14.86 грн |
178+ | 6.05 грн |
487+ | 5.69 грн |
P0111MN 5AA4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0111MN5AA4 SMD/THT thyristors
P0111MN5AA4 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P0115DA 5AL3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0115DA5AL3 SMD/THT thyristors
P0115DA5AL3 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P0118MA 2AL3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0118MA2AL3 SMD/THT thyristors
P0118MA2AL3 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P0118MA 5AL3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0118MA5AL3 SMD/THT thyristors
P0118MA5AL3 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P0130AA 2AL3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P0130AA2AL3 SMD/THT thyristors
P0130AA2AL3 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE12CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 12V; 36A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 12V; 36A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
13+ | 22.01 грн |
100+ | 15.60 грн |
104+ | 10.37 грн |
286+ | 9.82 грн |
2000+ | 9.63 грн |
P6KE150A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 150V; 2.9A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 128V
Breakdown voltage: 150V
Max. forward impulse current: 2.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 150V; 2.9A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 128V
Breakdown voltage: 150V
Max. forward impulse current: 2.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
12+ | 25.72 грн |
100+ | 19.82 грн |
109+ | 10.00 грн |
299+ | 9.45 грн |
P6KE15A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 2.8A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 2.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 2.8A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 2.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.51 грн |
10+ | 31.63 грн |
25+ | 26.60 грн |
99+ | 10.89 грн |
271+ | 10.29 грн |
10000+ | 10.00 грн |
P6KE15CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.40 грн |
10+ | 34.20 грн |
100+ | 10.83 грн |
274+ | 10.27 грн |
P6KE180A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 180V; 12.6A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 154V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12.6A
Breakdown voltage: 180V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 180V; 12.6A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 154V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12.6A
Breakdown voltage: 180V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.45 грн |
10+ | 31.53 грн |
50+ | 23.85 грн |
100+ | 21.19 грн |
106+ | 10.18 грн |
290+ | 9.63 грн |
P6KE18A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18V; 24A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 24A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18V; 24A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 24A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.51 грн |
10+ | 31.63 грн |
25+ | 26.60 грн |
100+ | 18.99 грн |
103+ | 10.44 грн |
282+ | 9.87 грн |
P6KE18CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 24A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 24A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Case: DO15
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 5.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 24A
Breakdown voltage: 18V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.49 грн |
10+ | 32.39 грн |
25+ | 27.34 грн |
96+ | 11.10 грн |
265+ | 10.55 грн |
10000+ | 10.18 грн |
P6KE200A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.36 грн |
10+ | 41.92 грн |
25+ | 35.32 грн |
75+ | 14.40 грн |
205+ | 13.67 грн |
10000+ | 13.21 грн |
P6KE200CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.42 грн |
10+ | 40.58 грн |
68+ | 15.78 грн |
187+ | 14.95 грн |
P6KE27A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 27V; 16A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 27V; 16A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.52 грн |
11+ | 26.67 грн |
99+ | 10.92 грн |
272+ | 10.37 грн |
P6KE27CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27V; 16A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23V
Breakdown voltage: 27V
Max. forward impulse current: 16A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
12+ | 25.82 грн |
100+ | 18.71 грн |
105+ | 10.37 грн |
288+ | 9.82 грн |
P6KE300A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 256V
Breakdown voltage: 300V
Max. forward impulse current: 1.45A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 300V; 1.45A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 256V
Breakdown voltage: 300V
Max. forward impulse current: 1.45A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.33 грн |
10+ | 43.82 грн |
25+ | 36.88 грн |
71+ | 15.30 грн |
195+ | 14.47 грн |
10000+ | 13.94 грн |
P6KE30A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30V; 14.5A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.52 грн |
10+ | 31.25 грн |
25+ | 26.33 грн |
100+ | 10.76 грн |
274+ | 10.17 грн |
10000+ | 9.82 грн |
P6KE30CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30V; 14.5A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 14.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
13+ | 22.58 грн |
100+ | 15.23 грн |
103+ | 10.46 грн |
282+ | 9.91 грн |
1000+ | 9.54 грн |
P6KE33CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 33V; 13.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Tolerance: ±5%
Leakage current: 0.5µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.39 грн |
10+ | 30.58 грн |
100+ | 18.81 грн |
103+ | 10.46 грн |
283+ | 9.91 грн |
25000+ | 9.54 грн |
P6KE36A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
11+ | 27.72 грн |
50+ | 22.29 грн |
100+ | 20.55 грн |
101+ | 10.83 грн |
250+ | 10.73 грн |
277+ | 10.18 грн |
P6KE36CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 31V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.48 грн |
11+ | 27.06 грн |
98+ | 11.01 грн |
269+ | 10.37 грн |
P6KE39A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.54 грн |
10+ | 29.72 грн |
25+ | 25.04 грн |
100+ | 17.89 грн |
105+ | 10.27 грн |
288+ | 9.72 грн |
10000+ | 9.45 грн |
P6KE39CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.52 грн |
10+ | 32.01 грн |
100+ | 21.93 грн |
104+ | 10.46 грн |
284+ | 9.91 грн |
P6KE400A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 400V; 1.1A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE400CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 400V; 1.1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.27 грн |
10+ | 47.63 грн |
25+ | 40.09 грн |
63+ | 17.06 грн |
172+ | 16.15 грн |
2000+ | 16.05 грн |
5000+ | 15.78 грн |
P6KE440A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P6KE440A-ST Unidirectional TVS THT diodes
P6KE440A-ST Unidirectional TVS THT diodes
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.77 грн |
69+ | 15.60 грн |
190+ | 14.77 грн |
P6KE440CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 440V; 1A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.30 грн |
10+ | 45.35 грн |
25+ | 38.16 грн |
70+ | 15.32 грн |
193+ | 14.49 грн |
10000+ | 14.31 грн |
P6KE47CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47V; 9.3A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 0.5µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
P6KE6V8A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Case: DO15
Max. off-state voltage: 5.8V
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. forward impulse current: 57A
Leakage current: 10µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; DO15; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Case: DO15
Max. off-state voltage: 5.8V
Kind of package: Ammo Pack
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Tolerance: ±5%
Max. forward impulse current: 57A
Leakage current: 10µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.46 грн |
10+ | 29.63 грн |
100+ | 20.64 грн |
107+ | 10.09 грн |
293+ | 9.54 грн |
P6KE6V8CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 20µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 57A; bidirectional; ±5%; DO15; 600W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 20µA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
10+ | 35.06 грн |
50+ | 27.25 грн |
100+ | 24.77 грн |
110+ | 9.82 грн |
303+ | 9.27 грн |
PB137ACV |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 13.7V; 1.5A; TO220AB; THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Output voltage: 13.7V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.45 грн |
10+ | 82.88 грн |
18+ | 59.63 грн |
50+ | 55.96 грн |
PD54008L-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD54008L-E SMD N channel transistors
PD54008L-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD55003-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1145.04 грн |
2+ | 761.18 грн |
5+ | 692.63 грн |
PD55015-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Frequency: 500MHz
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14dB
Output power: 15W
Power dissipation: 73W
Efficiency: 55%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1883.04 грн |
2+ | 1716.71 грн |
PD55015S-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD55015S-E SMD N channel transistors
PD55015S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD55025S-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD55025S-E SMD N channel transistors
PD55025S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD57018-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD57030S-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PD57030S-E SMD N channel transistors
PD57030S-E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PD57060-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 7A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.3dB
Output power: 60W
Power dissipation: 79W
Efficiency: 54%
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PKC-136 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: TVS+FRD; 700V; DO15; Ammo Pack; 10uA; Ubr: 160V
Type of diode: TVS+FRD
Max. off-state voltage: 700V
Case: DO15
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: snubber diode; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 10µA
Breakdown voltage: 160V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.86 грн |
10+ | 60.59 грн |
29+ | 37.52 грн |
79+ | 35.41 грн |
250+ | 35.14 грн |
500+ | 34.04 грн |
PM8841D |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
PM8841D MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
POWERSTEP01 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
POWERSTEP01 Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RBO08-40G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
RBO08-40G Protection diodes - arrays
RBO08-40G Protection diodes - arrays
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 193.64 грн |
9+ | 126.60 грн |
24+ | 119.26 грн |
RBO40-40G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 35V; 120A; 1.5kW; D2PAK; Features: RBO; ASD™
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: RBO
Technology: ASD™
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Breakdown voltage: 35V
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.77 грн |
7+ | 176.24 грн |
18+ | 160.54 грн |
100+ | 159.63 грн |
200+ | 155.04 грн |
RBO40-40G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
RBO40-40G-TR Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2-LPQTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: RF transceiver; SPI,UART; QFN24; -40÷85°C; 1.8÷3.6VDC; 1GHz
Type of integrated circuit: RF transceiver
Case: QFN24
Operating temperature: -40...85°C
Interface: SPI; UART
Transfer rate: 500kbps
Kind of modulation: ASK; OOK
Communictions protocol: M-Bus; SigFox
Receiver sensitivity: -130dBm
Transmitter output power: 10dBm
Kind of module: RF
Band: 1GHz
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT012H90G3AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
SCT012H90G3AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT015W120G3-4AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
SCT015W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT018H65G3AG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W; H2PAK7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 385W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 79.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 312A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT018W65G3-4AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
SCT018W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT025W120G3-4AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
SCT025W120G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT027W65G3-4AG |
Виробник: STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
SCT027W65G3-4AG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040H120G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: reel; tape
Version: Automotive
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 156A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040H65G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; H2PAK7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: H2PAK7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SCT040HU65G3AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W; HU3PAK
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: HU3PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.