Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (165586) > Сторінка 1144 з 2760
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STM8S103F3M6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; SO20; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 16MHz Mounting: SMD Case: SO20 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 3 Number of 10bit A/D converters: 5 Family: STM8S Kind of core: 8-bit Number of 16bit timers: 2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S103F3P6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 16MHz Mounting: SMD Case: TSSOP20 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 3 Number of 10bit A/D converters: 5 Family: STM8S Kind of core: 8-bit Number of 16bit timers: 2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S105C6T3 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Case: LQFP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Supply voltage: 3...5.5V DC Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 10 Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH Clock frequency: 16MHz Kind of core: 8-bit Family: STM8S Number of 8bit timers: 1 Number of 16bit timers: 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 234 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S105C6T6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Case: LQFP48 Mounting: SMD Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Supply voltage: 3...5.5V DC Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 10 Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH Clock frequency: 16MHz Kind of core: 8-bit Family: STM8S Number of 8bit timers: 1 Number of 16bit timers: 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S105K4T6C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 16MHz Mounting: SMD Case: LQFP32 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 16kB FLASH Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 7 Family: STM8S Kind of core: 8-bit Number of 16bit timers: 3 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 249 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S105K6T6C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 16MHz Mounting: SMD Case: LQFP32 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 7 Family: STM8S Kind of core: 8-bit Number of 16bit timers: 3 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S207CBT6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: LQFP48 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 2kB EEPROM; 6kB RAM; 128kB FLASH Number of 16bit timers: 3 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 10 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S207K6T3C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: LQFP32 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 1kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH Number of 16bit timers: 3 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 7 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S207K6T6C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: LQFP32 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 1kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH Number of 16bit timers: 3 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 7 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S207R8T6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP64; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: LQFP64 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH Number of 16bit timers: 3 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 16 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S207S8T6C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP44; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: LQFP44 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH Number of 16bit timers: 3 Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 4 Number of 10bit A/D converters: 9 Family: STM8S Kind of core: 8-bit кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S903F3P6 | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 16MHz Mounting: SMD Case: TSSOP20 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 3 Number of 10bit A/D converters: 5 Family: STM8S Kind of core: 8-bit Number of 16bit timers: 2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STM8S903K3T6C | STMicroelectronics |
Category: ST microcontrollersDescription: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2 Type of integrated circuit: STM8 microcontroller Clock frequency: 16MHz Mounting: SMD Case: LQFP32 Supply voltage: 3...5.5V DC Interface: I2C; IrDA; SPI; UART Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH Number of 8bit timers: 1 Number of PWM channels: 3 Number of 10bit A/D converters: 7 Family: STM8S Kind of core: 8-bit Number of 16bit timers: 2 Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 402 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STMPS2141STR | STMicroelectronics |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 500mA; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.5A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT23-5 On-state resistance: 135mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STMPS2151STR | STMicroelectronics |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 500mA; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.5A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT23-5 On-state resistance: 135mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN1HNK60 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN1NK60Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Version: ESD Mounting: SMD Case: SOT223 Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W On-state resistance: 15Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN1NK80Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STN2NF10 | STMicroelectronics |
STN2NF10 SMD N channel transistors |
на замовлення 4161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STN3N40K3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STN3N45K3 | STMicroelectronics |
STN3N45K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STN3NF06 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 2.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2802 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4821 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STN790A | STMicroelectronics |
STN790A PNP SMD transistors |
на замовлення 484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STN83003 | STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STN93003 | STMicroelectronics |
STN93003 PNP SMD transistors |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STN951 | STMicroelectronics |
STN951 PNP SMD transistors |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP08CP05TTR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Case: TSSOP16 Mounting: SMD Number of channels: 8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: shift register Output current: 5...100mA Output voltage: 1.3...20V Input voltage: 3...5.5V Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP100N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Pulsed drain current: 320A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP100N6F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP100NF04 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP105N3LL | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.5nC Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Pulsed drain current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10N95K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 115W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2036 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK70ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5.4A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 90nC Pulsed drain current: 34A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP11N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP11NK40Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NK40ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.67A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 246 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Pulsed drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP11NM80 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP120N4F6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ H6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP120NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W Polarisation: unipolar Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Drain current: 77A Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 10.5mΩ Power dissipation: 312W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 555 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP12N120K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP12N50M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.38Ω Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M2 Drain current: 7A Pulsed drain current: 40A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP12N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP12NK30Z | STMicroelectronics |
STP12NK30Z THT N channel transistors |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STM8S103F3M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; SO20; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 5
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; SO20; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 5
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.57 грн |
| 10+ | 118.23 грн |
| STM8S103F3P6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 5
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 5
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.51 грн |
| 10+ | 121.07 грн |
| 25+ | 99.32 грн |
| 74+ | 92.69 грн |
| STM8S105C6T3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 10
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 8-bit
Family: STM8S
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 10
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 8-bit
Family: STM8S
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.36 грн |
| 5+ | 196.45 грн |
| 10+ | 173.09 грн |
| 25+ | 163.63 грн |
| STM8S105C6T6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 10
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 8-bit
Family: STM8S
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Supply voltage: 3...5.5V DC
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 10
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 8-bit
Family: STM8S
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.26 грн |
| 10+ | 203.32 грн |
| 50+ | 171.20 грн |
| 80+ | 164.58 грн |
| 250+ | 162.69 грн |
| STM8S105K4T6C | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 16kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 3
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 16kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 3
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.00 грн |
| 3+ | 198.41 грн |
| 10+ | 174.98 грн |
| 25+ | 152.28 грн |
| 100+ | 133.37 грн |
| STM8S105K6T6C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 3
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 1kB EEPROM; 2kB RAM; 32kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 3
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.35 грн |
| 5+ | 167.96 грн |
| 25+ | 148.50 грн |
| 100+ | 140.93 грн |
| STM8S207CBT6 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP48
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 2kB EEPROM; 6kB RAM; 128kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 10
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP48; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP48
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 2kB EEPROM; 6kB RAM; 128kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 10
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.23 грн |
| 5+ | 233.77 грн |
| 10+ | 217.55 грн |
| STM8S207K6T3C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 305.59 грн |
| 5+ | 286.81 грн |
| 10+ | 264.84 грн |
| 25+ | 253.49 грн |
| 100+ | 247.82 грн |
| 250+ | 238.36 грн |
| STM8S207K6T6C | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1kB EEPROM; 6kB RAM; 32kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.25 грн |
| 5+ | 190.55 грн |
| 10+ | 166.47 грн |
| 25+ | 162.69 грн |
| STM8S207R8T6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP64; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP64
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 16
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP64; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP64
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 16
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.96 грн |
| 5+ | 269.13 грн |
| 10+ | 240.25 грн |
| STM8S207S8T6C | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP44; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP44
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 9
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 24MHz; LQFP44; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 3
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP44
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART x2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
Memory: 1.5kB EEPROM; 6kB RAM; 64kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 4
Number of 10bit A/D converters: 9
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.35 грн |
| 5+ | 224.17 грн |
| 10+ | 202.41 грн |
| 25+ | 201.47 грн |
| STM8S903F3P6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 5
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; TSSOP20; 3÷5.5VDC; 8bit timers: 1
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 5
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.59 грн |
| 5+ | 123.76 грн |
| 25+ | 111.61 грн |
| 74+ | 103.10 грн |
| STM8S903K3T6C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ST microcontrollers
Description: IC: STM8 microcontroller; 16MHz; LQFP32; 3÷5.5VDC; 16bit timers: 2
Type of integrated circuit: STM8 microcontroller
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: LQFP32
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: I2C; IrDA; SPI; UART
Memory: 640B EEPROM; 1kB RAM; 8kB FLASH
Number of 8bit timers: 1
Number of PWM channels: 3
Number of 10bit A/D converters: 7
Family: STM8S
Kind of core: 8-bit
Number of 16bit timers: 2
Integrated circuit features: Beeper; IWDG; WWDG
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 152.79 грн |
| 5+ | 126.71 грн |
| 10+ | 109.72 грн |
| 25+ | 103.10 грн |
| STMPS2141STR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 500mA; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 500mA; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.75 грн |
| 10+ | 37.91 грн |
| 25+ | 33.86 грн |
| 100+ | 30.27 грн |
| 250+ | 28.09 грн |
| 500+ | 26.67 грн |
| 1000+ | 25.16 грн |
| STMPS2151STR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 500mA; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 500mA; Ch: 1; SMD; SOT23-5; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
On-state resistance: 135mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.28 грн |
| 10+ | 47.93 грн |
| 25+ | 41.71 грн |
| 100+ | 36.42 грн |
| 250+ | 33.67 грн |
| 500+ | 31.88 грн |
| 1000+ | 30.27 грн |
| STN1HNK60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.77 грн |
| 10+ | 68.86 грн |
| 20+ | 60.06 грн |
| 50+ | 52.59 грн |
| 100+ | 47.58 грн |
| 500+ | 37.93 грн |
| 1000+ | 34.52 грн |
| STN1NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.56 грн |
| 11+ | 27.31 грн |
| 12+ | 24.69 грн |
| 20+ | 22.98 грн |
| 50+ | 20.90 грн |
| 100+ | 19.67 грн |
| 200+ | 18.54 грн |
| STN1NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.06 грн |
| 10+ | 51.76 грн |
| 50+ | 44.93 грн |
| 100+ | 42.75 грн |
| 250+ | 40.01 грн |
| 500+ | 38.12 грн |
| 1000+ | 36.42 грн |
| STN2NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN2NF10 SMD N channel transistors
STN2NF10 SMD N channel transistors
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.57 грн |
| 59+ | 19.20 грн |
| 160+ | 18.16 грн |
| STN3N40K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STN3N45K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN3N45K3 SMD N channel transistors
STN3N45K3 SMD N channel transistors
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.61 грн |
| 51+ | 22.13 грн |
| 139+ | 20.90 грн |
| STN3NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.23 грн |
| 10+ | 46.26 грн |
| 52+ | 21.57 грн |
| 142+ | 20.34 грн |
| 2000+ | 19.67 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.77 грн |
| 10+ | 65.71 грн |
| 55+ | 20.24 грн |
| 151+ | 19.20 грн |
| STN3P6F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.15 грн |
| 10+ | 52.65 грн |
| 27+ | 42.47 грн |
| 72+ | 40.20 грн |
| 100+ | 39.25 грн |
| 250+ | 38.69 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 33.59 грн |
| 10+ | 30.93 грн |
| 46+ | 24.12 грн |
| 127+ | 22.80 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.89 грн |
| 10+ | 32.51 грн |
| 100+ | 24.12 грн |
| 200+ | 22.13 грн |
| 250+ | 21.47 грн |
| 500+ | 20.34 грн |
| STN790A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN790A PNP SMD transistors
STN790A PNP SMD transistors
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 76.40 грн |
| 43+ | 26.01 грн |
| 119+ | 24.59 грн |
| 1000+ | 24.56 грн |
| STN83003 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.15 грн |
| 10+ | 39.19 грн |
| 50+ | 27.90 грн |
| 100+ | 24.50 грн |
| 200+ | 21.57 грн |
| 500+ | 18.26 грн |
| 1000+ | 16.17 грн |
| STN93003 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN93003 PNP SMD transistors
STN93003 PNP SMD transistors
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.85 грн |
| 58+ | 19.48 грн |
| 158+ | 18.44 грн |
| STN951 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STN951 PNP SMD transistors
STN951 PNP SMD transistors
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.16 грн |
| 62+ | 18.26 грн |
| 169+ | 17.21 грн |
| STP08CP05TTR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Number of channels: 8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; TSSOP16; 5÷100mA; 1.3÷20V; Ch: 8; Uin: 3÷5.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Number of channels: 8
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: shift register
Output current: 5...100mA
Output voltage: 1.3...20V
Input voltage: 3...5.5V
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 61.12 грн |
| 6+ | 57.36 грн |
| 25+ | 51.08 грн |
| 100+ | 47.67 грн |
| 250+ | 44.27 грн |
| 1000+ | 42.56 грн |
| STP100N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Pulsed drain current: 320A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Pulsed drain current: 320A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.63 грн |
| 5+ | 147.34 грн |
| 10+ | 122.96 грн |
| 25+ | 121.07 грн |
| STP100N6F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.73 грн |
| 10+ | 95.53 грн |
| 50+ | 85.13 грн |
| STP100NF04 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; 300W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.27 грн |
| 3+ | 257.35 грн |
| 10+ | 206.20 грн |
| 50+ | 181.61 грн |
| STP105N3LL |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.43 грн |
| 10+ | 50.09 грн |
| 25+ | 43.51 грн |
| 50+ | 40.67 грн |
| STP10N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.56 грн |
| 10+ | 74.65 грн |
| 50+ | 63.37 грн |
| 100+ | 57.70 грн |
| 500+ | 54.86 грн |
| STP10N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 284.20 грн |
| 5+ | 246.54 грн |
| 25+ | 209.98 грн |
| 100+ | 189.17 грн |
| 500+ | 178.77 грн |
| STP10N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 5A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.73 грн |
| 10+ | 200.38 грн |
| 25+ | 182.55 грн |
| STP10NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.84 грн |
| 10+ | 133.58 грн |
| 25+ | 118.23 грн |
| 50+ | 111.61 грн |
| 100+ | 104.99 грн |
| 500+ | 89.86 грн |
| 1000+ | 84.18 грн |
| STP10NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.02 грн |
| 5+ | 166.00 грн |
| 10+ | 141.88 грн |
| 25+ | 121.07 грн |
| 50+ | 108.77 грн |
| 100+ | 99.32 грн |
| 500+ | 82.29 грн |
| STP10NK70ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.25 грн |
| 10+ | 201.36 грн |
| 25+ | 169.31 грн |
| 50+ | 153.23 грн |
| 100+ | 139.04 грн |
| 250+ | 124.85 грн |
| 500+ | 115.40 грн |
| STP10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 152.79 грн |
| 500+ | 140.46 грн |
| STP10NK80ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.86 грн |
| 10+ | 188.23 грн |
| 25+ | 171.20 грн |
| 50+ | 161.74 грн |
| 100+ | 153.23 грн |
| 250+ | 143.77 грн |
| STP10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.87 грн |
| 10+ | 141.44 грн |
| 25+ | 121.07 грн |
| 50+ | 111.61 грн |
| 100+ | 104.99 грн |
| 1000+ | 92.69 грн |
| STP11N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.18 грн |
| 10+ | 92.33 грн |
| 50+ | 76.61 грн |
| 100+ | 71.89 грн |
| 250+ | 66.21 грн |
| 500+ | 65.26 грн |
| STP11NK40Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.54 грн |
| 5+ | 130.64 грн |
| 50+ | 57.70 грн |
| STP11NK40ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.87 грн |
| 5+ | 149.30 грн |
| 10+ | 115.40 грн |
| 25+ | 87.97 грн |
| 50+ | 77.56 грн |
| 100+ | 72.83 грн |
| STP11NK50Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.08 грн |
| 10+ | 175.82 грн |
| 14+ | 82.29 грн |
| 38+ | 77.56 грн |
| STP11NK50ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.10 грн |
| 10+ | 131.62 грн |
| 18+ | 65.26 грн |
| 47+ | 61.48 грн |
| STP11NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.03 грн |
| 10+ | 208.24 грн |
| 25+ | 186.33 грн |
| 50+ | 176.88 грн |
| 100+ | 166.47 грн |
| 250+ | 153.23 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| STP11NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 323.92 грн |
| 25+ | 169.93 грн |
| 50+ | 158.90 грн |
| 100+ | 155.12 грн |
| 500+ | 144.72 грн |
| 1000+ | 140.93 грн |
| 2000+ | 136.20 грн |
| STP11NM60ND |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.48 грн |
| 10+ | 230.83 грн |
| 50+ | 192.01 грн |
| 100+ | 180.66 грн |
| 500+ | 154.18 грн |
| 1000+ | 141.88 грн |
| 1250+ | 139.04 грн |
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 346.33 грн |
| 6+ | 193.50 грн |
| 17+ | 175.93 грн |
| 1250+ | 172.15 грн |
| 1500+ | 170.26 грн |
| 2000+ | 169.31 грн |
| STP120N4F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ H6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ H6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.46 грн |
| 10+ | 93.31 грн |
| 15+ | 74.72 грн |
| 41+ | 70.94 грн |
| 500+ | 69.05 грн |
| STP120NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Drain current: 77A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Drain current: 77A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.09 грн |
| 3+ | 293.69 грн |
| 10+ | 231.74 грн |
| 11+ | 102.15 грн |
| 30+ | 96.48 грн |
| STP12N120K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 649.88 грн |
| 3+ | 433.17 грн |
| 8+ | 394.42 грн |
| STP12N50M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 103.90 грн |
| 10+ | 93.31 грн |
| 50+ | 81.34 грн |
| 100+ | 63.37 грн |
| 250+ | 61.48 грн |
| STP12N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.12 грн |
| 10+ | 80.54 грн |
| 25+ | 69.05 грн |
| 50+ | 66.21 грн |
| STP12NK30Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP12NK30Z THT N channel transistors
STP12NK30Z THT N channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.98 грн |
| 19+ | 61.48 грн |
| 50+ | 57.70 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 309.66 грн |
| 10+ | 198.41 грн |
| 25+ | 175.93 грн |
| 50+ | 165.53 грн |
| 100+ | 155.12 грн |
| 250+ | 141.88 грн |
| 500+ | 131.47 грн |






















