Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162187) > Сторінка 1147 з 2704
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP3NK60Z | STMicroelectronics |
STP3NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP3NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP3NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP3NK90Z | STMicroelectronics |
STP3NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP3NK90ZFP | STMicroelectronics |
STP3NK90ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP40NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 28mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP40NF10L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A On-state resistance: 36mΩ Gate-source voltage: ±17V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP40NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP45N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP45NF06 | STMicroelectronics |
STP45NF06 THT N channel transistors |
на замовлення 179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP46NF30 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220-3 Technology: STripFET™ II Gate charge: 90nC On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 27A Pulsed drain current: 168A Drain-source voltage: 300V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP50N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 137A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP50NF25 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 250V; 28A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 28A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 68.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP55NF06FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP55NF06L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP57N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP5N80K5 | STMicroelectronics |
STP5N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP5NK100Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 1kV Version: ESD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 2.2A On-state resistance: 3.7Ω Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP5NK50Z | STMicroelectronics |
STP5NK50Z THT N channel transistors |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP5NK50ZFP | STMicroelectronics |
STP5NK50ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP5NK52ZD | STMicroelectronics |
STP5NK52ZD THT N channel transistors |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP5NK60Z | STMicroelectronics |
STP5NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 154 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP5NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP60NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP60NF06L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 387 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP60NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 66A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 508 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP6N95K5 | STMicroelectronics |
STP6N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP75NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 47A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP75NF75 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP7NK40Z | STMicroelectronics |
STP7NK40Z THT N channel transistors |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP7NK80Z | STMicroelectronics |
STP7NK80Z THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP80NF03L-04 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP80NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP80NF10FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STP80NF12 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP80NF55-08 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP8NK100Z | STMicroelectronics |
STP8NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP8NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP8NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP8NM50N | STMicroelectronics |
STP8NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP9NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.2A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP9NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP9NK60Z | STMicroelectronics |
STP9NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP9NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP9NK65Z | STMicroelectronics |
STP9NK65Z THT N channel transistors |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP9NK65ZFP | STMicroelectronics |
STP9NK65ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP9NK70ZFP | STMicroelectronics |
STP9NK70ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STP3NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK60Z THT N channel transistors
STP3NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.60 грн |
| 32+ | 37.81 грн |
| 87+ | 35.70 грн |
| STP3NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.88 грн |
| 10+ | 81.44 грн |
| 25+ | 73.01 грн |
| 50+ | 68.90 грн |
| 100+ | 65.09 грн |
| 250+ | 59.87 грн |
| 500+ | 55.96 грн |
| STP3NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.24 грн |
| 10+ | 108.10 грн |
| 25+ | 81.33 грн |
| 50+ | 62.38 грн |
| 100+ | 51.55 грн |
| 500+ | 49.04 грн |
| STP3NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK90Z THT N channel transistors
STP3NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.28 грн |
| 26+ | 46.13 грн |
| 72+ | 43.12 грн |
| STP3NK90ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK90ZFP THT N channel transistors
STP3NK90ZFP THT N channel transistors
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.21 грн |
| 25+ | 48.44 грн |
| 68+ | 45.73 грн |
| STP40NF10 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.32 грн |
| 5+ | 121.85 грн |
| 10+ | 102.39 грн |
| 50+ | 75.01 грн |
| 100+ | 66.19 грн |
| 500+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 52.65 грн |
| STP40NF10L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±17V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±17V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.56 грн |
| 10+ | 117.68 грн |
| 50+ | 89.25 грн |
| 100+ | 81.23 грн |
| 500+ | 68.19 грн |
| 1000+ | 63.18 грн |
| 1250+ | 62.18 грн |
| STP40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 320.76 грн |
| 10+ | 259.32 грн |
| 25+ | 204.58 грн |
| STP42N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 852.12 грн |
| 5+ | 749.83 грн |
| STP45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.84 грн |
| 10+ | 371.79 грн |
| 50+ | 316.90 грн |
| 100+ | 284.81 грн |
| 500+ | 273.78 грн |
| STP45N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 503.28 грн |
| 10+ | 416.57 грн |
| 25+ | 377.07 грн |
| STP45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 561.60 грн |
| 5+ | 438.44 грн |
| 10+ | 405.15 грн |
| STP45NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP45NF06 THT N channel transistors
STP45NF06 THT N channel transistors
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.56 грн |
| 36+ | 33.40 грн |
| 99+ | 31.59 грн |
| STP46NF30 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Technology: STripFET™ II
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 168A
Drain-source voltage: 300V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Technology: STripFET™ II
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 168A
Drain-source voltage: 300V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.84 грн |
| 10+ | 182.25 грн |
| 50+ | 151.43 грн |
| STP4N150 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 795.96 грн |
| 3+ | 709.21 грн |
| 10+ | 572.63 грн |
| 50+ | 518.48 грн |
| 250+ | 490.40 грн |
| STP4NK60Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.48 грн |
| 5+ | 87.48 грн |
| 10+ | 79.23 грн |
| 50+ | 70.20 грн |
| 100+ | 67.19 грн |
| 500+ | 60.17 грн |
| 1000+ | 57.16 грн |
| STP4NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.64 грн |
| 5+ | 121.85 грн |
| 10+ | 97.28 грн |
| 25+ | 77.22 грн |
| 50+ | 67.19 грн |
| 100+ | 62.18 грн |
| 500+ | 60.17 грн |
| STP4NK80ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.10 грн |
| 5+ | 116.33 грн |
| 10+ | 104.30 грн |
| 25+ | 86.25 грн |
| 50+ | 72.21 грн |
| 100+ | 58.17 грн |
| STP50N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 513.00 грн |
| 10+ | 295.77 грн |
| 50+ | 283.81 грн |
| STP50NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 250V; 28A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 250V; 28A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.72 грн |
| 10+ | 157.26 грн |
| 50+ | 132.38 грн |
| 100+ | 110.31 грн |
| STP55NF06FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.32 грн |
| 10+ | 95.50 грн |
| 25+ | 82.84 грн |
| 50+ | 76.72 грн |
| 100+ | 70.90 грн |
| 250+ | 63.68 грн |
| 500+ | 58.57 грн |
| STP55NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.88 грн |
| 10+ | 67.07 грн |
| 25+ | 61.37 грн |
| 50+ | 59.17 грн |
| 100+ | 56.86 грн |
| 200+ | 54.66 грн |
| 500+ | 51.65 грн |
| STP57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 761.40 грн |
| 5+ | 604.03 грн |
| 10+ | 512.46 грн |
| 50+ | 501.43 грн |
| STP5N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5N80K5 THT N channel transistors
STP5N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.52 грн |
| 11+ | 108.31 грн |
| 31+ | 103.29 грн |
| STP5NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1kV
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1kV
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.08 грн |
| 10+ | 150.43 грн |
| 15+ | 145.41 грн |
| 25+ | 140.40 грн |
| 50+ | 133.38 грн |
| 100+ | 126.36 грн |
| STP5NK50Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5NK50Z THT N channel transistors
STP5NK50Z THT N channel transistors
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.47 грн |
| 25+ | 47.64 грн |
| 69+ | 45.03 грн |
| STP5NK50ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5NK50ZFP THT N channel transistors
STP5NK50ZFP THT N channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.64 грн |
| 23+ | 52.15 грн |
| 63+ | 49.14 грн |
| STP5NK52ZD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5NK52ZD THT N channel transistors
STP5NK52ZD THT N channel transistors
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.16 грн |
| 28+ | 43.12 грн |
| 77+ | 40.11 грн |
| STP5NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5NK60Z THT N channel transistors
STP5NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.11 грн |
| 26+ | 46.83 грн |
| 70+ | 44.33 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.24 грн |
| 10+ | 140.59 грн |
| 25+ | 115.33 грн |
| 40+ | 107.31 грн |
| 50+ | 104.30 грн |
| 100+ | 94.27 грн |
| 500+ | 78.22 грн |
| STP5NK80ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.68 грн |
| 10+ | 111.43 грн |
| 25+ | 101.29 грн |
| 50+ | 97.28 грн |
| 100+ | 93.27 грн |
| 300+ | 86.25 грн |
| 500+ | 84.24 грн |
| STP60NF06 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.48 грн |
| 10+ | 87.06 грн |
| 50+ | 69.10 грн |
| 100+ | 63.98 грн |
| 500+ | 53.95 грн |
| 1000+ | 50.34 грн |
| 1250+ | 49.14 грн |
| STP60NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.36 грн |
| 5+ | 136.43 грн |
| 10+ | 116.33 грн |
| 25+ | 99.28 грн |
| 50+ | 88.25 грн |
| 100+ | 79.23 грн |
| 500+ | 64.18 грн |
| STP60NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.76 грн |
| 5+ | 210.37 грн |
| 10+ | 180.51 грн |
| 50+ | 97.28 грн |
| 100+ | 72.21 грн |
| 500+ | 64.18 грн |
| STP6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.76 грн |
| 10+ | 109.35 грн |
| 50+ | 84.24 грн |
| 100+ | 75.21 грн |
| 250+ | 73.21 грн |
| STP6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP6N95K5 THT N channel transistors
STP6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.00 грн |
| 10+ | 131.37 грн |
| 25+ | 123.35 грн |
| STP6NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.68 грн |
| 10+ | 109.35 грн |
| 25+ | 88.25 грн |
| 50+ | 74.21 грн |
| 100+ | 65.19 грн |
| 500+ | 62.18 грн |
| STP6NK90ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.42 грн |
| 4+ | 162.46 грн |
| 10+ | 135.39 грн |
| 25+ | 113.32 грн |
| 50+ | 103.29 грн |
| 100+ | 99.28 грн |
| STP75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 47A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.48 грн |
| 10+ | 238.49 грн |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.08 грн |
| 50+ | 90.60 грн |
| 2000+ | 77.22 грн |
| STP7N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.56 грн |
| 10+ | 96.85 грн |
| 25+ | 76.22 грн |
| 50+ | 59.17 грн |
| STP7N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.08 грн |
| 3+ | 165.59 грн |
| 10+ | 141.40 грн |
| 50+ | 126.36 грн |
| 250+ | 119.34 грн |
| STP7NK40Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7NK40Z THT N channel transistors
STP7NK40Z THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.28 грн |
| 23+ | 52.35 грн |
| 63+ | 49.44 грн |
| STP7NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7NK80Z THT N channel transistors
STP7NK80Z THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.56 грн |
| 14+ | 86.25 грн |
| 39+ | 81.23 грн |
| STP80NF03L-04 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.30 грн |
| 10+ | 114.33 грн |
| 50+ | 102.29 грн |
| 250+ | 100.29 грн |
| STP80NF10 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.36 грн |
| 10+ | 179.13 грн |
| 25+ | 159.45 грн |
| 40+ | 153.44 грн |
| 50+ | 150.43 грн |
| 100+ | 141.40 грн |
| 200+ | 132.38 грн |
| STP80NF10FP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP80NF12 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.00 грн |
| 10+ | 122.89 грн |
| STP80NF55-08 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.32 грн |
| 10+ | 178.08 грн |
| STP8NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP8NK100Z THT N channel transistors
STP8NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 507.60 грн |
| 9+ | 139.40 грн |
| 24+ | 131.37 грн |
| STP8NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.48 грн |
| 10+ | 90.60 грн |
| 50+ | 82.23 грн |
| 100+ | 76.22 грн |
| 500+ | 71.20 грн |
| STP8NK80ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.64 грн |
| 5+ | 212.45 грн |
| 10+ | 171.49 грн |
| 25+ | 134.38 грн |
| 50+ | 119.34 грн |
| 100+ | 112.32 грн |
| STP8NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP8NM50N THT N channel transistors
STP8NM50N THT N channel transistors
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.16 грн |
| 23+ | 53.15 грн |
| 62+ | 51.15 грн |
| STP9NK50Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.12 грн |
| 5+ | 157.26 грн |
| 10+ | 136.39 грн |
| 25+ | 119.34 грн |
| 50+ | 108.31 грн |
| 100+ | 101.29 грн |
| 250+ | 93.27 грн |
| STP9NK50ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.28 грн |
| 5+ | 133.30 грн |
| 10+ | 111.32 грн |
| 25+ | 92.26 грн |
| 50+ | 83.24 грн |
| 100+ | 76.22 грн |
| 200+ | 71.20 грн |
| STP9NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP9NK60Z THT N channel transistors
STP9NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.64 грн |
| 17+ | 74.21 грн |
| 45+ | 70.20 грн |
| STP9NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.92 грн |
| 10+ | 95.81 грн |
| 50+ | 79.23 грн |
| 100+ | 74.21 грн |
| 500+ | 66.19 грн |
| STP9NK65Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP9NK65Z THT N channel transistors
STP9NK65Z THT N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.64 грн |
| 17+ | 70.38 грн |
| 47+ | 66.54 грн |
| STP9NK65ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP9NK65ZFP THT N channel transistors
STP9NK65ZFP THT N channel transistors
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.40 грн |
| 15+ | 81.23 грн |
| 41+ | 77.22 грн |
| STP9NK70ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP9NK70ZFP THT N channel transistors
STP9NK70ZFP THT N channel transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.04 грн |
| 15+ | 83.24 грн |
| 40+ | 78.22 грн |












