Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (161816) > Сторінка 1147 з 2697
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP28N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP2N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 5nC On-state resistance: 4.5Ω Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP2NK100Z | STMicroelectronics |
STP2NK100Z THT N channel transistors |
на замовлення 194 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP2NK90Z | STMicroelectronics |
STP2NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 69 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP30NF10 | STMicroelectronics |
STP30NF10 THT N channel transistors |
на замовлення 107 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP30NF20 | STMicroelectronics |
STP30NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP310N10F7 | STMicroelectronics |
STP310N10F7 THT N channel transistors |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP315N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 315W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP33N60DM2 | STMicroelectronics |
STP33N60DM2 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP33N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP34NM60N | STMicroelectronics |
STP34NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP36NF06L | STMicroelectronics |
STP36NF06L THT N channel transistors |
на замовлення 162 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP3N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP3NK60Z | STMicroelectronics |
STP3NK60Z THT N channel transistors |
на замовлення 187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP3NK60ZFP | STMicroelectronics |
STP3NK60ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 182 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP3NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP3NK90Z | STMicroelectronics |
STP3NK90Z THT N channel transistors |
на замовлення 68 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP3NK90ZFP | STMicroelectronics |
STP3NK90ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 182 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP40NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 28mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP40NF10L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A On-state resistance: 36mΩ Gate-source voltage: ±17V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP40NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP45N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP45NF06 | STMicroelectronics |
STP45NF06 THT N channel transistors |
на замовлення 272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP46NF30 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220-3 Technology: STripFET™ II Gate charge: 90nC On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 27A Pulsed drain current: 168A Drain-source voltage: 300V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP50NF25 | STMicroelectronics |
STP50NF25 THT N channel transistors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 465 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP55NF06FP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP55NF06L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP57N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ M5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP5N80K5 | STMicroelectronics |
STP5N80K5 THT N channel transistors |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP5NK100Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 1kV Version: ESD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 2.2A On-state resistance: 3.7Ω Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP5NK50Z | STMicroelectronics |
STP5NK50Z THT N channel transistors |
на замовлення 161 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP5NK50ZFP | STMicroelectronics |
STP5NK50ZFP THT N channel transistors |
на замовлення 124 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP5NK52ZD | STMicroelectronics |
STP5NK52ZD THT N channel transistors |
на замовлення 178 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP5NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP5NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP5NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 445 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP60NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP60NF06L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 344 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP60NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 66A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 508 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP6N95K5 | STMicroelectronics |
STP6N95K5 THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP6NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 235 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP6NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP6NK90Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP75NF20 | STMicroelectronics |
STP75NF20 THT N channel transistors |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP75NF75 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP7N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperMESH5™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP7N95K3 | STMicroelectronics |
STP7N95K3 THT N channel transistors |
на замовлення 97 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP7NK40Z | STMicroelectronics |
STP7NK40Z THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| STP28N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.14 грн |
| 10+ | 212.01 грн |
| 50+ | 170.46 грн |
| 100+ | 158.57 грн |
| STP28N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.94 грн |
| 3+ | 202.75 грн |
| 10+ | 191.27 грн |
| STP2N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.36 грн |
| 10+ | 47.14 грн |
| 50+ | 44.50 грн |
| STP2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK100Z THT N channel transistors
STP2NK100Z THT N channel transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.82 грн |
| 29+ | 41.53 грн |
| 78+ | 39.25 грн |
| STP2NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP2NK90Z THT N channel transistors
STP2NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.00 грн |
| 24+ | 49.55 грн |
| 66+ | 46.58 грн |
| STP30NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP30NF10 THT N channel transistors
STP30NF10 THT N channel transistors
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.54 грн |
| 25+ | 48.07 грн |
| 68+ | 45.49 грн |
| STP30NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP30NF20 THT N channel transistors
STP30NF20 THT N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.33 грн |
| 12+ | 100.10 грн |
| 33+ | 95.14 грн |
| STP310N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP310N10F7 THT N channel transistors
STP310N10F7 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.86 грн |
| 4+ | 354.80 грн |
| 10+ | 335.97 грн |
| STP315N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.47 грн |
| 10+ | 296.40 грн |
| 50+ | 251.73 грн |
| 100+ | 226.95 грн |
| 500+ | 217.04 грн |
| STP33N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP33N60DM2 THT N channel transistors
STP33N60DM2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 314.85 грн |
| 6+ | 208.12 грн |
| 16+ | 197.22 грн |
| STP33N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 359.68 грн |
| 10+ | 206.86 грн |
| 50+ | 182.35 грн |
| STP34NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP34NM60N THT N channel transistors
STP34NM60N THT N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 864.51 грн |
| 4+ | 303.26 грн |
| 11+ | 286.42 грн |
| STP36NF06L | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP36NF06L THT N channel transistors
STP36NF06L THT N channel transistors
на замовлення 162 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.39 грн |
| 22+ | 54.41 грн |
| 60+ | 51.44 грн |
| STP3N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 379.96 грн |
| 10+ | 302.58 грн |
| STP3NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK60Z THT N channel transistors
STP3NK60Z THT N channel transistors
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.25 грн |
| 32+ | 37.26 грн |
| 87+ | 35.28 грн |
| STP3NK60ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK60ZFP THT N channel transistors
STP3NK60ZFP THT N channel transistors
на замовлення 182 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.52 грн |
| 27+ | 44.40 грн |
| 73+ | 42.02 грн |
| STP3NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.61 грн |
| 10+ | 106.83 грн |
| 25+ | 80.37 грн |
| 50+ | 61.64 грн |
| 100+ | 50.94 грн |
| 500+ | 48.46 грн |
| STP3NK90Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK90Z THT N channel transistors
STP3NK90Z THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.66 грн |
| 26+ | 45.59 грн |
| 72+ | 42.62 грн |
| STP3NK90ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP3NK90ZFP THT N channel transistors
STP3NK90ZFP THT N channel transistors
на замовлення 182 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.92 грн |
| 25+ | 47.77 грн |
| 68+ | 45.09 грн |
| STP40NF10 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.36 грн |
| 5+ | 120.41 грн |
| 10+ | 101.19 грн |
| 50+ | 74.13 грн |
| 100+ | 65.41 грн |
| 500+ | 52.33 грн |
| 1000+ | 52.03 грн |
| STP40NF10L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±17V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±17V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.25 грн |
| 10+ | 116.30 грн |
| 50+ | 88.20 грн |
| 100+ | 80.28 грн |
| 500+ | 67.39 грн |
| 1000+ | 62.44 грн |
| 1250+ | 61.45 грн |
| STP40NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.99 грн |
| 10+ | 256.26 грн |
| 25+ | 202.18 грн |
| STP42N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 842.10 грн |
| 5+ | 744.09 грн |
| STP45N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 424.78 грн |
| 10+ | 367.42 грн |
| 50+ | 313.17 грн |
| 100+ | 281.46 грн |
| 500+ | 270.56 грн |
| STP45N60DM6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 497.36 грн |
| 10+ | 411.67 грн |
| 25+ | 372.64 грн |
| STP45NF06 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP45NF06 THT N channel transistors
STP45NF06 THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.51 грн |
| 36+ | 32.61 грн |
| 99+ | 30.92 грн |
| STP46NF30 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Technology: STripFET™ II
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 168A
Drain-source voltage: 300V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Technology: STripFET™ II
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 168A
Drain-source voltage: 300V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.05 грн |
| 10+ | 180.11 грн |
| 50+ | 149.65 грн |
| STP4N150 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 786.60 грн |
| 3+ | 700.87 грн |
| 10+ | 565.89 грн |
| 50+ | 512.38 грн |
| 250+ | 484.63 грн |
| STP4NK60Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.27 грн |
| 5+ | 95.92 грн |
| 10+ | 83.74 грн |
| 50+ | 62.83 грн |
| 100+ | 54.90 грн |
| 500+ | 43.61 грн |
| 1000+ | 42.52 грн |
| STP4NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.90 грн |
| 10+ | 94.68 грн |
| 25+ | 74.33 грн |
| 50+ | 63.43 грн |
| 100+ | 59.46 грн |
| STP4NK80Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.06 грн |
| 10+ | 81.72 грн |
| 50+ | 65.81 грн |
| 100+ | 60.75 грн |
| 200+ | 55.90 грн |
| 500+ | 52.82 грн |
| STP4NK80ZFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.83 грн |
| 3+ | 147.17 грн |
| 5+ | 121.90 грн |
| 50+ | 79.28 грн |
| STP50NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP50NF25 THT N channel transistors
STP50NF25 THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.15 грн |
| 10+ | 119.92 грн |
| 27+ | 112.98 грн |
| STP55NF06 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.80 грн |
| 10+ | 62.68 грн |
| 25+ | 56.69 грн |
| 50+ | 54.11 грн |
| 100+ | 51.44 грн |
| 250+ | 47.97 грн |
| 500+ | 45.39 грн |
| STP55NF06FP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.36 грн |
| 10+ | 94.38 грн |
| 25+ | 81.86 грн |
| 50+ | 75.82 грн |
| 100+ | 70.07 грн |
| 250+ | 62.93 грн |
| 500+ | 57.88 грн |
| STP55NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 39A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.05 грн |
| 10+ | 57.22 грн |
| 25+ | 52.43 грн |
| 50+ | 50.44 грн |
| 100+ | 48.56 грн |
| 200+ | 46.58 грн |
| 500+ | 44.00 грн |
| STP57N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 768.45 грн |
| 5+ | 561.93 грн |
| 10+ | 495.53 грн |
| STP5N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5N80K5 THT N channel transistors
STP5N80K5 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.52 грн |
| 11+ | 107.03 грн |
| 31+ | 101.09 грн |
| STP5NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1kV
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1kV
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.99 грн |
| 10+ | 148.66 грн |
| 15+ | 143.70 грн |
| 25+ | 138.75 грн |
| 50+ | 131.81 грн |
| 100+ | 124.87 грн |
| STP5NK50Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5NK50Z THT N channel transistors
STP5NK50Z THT N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.76 грн |
| 25+ | 46.98 грн |
| 69+ | 44.40 грн |
| STP5NK50ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5NK50ZFP THT N channel transistors
STP5NK50ZFP THT N channel transistors
на замовлення 124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.60 грн |
| 23+ | 51.54 грн |
| 63+ | 48.56 грн |
| STP5NK52ZD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP5NK52ZD THT N channel transistors
STP5NK52ZD THT N channel transistors
на замовлення 178 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.08 грн |
| 28+ | 42.62 грн |
| 77+ | 39.64 грн |
| STP5NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.18 грн |
| 10+ | 64.22 грн |
| 50+ | 54.51 грн |
| 100+ | 52.13 грн |
| 250+ | 46.88 грн |
| 500+ | 44.99 грн |
| 750+ | 43.80 грн |
| STP5NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.98 грн |
| 10+ | 138.94 грн |
| 25+ | 113.97 грн |
| 40+ | 106.04 грн |
| 50+ | 103.07 грн |
| 100+ | 93.16 грн |
| 500+ | 77.30 грн |
| STP5NK80ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 445 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.14 грн |
| 10+ | 110.12 грн |
| 25+ | 100.10 грн |
| 50+ | 96.13 грн |
| 100+ | 92.17 грн |
| 300+ | 85.23 грн |
| 500+ | 83.25 грн |
| STP60NF06 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.50 грн |
| 10+ | 86.04 грн |
| 50+ | 68.28 грн |
| 100+ | 63.23 грн |
| 500+ | 53.32 грн |
| 1000+ | 49.75 грн |
| 1250+ | 48.56 грн |
| STP60NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.24 грн |
| 5+ | 134.82 грн |
| 10+ | 114.96 грн |
| 25+ | 98.11 грн |
| 50+ | 87.21 грн |
| 100+ | 78.29 грн |
| 500+ | 63.43 грн |
| STP60NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 66A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.94 грн |
| 5+ | 207.89 грн |
| 10+ | 178.39 грн |
| 50+ | 96.13 грн |
| 100+ | 71.36 грн |
| 500+ | 63.43 грн |
| STP6N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.49 грн |
| 10+ | 104.98 грн |
| STP6N95K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP6N95K5 THT N channel transistors
STP6N95K5 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.46 грн |
| 10+ | 128.84 грн |
| 25+ | 121.90 грн |
| STP6NK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.60 грн |
| 10+ | 100.86 грн |
| 25+ | 81.27 грн |
| 50+ | 68.38 грн |
| 100+ | 60.45 грн |
| 500+ | 56.49 грн |
| STP6NK60ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.62 грн |
| 10+ | 95.71 грн |
| 50+ | 87.21 грн |
| 100+ | 83.25 грн |
| 500+ | 69.37 грн |
| 750+ | 66.40 грн |
| 1000+ | 63.43 грн |
| STP6NK90Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP6NK90ZFP | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.22 грн |
| 4+ | 160.55 грн |
| 10+ | 133.79 грн |
| 25+ | 111.99 грн |
| 50+ | 102.08 грн |
| 100+ | 98.11 грн |
| STP75NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP75NF20 THT N channel transistors
STP75NF20 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 328.73 грн |
| 5+ | 248.76 грн |
| 13+ | 234.88 грн |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.21 грн |
| 50+ | 89.54 грн |
| 2000+ | 76.31 грн |
| STP7N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.34 грн |
| 10+ | 83.36 грн |
| STP7N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.84 грн |
| 3+ | 163.64 грн |
| 10+ | 139.74 грн |
| 50+ | 124.87 грн |
| 250+ | 117.94 грн |
| STP7N95K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7N95K3 THT N channel transistors
STP7N95K3 THT N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.40 грн |
| 11+ | 113.97 грн |
| 29+ | 108.03 грн |
| STP7NK40Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STP7NK40Z THT N channel transistors
STP7NK40Z THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.79 грн |
| 23+ | 51.54 грн |
| 63+ | 48.76 грн |














