Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (133460) > Сторінка 384 з 2225

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TS4061BICT-1.25 TS4061BICT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 10505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+44.24 грн
25+39.83 грн
100+32.83 грн
250+30.66 грн
500+29.35 грн
1000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.25 TS4061BICT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.81 грн
6000+28.01 грн
9000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 TS4061BILT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.69 грн
10+43.17 грн
25+38.85 грн
100+32.02 грн
250+29.89 грн
500+28.61 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 TS4061BILT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST FERD30SM100ST STMicroelectronics en.DM00155256.pdf Description: DIODE FERD 100V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LF50CV-DG LF50CV-DG STMicroelectronics en.CD00000546.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 500MA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 76dB ~ 60dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2 STF12N65M2 STMicroelectronics en.DM00152663.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.06 грн
10+116.53 грн
50+88.67 грн
100+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2 STF13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133025.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 STF18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132600.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 STF33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 STMicroelectronics en.DM00158277.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 STFW2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115969.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.26 грн
30+123.58 грн
60+110.97 грн
120+94.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 STFW40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.62 грн
30+266.68 грн
60+242.67 грн
120+208.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5 STFW45N65M5 STMicroelectronics en.DM00072250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL30C60-H STGIPL30C60-H STMicroelectronics DM00083056.pdf Description: MOD IPM SLLIMM 8PHASE 38SDIP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPS10C60T-H STMicroelectronics Description: IGBT IPM 600V 10A 25-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFB STMicroelectronics Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2 STGWA15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2 STGWA25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.14 грн
30+259.09 грн
120+216.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2 STGWA25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STI40N65M2 STI40N65M2 STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N8F6 STP100N8F6 STMicroelectronics en.DM00131264.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
на замовлення 18045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.36 грн
10+108.28 грн
50+82.07 грн
100+69.07 грн
500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 STP13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N4LF6 STP160N4LF6 STMicroelectronics STP160N4LF6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 STP18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.40 грн
10+153.13 грн
50+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AG STP265N6F6AG STMicroelectronics STP265N6F6AG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 STP33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.52 грн
10+224.19 грн
50+174.75 грн
100+149.07 грн
500+122.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2 STP40N65M2 STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120SFP STPS20SM120SFP STMicroelectronics en.DM00050163.pdf Description: DIODE SCHOTT 120V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120ST STPS20SM120ST STMicroelectronics en.DM00050163.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120SFP STPS30SM120SFP STMicroelectronics en.DM00050160.pdf Description: DIODE SCHOTTK 120V 30A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.10 грн
50+62.03 грн
100+55.44 грн
500+41.17 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS41H100CTY STPS41H100CTY STMicroelectronics en.DM00024413.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.13 грн
10+111.33 грн
50+84.66 грн
100+71.37 грн
500+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTY STPSC20H065CTY STMicroelectronics en.DM00123409.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12D STTH15S12D STMicroelectronics en.DM00124752.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 33366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.16 грн
10+108.66 грн
50+82.45 грн
100+69.44 грн
500+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12W STTH15S12W STMicroelectronics en.DM00124752.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30S12W STTH30S12W STMicroelectronics en.DM00124835.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH31AC06SWL STTH31AC06SWL STMicroelectronics en.DM00135050.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.54 грн
10+217.31 грн
100+178.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60AC06CWL STTH60AC06CWL STMicroelectronics en.DM00088638.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH75S12W STTH75S12W STMicroelectronics en.DM00124839.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 75A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.62 грн
30+223.99 грн
120+185.86 грн
510+148.19 грн
1020+138.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D STTH8S12D STMicroelectronics en.DM00124704.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.88 грн
50+50.95 грн
100+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2 STU13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.19 грн
30+197.80 грн
60+179.07 грн
120+153.25 грн
510+129.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2 STW40N65M2 STMicroelectronics en.DM00158279.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.42 грн
30+266.96 грн
60+242.96 грн
120+209.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4 STW56N60M2-4 STMicroelectronics en.DM00127606.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.94 грн
30+433.99 грн
60+397.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics en.DM00151747.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.06 грн
30+455.01 грн
60+417.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LDFMPVR LDFMPVR STMicroelectronics en.DM00063302.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 800 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good
PSRR: 62dB ~ 55dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STM32746G-EVAL2 STM32746G-EVAL2 STMicroelectronics en.DM00172912.pdf Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Utilized IC / Part: STM32 F7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STM32756G-EVAL2 STM32756G-EVAL2 STMicroelectronics en.DM00172858.pdf Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: STM32 F7
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39280.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K M95M02-DWMN3TP/K STMicroelectronics en.DM00132783.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+264.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K M95M02-DWMN3TP/K STMicroelectronics en.DM00132783.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.17 грн
10+309.47 грн
25+300.33 грн
50+275.29 грн
100+268.77 грн
250+260.18 грн
500+249.58 грн
1000+243.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LF247DT LF247DT STMicroelectronics en.CD00000452.pdf Description: IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.4mA (x4 Channels)
Slew Rate: 16V/µs
Gain Bandwidth Product: 4 MHz
Current - Input Bias: 20 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 44 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 14448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
10+69.69 грн
25+63.18 грн
100+52.59 грн
250+49.40 грн
500+47.48 грн
1000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM124DT LM124DT STMicroelectronics en.CD00001046.pdf Description: IC OP AMP 4CH 14-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Current - Supply: 1.5mA
Slew Rate: 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.3 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.66 грн
10+98.72 грн
25+89.83 грн
100+75.13 грн
250+70.75 грн
500+68.12 грн
1000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM201ADT LM201ADT STMicroelectronics en.CD00000871.pdf Description: IC OP AMP 1CH 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.8mA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 25 nA
Voltage - Input Offset: 700 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 30 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.05 грн
10+64.26 грн
25+58.20 грн
100+48.37 грн
250+45.39 грн
500+43.59 грн
1000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM239APT LM239APT STMicroelectronics en.CD00000460.pdf Description: IC COMPARATOR 4CH 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 32V, ±1V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Current - Quiescent (Max): 2mA
Voltage - Input Offset (Max): 2mV @ 30V
Current - Input Bias (Max): 0.1µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.12 грн
14+23.08 грн
25+20.57 грн
100+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ST8034HNQR ST8034HNQR STMicroelectronics en.DM00082475.pdf Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 24QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3V, 5V
Applications: Smart Card
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.47 грн
10+80.00 грн
25+72.59 грн
100+60.49 грн
250+56.85 грн
500+54.65 грн
1000+53.23 грн
2500+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS272AIDT TS272AIDT STMicroelectronics en.CD00000495.pdf Description: IC OP AMP 2CH 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS272CDT TS272CDT STMicroelectronics en.CD00000495.pdf Description: IC OP AMP 2CH 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.1 mV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.93 грн
10+39.50 грн
25+35.58 грн
100+29.31 грн
250+27.36 грн
500+26.18 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS274AIDT TS274AIDT STMicroelectronics en.CD00000496.pdf Description: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.18 грн
10+53.34 грн
25+48.17 грн
100+39.88 грн
250+37.34 грн
500+35.81 грн
1000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.25 en.DM00114435.pdf
TS4061BICT-1.25
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 10505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.27 грн
10+44.24 грн
25+39.83 грн
100+32.83 грн
250+30.66 грн
500+29.35 грн
1000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.25 en.DM00114435.pdf
TS4061BICT-1.25
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.81 грн
6000+28.01 грн
9000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 en.DM00114435.pdf
TS4061BILT-1.25
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.69 грн
10+43.17 грн
25+38.85 грн
100+32.02 грн
250+29.89 грн
500+28.61 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 en.DM00114435.pdf
TS4061BILT-1.25
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Current - Cathode: 12 µA
Current - Output: 15 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST en.DM00155256.pdf
FERD30SM100ST
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE FERD 100V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LF50CV-DG en.CD00000546.pdf
LF50CV-DG
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG LINEAR 5V 500MA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 76dB ~ 60dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2 en.DM00152663.pdf
STF12N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.06 грн
10+116.53 грн
50+88.67 грн
100+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2 en.DM00133025.pdf
STF13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 en.DM00132600.pdf
STF18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 en.DM00151754.pdf
STF33N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 en.DM00158277.pdf
STF40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 en.DM00115969.pdf
STFW2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.26 грн
30+123.58 грн
60+110.97 грн
120+94.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 en.DM00116766.pdf
STFW40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.62 грн
30+266.68 грн
60+242.67 грн
120+208.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5 en.DM00072250.pdf
STFW45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL30C60-H DM00083056.pdf
STGIPL30C60-H
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOD IPM SLLIMM 8PHASE 38SDIP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPS10C60T-H
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT IPM 600V 10A 25-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2 en.DM00109377.pdf
STGWA15H120F2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2 en.DM00066775.pdf
STGWA25H120DF2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+472.14 грн
30+259.09 грн
120+216.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2 en.DM00109190.pdf
STGWA25H120F2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
STI18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STI40N65M2 en.DM00159990.pdf
STI40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N8F6 en.DM00131264.pdf
STP100N8F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
на замовлення 18045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.36 грн
10+108.28 грн
50+82.07 грн
100+69.07 грн
500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 en.DM00133031.pdf
STP13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N4LF6 STP160N4LF6.pdf
STP160N4LF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 en.DM00132456.pdf
STP18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.40 грн
10+153.13 грн
50+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AG STP265N6F6AG.pdf
STP265N6F6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 en.DM00151754.pdf
STP33N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.52 грн
10+224.19 грн
50+174.75 грн
100+149.07 грн
500+122.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2 en.DM00159990.pdf
STP40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120SFP en.DM00050163.pdf
STPS20SM120SFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTT 120V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120ST en.DM00050163.pdf
STPS20SM120ST
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120SFP en.DM00050160.pdf
STPS30SM120SFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTK 120V 30A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.10 грн
50+62.03 грн
100+55.44 грн
500+41.17 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS41H100CTY en.DM00024413.pdf
STPS41H100CTY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.13 грн
10+111.33 грн
50+84.66 грн
100+71.37 грн
500+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTY en.DM00123409.pdf
STPSC20H065CTY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12D en.DM00124752.pdf
STTH15S12D
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 33366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.16 грн
10+108.66 грн
50+82.45 грн
100+69.44 грн
500+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12W en.DM00124752.pdf
STTH15S12W
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30S12W en.DM00124835.pdf
STTH30S12W
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH31AC06SWL en.DM00135050.pdf
STTH31AC06SWL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.54 грн
10+217.31 грн
100+178.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60AC06CWL en.DM00088638.pdf
STTH60AC06CWL
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH75S12W en.DM00124839.pdf
STTH75S12W
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 75A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.62 грн
30+223.99 грн
120+185.86 грн
510+148.19 грн
1020+138.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D en.DM00124704.pdf
STTH8S12D
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.88 грн
50+50.95 грн
100+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2 en.DM00133031.pdf
STU13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 en.DM00150353.pdf
STW28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+368.19 грн
30+197.80 грн
60+179.07 грн
120+153.25 грн
510+129.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2 en.DM00158279.pdf
STW40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.42 грн
30+266.96 грн
60+242.96 грн
120+209.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2-4 en.DM00127606.pdf
STW56N60M2-4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+764.94 грн
30+433.99 грн
60+397.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 en.DM00151747.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+799.06 грн
30+455.01 грн
60+417.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LDFMPVR en.DM00063302.pdf
LDFMPVR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG LIN POS ADJ 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 800 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable, Power Good
PSRR: 62dB ~ 55dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STM32746G-EVAL2 en.DM00172912.pdf
STM32746G-EVAL2
Виробник: STMicroelectronics
Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Utilized IC / Part: STM32 F7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STM32756G-EVAL2 en.DM00172858.pdf
STM32756G-EVAL2
Виробник: STMicroelectronics
Description: STM32 F7 EVAL BRD
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: ARM® Cortex®-M7
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: STM32 F7
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+39280.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K en.DM00132783.pdf
M95M02-DWMN3TP/K
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+264.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M95M02-DWMN3TP/K en.DM00132783.pdf
M95M02-DWMN3TP/K
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.17 грн
10+309.47 грн
25+300.33 грн
50+275.29 грн
100+268.77 грн
250+260.18 грн
500+249.58 грн
1000+243.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LF247DT en.CD00000452.pdf
LF247DT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.4mA (x4 Channels)
Slew Rate: 16V/µs
Gain Bandwidth Product: 4 MHz
Current - Input Bias: 20 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 44 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 14448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
10+69.69 грн
25+63.18 грн
100+52.59 грн
250+49.40 грн
500+47.48 грн
1000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM124DT en.CD00001046.pdf
LM124DT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OP AMP 4CH 14-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Current - Supply: 1.5mA
Slew Rate: 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.3 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.66 грн
10+98.72 грн
25+89.83 грн
100+75.13 грн
250+70.75 грн
500+68.12 грн
1000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM201ADT en.CD00000871.pdf
LM201ADT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OP AMP 1CH 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 1.8mA
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 25 nA
Voltage - Input Offset: 700 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 30 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.05 грн
10+64.26 грн
25+58.20 грн
100+48.37 грн
250+45.39 грн
500+43.59 грн
1000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM239APT en.CD00000460.pdf
LM239APT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC COMPARATOR 4CH 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 32V, ±1V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Current - Quiescent (Max): 2mA
Voltage - Input Offset (Max): 2mV @ 30V
Current - Input Bias (Max): 0.1µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.12 грн
14+23.08 грн
25+20.57 грн
100+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ST8034HNQR en.DM00082475.pdf
ST8034HNQR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 24QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3V, 5V
Applications: Smart Card
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.47 грн
10+80.00 грн
25+72.59 грн
100+60.49 грн
250+56.85 грн
500+54.65 грн
1000+53.23 грн
2500+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS272AIDT en.CD00000495.pdf
TS272AIDT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OP AMP 2CH 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS272CDT en.CD00000495.pdf
TS272CDT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC OP AMP 2CH 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 1mA (x2 Channels)
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.1 mV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.93 грн
10+39.50 грн
25+35.58 грн
100+29.31 грн
250+27.36 грн
500+26.18 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS274AIDT en.CD00000496.pdf
TS274AIDT
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 1mA
Slew Rate: 5.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 900 µV
Supplier Device Package: 14-SO
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 45 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 16 V
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.18 грн
10+53.34 грн
25+48.17 грн
100+39.88 грн
250+37.34 грн
500+35.81 грн
1000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.