Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (133460) > Сторінка 382 з 2225

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW12N120K5 STW12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95K5 STW40N95K5 STMicroelectronics en.DM00119299.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 100 V
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1264.05 грн
30+722.17 грн
120+659.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TN5050H-12WY TN5050H-12WY STMicroelectronics en.DM00131778.pdf Description: SCR 1.2KV 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 580A, 633A
Current - On State (It (AV)) (Max): 51 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.55 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 80 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.89 грн
30+290.95 грн
120+243.45 грн
510+195.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A2 TS110-8A2 STMicroelectronics en.DM00122969.pdf Description: SCR HIGH SURGE 1.25A TO92
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A2-AP TS110-8A2-AP STMicroelectronics en.DM00122969.pdf Description: SCR 800V 1.25A TO92-3
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.48 грн
10+53.79 грн
100+41.25 грн
500+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A2-AP TS110-8A2-AP STMicroelectronics en.DM00122969.pdf Description: SCR 800V 1.25A TO92-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3STF1640 3STF1640 STMicroelectronics en.DM00064237.pdf Description: TRANS NPN 40V 6A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L6984ATR L6984ATR STMicroelectronics en.DM00097304.pdf Description: IC REG BCK ADJ/0.9V 0.4A 10VDFPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable (Fixed)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 600kHz
Voltage - Input (Max): 36V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-VDFPN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 28V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V (3.3V)
Part Status: Active
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.32 грн
10+111.18 грн
25+101.47 грн
100+85.16 грн
250+80.36 грн
500+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L6984ATR L6984ATR STMicroelectronics en.DM00097304.pdf Description: IC REG BCK ADJ/0.9V 0.4A 10VDFPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable (Fixed)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 600kHz
Voltage - Input (Max): 36V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-VDFPN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 28V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V (3.3V)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7987LTR L7987LTR STMicroelectronics en.DM00116750.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 2A 16HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 61V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-HTSSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 61V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.96 грн
10+143.50 грн
25+131.37 грн
100+110.76 грн
250+104.78 грн
500+102.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7987LTR L7987LTR STMicroelectronics en.DM00116750.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 2A 16HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 61V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-HTSSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 61V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A STMicroelectronics en.DM00116400.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.55 грн
100+52.66 грн
500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A MJB44H11T4-A STMicroelectronics en.DM00116400.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.42 грн
2000+34.95 грн
3000+33.42 грн
5000+29.75 грн
7000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.17 грн
10+219.00 грн
50+170.34 грн
100+145.14 грн
500+124.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N65M2 STB33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.01 грн
10+233.06 грн
50+182.41 грн
100+155.87 грн
500+138.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N65M2 STB33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2 STD12N65M2 STMicroelectronics en.DM00152661.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2 STD12N65M2 STMicroelectronics en.DM00152661.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N4F6AG STD130N4F6AG STMicroelectronics en.DM00157454.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2 STD13N65M2 STMicroelectronics en.DM00153162.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.81 грн
10+104.99 грн
50+79.59 грн
100+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2 STD13N65M2 STMicroelectronics en.DM00153162.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N60M2 STD16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.29 грн
10+98.65 грн
50+74.61 грн
100+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N60M2 STD16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 STMicroelectronics en.DM00101433.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.71 грн
10+112.02 грн
50+84.92 грн
100+71.50 грн
500+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 STD35P6LLF6 STMicroelectronics en.DM00101433.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.53 грн
7500+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD46P4LLF6 STD46P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00104682.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.86 грн
10+85.35 грн
100+57.51 грн
500+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD46P4LLF6 STD46P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00104682.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD52P3LLH6 STD52P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00105885.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.13 грн
10+79.47 грн
100+53.39 грн
500+39.60 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD52P3LLH6 STD52P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00105885.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH160N4LF6-2 STH160N4LF6-2 STMicroelectronics STH160N4LF6-2.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-2AG STH175N4F6-2AG STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-6AG STH175N4F6-6AG STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-6 STH185N10F3-6 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH245N75F3-6 STH245N75F3-6 STMicroelectronics en.DM00114770.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH265N6F6-6AG STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-2AG STH275N8F7-2AG STMicroelectronics en.DM00149381.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.34 грн
10+304.42 грн
50+240.65 грн
100+206.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-2AG STH275N8F7-2AG STMicroelectronics en.DM00149381.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AG STH275N8F7-6AG STMicroelectronics en.DM00149381.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.89 грн
10+259.26 грн
50+203.54 грн
100+174.21 грн
500+157.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AG STH275N8F7-6AG STMicroelectronics en.DM00149381.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N65M2 STL13N65M2 STMicroelectronics en.DM00152696.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N65M2 STL13N65M2 STMicroelectronics en.DM00152696.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2 STL18N65M2 STMicroelectronics en.DM00110867.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.57 грн
10+155.27 грн
50+119.42 грн
100+101.23 грн
500+82.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2 STL18N65M2 STMicroelectronics en.DM00110867.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 STL42P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101797.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.11 грн
10+96.89 грн
50+73.26 грн
100+61.60 грн
500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 STL42P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00101797.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL62P3LLH6 STL62P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00105886.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P3LLH6 STS10P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00105887.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.71 грн
10+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P3LLH6 STS10P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00105887.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P4LLF6 STS10P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00104687.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
10+72.90 грн
100+48.71 грн
500+35.98 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P4LLF6 STS10P4LLF6 STMicroelectronics en.DM00104687.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30ST06GY-TR STTH30ST06GY-TR STMicroelectronics en.DM00092041.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8UF TS110-8UF STMicroelectronics en.DM00122969.pdf Description: SCR 800V 1.25A SMBFLAT-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 12 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 21A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Supplier Device Package: SMBflat-3L
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 8546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.35 грн
10+47.99 грн
100+31.50 грн
500+22.91 грн
1000+20.76 грн
2000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8UF TS110-8UF STMicroelectronics en.DM00122969.pdf Description: SCR 800V 1.25A SMBFLAT-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 12 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 21A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Supplier Device Package: SMBflat-3L
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BALF-NRF01E3 BALF-NRF01E3 STMicroelectronics en.DM00142059.pdf Description: BALUN 2.4GHZ-2.54GHZ 6XFLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.54GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / -Ohm
Insertion Loss (Max): 2.2dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 4°
на замовлення 51101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.68 грн
10+38.05 грн
25+25.43 грн
50+21.24 грн
100+19.46 грн
250+17.47 грн
500+16.82 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BALF-NRF01E3 BALF-NRF01E3 STMicroelectronics en.DM00142059.pdf Description: BALUN 2.4GHZ-2.54GHZ 6XFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.54GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / -Ohm
Insertion Loss (Max): 2.2dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 4°
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.08 грн
10000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBTVS2A12-1F3 CBTVS2A12-1F3 STMicroelectronics DM00116557.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 15VC FLIPCHIP
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBTVS2A12-1F3 CBTVS2A12-1F3 STMicroelectronics DM00116557.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 15VC FLIPCHIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDARF02-1BU2 ESDARF02-1BU2 STMicroelectronics en.brhealth.pdf Description: TVS DIODE 3VWM 30VC ST0201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.24pF @ 200MHz ~ 3GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: ST0201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 27520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.15 грн
16+20.02 грн
100+10.12 грн
500+7.75 грн
1000+5.75 грн
2000+4.84 грн
5000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDARF02-1BU2 ESDARF02-1BU2 STMicroelectronics en.brhealth.pdf Description: TVS DIODE 3VWM 30VC ST0201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.24pF @ 200MHz ~ 3GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: ST0201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12N120K5 en.DM00036727.pdf
STW12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N95K5 en.DM00119299.pdf
STW40N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 100 V
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1264.05 грн
30+722.17 грн
120+659.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TN5050H-12WY en.DM00131778.pdf
TN5050H-12WY
Виробник: STMicroelectronics
Description: SCR 1.2KV 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 580A, 633A
Current - On State (It (AV)) (Max): 51 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.55 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 80 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.89 грн
30+290.95 грн
120+243.45 грн
510+195.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A2 en.DM00122969.pdf
TS110-8A2
Виробник: STMicroelectronics
Description: SCR HIGH SURGE 1.25A TO92
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A2-AP en.DM00122969.pdf
TS110-8A2-AP
Виробник: STMicroelectronics
Description: SCR 800V 1.25A TO92-3
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.48 грн
10+53.79 грн
100+41.25 грн
500+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8A2-AP en.DM00122969.pdf
TS110-8A2-AP
Виробник: STMicroelectronics
Description: SCR 800V 1.25A TO92-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3STF1640 en.DM00064237.pdf
3STF1640
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 40V 6A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L6984ATR en.DM00097304.pdf
L6984ATR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG BCK ADJ/0.9V 0.4A 10VDFPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable (Fixed)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 600kHz
Voltage - Input (Max): 36V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-VDFPN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 28V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V (3.3V)
Part Status: Active
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.32 грн
10+111.18 грн
25+101.47 грн
100+85.16 грн
250+80.36 грн
500+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L6984ATR en.DM00097304.pdf
L6984ATR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG BCK ADJ/0.9V 0.4A 10VDFPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable (Fixed)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 600kHz
Voltage - Input (Max): 36V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-VDFPN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 28V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V (3.3V)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7987LTR en.DM00116750.pdf
L7987LTR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG BUCK ADJ 2A 16HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 61V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-HTSSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 61V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.96 грн
10+143.50 грн
25+131.37 грн
100+110.76 грн
250+104.78 грн
500+102.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7987LTR en.DM00116750.pdf
L7987LTR
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG BUCK ADJ 2A 16HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 61V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-HTSSOP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 61V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A en.DM00116400.pdf
MJB44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.55 грн
10+78.55 грн
100+52.66 грн
500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4-A en.DM00116400.pdf
MJB44H11T4-A
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+39.42 грн
2000+34.95 грн
3000+33.42 грн
5000+29.75 грн
7000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.17 грн
10+219.00 грн
50+170.34 грн
100+145.14 грн
500+124.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N65M2 en.DM00151754.pdf
STB33N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.01 грн
10+233.06 грн
50+182.41 грн
100+155.87 грн
500+138.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N65M2 en.DM00151754.pdf
STB33N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+133.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2 en.DM00152661.pdf
STD12N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N65M2 en.DM00152661.pdf
STD12N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD130N4F6AG en.DM00157454.pdf
STD130N4F6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2 en.DM00153162.pdf
STD13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.81 грн
10+104.99 грн
50+79.59 грн
100+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N65M2 en.DM00153162.pdf
STD13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N60M2 en.DM00148347.pdf
STD16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.29 грн
10+98.65 грн
50+74.61 грн
100+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N60M2 en.DM00148347.pdf
STD16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 en.DM00101433.pdf
STD35P6LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.71 грн
10+112.02 грн
50+84.92 грн
100+71.50 грн
500+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6 en.DM00101433.pdf
STD35P6LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.53 грн
7500+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD46P4LLF6 en.DM00104682.pdf
STD46P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.86 грн
10+85.35 грн
100+57.51 грн
500+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD46P4LLF6 en.DM00104682.pdf
STD46P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD52P3LLH6 en.DM00105885.pdf
STD52P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.13 грн
10+79.47 грн
100+53.39 грн
500+39.60 грн
1000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD52P3LLH6 en.DM00105885.pdf
STD52P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH160N4LF6-2 STH160N4LF6-2.pdf
STH160N4LF6-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-2AG
STH175N4F6-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH175N4F6-6AG
STH175N4F6-6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7735 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-6
STH185N10F3-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH245N75F3-6 en.DM00114770.pdf
STH245N75F3-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH265N6F6-6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-2AG en.DM00149381.pdf
STH275N8F7-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+471.34 грн
10+304.42 грн
50+240.65 грн
100+206.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-2AG en.DM00149381.pdf
STH275N8F7-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AG en.DM00149381.pdf
STH275N8F7-6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.89 грн
10+259.26 грн
50+203.54 грн
100+174.21 грн
500+157.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH275N8F7-6AG en.DM00149381.pdf
STH275N8F7-6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+149.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N65M2 en.DM00152696.pdf
STL13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL13N65M2 en.DM00152696.pdf
STL13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2 en.DM00110867.pdf
STL18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.57 грн
10+155.27 грн
50+119.42 грн
100+101.23 грн
500+82.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2 en.DM00110867.pdf
STL18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 en.DM00101797.pdf
STL42P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.11 грн
10+96.89 грн
50+73.26 грн
100+61.60 грн
500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6 en.DM00101797.pdf
STL42P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL62P3LLH6 en.DM00105886.pdf
STL62P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P3LLH6 en.DM00105887.pdf
STS10P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.71 грн
10+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P3LLH6 en.DM00105887.pdf
STS10P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P4LLF6 en.DM00104687.pdf
STS10P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.82 грн
10+72.90 грн
100+48.71 грн
500+35.98 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS10P4LLF6 en.DM00104687.pdf
STS10P4LLF6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30ST06GY-TR en.DM00092041.pdf
STTH30ST06GY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 30A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8UF en.DM00122969.pdf
TS110-8UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: SCR 800V 1.25A SMBFLAT-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 12 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 21A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Supplier Device Package: SMBflat-3L
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 8546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.35 грн
10+47.99 грн
100+31.50 грн
500+22.91 грн
1000+20.76 грн
2000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS110-8UF en.DM00122969.pdf
TS110-8UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: SCR 800V 1.25A SMBFLAT-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 12 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 21A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Supplier Device Package: SMBflat-3L
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BALF-NRF01E3 en.DM00142059.pdf
BALF-NRF01E3
Виробник: STMicroelectronics
Description: BALUN 2.4GHZ-2.54GHZ 6XFLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.54GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / -Ohm
Insertion Loss (Max): 2.2dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 4°
на замовлення 51101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.68 грн
10+38.05 грн
25+25.43 грн
50+21.24 грн
100+19.46 грн
250+17.47 грн
500+16.82 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BALF-NRF01E3 en.DM00142059.pdf
BALF-NRF01E3
Виробник: STMicroelectronics
Description: BALUN 2.4GHZ-2.54GHZ 6XFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.54GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / -Ohm
Insertion Loss (Max): 2.2dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 4°
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.08 грн
10000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBTVS2A12-1F3 DM00116557.pdf
CBTVS2A12-1F3
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 10VWM 15VC FLIPCHIP
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBTVS2A12-1F3 DM00116557.pdf
CBTVS2A12-1F3
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 10VWM 15VC FLIPCHIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDARF02-1BU2 en.brhealth.pdf
ESDARF02-1BU2
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 3VWM 30VC ST0201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.24pF @ 200MHz ~ 3GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: ST0201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 27520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.15 грн
16+20.02 грн
100+10.12 грн
500+7.75 грн
1000+5.75 грн
2000+4.84 грн
5000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDARF02-1BU2 en.brhealth.pdf
ESDARF02-1BU2
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 3VWM 30VC ST0201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.24pF @ 200MHz ~ 3GHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: ST0201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.