Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (132172) > Сторінка 382 з 2203

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 220 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 440 660 880 1100 1320 1540 1760 1980 2200 2203  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LDP01-56AY LDP01-56AY STMicroelectronics en.DM00122355.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 76VC D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 76V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDP01-68AY LDP01-68AY STMicroelectronics en.DM00122355.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 92VC D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.75 грн
10+153.97 грн
100+111.86 грн
500+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDP01-68AY LDP01-68AY STMicroelectronics en.DM00122355.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 92VC D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.62 грн
2000+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDP01-82AY LDP01-82AY STMicroelectronics en.DM00122355.pdf Description: TVS DIODE 70VWM 113VC D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N65M2 STB24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N65M2 STB24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AG STD105N10F7AG STMicroelectronics en.DM00140777.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.58 грн
10+123.50 грн
50+94.35 грн
100+79.71 грн
500+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AG STD105N10F7AG STMicroelectronics en.DM00140777.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2 STD12N50M2 STMicroelectronics en.DM00109922.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.61 грн
10+98.97 грн
100+67.14 грн
500+50.22 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2 STD12N50M2 STMicroelectronics en.DM00109922.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.97 грн
10+112.76 грн
50+85.79 грн
100+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 STD2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE88N65M5 STE88N65M5 STMicroelectronics en.DM00108808.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 494W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N105K5 STF10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2 STF11N50M2 STMicroelectronics en.DM00107139.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.59 грн
10+158.39 грн
50+122.14 грн
100+103.64 грн
500+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 STF7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112886.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
50+124.20 грн
100+112.49 грн
500+86.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Description: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.39 грн
10+111.69 грн
100+76.08 грн
500+57.09 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Description: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ STGD19N40LZ STMicroelectronics en.DM00082246.pdf Description: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ STGD19N40LZ STMicroelectronics en.DM00082246.pdf Description: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 STH185N10F3-2 STMicroelectronics en.DM00133320.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 STH185N10F3-2 STMicroelectronics en.DM00133320.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 STMicroelectronics en.DM00111318.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.62 грн
10+215.53 грн
50+168.20 грн
100+143.55 грн
500+125.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 STMicroelectronics en.DM00111318.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 STL30P3LLH6 STMicroelectronics stl30p3llh6.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 9338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.18 грн
10+66.43 грн
100+44.24 грн
500+32.58 грн
1000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 STL30P3LLH6 STMicroelectronics stl30p3llh6.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.81 грн
6000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LL STL40C30H3LL STMicroelectronics en.DM00068911.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00064617.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 14299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.30 грн
10+70.93 грн
50+53.12 грн
100+44.44 грн
500+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 STL6P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00064617.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.01 грн
9000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5 STP10N105K5 STMicroelectronics en.DM00134103.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.59 грн
10+205.63 грн
50+160.05 грн
100+136.41 грн
500+112.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.98 грн
50+76.13 грн
100+68.25 грн
500+51.08 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N50M2 STP16N50M2 STMicroelectronics en.DM00124257.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M2 STP16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N105K5 STP2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115979.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
50+76.17 грн
100+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N105K5 STP5N105K5 STMicroelectronics en.DM00126756.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 100 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.48 грн
50+109.16 грн
100+98.65 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N105K5 STP7N105K5 STMicroelectronics en.DM00112876.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.04 грн
10+166.70 грн
50+128.75 грн
100+109.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF STPS1170AF STMicroelectronics en.DM00136811.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.51 грн
12+25.67 грн
50+18.71 грн
100+15.41 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF STPS1170AF STMicroelectronics en.DM00136811.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF STPS2170AF STMicroelectronics en.DM00136813.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.93 грн
13+24.76 грн
100+15.79 грн
500+11.16 грн
1000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF STPS2170AF STMicroelectronics en.DM00136813.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120ST STPS30SM120ST STMicroelectronics en.DM00050160.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF STPS3170AF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.89 грн
12+27.50 грн
50+20.04 грн
100+16.52 грн
500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF STPS3170AF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF STPS3170UF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 10168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
11+30.09 грн
50+21.97 грн
100+18.13 грн
500+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF STPS3170UF STMicroelectronics en.DM00136816.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR STPS4S200B-TR STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+50.59 грн
50+37.48 грн
100+31.18 грн
500+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR STPS4S200B-TR STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.54 грн
7500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF STPS4S200UF STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.38 грн
10+32.99 грн
100+21.29 грн
500+15.23 грн
1000+13.69 грн
2000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF STPS4S200UF STMicroelectronics en.DM00136818.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.18 грн
10000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR STPS640CBY-TR STMicroelectronics en.DM00091810.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR STPS640CBY-TR STMicroelectronics en.DM00091810.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH16L06CTY STTH16L06CTY STMicroelectronics stth16l06c-y.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+116.26 грн
50+88.30 грн
100+74.39 грн
500+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY STTH1L06UFY STMicroelectronics en.DM00126823.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
14+23.31 грн
100+23.12 грн
500+16.64 грн
1000+14.60 грн
2000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY STTH1L06UFY STMicroelectronics en.DM00126823.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY STTH1R06UFY STMicroelectronics en.DM00126948.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.46 грн
10+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY STTH1R06UFY STMicroelectronics en.DM00126948.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY STTH2L06UFY STMicroelectronics en.DM00127067.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+44.11 грн
100+28.77 грн
500+20.79 грн
1000+18.79 грн
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY STTH2L06UFY STMicroelectronics en.DM00127067.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2R06UFY STTH2R06UFY STMicroelectronics en.DM00127070.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+44.04 грн
50+32.46 грн
100+26.93 грн
500+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDP01-56AY en.DM00122355.pdf
LDP01-56AY
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 48VWM 76VC D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 48A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 76V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDP01-68AY en.DM00122355.pdf
LDP01-68AY
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 58VWM 92VC D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.75 грн
10+153.97 грн
100+111.86 грн
500+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDP01-68AY en.DM00122355.pdf
LDP01-68AY
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 58VWM 92VC D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+93.62 грн
2000+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDP01-82AY en.DM00122355.pdf
LDP01-82AY
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: D2PAK
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N65M2 en.DM00121015.pdf
STB24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N65M2 en.DM00121015.pdf
STB24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AG en.DM00140777.pdf
STD105N10F7AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.58 грн
10+123.50 грн
50+94.35 грн
100+79.71 грн
500+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD105N10F7AG en.DM00140777.pdf
STD105N10F7AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2 en.DM00109922.pdf
STD12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.61 грн
10+98.97 грн
100+67.14 грн
500+50.22 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50M2 en.DM00109922.pdf
STD12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 en.DM00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.97 грн
10+112.76 грн
50+85.79 грн
100+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2N105K5 en.DM00115979.pdf
STD2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STE88N65M5 en.DM00108808.pdf
STE88N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 494W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF10N105K5 en.DM00134103.pdf
STF10N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N50M2 en.DM00107139.pdf
STF11N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.59 грн
10+158.39 грн
50+122.14 грн
100+103.64 грн
500+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5 en.DM00112886.pdf
STF7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.96 грн
50+124.20 грн
100+112.49 грн
500+86.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD en.DM00049493.pdf
STGD10HF60KD
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.39 грн
10+111.69 грн
100+76.08 грн
500+57.09 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD en.DM00049493.pdf
STGD10HF60KD
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ en.DM00082246.pdf
STGD19N40LZ
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZ en.DM00082246.pdf
STGD19N40LZ
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 en.DM00133320.pdf
STH185N10F3-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH185N10F3-2 en.DM00133320.pdf
STH185N10F3-2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 en.DM00111318.pdf
STH240N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338.62 грн
10+215.53 грн
50+168.20 грн
100+143.55 грн
500+125.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH240N10F7-6 en.DM00111318.pdf
STH240N10F7-6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 stl30p3llh6.pdf
STL30P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 9338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.18 грн
10+66.43 грн
100+44.24 грн
500+32.58 грн
1000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL30P3LLH6 stl30p3llh6.pdf
STL30P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.81 грн
6000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LL en.DM00068911.pdf
STL40C30H3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 en.DM00064617.pdf
STL6P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 14299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.30 грн
10+70.93 грн
50+53.12 грн
100+44.44 грн
500+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL6P3LLH6 en.DM00064617.pdf
STL6P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.01 грн
9000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N105K5 en.DM00134103.pdf
STP10N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.59 грн
10+205.63 грн
50+160.05 грн
100+136.41 грн
500+112.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
STP12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.98 грн
50+76.13 грн
100+68.25 грн
500+51.08 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N50M2 en.DM00124257.pdf
STP16N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M2 en.DM00140964.pdf
STP16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N105K5 en.DM00115979.pdf
STP2N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.28 грн
50+76.17 грн
100+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5N105K5 en.DM00126756.pdf
STP5N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 100 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.48 грн
50+109.16 грн
100+98.65 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N105K5 en.DM00112876.pdf
STP7N105K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.04 грн
10+166.70 грн
50+128.75 грн
100+109.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF en.DM00136811.pdf
STPS1170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.51 грн
12+25.67 грн
50+18.71 грн
100+15.41 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1170AF en.DM00136811.pdf
STPS1170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 1A SMAFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAflat
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 µA @ 170 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF en.DM00136813.pdf
STPS2170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.93 грн
13+24.76 грн
100+15.79 грн
500+11.16 грн
1000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS2170AF en.DM00136813.pdf
STPS2170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 2A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.8 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120ST en.DM00050160.pdf
STPS30SM120ST
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF en.DM00136816.pdf
STPS3170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.89 грн
12+27.50 грн
50+20.04 грн
100+16.52 грн
500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170AF en.DM00136816.pdf
STPS3170AF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMAFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMAflat
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF en.DM00136816.pdf
STPS3170UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 10168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.63 грн
11+30.09 грн
50+21.97 грн
100+18.13 грн
500+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS3170UF en.DM00136816.pdf
STPS3170UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 3A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 170 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR en.DM00136818.pdf
STPS4S200B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.86 грн
10+50.59 грн
50+37.48 грн
100+31.18 грн
500+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200B-TR en.DM00136818.pdf
STPS4S200B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.54 грн
7500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF en.DM00136818.pdf
STPS4S200UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.38 грн
10+32.99 грн
100+21.29 грн
500+15.23 грн
1000+13.69 грн
2000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS4S200UF en.DM00136818.pdf
STPS4S200UF
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.18 грн
10000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR en.DM00091810.pdf
STPS640CBY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS640CBY-TR en.DM00091810.pdf
STPS640CBY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH16L06CTY stth16l06c-y.pdf
STTH16L06CTY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+116.26 грн
50+88.30 грн
100+74.39 грн
500+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY en.DM00126823.pdf
STTH1L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.69 грн
14+23.31 грн
100+23.12 грн
500+16.64 грн
1000+14.60 грн
2000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1L06UFY en.DM00126823.pdf
STTH1L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBflat
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY en.DM00126948.pdf
STTH1R06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.46 грн
10+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1R06UFY en.DM00126948.pdf
STTH1R06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY en.DM00127067.pdf
STTH2L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.58 грн
10+44.11 грн
100+28.77 грн
500+20.79 грн
1000+18.79 грн
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2L06UFY en.DM00127067.pdf
STTH2L06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2R06UFY en.DM00127070.pdf
STTH2R06UFY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 600V 2A SMBFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMBflat
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.58 грн
10+44.04 грн
50+32.46 грн
100+26.93 грн
500+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 220 377 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 440 660 880 1100 1320 1540 1760 1980 2200 2203  [ Наступна Сторінка >> ]