Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (131571) > Сторінка 389 з 2193

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 219 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 394 438 657 876 1095 1314 1533 1752 1971 2190 2193  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPTIC-82F1M6 STPTIC-82F1M6 STMicroelectronics STPTIC.pdf Description: IC TUNABLE CAP RF BST 6UQFN
Supplier Device Package: 6-UQFN (1.6x1.2)
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Frequency: 700MHz ~ 3GHz
Function: Analog Tunable Capacitor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR1P2UH7 STR1P2UH7 STMicroelectronics STR1P2UH7_Jun2015_DS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084050.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+30.47 грн
100+19.60 грн
500+13.98 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084050.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
6000+10.48 грн
9000+9.99 грн
15000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 STT4P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084060.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 17240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+36.65 грн
100+23.73 грн
500+17.05 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 STT4P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00084060.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.64 грн
6000+12.95 грн
9000+12.36 грн
15000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LICT TLVH431LICT STMicroelectronics en.DM00057412.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT323-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-6L
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
20+15.85 грн
25+14.05 грн
100+11.37 грн
250+10.50 грн
500+9.97 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LICT TLVH431LICT STMicroelectronics en.DM00057412.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT323-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-6L
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL3T TLVH431LIL3T STMicroelectronics en.DM00057412.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 288696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
19+16.08 грн
25+14.29 грн
100+11.53 грн
250+10.64 грн
500+10.11 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL3T TLVH431LIL3T STMicroelectronics en.DM00057412.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
6000+9.43 грн
9000+9.29 грн
15000+8.57 грн
21000+8.48 грн
30000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL5T TLVH431LIL5T STMicroelectronics en.DM00057412.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Tolerance: ±1.5%
Voltage - Output (Max): 18 V
Current - Output: 60 mA
Current - Cathode: 200 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL5T TLVH431LIL5T STMicroelectronics en.DM00057412.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-5
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Tolerance: ±1.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output (Max): 18 V
Current - Output: 60 mA
Current - Cathode: 200 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Reference Type: Shunt
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.225 TS4061BICT-1.225 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.225 TS4061BICT-1.225 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.25 TS4061BICT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-323-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
на замовлення 10505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+44.11 грн
25+39.71 грн
100+32.73 грн
250+30.57 грн
500+29.26 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.25 TS4061BICT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-323-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.72 грн
6000+27.93 грн
9000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 TS4061BILT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.50 грн
10+43.05 грн
25+38.73 грн
100+31.92 грн
250+29.80 грн
500+28.52 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 TS4061BILT-1.25 STMicroelectronics en.DM00114435.pdf Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST FERD30SM100ST STMicroelectronics en.DM00155256.pdf Description: DIODE FERD 100V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LF50CV-DG LF50CV-DG STMicroelectronics en.CD00000546.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 500MA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 76dB ~ 60dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2 STF12N65M2 STMicroelectronics en.DM00152663.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+114.43 грн
50+87.08 грн
100+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2 STF13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133025.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 STF18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132600.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.71 грн
10+162.35 грн
50+124.87 грн
100+105.85 грн
500+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.91 грн
50+135.05 грн
100+122.34 грн
500+93.89 грн
1000+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 STF33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.81 грн
50+150.62 грн
100+136.85 грн
500+105.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 STF40N65M2 STMicroelectronics en.DM00158277.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 STFW2N105K5 STMicroelectronics en.DM00115969.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
30+118.93 грн
120+96.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 STFW40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.28 грн
30+261.90 грн
60+238.34 грн
120+205.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5 STFW45N65M5 STMicroelectronics en.DM00072250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL30C60-H STGIPL30C60-H STMicroelectronics DM00083056.pdf Description: MOD IPM SLLIMM 8PHASE 38SDIP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPS10C60T-H STMicroelectronics Description: IGBT IPM 600V 10A 25-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFB STMicroelectronics Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2 STGWA15H120F2 STMicroelectronics en.DM00109377.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2 STGWA25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.74 грн
30+258.32 грн
120+215.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2 STGWA25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STI40N65M2 STI40N65M2 STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N8F6 STP100N8F6 STMicroelectronics en.DM00131264.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
на замовлення 18045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.85 грн
10+107.96 грн
50+81.82 грн
100+68.87 грн
500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 STP13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N4LF6 STP160N4LF6 STMicroelectronics en.DM00114754.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 STP18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.72 грн
10+150.39 грн
50+115.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AG STP265N6F6AG STMicroelectronics STP265N6F6AG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 STP33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.39 грн
50+151.47 грн
100+137.68 грн
500+106.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2 STP40N65M2 STMicroelectronics en.DM00159990.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120SFP STPS20SM120SFP STMicroelectronics en.DM00050163.pdf Description: DIODE SCHOTT 120V 20A TO220FPAB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120ST STPS20SM120ST STMicroelectronics en.DM00050163.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120SFP STPS30SM120SFP STMicroelectronics en.DM00050160.pdf Description: DIODE SCHOTTK 120V 30A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.71 грн
50+61.85 грн
100+55.28 грн
500+41.05 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS41H100CTY STPS41H100CTY STMicroelectronics en.DM00024413.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTY STPSC20H065CTY STMicroelectronics en.DM00123409.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12D STTH15S12D STMicroelectronics en.DM00124752.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 33251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.10 грн
50+79.71 грн
100+71.52 грн
500+53.66 грн
1000+49.33 грн
2000+45.69 грн
5000+41.07 грн
10000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12W STTH15S12W STMicroelectronics en.DM00124752.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 15A DO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-247
Current - Average Rectified (Io): 15A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30S12W STTH30S12W STMicroelectronics en.DM00124835.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH31AC06SWL STTH31AC06SWL STMicroelectronics en.DM00135050.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.80 грн
10+216.67 грн
100+177.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60AC06CWL STTH60AC06CWL STMicroelectronics en.DM00088638.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH75S12W STTH75S12W STMicroelectronics en.DM00124839.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 75A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.40 грн
30+223.33 грн
120+185.31 грн
510+147.75 грн
1020+138.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D STTH8S12D STMicroelectronics en.DM00124704.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
50+50.80 грн
100+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2 STU13N65M2 STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.56 грн
30+194.27 грн
60+175.86 грн
120+150.51 грн
510+127.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2 STW40N65M2 STMicroelectronics en.DM00158279.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2 STW56N60M2 STMicroelectronics en.DM00149704.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.05 грн
30+404.17 грн
60+370.63 грн
120+321.36 грн
510+278.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPTIC-82F1M6 STPTIC.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC TUNABLE CAP RF BST 6UQFN
Supplier Device Package: 6-UQFN (1.6x1.2)
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Frequency: 700MHz ~ 3GHz
Function: Analog Tunable Capacitor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR1P2UH7 STR1P2UH7_Jun2015_DS.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 en.DM00084050.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.43 грн
10+30.47 грн
100+19.60 грн
500+13.98 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STR2P3LLH6 en.DM00084050.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.90 грн
6000+10.48 грн
9000+9.99 грн
15000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 en.DM00084060.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 17240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.92 грн
10+36.65 грн
100+23.73 грн
500+17.05 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6 en.DM00084060.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.64 грн
6000+12.95 грн
9000+12.36 грн
15000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LICT en.DM00057412.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT323-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-6L
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.73 грн
20+15.85 грн
25+14.05 грн
100+11.37 грн
250+10.50 грн
500+9.97 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LICT en.DM00057412.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT323-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-323-6L
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL3T en.DM00057412.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 288696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.53 грн
19+16.08 грн
25+14.29 грн
100+11.53 грн
250+10.64 грн
500+10.11 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL3T en.DM00057412.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1.5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Reference Type: Shunt
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Part Status: Active
Current - Cathode: 200 µA
Current - Output: 60 mA
Voltage - Output (Max): 18 V
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.09 грн
6000+9.43 грн
9000+9.29 грн
15000+8.57 грн
21000+8.48 грн
30000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL5T en.DM00057412.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Tolerance: ±1.5%
Voltage - Output (Max): 18 V
Current - Output: 60 mA
Current - Cathode: 200 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431LIL5T en.DM00057412.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT ADJ 1.5% SOT23-5
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Temperature Coefficient: 100ppm/°C
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Tolerance: ±1.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output (Max): 18 V
Current - Output: 60 mA
Current - Cathode: 200 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 30mVrms
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.24V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Reference Type: Shunt
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.225 en.DM00114435.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.225 en.DM00114435.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.25 en.DM00114435.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-323-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
на замовлення 10505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.08 грн
10+44.11 грн
25+39.71 грн
100+32.73 грн
250+30.57 грн
500+29.26 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BICT-1.25 en.DM00114435.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT323-3
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Part Status: Active
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-323-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.72 грн
6000+27.93 грн
9000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 en.DM00114435.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.50 грн
10+43.05 грн
25+38.73 грн
100+31.92 грн
250+29.80 грн
500+28.52 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS4061BILT-1.25 en.DM00114435.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC VREF SHUNT 0.2% SOT23-3
Current - Output: 15 mA
Current - Cathode: 12 µA
Noise - 10Hz to 10kHz: 95µVrms
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 10µVp-p
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Reference Type: Shunt
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Temperature Coefficient: 35ppm/°C
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±0.2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST en.DM00155256.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE FERD 100V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: FERD (Field Effect Rectifier Diode)
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LF50CV-DG en.CD00000546.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC REG LINEAR 5V 500MA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 76dB ~ 60dB (120Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF12N65M2 en.DM00152663.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.34 грн
10+114.43 грн
50+87.08 грн
100+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2 en.DM00133025.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 en.DM00132600.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.71 грн
10+162.35 грн
50+124.87 грн
100+105.85 грн
500+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.91 грн
50+135.05 грн
100+122.34 грн
500+93.89 грн
1000+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N65M2 en.DM00151754.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.81 грн
50+150.62 грн
100+136.85 грн
500+105.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2 en.DM00158277.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5 en.DM00115969.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.65 грн
30+118.93 грн
120+96.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 en.DM00116766.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+476.28 грн
30+261.90 грн
60+238.34 грн
120+205.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5 en.DM00072250.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL30C60-H DM00083056.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOD IPM SLLIMM 8PHASE 38SDIP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPS10C60T-H
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT IPM 600V 10A 25-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGW30H60DLFB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA15H120F2 en.DM00109377.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120DF2 en.DM00066775.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.74 грн
30+258.32 грн
120+215.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25H120F2 en.DM00109190.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STI40N65M2 en.DM00159990.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N8F6 en.DM00131264.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
на замовлення 18045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.85 грн
10+107.96 грн
50+81.82 грн
100+68.87 грн
500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 en.DM00133031.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N4LF6 en.DM00114754.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 en.DM00132456.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.72 грн
10+150.39 грн
50+115.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP265N6F6AG STP265N6F6AG.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP33N65M2 en.DM00151754.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.39 грн
50+151.47 грн
100+137.68 грн
500+106.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2 en.DM00159990.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120SFP en.DM00050163.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTT 120V 20A TO220FPAB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20SM120ST en.DM00050163.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30SM120SFP en.DM00050160.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTK 120V 30A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 275 µA @ 120 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.71 грн
50+61.85 грн
100+55.28 грн
500+41.05 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPS41H100CTY en.DM00024413.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTY en.DM00123409.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12D en.DM00124752.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 33251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.10 грн
50+79.71 грн
100+71.52 грн
500+53.66 грн
1000+49.33 грн
2000+45.69 грн
5000+41.07 грн
10000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH15S12W en.DM00124752.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 15A DO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-247
Current - Average Rectified (Io): 15A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH30S12W en.DM00124835.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH31AC06SWL en.DM00135050.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.80 грн
10+216.67 грн
100+177.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60AC06CWL en.DM00088638.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH75S12W en.DM00124839.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 75A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.40 грн
30+223.33 грн
120+185.31 грн
510+147.75 грн
1020+138.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8S12D en.DM00124704.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.55 грн
50+50.80 грн
100+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2 en.DM00133031.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 en.DM00150353.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+361.56 грн
30+194.27 грн
60+175.86 грн
120+150.51 грн
510+127.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N65M2 en.DM00158279.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60M2 en.DM00149704.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+712.05 грн
30+404.17 грн
60+370.63 грн
120+321.36 грн
510+278.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 219 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 394 438 657 876 1095 1314 1533 1752 1971 2190 2193  Наступна Сторінка >> ]