Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25642) > Сторінка 342 з 428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 378 420 428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1SMA200ZH 1SMA200ZH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE ZENER 200V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 1500 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 152 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GLWH HS1GLWH Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLWH SERIES_A2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GLWH HS1GLWH Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLWH SERIES_A2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
17+18.25 грн
100+11.51 грн
500+8.04 грн
1000+7.15 грн
2000+6.40 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05GH TS35P05GH Taiwan Semiconductor Corporation TS35P05G SERIES_F2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.12 грн
10+145.53 грн
50+111.71 грн
100+94.60 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P06GH TS35P06GH Taiwan Semiconductor Corporation TS35P05G SERIES_F2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.12 грн
10+145.53 грн
50+111.71 грн
100+94.60 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS25PL06GH TS25PL06GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25A, 800V, STANDARD BRIDGE RECTI
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.93 грн
10+368.57 грн
100+298.13 грн
500+248.70 грн
1200+212.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FH ES1FH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.97 грн
15000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FH ES1FH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
17+18.94 грн
100+9.53 грн
500+7.92 грн
1000+6.16 грн
2000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLH ES1FLH Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 1A, 300V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL ES1FL Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 1A, 300V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH248CX Taiwan Semiconductor Corporation Description: MICROPOWER OMNI-POLAR HALL EFFEC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Test Condition: 25°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 51000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650P02CX TSM650P02CX Taiwan Semiconductor Corporation Description: -20V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6502CR TSM6502CR Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650N15CS TSM650N15CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CSC1710.pdf Description: 150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650N15CR Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRAD1045DH MBRAD1045DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1045DH_A2303.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 45V 10A THINDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ThinDPAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRAD1045DH MBRAD1045DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1045DH_A2303.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 45V 10A THINDPAK
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ThinDPAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
10+41.69 грн
100+30.95 грн
500+22.51 грн
1000+19.84 грн
2000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15P BZD27C15P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C SERIES_AB2103.pdf Description: SUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODE
Tolerance: ±6.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15PH BZD27C15PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27CH SERIES_A2103.pdf Description: DIODE ZENER 14.7V 1W SUB SMA
Tolerance: ±6.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C150PH BZD27C150PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27CH SERIES_A2103.pdf Description: SUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODE
Tolerance: ±6.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 147 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C12P BZD27C12P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 12.05V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.05 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C12P BZD27C12P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 12.05V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.05 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
13+23.67 грн
100+15.08 грн
500+10.64 грн
1000+9.51 грн
2000+8.55 грн
5000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CH C5G TSM2NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CH_A2208.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.85 грн
75+28.85 грн
150+26.05 грн
525+20.62 грн
1050+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA36CAH P4SMA36CAH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AC
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA36CAH P4SMA36CAH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
13+23.75 грн
100+11.97 грн
500+9.96 грн
1000+7.75 грн
2000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GFSH HS1GFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1DFSH SERIES_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
16+19.62 грн
100+12.40 грн
500+8.69 грн
1000+7.74 грн
2000+6.93 грн
5000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GH HS1GH Taiwan Semiconductor Corporation HS1AH SERIES_B2401.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.55 грн
15000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GH HS1GH Taiwan Semiconductor Corporation HS1AH SERIES_B2401.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.34 грн
18+17.41 грн
100+10.97 грн
500+7.66 грн
1000+6.81 грн
2000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GALH HS1GALH Taiwan Semiconductor Corporation HS1DALH SERIES_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GALH HS1GALH Taiwan Semiconductor Corporation HS1DALH SERIES_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.13 грн
18+17.79 грн
100+11.23 грн
500+7.87 грн
1000+7.01 грн
2000+6.28 грн
5000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL HS1GL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GLH HS1GLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1ALH SERIES_A2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6A100G 6A100G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G SERIES_F2104.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 6A R6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+43.22 грн
50+31.84 грн
100+26.41 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF20AH SMF20AH Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0AH SERIES_A2103.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF20A RVG SMF20A RVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF20AHRVG SMF20AHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR1030 C0G SR1030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1020%20SERIES_L2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR1030HC0G SR1030HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1020%20SERIES_L2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C4V7 RBG BZY55C4V7 RBG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4 SERIES_E2301.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW 805
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C4V7 RBG BZY55C4V7 RBG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4 SERIES_E2301.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW 805
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V
на замовлення 14233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
30+10.31 грн
106+2.90 грн
500+2.66 грн
1000+2.60 грн
2000+2.57 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS15PL05G TS15PL05G Taiwan Semiconductor Corporation TS15PL05G SERIES_H2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.56 грн
10+276.71 грн
100+198.86 грн
500+155.46 грн
1200+143.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SA64AH SA64AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 64VWM 103VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 103V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK520CH SK520CH Taiwan Semiconductor Corporation SK52CH SERIES_C2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.89 грн
100+22.53 грн
500+16.13 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C SK520C Taiwan Semiconductor Corporation SK52C SERIES_S2311.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.89 грн
100+22.53 грн
500+16.13 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2J HS2J Taiwan Semiconductor Corporation HS2A SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2J HS2J Taiwan Semiconductor Corporation HS2A SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
17+18.86 грн
100+11.29 грн
500+9.82 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C15 Taiwan Semiconductor Corporation FAIRS25080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX55C2V4%20-%20BZX55C56.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL206H GBL206H Taiwan Semiconductor Corporation GBL201 SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.90 грн
100+29.38 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL204H GBL204H Taiwan Semiconductor Corporation GBL201 SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.90 грн
100+29.38 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL207H GBL207H Taiwan Semiconductor Corporation GBL201 SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.90 грн
100+29.38 грн
500+21.33 грн
1200+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFG TSM2311CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFG TSM2311CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B18 BZX79B18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4%20SERIES_G2304.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B18 A0G BZX79B18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4 SERIES_G2304.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD RF Taiwan Semiconductor Corporation Description: SOT-363, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD RF Taiwan Semiconductor Corporation Description: SOT-363, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD Taiwan Semiconductor Corporation BAT54T%20SERIES_H2111.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD-G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CV RGG TSM070NH04CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CV_A2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CV RGG TSM070NH04CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CV_A2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 25 V
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
10+63.45 грн
100+42.25 грн
500+31.11 грн
1000+28.36 грн
2000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA200ZH
1SMA200ZH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 1500 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 152 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GLWH HS1DLWH SERIES_A2103.pdf
HS1GLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GLWH HS1DLWH SERIES_A2103.pdf
HS1GLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
17+18.25 грн
100+11.51 грн
500+8.04 грн
1000+7.15 грн
2000+6.40 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P05GH TS35P05G SERIES_F2203.pdf
TS35P05GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.12 грн
10+145.53 грн
50+111.71 грн
100+94.60 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS35P06GH TS35P05G SERIES_F2203.pdf
TS35P06GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.12 грн
10+145.53 грн
50+111.71 грн
100+94.60 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS25PL06GH
TS25PL06GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25A, 800V, STANDARD BRIDGE RECTI
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+455.93 грн
10+368.57 грн
100+298.13 грн
500+248.70 грн
1200+212.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FH
ES1FH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+5.97 грн
15000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FH
ES1FH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.75 грн
17+18.94 грн
100+9.53 грн
500+7.92 грн
1000+6.16 грн
2000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FLH
ES1FLH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 300V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1FL
ES1FL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 300V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSH248CX
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MICROPOWER OMNI-POLAR HALL EFFEC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Test Condition: 25°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 51000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650P02CX
TSM650P02CX
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -20V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6502CR
TSM6502CR
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N/P-CH 60V 24A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650N15CS TSM650N15CSC1710.pdf
TSM650N15CS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM650N15CR
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRAD1045DH MBRAD1045DH_A2303.pdf
MBRAD1045DH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 45V 10A THINDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ThinDPAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRAD1045DH MBRAD1045DH_A2303.pdf
MBRAD1045DH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 45V 10A THINDPAK
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ThinDPAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.54 грн
10+41.69 грн
100+30.95 грн
500+22.51 грн
1000+19.84 грн
2000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15P BZD27C SERIES_AB2103.pdf
BZD27C15P
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODE
Tolerance: ±6.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C15PH BZD27CH SERIES_A2103.pdf
BZD27C15PH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 14.7V 1W SUB SMA
Tolerance: ±6.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C150PH BZD27CH SERIES_A2103.pdf
BZD27C150PH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODE
Tolerance: ±6.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 147 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C12P BZD27C SERIES_AB2103.pdf
BZD27C12P
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12.05V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.05 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C12P BZD27C SERIES_AB2103.pdf
BZD27C12P
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12.05V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.05 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.44 грн
13+23.67 грн
100+15.08 грн
500+10.64 грн
1000+9.51 грн
2000+8.55 грн
5000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2NB60CH C5G TSM2NB60CH_A2208.pdf
TSM2NB60CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.85 грн
75+28.85 грн
150+26.05 грн
525+20.62 грн
1050+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA36CAH
P4SMA36CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AC
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA36CAH
P4SMA36CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 49.9V
Voltage - Breakdown (Min): 34.2V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.89 грн
13+23.75 грн
100+11.97 грн
500+9.96 грн
1000+7.75 грн
2000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GFSH HS1DFSH SERIES_B2103.pdf
HS1GFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.30 грн
16+19.62 грн
100+12.40 грн
500+8.69 грн
1000+7.74 грн
2000+6.93 грн
5000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GH HS1AH SERIES_B2401.pdf
HS1GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+5.55 грн
15000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GH HS1AH SERIES_B2401.pdf
HS1GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.34 грн
18+17.41 грн
100+10.97 грн
500+7.66 грн
1000+6.81 грн
2000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GALH HS1DALH SERIES_B2103.pdf
HS1GALH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GALH HS1DALH SERIES_B2103.pdf
HS1GALH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.13 грн
18+17.79 грн
100+11.23 грн
500+7.87 грн
1000+7.01 грн
2000+6.28 грн
5000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL HS1AL SERIES_C2103.pdf
HS1GL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GLH HS1ALH SERIES_A2103.pdf
HS1GLH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6A100G 6A05G SERIES_F2104.pdf
6A100G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 6A R6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.16 грн
10+43.22 грн
50+31.84 грн
100+26.41 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF20AH SMF5.0AH SERIES_A2103.pdf
SMF20AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF20A RVG SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf
SMF20A RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF20AHRVG SMF5.0A%20SERIES_D2103.pdf
SMF20AHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20VWM 32.4VC SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SOD-123W
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR1030 C0G SR1020%20SERIES_L2104.pdf
SR1030 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR1030HC0G SR1020%20SERIES_L2104.pdf
SR1030HC0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C4V7 RBG BZY55C2V4 SERIES_E2301.pdf
BZY55C4V7 RBG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW 805
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C4V7 RBG BZY55C2V4 SERIES_E2301.pdf
BZY55C4V7 RBG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW 805
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V
на замовлення 14233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.65 грн
30+10.31 грн
106+2.90 грн
500+2.66 грн
1000+2.60 грн
2000+2.57 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS15PL05G TS15PL05G SERIES_H2203.pdf
TS15PL05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+430.56 грн
10+276.71 грн
100+198.86 грн
500+155.46 грн
1200+143.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SA64AH
SA64AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 64VWM 103VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 103V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK520CH SK52CH SERIES_C2311.pdf
SK520CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.88 грн
10+34.89 грн
100+22.53 грн
500+16.13 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK520C SK52C SERIES_S2311.pdf
SK520C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 200 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.88 грн
10+34.89 грн
100+22.53 грн
500+16.13 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2J HS2A SERIES_L2102.pdf
HS2J
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2J HS2A SERIES_L2102.pdf
HS2J
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.58 грн
17+18.86 грн
100+11.29 грн
500+9.82 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C15 FAIRS25080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX55C2V4%20-%20BZX55C56.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL206H GBL201 SERIES_J2103.pdf
GBL206H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.54 грн
10+44.90 грн
100+29.38 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL204H GBL201 SERIES_J2103.pdf
GBL204H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.54 грн
10+44.90 грн
100+29.38 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL207H GBL201 SERIES_J2103.pdf
GBL207H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.54 грн
10+44.90 грн
100+29.38 грн
500+21.33 грн
1200+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFG
TSM2311CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFG
TSM2311CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B18 BZX79B2V4%20SERIES_G2304.pdf
BZX79B18
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B18 A0G BZX79B2V4 SERIES_G2304.pdf
BZX79B18 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD RF
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-363, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD RF
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-363, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD BAT54T%20SERIES_H2111.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SD-G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CV RGG TSM070NH04CV_A2207.pdf
TSM070NH04CV RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04CV RGG TSM070NH04CV_A2207.pdf
TSM070NH04CV RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 25 V
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.87 грн
10+63.45 грн
100+42.25 грн
500+31.11 грн
1000+28.36 грн
2000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 378 420 428  [ Наступна Сторінка >> ]