Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25051) > Сторінка 210 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZD27C62P RVG BZD27C62P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
6000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C62P RVG BZD27C62P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
на замовлення 8506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.64 грн
15+21.59 грн
100+12.96 грн
500+11.26 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A F2G PGSMAJ48A F2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A R2G PGSMAJ48A R2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHF4G PGSMAJ48AHF4G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A F4G PGSMAJ48A F4G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHF2G PGSMAJ48AHF2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A F3G PGSMAJ48A F3G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHF3G PGSMAJ48AHF3G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHR2G PGSMAJ48AHR2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8AH 1.5KE6.8AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS 1500W 6.8V 5% UNIDIR DO-201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 150A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR153GH FR153GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC V7G S10MC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC V7G S10MC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC%20SERIES_D2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.37 грн
10+62.33 грн
100+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GFS M3G HS2GFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GFS M3G HS2GFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL M3G HS2KAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 2A, 800V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL M3G HS2KAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 2A, 800V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL M3G HS2GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL M3G HS2GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DFS M3G HS2DFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DFS M3G HS2DFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL M3G HS2JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL M3G HS2JAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS M3G HS2JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS M3G HS2JFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L05G HER3L05G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER3L05G Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L05G HER3L05G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER3L05G Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L03G HER3L03G Taiwan Semiconductor Corporation HER3L03G SERIES_C2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L03G HER3L03G Taiwan Semiconductor Corporation HER3L03G SERIES_C2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ75CAHF4G PGSMAJ75CAHF4G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 83.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 121V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE7.5CAH P6KE7.5CAH Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS 600W 7.5V 5% DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 55A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.4V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ12A F4G PGSMAJ12A F4G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU603G T0G KBU603G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU60xG_H14_D1409011_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P03G TS20P03G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G SERIES_O2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P03GH TS20P03GH Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TS20P03G Description: DIODE BRIDGE 200V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ24AHF4G PGSMAJ24AHF4G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ24AHF3G PGSMAJ24AHF3G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ24AHR2G PGSMAJ24AHR2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS310L SS310L Taiwan Semiconductor Corporation SS34L SERIES_C2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SS310L SS310L Taiwan Semiconductor Corporation SS34L SERIES_C2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 19612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.55 грн
11+30.65 грн
100+19.71 грн
500+14.07 грн
1000+12.65 грн
2000+11.45 грн
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10H60S S1G TSP10H60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.99 грн
3000+46.72 грн
7500+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10H60S S1G TSP10H60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
на замовлення 17247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.55 грн
10+98.49 грн
100+76.76 грн
500+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLWHRVG ESJLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLWHRVG ESJLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLW RVG ESJLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLW RVG ESJLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ESDLW%20SERIES_A1708.pdf Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GFS M3G RS2GFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GFS M3G RS2GFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3GB-T R5G RS3GB-T R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS3DB-T%20SERIES_A1905.pdf Description: 150NS 3A 400V FAST RECOVERY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3GB-T R5G RS3GB-T R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS3DB-T%20SERIES_A1905.pdf Description: 150NS 3A 400V FAST RECOVERY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GAL M3G RS2GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GAL M3G RS2GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40CA M6G SMCJ40CA M6G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ%20SERIES_S2104.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40CAHM6G SMCJ40CAHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ%20SERIES_S2104.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CP ROG TSM4N70CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CP ROG TSM4N70CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CH C5G TSM4N70CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CI C0G TSM4N70CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40C M6 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 22A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 71.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C62P RVG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C62P RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.80 грн
6000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C62P RVG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C62P RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47 V
на замовлення 8506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.64 грн
15+21.59 грн
100+12.96 грн
500+11.26 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A F2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48A F2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A R2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48A R2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHF4G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48AHF4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A F4G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48A F4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHF2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48AHF2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48A F3G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48A F3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHF3G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48AHF3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ48AHR2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ48AHR2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8AH
1.5KE6.8AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS 1500W 6.8V 5% UNIDIR DO-201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 150A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR153GH
FR153GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC V7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S10MC V7G S10GC%20SERIES_D2102.pdf
S10MC V7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.37 грн
10+62.33 грн
100+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GFS M3G
HS2GFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GFS M3G
HS2GFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL M3G
HS2KAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 2A, 800V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL M3G
HS2KAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 2A, 800V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL M3G
HS2GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL M3G
HS2GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DFS M3G
HS2DFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DFS M3G
HS2DFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL M3G
HS2JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL M3G
HS2JAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS M3G
HS2JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS M3G
HS2JFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L05G pdf.php?pn=HER3L05G
HER3L05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L05G pdf.php?pn=HER3L05G
HER3L05G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L03G HER3L03G SERIES_C2105.pdf
HER3L03G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER3L03G HER3L03G SERIES_C2105.pdf
HER3L03G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ75CAHF4G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ75CAHF4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 83.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 121V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE7.5CAH P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE7.5CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS 600W 7.5V 5% DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 55A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.4V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ12A F4G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ12A F4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU603G T0G KBU60xG_H14_D1409011_DS.pdf
KBU603G T0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P03G TS20P01G SERIES_O2203.pdf
TS20P03G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS20P03GH pdf.php?pn=TS20P03G
TS20P03GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 200V 20A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ24AHF4G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ24AHF4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ24AHF3G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ24AHF3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ24AHR2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ24AHR2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS310L SS34L SERIES_C2103.pdf
SS310L
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SS310L SS34L SERIES_C2103.pdf
SS310L
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 19612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.55 грн
11+30.65 грн
100+19.71 грн
500+14.07 грн
1000+12.65 грн
2000+11.45 грн
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10H60S S1G TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf
TSP10H60S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+51.99 грн
3000+46.72 грн
7500+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10H60S S1G TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf
TSP10H60S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
на замовлення 17247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.55 грн
10+98.49 грн
100+76.76 грн
500+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLWHRVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESJLWHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLWHRVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESJLWHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLW RVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESJLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESJLW RVG ESDLW%20SERIES_A1708.pdf
ESJLW RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SUPER FAST
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GFS M3G
RS2GFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GFS M3G
RS2GFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3GB-T R5G RS3DB-T%20SERIES_A1905.pdf
RS3GB-T R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS 3A 400V FAST RECOVERY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3GB-T R5G RS3DB-T%20SERIES_A1905.pdf
RS3GB-T R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS 3A 400V FAST RECOVERY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GAL M3G
RS2GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2GAL M3G
RS2GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 400V, FAST RECOVERY R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40CA M6G SMCJ%20SERIES_S2104.pdf
SMCJ40CA M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40CAHM6G SMCJ%20SERIES_S2104.pdf
SMCJ40CAHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CP ROG
TSM4N70CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CP ROG
TSM4N70CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CH C5G
TSM4N70CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4N70CI C0G
TSM4N70CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40C M6
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 22A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 71.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]