Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25821) > Сторінка 375 з 431

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
P6KE300C P6KE300C Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS DIODE 243VWM 430VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 243V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 270V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 430V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150H P6KE150H Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150 P6KE150 Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150CH P6KE150CH Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150C P6KE150C Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S28CAH TLD8S28CAH Taiwan Semiconductor Corporation TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 145A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+105.33 грн
2250+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S28CAH TLD8S28CAH Taiwan Semiconductor Corporation TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 145A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.22 грн
10+184.15 грн
50+142.69 грн
100+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CH SMBJ28CH Taiwan Semiconductor Corporation SMBJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 50VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28C SMBJ28C Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 50VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CH SMCJ28CH Taiwan Semiconductor Corporation SMCJH SERIES_A2102.pdf Description: 1500W, 34.6V, 10%, BIDIRECTIONAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28C SMCJ28C Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_S2104.pdf Description: 1500W, 34.6V, 10%, BIDIRECTIONAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC620CH C5G TSM60NC620CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CH_A2303.pdf Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501 pF @ 300 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.26 грн
10+91.16 грн
100+72.56 грн
500+57.62 грн
1000+48.89 грн
2000+46.44 грн
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC620CP ROG TSM60NC620CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CP_A2303.pdf Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.08 грн
5000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC620CP ROG TSM60NC620CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CP_A2303.pdf Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.40 грн
10+106.06 грн
100+72.38 грн
500+54.36 грн
1000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CH C5G TSM60NE285CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE285CH Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 300 V
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.13 грн
10+159.32 грн
100+111.51 грн
500+85.48 грн
1000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CIT C0G TSM60NE285CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE285CIT Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 3.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.91 грн
10+192.63 грн
100+135.55 грн
500+104.37 грн
1000+97.03 грн
2000+90.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE200CIT C0G TSM60NE200CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE200CIT Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4A, 12V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.22 грн
10+232.21 грн
50+181.45 грн
100+154.94 грн
500+128.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CIT C0G TSM60NE180CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE180CIT Description: 600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 4.3A, 12V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.47 грн
10+198.59 грн
100+142.01 грн
500+123.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE084CIT C0G TSM60NE084CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE084CIT Description: 600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.94 грн
10+457.09 грн
100+338.86 грн
500+282.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE084PW C0G TSM60NE084PW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NE084PW_A2403.pdf Description: 600V, 42A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 14A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 300 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.56 грн
10+527.85 грн
300+414.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE069CIT C0G TSM60NE069CIT C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NE069CIT_A2403.pdf Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3551 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+698.28 грн
10+576.60 грн
100+480.47 грн
500+397.85 грн
1000+358.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE069PW C0G TSM60NE069PW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NE069PW_A2403.pdf Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.64 грн
10+568.12 грн
50+460.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE048PW C0G TSM60NE048PW C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5023 pF @ 300 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.59 грн
10+767.10 грн
300+642.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC165CI Taiwan Semiconductor Corporation Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG54GH UG54GH Taiwan Semiconductor Corporation UG54G SERIES_F2111.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG54GH UG54GH Taiwan Semiconductor Corporation UG54G SERIES_F2111.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.68 грн
10+32.63 грн
100+22.68 грн
500+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSP3H150S TSP3H150S Taiwan Semiconductor Corporation TSP3H150S_B2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSP3H150S TSP3H150S Taiwan Semiconductor Corporation TSP3H150S_B2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.33 грн
11+27.81 грн
100+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2035CT-Y MBR2035CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT-Y%20SERIES_B2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2035CT MBR2035CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2035CTH MBR2035CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1005G UG1005G Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G SERIES_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.89 грн
50+47.94 грн
100+37.99 грн
500+30.22 грн
1000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1005GH UG1005GH Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G SERIES_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.89 грн
50+47.94 грн
100+37.99 грн
500+30.22 грн
1000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2050CT MBRS2050CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2035CT%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2035CT MBRS2035CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2035CT%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2090CT MBRS2090CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2035CT%20SERIES_N2103.pdf Description: 20A, 90V, PLANAR SCHOTTKY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS20H200CT MBRS20H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H100CT SERIES_J2103.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 200V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf Description: SOD-523F, 200MW, 2%, ZENER DIODE
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M3Z3V9C RRG M3Z3V9C RRG Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2V0C SERIES_B2008.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M3Z3V9C RRG M3Z3V9C RRG Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2V0C SERIES_B2008.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
35+8.79 грн
50+6.30 грн
100+5.13 грн
500+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M3Z3V9C M3Z3V9C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2V0C%20SERIES_B2008.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4678 RHG MMSZ4678 RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ4678 SERIES_A2311.pdf Description: SOD-123, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 1.8 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7.5 µA @ 1 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4678 RHG MMSZ4678 RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ4678 SERIES_A2311.pdf Description: SOD-123, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 1.8 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7.5 µA @ 1 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.28 грн
33+9.48 грн
100+4.63 грн
500+3.63 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2PHRQG BZD27C8V2PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA
Tolerance: ±6.09%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2PHM2G BZD27C8V2PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA
Tolerance: ±6.09%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF5200H MBRF5200H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5100%20SERIES_H2105.pdf Description: 5A, 200V, PLANAR SCHOTTKY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5AH S5AH Taiwan Semiconductor Corporation S5AH SERIES_A2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS5AH HS5AH Taiwan Semiconductor Corporation HS5AH%20SERIES_A2102.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS2AH RS2AH Taiwan Semiconductor Corporation RS2AH SERIES_B2304.pdf Description: 150NS, 2A, 50V, FAST RECOVERY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2AH HS2AH Taiwan Semiconductor Corporation HS2AH%20SERIES_A2102.pdf Description: 50NS, 2A, 50V, HIGH EFFICIENT RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2AH S2AH Taiwan Semiconductor Corporation S2AH SERIES_A2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6 RHG BZT52B5V6 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123F
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 2 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6 RHG BZT52B5V6 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123F
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 2 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
36+8.71 грн
50+6.19 грн
100+5.04 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6-G RHG BZT52B5V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6-G RHG BZT52B5V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.87 грн
34+9.25 грн
100+5.75 грн
500+3.95 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6-G BZT52B5V6-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G%20SERIES_H2002.pdf Description: SOD-123, 410MW, 2%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GAH S2GAH Taiwan Semiconductor Corporation S2AAH SERIES_A2102.pdf Description: 1.5A, 400V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+4.32 грн
15000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GAH S2GAH Taiwan Semiconductor Corporation S2AAH SERIES_A2102.pdf Description: 1.5A, 400V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.60 грн
19+16.89 грн
100+8.54 грн
500+6.53 грн
1000+4.85 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAH S2DAH Taiwan Semiconductor Corporation S2AAH SERIES_A2102.pdf Description: 1.5A, 200V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+4.32 грн
15000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAH S2DAH Taiwan Semiconductor Corporation S2AAH SERIES_A2102.pdf Description: 1.5A, 200V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.60 грн
19+16.89 грн
100+8.54 грн
500+6.53 грн
1000+4.85 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE300C P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE300C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 243VWM 430VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 243V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 270V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 430V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150H P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE150H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150 P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE150
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150CH P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE150CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE150C P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE150C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 121VWM 215VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 121V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 135V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 215V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S28CAH TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf
TLD8S28CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 145A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+105.33 грн
2250+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD8S28CAH TLD8S10AH SERIES_E2310.pdf
TLD8S28CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 145A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-218AB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.22 грн
10+184.15 грн
50+142.69 грн
100+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CH SMBJH SERIES_A2102.pdf
SMBJ28CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 50VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28C SMBJ SERIES_R2104.pdf
SMBJ28C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 50VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CH SMCJH SERIES_A2102.pdf
SMCJ28CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1500W, 34.6V, 10%, BIDIRECTIONAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28C SMCJ SERIES_S2104.pdf
SMCJ28C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1500W, 34.6V, 10%, BIDIRECTIONAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC620CH C5G TSM60NC620CH_A2303.pdf
TSM60NC620CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501 pF @ 300 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.26 грн
10+91.16 грн
100+72.56 грн
500+57.62 грн
1000+48.89 грн
2000+46.44 грн
5000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC620CP ROG TSM60NC620CP_A2303.pdf
TSM60NC620CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.08 грн
5000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC620CP ROG TSM60NC620CP_A2303.pdf
TSM60NC620CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.40 грн
10+106.06 грн
100+72.38 грн
500+54.36 грн
1000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CH C5G pdf.php?pn=TSM60NE285CH
TSM60NE285CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 300 V
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.13 грн
10+159.32 грн
100+111.51 грн
500+85.48 грн
1000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CIT C0G pdf.php?pn=TSM60NE285CIT
TSM60NE285CIT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 274mOhm @ 3.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.91 грн
10+192.63 грн
100+135.55 грн
500+104.37 грн
1000+97.03 грн
2000+90.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE200CIT C0G pdf.php?pn=TSM60NE200CIT
TSM60NE200CIT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4A, 12V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.22 грн
10+232.21 грн
50+181.45 грн
100+154.94 грн
500+128.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CIT C0G pdf.php?pn=TSM60NE180CIT
TSM60NE180CIT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 4.3A, 12V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.47 грн
10+198.59 грн
100+142.01 грн
500+123.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE084CIT C0G pdf.php?pn=TSM60NE084CIT
TSM60NE084CIT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+691.94 грн
10+457.09 грн
100+338.86 грн
500+282.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE084PW C0G TSM60NE084PW_A2403.pdf
TSM60NE084PW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 42A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 14A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 300 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+639.56 грн
10+527.85 грн
300+414.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE069CIT C0G TSM60NE069CIT_A2403.pdf
TSM60NE069CIT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: ITO-220TL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3551 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+698.28 грн
10+576.60 грн
100+480.47 грн
500+397.85 грн
1000+358.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE069PW C0G TSM60NE069PW_A2403.pdf
TSM60NE069PW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3566 pF @ 300 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+850.64 грн
10+568.12 грн
50+460.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE048PW C0G
TSM60NE048PW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5023 pF @ 300 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+904.59 грн
10+767.10 грн
300+642.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC165CI
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG54GH UG54G SERIES_F2111.pdf
UG54GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1250+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG54GH UG54G SERIES_F2111.pdf
UG54GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.68 грн
10+32.63 грн
100+22.68 грн
500+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSP3H150S TSP3H150S_B2103.pdf
TSP3H150S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSP3H150S TSP3H150S_B2103.pdf
TSP3H150S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.33 грн
11+27.81 грн
100+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2035CT-Y MBR2035CT-Y%20SERIES_B2104.pdf
MBR2035CT-Y
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2035CT MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf
MBR2035CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2035CTH MBR2035CT%20SERIES_M2104.pdf
MBR2035CTH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1005G UG1004G SERIES_B2104.pdf
UG1005G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.89 грн
50+47.94 грн
100+37.99 грн
500+30.22 грн
1000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1005GH UG1004G SERIES_B2104.pdf
UG1005GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.89 грн
50+47.94 грн
100+37.99 грн
500+30.22 грн
1000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2050CT MBRS2035CT%20SERIES_N2103.pdf
MBRS2050CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 50V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2035CT MBRS2035CT%20SERIES_N2103.pdf
MBRS2035CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS2090CT MBRS2035CT%20SERIES_N2103.pdf
MBRS2090CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 20A, 90V, PLANAR SCHOTTKY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS20H200CT MBRS20H100CT SERIES_J2103.pdf
MBRS20H200CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX585B18 BZX585B2V4%20SERIES_C1607.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-523F, 200MW, 2%, ZENER DIODE
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M3Z3V9C RRG M3Z2V0C SERIES_B2008.pdf
M3Z3V9C RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M3Z3V9C RRG M3Z2V0C SERIES_B2008.pdf
M3Z3V9C RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.08 грн
35+8.79 грн
50+6.30 грн
100+5.13 грн
500+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
M3Z3V9C M3Z2V0C%20SERIES_B2008.pdf
M3Z3V9C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4678 RHG MMSZ4678 SERIES_A2311.pdf
MMSZ4678 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 1.8 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7.5 µA @ 1 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4678 RHG MMSZ4678 SERIES_A2311.pdf
MMSZ4678 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 1.8 V
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7.5 µA @ 1 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.28 грн
33+9.48 грн
100+4.63 грн
500+3.63 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2PHRQG BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C8V2PHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA
Tolerance: ±6.09%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2PHM2G BZD27C%20SERIES_AB2103.pdf
BZD27C8V2PHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA
Tolerance: ±6.09%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Supplier Device Package: Sub SMA
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF5200H MBRF5100%20SERIES_H2105.pdf
MBRF5200H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 5A, 200V, PLANAR SCHOTTKY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S5AH S5AH SERIES_A2102.pdf
S5AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS5AH HS5AH%20SERIES_A2102.pdf
HS5AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS2AH RS2AH SERIES_B2304.pdf
RS2AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 50V, FAST RECOVERY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2AH HS2AH%20SERIES_A2102.pdf
HS2AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 50V, HIGH EFFICIENT RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2AH S2AH SERIES_A2102.pdf
S2AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B5V6 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123F
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 2 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B5V6 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123F
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 2 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.08 грн
36+8.71 грн
50+6.19 грн
100+5.04 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6-G RHG BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
BZT52B5V6-G RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6-G RHG BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
BZT52B5V6-G RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.87 грн
34+9.25 грн
100+5.75 грн
500+3.95 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V6-G BZT52B2V4-G%20SERIES_H2002.pdf
BZT52B5V6-G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 410MW, 2%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GAH S2AAH SERIES_A2102.pdf
S2GAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1.5A, 400V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+4.32 грн
15000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GAH S2AAH SERIES_A2102.pdf
S2GAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1.5A, 400V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.60 грн
19+16.89 грн
100+8.54 грн
500+6.53 грн
1000+4.85 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAH S2AAH SERIES_A2102.pdf
S2DAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1.5A, 200V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+4.32 грн
15000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAH S2AAH SERIES_A2102.pdf
S2DAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 1.5A, 200V, STANDARD RECOVERY RE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.60 грн
19+16.89 грн
100+8.54 грн
500+6.53 грн
1000+4.85 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.