Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR (66144) > Сторінка 1085 з 1103
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1T7G R0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
1T7G-K A0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
1T7G-K R0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
1T7G-K B0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
1T7G A0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
1T7G A1G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
1T7G A1 | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HER3003PT | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
1N5408GH | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZT52B5V6S RRG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZT52B5V6 RHG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZT52B5V6S R9G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZT52B5V6-G RHG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZT52B5V6 RH | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZT52B5V6S RR | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SFAF1606G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SA45A A0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMDJ33A | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMDJ33AHR7G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMDJ33A R6G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SMDJ33AHV7G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HER307G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
TS19721ACS RLG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
1.5KE43A | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B36 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B3V6 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B4V7 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B5V1 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B18 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B20 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B24 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B27 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZY55B2V7 RYG | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMAJ43AHM2G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMAJ43A M2G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMAJ43A M2 | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMAJ43A | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SMAJ43A R3G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SMAJ43AHR3G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BC548C B1G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Current gain: 420...800 Mounting: THT Kind of package: bulk Pulsed collector current: 0.2A |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM850N06CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RMB6S | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.8A; Ifsm: 30A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.8A Max. forward impulse current: 30A Case: MBS; TO269AA Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1.5KE100CA R0 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 100V; 11.4A; bidirectional; ±5%; DO201; 1.5kW; 1.5KE Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 137V Breakdown voltage: 100V Max. forward impulse current: 11.4A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Peak pulse power dissipation: 1.5kW Manufacturer series: 1.5KE |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TSS54U RGG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Mounting: SMD Case: 0603 Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.3A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
TSM60N600CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 83W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
TSM60N600CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
TSM60N600CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MBR20100CT C0 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.75V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 0.75V Max. load current: 20A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
TSM8N80CZ C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.9A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 41nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
TSM10N80CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.7A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
TSM10N80CZ C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.7A Power dissipation: 290W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SS16 M2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SMA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.65V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SS16L R2 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; subSMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: subSMA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BZX55C12 R0 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; 5mA; reel,tape; DO35; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 12V Kind of package: reel; tape Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Zener current: 5mA Leakage current: 0.1µA |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BZX55C12 R0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; 5mA; reel,tape; DO35; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 12V Kind of package: reel; tape Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Zener current: 5mA Leakage current: 0.1µA |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT3906 RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1N4148 A0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.45A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TS78L09CS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 0.1A; SOP8; SMD; TS78L00 Type of integrated circuit: voltage regulator Case: SOP8 Output current: 0.1A Output voltage: 9V Number of channels: 1 Mounting: SMD Operating temperature: 0...150°C Manufacturer series: TS78L00 Input voltage: 11.5...23V Kind of voltage regulator: fixed; linear Tolerance: ±4% Voltage drop: 1.7V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TS78L09CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 0.1A; SOT23; SMD; TS78L00 Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Voltage drop: 1.7V Output voltage: 9V Output current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Operating temperature: 0...150°C Tolerance: ±4% Number of channels: 1 Input voltage: 11.5...23V Manufacturer series: TS78L00 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RS1G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 10pF Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
1T7G R0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1T7G-K A0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1T7G-K R0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1T7G-K B0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1T7G A0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1T7G A1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1
Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1T7G A1 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 Ammo
Rectifier Diode 1KV 1A 2-Pin TS-1 Ammo
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HER3003PT |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 30A 50ns 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Rectifier Diode Switching 200V 30A 50ns 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1N5408GH |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode 1KV 3A Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
Diode 1KV 3A Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZT52B5V6S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 200mW 2-Pin SOD-323F T/R
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 200mW 2-Pin SOD-323F T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZT52B5V6 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 500mW 2-Pin SOD-123F T/R
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 500mW 2-Pin SOD-123F T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZT52B5V6S R9G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 200mW 2-Pin SOD-323F T/R
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 200mW 2-Pin SOD-323F T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZT52B5V6-G RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 410mW 2-Pin SOD-123 T/R
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 410mW 2-Pin SOD-123 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZT52B5V6 RH |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 500mW 2-Pin SOD-123F T/R
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 500mW 2-Pin SOD-123F T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZT52B5V6S RR |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 200mW 2-Pin SOD-323F T/R
Zener Diode Single 5.6V 2% 40Ohm 200mW 2-Pin SOD-323F T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SFAF1606G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 400V 16A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC
Diode Switching 400V 16A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SA45A A0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Uni-Dir 45V 500W 2-Pin DO-15 T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 45V 500W 2-Pin DO-15 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33A |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 3KW 2-Pin SMC T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 3KW 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33AHR7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 33V 3KW Automotive 2-Pin SMC T/R
TVS Diode Single Uni-Dir 33V 3KW Automotive 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33A R6G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 33V 3KW 2-Pin SMC T/R
TVS Diode Single Uni-Dir 33V 3KW 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMDJ33AHV7G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 33V 3KW Automotive 2-Pin SMC T/R
TVS Diode Single Uni-Dir 33V 3KW Automotive 2-Pin SMC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HER307G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TS19721ACS RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
LED Driver 2600uA SupplyCurrent 8-Pin SOP
LED Driver 2600uA SupplyCurrent 8-Pin SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
1.5KE43A |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW 2-Pin DO-201
TVS Diode Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW 2-Pin DO-201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B36 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 36V 2% 80Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 36V 2% 80Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B3V6 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 3.6V 2% 85Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 3.6V 2% 85Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B4V7 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 4.7V 2% 70Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 4.7V 2% 70Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B5V1 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 5.1V 2% 50Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 5.1V 2% 50Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B18 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 18V 2% 50Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 18V 2% 50Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B20 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 20V 2% 55Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 20V 2% 55Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B24 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 24V 2% 80Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 24V 2% 80Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B27 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 27V 2% 80Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 27V 2% 80Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BZY55B2V7 RYG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diode Single 2.7V 2% 85Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
Zener Diode Single 2.7V 2% 85Ohm 500mW 2-Pin Case 0805(2012Metric) T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ43AHM2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 43V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
TVS Diode Single Uni-Dir 43V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ43A M2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ43A M2 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
TVS Diode Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ43A |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ43A R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA
Diode TVS Single Uni-Dir 43V 400W 2-Pin SMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SMAJ43AHR3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 43V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
TVS Diode Single Uni-Dir 43V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BC548C B1G |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Pulsed collector current: 0.2A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Pulsed collector current: 0.2A
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 4.07 грн |
160+ | 2.40 грн |
500+ | 1.91 грн |
515+ | 1.72 грн |
TSM850N06CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 42.33 грн |
16+ | 25.10 грн |
55+ | 16.33 грн |
RMB6S |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.8A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.8A; Ifsm: 30A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 27.11 грн |
1.5KE100CA R0 |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 11.4A; bidirectional; ±5%; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 137V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 11.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 11.4A; bidirectional; ±5%; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 137V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 11.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 45.59 грн |
25+ | 15.72 грн |
30+ | 12.62 грн |
TSS54U RGG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: 0603
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0603; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: 0603
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM60N600CH C5G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM60N600CI C0G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM60N600CP ROG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MBR20100CT C0 |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.75V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. load current: 20A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.75V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM8N80CZ C0G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 41nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 41nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM10N80CI C0G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TSM10N80CZ C0G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 290W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 290W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SS16 M2G |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 14.65 грн |
70+ | 5.74 грн |
100+ | 5.16 грн |
SS16L R2 |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; subSMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: subSMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; subSMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: subSMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 12.85 грн |
BZX55C12 R0 |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; 5mA; reel,tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1µA
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; 5mA; reel,tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BZX55C12 R0G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; 5mA; reel,tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1µA
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; 5mA; reel,tape; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 13.84 грн |
MMBT3906 RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
39+ | 10.58 грн |
59+ | 6.43 грн |
100+ | 3.78 грн |
500+ | 2.64 грн |
519+ | 1.71 грн |
1428+ | 1.61 грн |
1N4148 A0G |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 4pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 4pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
56+ | 7.33 грн |
76+ | 4.99 грн |
143+ | 2.65 грн |
500+ | 1.72 грн |
1000+ | 1.47 грн |
1197+ | 0.76 грн |
3292+ | 0.72 грн |
TS78L09CS RLG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 0.1A; SOP8; SMD; TS78L00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: SOP8
Output current: 0.1A
Output voltage: 9V
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...150°C
Manufacturer series: TS78L00
Input voltage: 11.5...23V
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Tolerance: ±4%
Voltage drop: 1.7V
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 0.1A; SOP8; SMD; TS78L00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: SOP8
Output current: 0.1A
Output voltage: 9V
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...150°C
Manufacturer series: TS78L00
Input voltage: 11.5...23V
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Tolerance: ±4%
Voltage drop: 1.7V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 54.54 грн |
13+ | 30.61 грн |
25+ | 26.00 грн |
55+ | 16.25 грн |
TS78L09CX RFG |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 0.1A; SOT23; SMD; TS78L00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: 9V
Output current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...150°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 11.5...23V
Manufacturer series: TS78L00
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 9V; 0.1A; SOT23; SMD; TS78L00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: 9V
Output current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...150°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 11.5...23V
Manufacturer series: TS78L00
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 101.76 грн |
RS1G |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 29.31 грн |
20+ | 18.97 грн |
100+ | 9.55 грн |