Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TJ15S06M3L(T6L1,NQ | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TJ30S06M3L,LXHQ(O | TOSHIBA | TJ30S06M3L SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -60A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TJ9A10M3,S4Q | TOSHIBA | TJ9A10M3 THT P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 57A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Pulsed drain current: 228A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK100A06N1,S4X(S | TOSHIBA | TK100A06N1 THT N channel transistors |
на замовлення 526 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK100E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK100E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK100E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 255W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 744 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK10A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT On-state resistance: 327mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: SC67 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TK10A60W5,S5VX(M | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: SC67 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK10A80W,S4X(S | TOSHIBA | TK10A80W THT N channel transistors |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK10E60W,S1VX(S | TOSHIBA | TK10E60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK110P10PL,RQ(S2 | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK11P65W,RQ(S | TOSHIBA | TK11P65W SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK12P60W.RVQ(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.5A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK12Q60W,S1VQ(S | TOSHIBA | TK12Q60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK13P25D,RQ(S | TOSHIBA | TK13P25D SMD N channel transistors |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
TK14A65W,S5X(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.7A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK15J50D(F) | TOSHIBA | TK15J50D THT N channel transistors |
на замовлення 891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
TK160F10N1L,LQ(O | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TK16A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK16A60W5,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 600 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK16E60W,S1VX(S | TOSHIBA | TK16E60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK16N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK16N60W5,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 63.2A Gate charge: 43nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK18A30D,S5X(M | TOSHIBA | TK18A30D THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK20A60W,S5VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK20G60W,RVQ(S | TOSHIBA | TK20G60W SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK20N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 55nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK20P04M1,RQ(S | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK22E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 72W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK25S06N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK25S06N1L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK2K2A60F,S4X(S | TOSHIBA | TK2K2A60F THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK30E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK30E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK31E60W,S1VX(S | TOSHIBA | TK31E60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK31V60W5,LVQ(S | TOSHIBA | TK31V60W5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK32E12N1,S1X(S | TOSHIBA | TK32E12N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK33S10N1L,LQ(O | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A On-state resistance: 16.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK34E10N1,S1X(S | TOSHIBA | TK34E10N1 THT N channel transistors |
на замовлення 746 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK35E08N1,S1X(S | TOSHIBA | TK35E08N1 THT N channel transistors |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK380A60Y,S4X | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK39J60W,S1VQ(O | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38.8A Power dissipation: 270W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TK39N60X,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38.8A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK3A65D | TOSHIBA | TK3A65D THT N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK3P50D,RQ | TOSHIBA | TK3P50D SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK40E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK40E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK40E10N1,S1X(S | TOSHIBA | TK40E10N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK42A12N1,S4X(S | TOSHIBA | TK42A12N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK430A60F,S4X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 850 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK49N65W,S1F(S | TOSHIBA | TK49N65W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67 Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: SC67 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 537 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
TK56E12N1,S1X(S | TOSHIBA | TK56E12N1 THT N channel transistors |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
TK58E06N1,S1X | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK60S06K3L(T6L1,NQ | TOSHIBA | TK60S06K3L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
TK60S10N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK60S10N1L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK62J60W,S1VQ(O | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Power dissipation: 400W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
TK62N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK62N60W5,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
TK62N60X,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
TK650A60F,S4X(S | TOSHIBA | TK650A60F THT N channel transistors |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
TJ15S06M3L(T6L1,NQ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TJ15S06M3L SMD P channel transistors
TJ15S06M3L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TJ30S06M3L,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TJ30S06M3L SMD P channel transistors
TJ30S06M3L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TJ9A10M3,S4Q |
Виробник: TOSHIBA
TJ9A10M3 THT P channel transistors
TJ9A10M3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK040N65Z,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK100A06N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK100A06N1 THT N channel transistors
TK100A06N1 THT N channel transistors
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 197.32 грн |
9+ | 131.53 грн |
23+ | 124.27 грн |
TK100E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK100E06N1 THT N channel transistors
TK100E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK100E10N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 194.39 грн |
3+ | 169.55 грн |
9+ | 125.18 грн |
24+ | 117.92 грн |
TK10A60W,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK10A60W5,S5VX(M |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 169.97 грн |
3+ | 146.95 грн |
10+ | 108.85 грн |
27+ | 102.50 грн |
TK10A80W,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK10A80W THT N channel transistors
TK10A80W THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 309.66 грн |
5+ | 217.70 грн |
14+ | 205.91 грн |
TK10E60W,S1VX(S |
Виробник: TOSHIBA
TK10E60W THT N channel transistors
TK10E60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK110P10PL,RQ(S2 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 73.26 грн |
5+ | 58.21 грн |
25+ | 49.16 грн |
26+ | 42.63 грн |
69+ | 40.82 грн |
TK11P65W,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK11P65W SMD N channel transistors
TK11P65W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK12P60W.RVQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK12Q60W,S1VQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK12Q60W THT N channel transistors
TK12Q60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK13P25D,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK13P25D SMD N channel transistors
TK13P25D SMD N channel transistors
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.80 грн |
21+ | 52.61 грн |
56+ | 49.89 грн |
TK14A65W,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.12 грн |
3+ | 214.77 грн |
7+ | 158.74 грн |
19+ | 149.67 грн |
TK15J50D(F) |
Виробник: TOSHIBA
TK15J50D THT N channel transistors
TK15J50D THT N channel transistors
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 229.56 грн |
8+ | 146.95 грн |
20+ | 138.78 грн |
TK160F10N1L,LQ(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16A60W,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.68 грн |
3+ | 194.05 грн |
8+ | 143.32 грн |
21+ | 136.06 грн |
TK16A60W5,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 600 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16E60W,S1VX(S |
Виробник: TOSHIBA
TK16E60W THT N channel transistors
TK16E60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16N60W5,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 63.2A
Gate charge: 43nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 63.2A
Gate charge: 43nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK18A30D,S5X(M |
Виробник: TOSHIBA
TK18A30D THT N channel transistors
TK18A30D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20A60W,S5VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.29 грн |
3+ | 244.91 грн |
6+ | 195.02 грн |
15+ | 184.14 грн |
250+ | 177.79 грн |
TK20G60W,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK20G60W SMD N channel transistors
TK20G60W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 322.36 грн |
3+ | 278.82 грн |
6+ | 205.91 грн |
15+ | 195.02 грн |
TK20P04M1,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK20P04M1 SMD N channel transistors
TK20P04M1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK22E10N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK25S06N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK25S06N1L SMD N channel transistors
TK25S06N1L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK2K2A60F,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK2K2A60F THT N channel transistors
TK2K2A60F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK30E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK30E06N1 THT N channel transistors
TK30E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK31E60W,S1VX(S |
Виробник: TOSHIBA
TK31E60W THT N channel transistors
TK31E60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK31V60W5,LVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK31V60W5 SMD N channel transistors
TK31V60W5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK32E12N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK32E12N1 THT N channel transistors
TK32E12N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK33S10N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
On-state resistance: 16.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
On-state resistance: 16.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.71 грн |
5+ | 120.57 грн |
12+ | 93.43 грн |
32+ | 87.99 грн |
TK34E10N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK34E10N1 THT N channel transistors
TK34E10N1 THT N channel transistors
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.71 грн |
17+ | 65.31 грн |
45+ | 61.68 грн |
TK35E08N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK35E08N1 THT N channel transistors
TK35E08N1 THT N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.89 грн |
22+ | 49.80 грн |
59+ | 47.08 грн |
TK380A60Y,S4X |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK380A60Y THT N channel transistors
TK380A60Y THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK39J60W,S1VQ(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK39N60X,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 577.32 грн |
3+ | 420.12 грн |
8+ | 381.88 грн |
TK3A65D |
Виробник: TOSHIBA
TK3A65D THT N channel transistors
TK3A65D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.81 грн |
11+ | 103.41 грн |
29+ | 97.96 грн |
50+ | 97.02 грн |
TK3P50D,RQ |
Виробник: TOSHIBA
TK3P50D SMD N channel transistors
TK3P50D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK40E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK40E06N1 THT N channel transistors
TK40E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK40E10N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK40E10N1 THT N channel transistors
TK40E10N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK42A12N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK42A12N1 THT N channel transistors
TK42A12N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK430A60F,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 850 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 850 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK49N65W,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
TK49N65W THT N channel transistors
TK49N65W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M) |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: SC67
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: SC67
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.15 грн |
6+ | 55.58 грн |
10+ | 47.35 грн |
27+ | 41.63 грн |
72+ | 39.37 грн |
TK56E12N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK56E12N1 THT N channel transistors
TK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.58 грн |
10+ | 114.29 грн |
26+ | 108.85 грн |
TK58E06N1,S1X |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK58E06N1 THT N channel transistors
TK58E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ |
Виробник: TOSHIBA
TK60S06K3L SMD N channel transistors
TK60S06K3L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK60S10N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK60S10N1L SMD N channel transistors
TK60S10N1L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62J60W,S1VQ(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62N60W5,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62N60X,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK650A60F,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK650A60F THT N channel transistors
TK650A60F THT N channel transistors
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 178.76 грн |
10+ | 113.38 грн |
26+ | 107.04 грн |