Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TDTC143E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TDTC143Z,LM(T | TOSHIBA | TDTC143Z NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TDTC144E,LM(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TJ15S06M3L(T6L1,NQ | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TJ30S06M3L,LXHQ(O | TOSHIBA | TJ30S06M3L SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -60A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: -20...10V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TJ9A10M3,S4Q | TOSHIBA | TJ9A10M3 THT P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 57A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Pulsed drain current: 228A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK100A06N1,S4X(S | TOSHIBA | TK100A06N1 THT N channel transistors |
на замовлення 526 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK100E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK100E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK100E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 255W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 100A On-state resistance: 2.8mΩ Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK10A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 327mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: SC67 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TK10A60W5,S5VX(M | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: SC67 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 832 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK10A80W,S4X(S | TOSHIBA | TK10A80W THT N channel transistors |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
TK10E60W,S1VX(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TK110P10PL,RQ(S2 | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK11P65W,RQ(S | TOSHIBA | TK11P65W SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK12P60W.RVQ(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.5A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
TK12Q60W,S1VQ(S | TOSHIBA | TK12Q60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK13P25D,RQ(S | TOSHIBA | TK13P25D SMD N channel transistors |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
TK14A65W,S5X(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.7A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK15J50D(F) | TOSHIBA | TK15J50D THT N channel transistors |
на замовлення 891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK160F10N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK160F10N1L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK16A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK16A60W5,S4VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 600 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
TK16E60W,S1VX(S | TOSHIBA | TK16E60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK16N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
TK16N60W5,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 63.2A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK18A30D,S5X(M | TOSHIBA | TK18A30D THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK20A60W,S5VX(M | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK20G60W,RVQ(S | TOSHIBA | TK20G60W SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK20N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 55nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK20P04M1,RQ(S | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK22E10N1,S1X(S | TOSHIBA | TK22E10N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK25S06N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK25S06N1L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK2K2A60F,S4X(S | TOSHIBA | TK2K2A60F THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK30E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK30E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK31E60W,S1VX(S | TOSHIBA | TK31E60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK31V60W5,LVQ(S | TOSHIBA | TK31V60W5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK32E12N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A On-state resistance: 13.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 98W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
TK33S10N1L,LQ(O | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 33nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 378 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK34E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 103W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK35E08N1,S1X(S | TOSHIBA | TK35E08N1 THT N channel transistors |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK380A60Y,S4X | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK39J60W,S1VQ(O | TOSHIBA | TK39J60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK39N60X,S1F(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38.8A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 85nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK3A65D | TOSHIBA | TK3A65D THT N channel transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK3P50D,RQ | TOSHIBA | TK3P50D SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK40E06N1,S1X(S | TOSHIBA | TK40E06N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK40E10N1,S1X(S | TOSHIBA | TK40E10N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK42A12N1,S4X(S | TOSHIBA | TK42A12N1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK430A60F,S4X(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 850 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
TK49N65W,S1F(S | TOSHIBA | TK49N65W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 35W Case: SC67 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 534 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK56E12N1,S1X(S | TOSHIBA | TK56E12N1 THT N channel transistors |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK58E06N1,S1X | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK60S06K3L(T6L1,NQ | TOSHIBA | TK60S06K3L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK60S10N1L,LQ(O | TOSHIBA | TK60S10N1L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
TK62J60W,S1VQ(O | TOSHIBA | TK62J60W THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
TK62N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
TDTC143E,LM(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 3.30 грн |
130+ | 2.23 грн |
500+ | 1.89 грн |
670+ | 1.64 грн |
1820+ | 1.56 грн |
TDTC143Z,LM(T |
Виробник: TOSHIBA
TDTC143Z NPN SMD transistors
TDTC143Z NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TDTC144E,LM(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
110+ | 2.80 грн |
160+ | 1.87 грн |
500+ | 1.60 грн |
690+ | 1.58 грн |
1890+ | 1.49 грн |
3000+ | 1.44 грн |
TJ15S06M3L(T6L1,NQ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TJ15S06M3L SMD P channel transistors
TJ15S06M3L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TJ30S06M3L,LXHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TJ30S06M3L SMD P channel transistors
TJ30S06M3L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TJ9A10M3,S4Q |
Виробник: TOSHIBA
TJ9A10M3 THT P channel transistors
TJ9A10M3 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK040N65Z,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK100A06N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK100A06N1 THT N channel transistors
TK100A06N1 THT N channel transistors
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.86 грн |
9+ | 134.55 грн |
23+ | 127.13 грн |
TK100E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK100E06N1 THT N channel transistors
TK100E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK100E10N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.86 грн |
3+ | 173.45 грн |
9+ | 128.05 грн |
24+ | 120.63 грн |
TK10A60W,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK10A60W5,S5VX(M |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 173.88 грн |
3+ | 150.32 грн |
10+ | 111.35 грн |
27+ | 104.86 грн |
TK10A80W,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK10A80W THT N channel transistors
TK10A80W THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 316.78 грн |
5+ | 222.70 грн |
14+ | 210.64 грн |
TK10E60W,S1VX(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK110P10PL,RQ(S2 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.95 грн |
5+ | 59.55 грн |
25+ | 50.29 грн |
26+ | 43.61 грн |
69+ | 40.83 грн |
TK11P65W,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK11P65W SMD N channel transistors
TK11P65W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK12P60W.RVQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK12Q60W,S1VQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK12Q60W THT N channel transistors
TK12Q60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK13P25D,RQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK13P25D SMD N channel transistors
TK13P25D SMD N channel transistors
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.93 грн |
21+ | 53.82 грн |
56+ | 51.04 грн |
TK14A65W,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.82 грн |
3+ | 219.71 грн |
7+ | 162.39 грн |
19+ | 153.11 грн |
TK15J50D(F) |
Виробник: TOSHIBA
TK15J50D THT N channel transistors
TK15J50D THT N channel transistors
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.84 грн |
8+ | 150.32 грн |
20+ | 141.97 грн |
TK160F10N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK160F10N1L SMD N channel transistors
TK160F10N1L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16A60W,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 229.84 грн |
3+ | 198.51 грн |
8+ | 146.61 грн |
21+ | 138.26 грн |
TK16A60W5,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 600 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16E60W,S1VX(S |
Виробник: TOSHIBA
TK16E60W THT N channel transistors
TK16E60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK16N60W5,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK18A30D,S5X(M |
Виробник: TOSHIBA
TK18A30D THT N channel transistors
TK18A30D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20A60W,S5VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 289.80 грн |
3+ | 250.54 грн |
6+ | 199.51 грн |
15+ | 189.30 грн |
250+ | 181.87 грн |
TK20G60W,RVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK20G60W SMD N channel transistors
TK20G60W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK20N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 329.77 грн |
3+ | 285.23 грн |
6+ | 210.64 грн |
15+ | 199.51 грн |
TK20P04M1,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK20P04M1 SMD N channel transistors
TK20P04M1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK22E10N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK22E10N1 THT N channel transistors
TK22E10N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK25S06N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK25S06N1L SMD N channel transistors
TK25S06N1L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK2K2A60F,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK2K2A60F THT N channel transistors
TK2K2A60F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK30E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK30E06N1 THT N channel transistors
TK30E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK31E60W,S1VX(S |
Виробник: TOSHIBA
TK31E60W THT N channel transistors
TK31E60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK31V60W5,LVQ(S |
Виробник: TOSHIBA
TK31V60W5 SMD N channel transistors
TK31V60W5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK32E12N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
On-state resistance: 13.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 98W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
On-state resistance: 13.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 98W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK33S10N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.90 грн |
5+ | 123.34 грн |
12+ | 94.65 грн |
32+ | 89.08 грн |
TK34E10N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.95 грн |
5+ | 67.45 грн |
10+ | 59.39 грн |
TK35E08N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK35E08N1 THT N channel transistors
TK35E08N1 THT N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.94 грн |
22+ | 50.94 грн |
59+ | 48.16 грн |
TK380A60Y,S4X |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK380A60Y THT N channel transistors
TK380A60Y THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK39J60W,S1VQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK39J60W THT N channel transistors
TK39J60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK39N60X,S1F(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 590.59 грн |
3+ | 428.81 грн |
8+ | 390.66 грн |
TK3A65D |
Виробник: TOSHIBA
TK3A65D THT N channel transistors
TK3A65D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.90 грн |
11+ | 105.78 грн |
29+ | 100.22 грн |
50+ | 99.25 грн |
TK3P50D,RQ |
Виробник: TOSHIBA
TK3P50D SMD N channel transistors
TK3P50D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK40E06N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK40E06N1 THT N channel transistors
TK40E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK40E10N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK40E10N1 THT N channel transistors
TK40E10N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK42A12N1,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK42A12N1 THT N channel transistors
TK42A12N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK430A60F,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 850 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 850 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK49N65W,S1F(S |
Виробник: TOSHIBA
TK49N65W THT N channel transistors
TK49N65W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M) |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.95 грн |
7+ | 47.89 грн |
10+ | 40.83 грн |
28+ | 40.36 грн |
50+ | 37.12 грн |
TK56E12N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
TK56E12N1 THT N channel transistors
TK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.87 грн |
10+ | 116.92 грн |
26+ | 111.35 грн |
TK58E06N1,S1X |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
TK58E06N1 THT N channel transistors
TK58E06N1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ |
Виробник: TOSHIBA
TK60S06K3L SMD N channel transistors
TK60S06K3L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK60S10N1L,LQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK60S10N1L SMD N channel transistors
TK60S10N1L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62J60W,S1VQ(O |
Виробник: TOSHIBA
TK62J60W THT N channel transistors
TK62J60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TK62N60W,S1VF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.