Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74VHCV541FT(BJ) | TOSHIBA | 74VHCV541FTBJ Buffers, transceivers, drivers |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BAS316,H3F(T | TOSHIBA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 230mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 3ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 0.35pF Case: SOD323 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.23W Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.5A кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 34970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS516,H3F(T | TOSHIBA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; 150mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 3ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD523 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.15W Kind of package: reel; tape Capacitance: 0.35pF Max. load current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BAS516,L3F(T | TOSHIBA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; 150mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 3ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD523 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.15W Kind of package: reel; tape Capacitance: 0.35pF Max. load current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BAV70,LM(T | TOSHIBA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 0.9pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.15W Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.5A Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
CES388,L3F | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CMS01(TE12L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CMS11(TE12L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
CMS16(TE12L,Q) | TOSHIBA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; M-FLAT; SMD; 40V; 3A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: M-FLAT Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.55V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
CRF02(TE85L,Q,M) | TOSHIBA | CRF02 SMD universal diodes |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CRG07(TE85L,Q,M) | TOSHIBA | CRG07 SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CRS01(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 10967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CRS03(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CRS04(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CRS05(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 9815 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CRS06(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CRS08(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
CRS09(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 30V; 1A; reel,tape Mounting: SMD Case: SOD123F Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.46V Load current: 1A Type of diode: Schottky rectifying Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
CRS13(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CRS14(TE85L,Q,M) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CRS15I30B(TE85L,QM | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CRS20I40A(TE85L,QM | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
CUS10F30,H3F | TOSHIBA | CUS10F30 SMD Schottky diodes |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CUS10S30,H3F(T | TOSHIBA | CUS10S30 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
CUS520,H3F(T | TOSHIBA |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. load current: 0.3A Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DF10G5M4N,LF(D | TOSHIBA |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 5V; 2A; 30W; bidirectional; DFN10; Ch: 4; reel,tape Version: ESD Mounting: SMD Type of diode: TVS array Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Max. forward impulse current: 2A Max. off-state voltage: 3.6V Number of channels: 4 Breakdown voltage: 5V Peak pulse power dissipation: 30W Semiconductor structure: bidirectional Case: DFN10 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DF2B36FU,H3F(T | TOSHIBA | DF2B36FU Bidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DF5A3.6JE,LM(T | TOSHIBA | DF5A3.6JE Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DF5A5.6F(TE85L,F) | TOSHIBA | DF5A5.6F Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DF5A6.2CJE,LM | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EMPP008Z | TOSHIBA | EMPP008Z One Phase Inverters |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GT15J341,S4X(S | TOSHIBA | GT15J341 THT IGBT transistors |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GT20J341,S4X(S | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GT30J121(Q) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 170W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 240ns Turn-off time: 430ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GT40QR21(STA1,E,D | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 35A Power dissipation: 230W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 0.6µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GT40WR21,Q(O | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.8kV Collector current: 40A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 950ns Turn-off time: 570ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
GT50JR21(STA1,E,S) | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HN1B04FE-GR,LF(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A Mounting: SMD Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.1W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...400 Frequency: 80MHz Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Case: SOT563F Type of transistor: NPN / PNP кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HN1B04FU-GR(L,F,T) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A Mounting: SMD Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 120...400 Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Case: SC88 Type of transistor: NPN / PNP кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HN2S01FU(TE85L,F) | TOSHIBA | HN2S01FU SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
JDH3D01FV(TPL3) | TOSHIBA | JDH3D01FV SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFM04U6P(TE12L,F) | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RN1401,LF(T | TOSHIBA | RN1401 NPN SMD transistors |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RN1402(TE85L,F) | TOSHIBA | RN1402 NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RN1406(TE85L,F) | TOSHIBA | RN1406 NPN SMD transistors |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RN1411(TE85L,F) | TOSHIBA | RN1411 NPN SMD transistors |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RN1427(TE85L,F) | TOSHIBA | RN1427 NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RN1604(TE85L,F) | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RN1910FE,LF(CT | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RN2405,LXGF(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SC59 Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 30000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RN2410(TE85L,F) | TOSHIBA | RN2410 PNP SMD transistors |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RN4982FE,LF(CT | TOSHIBA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SSM3J16FS(TE85L,F) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75 Mounting: SMD Case: SC75 Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Drain current: -100mA Power dissipation: 0.1W On-state resistance: 45Ω Gate-source voltage: ±10V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 15000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSM3J327R,LF(B | TOSHIBA | SSM3J327R SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 88.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSM3J331R,LF | TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +2 |
SSM3J332R,LF(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 144mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSM3J334R,LF(T | TOSHIBA | SSM3J334R SMD P channel transistors |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SSM3J355R,LF(T | TOSHIBA | SSM3J355R SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
74VHCV541FT(BJ) |
Виробник: TOSHIBA
74VHCV541FTBJ Buffers, transceivers, drivers
74VHCV541FTBJ Buffers, transceivers, drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BAS316,H3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 230mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.35pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.23W
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 230mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.35pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.23W
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 6.28 грн |
120+ | 2.55 грн |
500+ | 2.22 грн |
690+ | 1.63 грн |
1890+ | 1.53 грн |
BAS516,H3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; 150mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.35pF
Max. load current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; 150mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.35pF
Max. load current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BAS516,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; 150mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.35pF
Max. load current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 3ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; 150mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.35pF
Max. load current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BAV70,LM(T |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 0.9pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 0.9pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.5A
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 11.43 грн |
45+ | 6.59 грн |
100+ | 5.78 грн |
224+ | 5.02 грн |
614+ | 4.74 грн |
1000+ | 4.55 грн |
CES388,L3F |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CES388 SMD Schottky diodes
CES388 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMS01(TE12L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CMS01 SMD Schottky diodes
CMS01 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMS11(TE12L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CMS11 SMD Schottky diodes
CMS11 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMS16(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; M-FLAT; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: M-FLAT
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; M-FLAT; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: M-FLAT
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.53 грн |
25+ | 18.10 грн |
80+ | 13.93 грн |
219+ | 13.17 грн |
3000+ | 12.89 грн |
CRF02(TE85L,Q,M) |
Виробник: TOSHIBA
CRF02 SMD universal diodes
CRF02 SMD universal diodes
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.59 грн |
114+ | 9.76 грн |
313+ | 9.19 грн |
CRG07(TE85L,Q,M) |
Виробник: TOSHIBA
CRG07 SMD universal diodes
CRG07 SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRS01(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS01 SMD Schottky diodes
CRS01 SMD Schottky diodes
на замовлення 10967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.55 грн |
143+ | 7.77 грн |
391+ | 7.39 грн |
24000+ | 7.38 грн |
CRS03(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS03 SMD Schottky diodes
CRS03 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRS04(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS04 SMD Schottky diodes
CRS04 SMD Schottky diodes
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.92 грн |
140+ | 7.96 грн |
385+ | 7.58 грн |
CRS05(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS05 SMD Schottky diodes
CRS05 SMD Schottky diodes
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.32 грн |
87+ | 12.89 грн |
237+ | 12.22 грн |
CRS06(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS06 SMD Schottky diodes
CRS06 SMD Schottky diodes
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.43 грн |
115+ | 10.04 грн |
305+ | 9.47 грн |
CRS08(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS08 SMD Schottky diodes
CRS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 16.02 грн |
115+ | 9.76 грн |
315+ | 9.19 грн |
CRS09(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.46V
Load current: 1A
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.46V
Load current: 1A
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.57 грн |
12+ | 25.58 грн |
13+ | 23.12 грн |
50+ | 18.00 грн |
100+ | 15.63 грн |
114+ | 9.76 грн |
313+ | 9.29 грн |
CRS13(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS13 SMD Schottky diodes
CRS13 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRS14(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS14 SMD Schottky diodes
CRS14 SMD Schottky diodes
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.94 грн |
78+ | 14.40 грн |
212+ | 13.64 грн |
CRS15I30B(TE85L,QM |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS15I30B SMD Schottky diodes
CRS15I30B SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRS20I40A(TE85L,QM |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
CRS20I40A SMD Schottky diodes
CRS20I40A SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CUS10F30,H3F |
Виробник: TOSHIBA
CUS10F30 SMD Schottky diodes
CUS10F30 SMD Schottky diodes
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 15.10 грн |
270+ | 4.16 грн |
735+ | 3.93 грн |
CUS10S30,H3F(T |
Виробник: TOSHIBA
CUS10S30 SMD Schottky diodes
CUS10S30 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CUS520,H3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.73 грн |
50+ | 9.80 грн |
100+ | 7.15 грн |
500+ | 3.75 грн |
506+ | 2.21 грн |
1391+ | 2.08 грн |
DF10G5M4N,LF(D |
Виробник: TOSHIBA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 2A; 30W; bidirectional; DFN10; Ch: 4; reel,tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 3.6V
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 5V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN10
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 2A; 30W; bidirectional; DFN10; Ch: 4; reel,tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 3.6V
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 5V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN10
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DF2B36FU,H3F(T |
Виробник: TOSHIBA
DF2B36FU Bidirectional TVS SMD diodes
DF2B36FU Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.28 грн |
155+ | 7.20 грн |
425+ | 6.82 грн |
DF5A3.6JE,LM(T |
Виробник: TOSHIBA
DF5A3.6JE Protection diodes - arrays
DF5A3.6JE Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DF5A5.6F(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
DF5A5.6F Protection diodes - arrays
DF5A5.6F Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DF5A6.2CJE,LM |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
DF5A6.2CJE Protection diodes - arrays
DF5A6.2CJE Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EMPP008Z |
Виробник: TOSHIBA
EMPP008Z One Phase Inverters
EMPP008Z One Phase Inverters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1617.33 грн |
2+ | 1529.22 грн |
GT15J341,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
GT15J341 THT IGBT transistors
GT15J341 THT IGBT transistors
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.42 грн |
10+ | 113.70 грн |
27+ | 107.06 грн |
GT20J341,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
GT20J341 THT IGBT transistors
GT20J341 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GT30J121(Q) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 305.09 грн |
3+ | 265.66 грн |
6+ | 200.86 грн |
16+ | 190.44 грн |
GT40QR21(STA1,E,D |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 465.28 грн |
6+ | 216.46 грн |
15+ | 197.07 грн |
500+ | 195.18 грн |
GT40WR21,Q(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1114.23 грн |
2+ | 814.68 грн |
4+ | 740.92 грн |
100+ | 736.18 грн |
GT50JR21(STA1,E,S) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
GT50JR21 THT IGBT transistors
GT50JR21 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GT50JR22(STA1,E,S) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 532.62 грн |
4+ | 291.24 грн |
11+ | 265.29 грн |
HN1B04FE-GR,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...400
Frequency: 80MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SOT563F
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 20 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...400
Frequency: 80MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SOT563F
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
80+ | 4.69 грн |
100+ | 4.06 грн |
380+ | 2.99 грн |
1020+ | 2.83 грн |
HN1B04FU-GR(L,F,T) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...400
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SC88
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...400
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SC88
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 8.57 грн |
85+ | 3.58 грн |
100+ | 3.12 грн |
460+ | 2.42 грн |
1265+ | 2.28 грн |
HN2S01FU(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
HN2S01FU SMD Schottky diodes
HN2S01FU SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
JDH3D01FV(TPL3) |
Виробник: TOSHIBA
JDH3D01FV SMD Schottky diodes
JDH3D01FV SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFM04U6P(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
RFM04U6P SMD N channel transistors
RFM04U6P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN1401,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
RN1401 NPN SMD transistors
RN1401 NPN SMD transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
79+ | 3.88 грн |
660+ | 1.70 грн |
1820+ | 1.60 грн |
RN1402(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
RN1402 NPN SMD transistors
RN1402 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN1406(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
RN1406 NPN SMD transistors
RN1406 NPN SMD transistors
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.28 грн |
315+ | 3.56 грн |
860+ | 3.36 грн |
RN1411(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
RN1411 NPN SMD transistors
RN1411 NPN SMD transistors
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 11.42 грн |
365+ | 3.06 грн |
1000+ | 2.89 грн |
RN1427(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
RN1427 NPN SMD transistors
RN1427 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN1604(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
RN1604 NPN SMD transistors
RN1604 NPN SMD transistors
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 15.20 грн |
175+ | 6.35 грн |
480+ | 6.06 грн |
RN1910FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
RN1910FE NPN SMD transistors
RN1910FE NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN2405,LXGF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 30000 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN2410(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
RN2410 PNP SMD transistors
RN2410 PNP SMD transistors
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 11.42 грн |
360+ | 3.13 грн |
980+ | 2.96 грн |
3000+ | 2.95 грн |
RN4982FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
RN4982FE Complementary transistors
RN4982FE Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3J16FS(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 0.1W
On-state resistance: 45Ω
Gate-source voltage: ±10V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 15000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 0.1W
On-state resistance: 45Ω
Gate-source voltage: ±10V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 15000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15000+ | 6.33 грн |
SSM3J327R,LF(B |
Виробник: TOSHIBA
SSM3J327R SMD P channel transistors
SSM3J327R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3J328R,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 88.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 88.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.43 грн |
15+ | 20.07 грн |
25+ | 15.35 грн |
50+ | 13.17 грн |
100+ | 11.37 грн |
152+ | 7.30 грн |
419+ | 6.92 грн |
SSM3J331R,LF |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
SSM3J331R SMD P channel transistors
SSM3J331R SMD P channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.28 грн |
140+ | 8.24 грн |
375+ | 7.77 грн |
SSM3J332R,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.31 грн |
35+ | 9.15 грн |
100+ | 7.86 грн |
165+ | 6.73 грн |
455+ | 6.35 грн |
SSM3J334R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
SSM3J334R SMD P channel transistors
SSM3J334R SMD P channel transistors
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.28 грн |
130+ | 8.62 грн |
355+ | 8.15 грн |
SSM3J355R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
SSM3J355R SMD P channel transistors
SSM3J355R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.