Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (52146) > Сторінка 564 з 870

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 559 560 561 562 563 564 565 566 567 568 569 609 696 783 870  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT30J121(Q) GT30J121(Q) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C53148E9BEEA18&compId=GT30J121.pdf?ci_sign=80967d37a1ea108188bdec79fae801876b175f14 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.79 грн
3+260.18 грн
6+197.65 грн
16+187.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA GT40QR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.69 грн
6+212.00 грн
15+193.01 грн
500+191.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O TOSHIBA GT40WR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1091.25 грн
2+797.88 грн
4+726.57 грн
100+721.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB3034F8F3418BF&compId=GT50JR21.pdf?ci_sign=cc4104a019b2b81086958d0047bd6d8d23b27aef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E8D9B8FB43380C4&compId=HN1B04FE.pdf?ci_sign=f7044e216a5a1fdc6ba7b0230c32e50bd98f6248 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.60 грн
100+3.98 грн
380+2.94 грн
1020+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(L,F,T) HN1B04FU-GR(L,F,T) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB4E82889BAD8BF&compId=HN1B04FU.pdf?ci_sign=eaa46c87ad81af521689ff2eeebeff1f8e68a633 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.39 грн
85+3.51 грн
100+3.05 грн
460+2.38 грн
1260+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FU(TE85L,F) TOSHIBA HN2S01FU SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01FV(TPL3) TOSHIBA JDH3D01FV SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) TOSHIBA RFM04U6P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 2A
Power dissipation: 7W
Case: PW-Mini
Gate-source voltage: ±3V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Efficiency: 70%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Frequency: 470MHz
Open-loop gain: 13.3dB
Output power: 4.3W
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401,LF(T TOSHIBA RN1401_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.60 грн
140+2.25 грн
500+1.91 грн
660+1.67 грн
1800+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402(TE85L,F) TOSHIBA RN1402 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F)
+1
 		RN1406(TE85L,F) TOSHIBA RN1406.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.19 грн
60+5.24 грн
100+4.54 грн
310+3.50 грн
855+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411(TE85L,F) RN1411(TE85L,F) TOSHIBA RN1410_11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+11.19 грн
85+3.43 грн
100+2.91 грн
500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427(TE85L,F) TOSHIBA RN1427 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 RN1604 NPN SMD transistors
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.89 грн
175+6.22 грн
480+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CT TOSHIBA RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE RN1910FE NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(T TOSHIBA RN2405 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410(TE85L,F) RN2410(TE85L,F) TOSHIBA RN2410_11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+11.19 грн
85+3.51 грн
100+2.98 грн
500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT TOSHIBA docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE RN4982FE Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FS(TE85L,F) TOSHIBA SSM3J16FS SMD P channel transistors
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.19 грн
160+6.87 грн
435+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(B TOSHIBA SSM3J327R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T TOSHIBA SSM3J328R SMD P channel transistors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.58 грн
152+7.15 грн
416+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF TOSHIBA SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R SSM3J331R SMD P channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.99 грн
140+8.07 грн
375+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
+2
 		SSM3J332R,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969FC473B04633D6&compId=SSM3J332R.pdf?ci_sign=c4dadc4fa73db81429eb3f7d4bedfa71fcf43021 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.99 грн
35+8.96 грн
100+7.70 грн
165+6.68 грн
455+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(T TOSHIBA SSM3J334R SMD P channel transistors
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.99 грн
130+8.44 грн
355+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(T TOSHIBA SSM3J355R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(T TOSHIBA SSM3J35CTC SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T TOSHIBA SSM3K15AFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(B TOSHIBA SSM3K15AFSLFB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(T TOSHIBA SSM3K15AFU SMD N channel transistors
на замовлення 16415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.99 грн
360+3.03 грн
985+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F) TOSHIBA SSM3K16FU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T TOSHIBA SSM3K324R SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(B TOSHIBA SSM3K329R SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(B SSM3K333R,LF(B TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A183544927D02143&compId=SSM3K333R.pdf?ci_sign=1f512c3932028fc79c02f72a21f40250dd113811 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 3.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.19 грн
30+10.70 грн
100+9.19 грн
140+7.89 грн
385+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R TOSHIBA SSM3K339R SMD N channel transistors
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.99 грн
180+6.03 грн
495+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(T
+1
 		SSM3K341R,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FBE0E7E111EC0C4&compId=SSM3K341R.pdf?ci_sign=dcbcd920219df6689eb070440d938f499a880f17 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.96 грн
11+26.40 грн
62+17.54 грн
171+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA SSM3K35MFV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T TOSHIBA SSM3K36FS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F TOSHIBA SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV SSM3K37MFV SMD N channel transistors
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.89 грн
320+3.41 грн
880+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KFU,LF(T SSM3K7002KFU,LF(T TOSHIBA SSM3K7002KFU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.90 грн
60+4.99 грн
250+4.33 грн
310+3.51 грн
855+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF(T TOSHIBA SSM3K72CFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F(T TOSHIBA SSM3K72KCT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KFS,LF(T
+1
 		SSM3K72KFS,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB825593801D8BF&compId=SSM3K72KFS.pdf?ci_sign=c30f06778b96e344d8265ca2dae436bfc40ff5de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+7.69 грн
80+3.82 грн
250+3.24 грн
375+2.93 грн
1000+2.91 грн
1025+2.77 грн
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF TOSHIBA docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU SSM6J501NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T TOSHIBA docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU SSM6J502NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF(T TOSHIBA SSM6J503NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF(T SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA SSM6K403TU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 66mΩ
Version: ESD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.28 грн
25+18.31 грн
81+13.53 грн
221+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA SSM6K504NU SMD N channel transistors
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.99 грн
115+9.74 грн
310+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LF(T TOSHIBA SSM6L12TU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA SSM6N15AFU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM(T SSM6N35FE,LM(T TOSHIBA SSM6N35FE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF TOSHIBA SSM6N40TU Multi channel transistors
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+18.89 грн
89+12.25 грн
245+11.60 грн
3000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(T SSM6N7002CFU,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB7B698455818BF&compId=SSM6N7002CFU.pdf?ci_sign=6b2ebab5355d9bd2f03693cf10e7bc48fb34061b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.27nC
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB81D090E7778BF&compId=SSM6N7002KFU.pdf?ci_sign=f79f2268cee39eb4714eb1bf5b864000c5dab263 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
23+13.39 грн
50+8.31 грн
100+5.63 грн
250+4.96 грн
315+3.49 грн
865+3.29 грн
1500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(T T2N7002AK,LM(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8CBE3DECB842C0C4&compId=T2N7002AK.pdf?ci_sign=cab9124984377baf0929b84577e05f6d1c23149f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK,LM(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB79AA6880CD8BF&compId=T2N7002BK.pdf?ci_sign=a0538c7aedc8c289641c9bb3c7879b0447658ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.35 грн
100+3.32 грн
450+2.45 грн
1225+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
TA75S393F,LF(T TOSHIBA TA75S393F SMD comparators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6560AFG(O,8) TB6560AFG(O,8) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE590B4435FE6BB4469&compId=TB6560AHQ.pdf?ci_sign=7c8f410b3c79dfb63e9d86d806020c0b549bca5a Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; QFP64; 1.5A; 4.5÷34V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: QFP64
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
Output voltage: 4.5...34V
Output current: 1.5A
Interface: PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+398.72 грн
3+345.94 грн
5+262.60 грн
12+248.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C53148E9BEEA18&compId=GT30J121.pdf?ci_sign=80967d37a1ea108188bdec79fae801876b175f14
GT30J121(Q)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.79 грн
3+260.18 грн
6+197.65 грн
16+187.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21.pdf
GT40QR21(STA1,E,D
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.69 грн
6+212.00 грн
15+193.01 грн
500+191.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40WR21,Q(O GT40WR21.pdf
GT40WR21,Q(O
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.25 грн
2+797.88 грн
4+726.57 грн
100+721.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB3034F8F3418BF&compId=GT50JR21.pdf?ci_sign=cc4104a019b2b81086958d0047bd6d8d23b27aef
GT50JR21(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895A3D659C47F53D5&compId=GT50JR22.pdf?ci_sign=026d365175e456f12f7385da2d4d267b6f3fba95
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8E8D9B8FB43380C4&compId=HN1B04FE.pdf?ci_sign=f7044e216a5a1fdc6ba7b0230c32e50bd98f6248
HN1B04FE-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.60 грн
100+3.98 грн
380+2.94 грн
1020+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(L,F,T) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB4E82889BAD8BF&compId=HN1B04FU.pdf?ci_sign=eaa46c87ad81af521689ff2eeebeff1f8e68a633
HN1B04FU-GR(L,F,T)
Виробник: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.39 грн
85+3.51 грн
100+3.05 грн
460+2.38 грн
1260+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FU(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
HN2S01FU SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01FV(TPL3)
Виробник: TOSHIBA
JDH3D01FV SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 2A
Power dissipation: 7W
Case: PW-Mini
Gate-source voltage: ±3V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Efficiency: 70%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Frequency: 470MHz
Open-loop gain: 13.3dB
Output power: 4.3W
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401_06.pdf
RN1401,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.60 грн
140+2.25 грн
500+1.91 грн
660+1.67 грн
1800+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
RN1402 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F) RN1406.pdf
RN1406(TE85L,F)
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.19 грн
60+5.24 грн
100+4.54 грн
310+3.50 грн
855+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411(TE85L,F) RN1410_11.pdf
RN1411(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+11.19 грн
85+3.43 грн
100+2.91 грн
500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
RN1427 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
Виробник: TOSHIBA
RN1604 NPN SMD transistors
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.89 грн
175+6.22 грн
480+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
Виробник: TOSHIBA
RN1910FE NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
RN2405 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410(TE85L,F) RN2410_11.pdf
RN2410(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+11.19 грн
85+3.51 грн
100+2.98 грн
500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE
Виробник: TOSHIBA
RN4982FE Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FS(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
SSM3J16FS SMD P channel transistors
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.19 грн
160+6.87 грн
435+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
SSM3J327R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J328R SMD P channel transistors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.58 грн
152+7.15 грн
416+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R
Виробник: TOSHIBA
SSM3J331R SMD P channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.99 грн
140+8.07 грн
375+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969FC473B04633D6&compId=SSM3J332R.pdf?ci_sign=c4dadc4fa73db81429eb3f7d4bedfa71fcf43021
SSM3J332R,LF(T
+2
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.99 грн
35+8.96 грн
100+7.70 грн
165+6.68 грн
455+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J334R SMD P channel transistors
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.99 грн
130+8.44 грн
355+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J355R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J35CTC SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K15AFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(B
Виробник: TOSHIBA
SSM3K15AFSLFB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K15AFU SMD N channel transistors
на замовлення 16415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.99 грн
360+3.03 грн
985+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
SSM3K16FU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K324R SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
SSM3K329R SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A183544927D02143&compId=SSM3K333R.pdf?ci_sign=1f512c3932028fc79c02f72a21f40250dd113811
SSM3K333R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 3.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.19 грн
30+10.70 грн
100+9.19 грн
140+7.89 грн
385+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R
Виробник: TOSHIBA
SSM3K339R SMD N channel transistors
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.99 грн
180+6.03 грн
495+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FBE0E7E111EC0C4&compId=SSM3K341R.pdf?ci_sign=dcbcd920219df6689eb070440d938f499a880f17
SSM3K341R,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.96 грн
11+26.40 грн
62+17.54 грн
171+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K35MFV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K36FS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV
Виробник: TOSHIBA
SSM3K37MFV SMD N channel transistors
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.89 грн
320+3.41 грн
880+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KFU,LF(T SSM3K7002KFU.pdf
SSM3K7002KFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
45+6.90 грн
60+4.99 грн
250+4.33 грн
310+3.51 грн
855+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K72CFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K72KCT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KFS,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB825593801D8BF&compId=SSM3K72KFS.pdf?ci_sign=c30f06778b96e344d8265ca2dae436bfc40ff5de
SSM3K72KFS,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.69 грн
80+3.82 грн
250+3.24 грн
375+2.93 грн
1000+2.91 грн
1025+2.77 грн
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU
Виробник: TOSHIBA
SSM6J501NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
Виробник: TOSHIBA
SSM6J502NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6J503NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF(T
SSM6J511NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF(T SSM6K403TU.pdf
SSM6K403TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 66mΩ
Version: ESD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.28 грн
25+18.31 грн
81+13.53 грн
221+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6K504NU SMD N channel transistors
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.99 грн
115+9.74 грн
310+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6L12TU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6N15AFU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM(T SSM6N35FE.pdf
SSM6N35FE,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF
Виробник: TOSHIBA
SSM6N40TU Multi channel transistors
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.89 грн
89+12.25 грн
245+11.60 грн
3000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB7B698455818BF&compId=SSM6N7002CFU.pdf?ci_sign=6b2ebab5355d9bd2f03693cf10e7bc48fb34061b
SSM6N7002CFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.27nC
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB81D090E7778BF&compId=SSM6N7002KFU.pdf?ci_sign=f79f2268cee39eb4714eb1bf5b864000c5dab263
SSM6N7002KFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
23+13.39 грн
50+8.31 грн
100+5.63 грн
250+4.96 грн
315+3.49 грн
865+3.29 грн
1500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8CBE3DECB842C0C4&compId=T2N7002AK.pdf?ci_sign=cab9124984377baf0929b84577e05f6d1c23149f
T2N7002AK,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.76A
Version: ESD
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB79AA6880CD8BF&compId=T2N7002BK.pdf?ci_sign=a0538c7aedc8c289641c9bb3c7879b0447658ebf
T2N7002BK,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.35 грн
100+3.32 грн
450+2.45 грн
1225+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
TA75S393F,LF(T
Виробник: TOSHIBA
TA75S393F SMD comparators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6560AFG(O,8) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE590B4435FE6BB4469&compId=TB6560AHQ.pdf?ci_sign=7c8f410b3c79dfb63e9d86d806020c0b549bca5a
TB6560AFG(O,8)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; QFP64; 1.5A; 4.5÷34V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: QFP64
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
Output voltage: 4.5...34V
Output current: 1.5A
Interface: PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.72 грн
3+345.94 грн
5+262.60 грн
12+248.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 559 560 561 562 563 564 565 566 567 568 569 609 696 783 870  [ Наступна Сторінка >> ]