Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (51928) > Сторінка 561 з 866

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 86 172 258 344 430 516 556 557 558 559 560 561 562 563 564 565 566 602 688 774 860 866  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O TOSHIBA GT40WR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1066.72 грн
2+779.95 грн
4+710.24 грн
100+704.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA HN1B04FE.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.49 грн
100+3.89 грн
380+2.87 грн
1020+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(L,F,T) HN1B04FU-GR(L,F,T) TOSHIBA HN1B04FU.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.21 грн
85+3.43 грн
100+2.98 грн
460+2.31 грн
1260+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FU(TE85L,F) TOSHIBA HN2S01FU SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01FV(TPL3) TOSHIBA JDH3D01FV SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) TOSHIBA RFM04U6P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 2A
Power dissipation: 7W
Case: PW-Mini
Gate-source voltage: ±3V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Efficiency: 70%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Frequency: 470MHz
Open-loop gain: 13.3dB
Output power: 4.3W
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401,LF(T TOSHIBA RN1401_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.52 грн
140+2.20 грн
500+1.87 грн
660+1.63 грн
1800+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402(TE85L,F) TOSHIBA RN1402 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F)
+1
 		RN1406(TE85L,F) TOSHIBA RN1406.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.89 грн
60+5.12 грн
100+4.44 грн
310+3.42 грн
855+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411(TE85L,F) RN1411(TE85L,F) TOSHIBA RN1410_11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.94 грн
85+3.35 грн
100+2.85 грн
500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427(TE85L,F) TOSHIBA RN1427 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) RN1604(TE85L,F) TOSHIBA RN1601_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; SM6; R1: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SM6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.87 грн
35+8.29 грн
100+7.08 грн
180+6.17 грн
490+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CT TOSHIBA RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE RN1910FE NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(T TOSHIBA RN2405 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410(TE85L,F) RN2410(TE85L,F) TOSHIBA RN2410_11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.94 грн
85+3.43 грн
100+2.91 грн
500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT TOSHIBA docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE RN4982FE Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FS(TE85L,F) SSM3J16FS(TE85L,F) TOSHIBA SSM3J16FS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.1A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.04 грн
35+8.48 грн
100+7.26 грн
160+6.89 грн
435+6.53 грн
500+6.44 грн
3000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(B TOSHIBA SSM3J327R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T TOSHIBA SSM3J328R SMD P channel transistors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.98 грн
152+6.98 грн
416+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF TOSHIBA SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R SSM3J331R SMD P channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.68 грн
140+7.89 грн
375+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
+2
 		SSM3J332R,LF(T TOSHIBA SSM3J332R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.65 грн
35+8.76 грн
100+7.53 грн
165+6.44 грн
450+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(T TOSHIBA SSM3J334R SMD P channel transistors
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.68 грн
130+8.25 грн
355+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(T TOSHIBA SSM3J355R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(T TOSHIBA SSM3J35CTC SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T TOSHIBA SSM3K15AFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(B TOSHIBA SSM3K15AFSLFB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(T TOSHIBA SSM3K15AFU SMD N channel transistors
на замовлення 16415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.68 грн
360+2.97 грн
985+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F) TOSHIBA SSM3K16FU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T
+1
 		SSM3K324R,LF(T TOSHIBA SSM3K324R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(B SSM3K329R,LF(B TOSHIBA SSM3K329R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 289mΩ
Version: ESD
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(B TOSHIBA SSM3K333R SMD N channel transistors
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.68 грн
140+7.80 грн
375+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R TOSHIBA SSM3K339R SMD N channel transistors
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.68 грн
180+5.90 грн
495+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(T TOSHIBA SSM3K341R SMD N channel transistors
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.24 грн
62+17.23 грн
170+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA SSM3K35MFV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T
+1
 		SSM3K36FS,LF(T TOSHIBA SSM3K36FS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F TOSHIBA SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV SSM3K37MFV SMD N channel transistors
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.51 грн
320+3.33 грн
880+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KFU,LF(T SSM3K7002KFU,LF(T TOSHIBA SSM3K7002KFU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.74 грн
60+4.88 грн
250+4.24 грн
310+3.43 грн
855+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF(T TOSHIBA SSM3K72CFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F(T TOSHIBA SSM3K72KCT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KFS,LF(T
+1
 		SSM3K72KFS,LF(T TOSHIBA SSM3K72KFS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+7.52 грн
80+3.73 грн
250+3.17 грн
375+2.92 грн
1000+2.85 грн
1025+2.77 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF TOSHIBA docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU SSM6J501NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T TOSHIBA docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU SSM6J502NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF(T SSM6J503NU,LF(T TOSHIBA SSM6J503NU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NU,LF(T TOSHIBA Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF(T SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA SSM6K403TU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 66mΩ
Version: ESD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.64 грн
25+17.90 грн
81+13.22 грн
221+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA SSM6K504NU SMD N channel transistors
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.65 грн
115+9.52 грн
310+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LF(T TOSHIBA SSM6L12TU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA SSM6N15AFU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM(T SSM6N35FE,LM(T TOSHIBA SSM6N35FE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF SSM6N40TU,LXGF TOSHIBA SSM6N40TU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 182mΩ
Gate charge: 5.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+18.56 грн
25+13.56 грн
91+11.97 грн
100+11.52 грн
250+11.34 грн
500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(T SSM6N7002CFU,LF(T TOSHIBA SSM6N7002CFU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.27nC
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA SSM6N7002KFU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
23+13.09 грн
50+8.12 грн
100+5.51 грн
250+4.85 грн
312+3.41 грн
856+3.22 грн
1500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(T TOSHIBA T2N7002AK SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK,LM(T TOSHIBA T2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.49 грн
100+3.40 грн
420+2.54 грн
1150+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
TA75S393F,LF(T TOSHIBA TA75S393F SMD comparators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6560AFG(O,8) TB6560AFG(O,8) TOSHIBA TB6560AHQ.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; QFP64; 1.5A; 4.5÷34V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: QFP64
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
Output voltage: 4.5...34V
Output current: 1.5A
Interface: PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+389.76 грн
3+338.17 грн
5+256.70 грн
12+243.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB6561FG(O,8,EL) TOSHIBA TB6561FG Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6568KQ(O,8) TB6568KQ(O,8) TOSHIBA TB6568KQ.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HSIP7-P-2.54A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Case: HSIP7-P-2.54A
Output current: 3A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...48V DC
Output voltage: 50V
Interface: PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.67 грн
5+263.75 грн
12+240.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40WR21,Q(O GT40WR21.pdf
GT40WR21,Q(O
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1066.72 грн
2+779.95 грн
4+710.24 грн
100+704.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21.pdf
GT50JR21(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE.pdf
HN1B04FE-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.49 грн
100+3.89 грн
380+2.87 грн
1020+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(L,F,T) HN1B04FU.pdf
HN1B04FU-GR(L,F,T)
Виробник: TOSHIBA
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.21 грн
85+3.43 грн
100+2.98 грн
460+2.31 грн
1260+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FU(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
HN2S01FU SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01FV(TPL3)
Виробник: TOSHIBA
JDH3D01FV SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 16V
Drain current: 2A
Power dissipation: 7W
Case: PW-Mini
Gate-source voltage: ±3V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Efficiency: 70%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Frequency: 470MHz
Open-loop gain: 13.3dB
Output power: 4.3W
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401_06.pdf
RN1401,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.52 грн
140+2.20 грн
500+1.87 грн
660+1.63 грн
1800+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
RN1402 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F) RN1406.pdf
RN1406(TE85L,F)
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.89 грн
60+5.12 грн
100+4.44 грн
310+3.42 грн
855+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411(TE85L,F) RN1410_11.pdf
RN1411(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.94 грн
85+3.35 грн
100+2.85 грн
500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
RN1427 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) RN1601_06.pdf
RN1604(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; SM6; R1: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SM6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.87 грн
35+8.29 грн
100+7.08 грн
180+6.17 грн
490+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
Виробник: TOSHIBA
RN1910FE NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(T
Виробник: TOSHIBA
RN2405 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410(TE85L,F) RN2410_11.pdf
RN2410(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.94 грн
85+3.43 грн
100+2.91 грн
500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE
Виробник: TOSHIBA
RN4982FE Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FS(TE85L,F) SSM3J16FS.pdf
SSM3J16FS(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; 0.1W; SC75
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.1A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.04 грн
35+8.48 грн
100+7.26 грн
160+6.89 грн
435+6.53 грн
500+6.44 грн
3000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
SSM3J327R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J328R SMD P channel transistors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.98 грн
152+6.98 грн
416+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R
Виробник: TOSHIBA
SSM3J331R SMD P channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
140+7.89 грн
375+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R.pdf
SSM3J332R,LF(T
+2
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.65 грн
35+8.76 грн
100+7.53 грн
165+6.44 грн
450+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J334R SMD P channel transistors
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
130+8.25 грн
355+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J355R SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3J35CTC SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K15AFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(B
Виробник: TOSHIBA
SSM3K15AFSLFB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K15AFU SMD N channel transistors
на замовлення 16415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
360+2.97 грн
985+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
SSM3K16FU SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T SSM3K324R.pdf
SSM3K324R,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(B SSM3K329R.pdf
SSM3K329R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 289mΩ
Version: ESD
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(B
Виробник: TOSHIBA
SSM3K333R SMD N channel transistors
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
140+7.80 грн
375+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R
Виробник: TOSHIBA
SSM3K339R SMD N channel transistors
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
180+5.90 грн
495+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K341R SMD N channel transistors
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.24 грн
62+17.23 грн
170+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K35MFV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T SSM3K36FS.pdf
SSM3K36FS,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV
Виробник: TOSHIBA
SSM3K37MFV SMD N channel transistors
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.51 грн
320+3.33 грн
880+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KFU,LF(T SSM3K7002KFU.pdf
SSM3K7002KFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
45+6.74 грн
60+4.88 грн
250+4.24 грн
310+3.43 грн
855+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K72CFS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
SSM3K72KCT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS.pdf
SSM3K72KFS,LF(T
+1
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75; ESD
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.52 грн
80+3.73 грн
250+3.17 грн
375+2.92 грн
1000+2.85 грн
1025+2.77 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU
Виробник: TOSHIBA
SSM6J501NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J502NU,LF(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU
Виробник: TOSHIBA
SSM6J502NU SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF(T SSM6J503NU.pdf
SSM6J503NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF(T
SSM6J511NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 1.25W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF(T SSM6K403TU.pdf
SSM6K403TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 66mΩ
Version: ESD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.64 грн
25+17.90 грн
81+13.22 грн
221+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6K504NU SMD N channel transistors
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.65 грн
115+9.52 грн
310+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L12TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6L12TU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
SSM6N15AFU Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM(T SSM6N35FE.pdf
SSM6N35FE,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT563; ESD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF SSM6N40TU.pdf
SSM6N40TU,LXGF
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 182mΩ
Gate charge: 5.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.56 грн
25+13.56 грн
91+11.97 грн
100+11.52 грн
250+11.34 грн
500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(T SSM6N7002CFU.pdf
SSM6N7002CFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.27nC
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU.pdf
SSM6N7002KFU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
23+13.09 грн
50+8.12 грн
100+5.51 грн
250+4.85 грн
312+3.41 грн
856+3.22 грн
1500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(T
Виробник: TOSHIBA
T2N7002AK SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK.pdf
T2N7002BK,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.49 грн
100+3.40 грн
420+2.54 грн
1150+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
TA75S393F,LF(T
Виробник: TOSHIBA
TA75S393F SMD comparators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6560AFG(O,8) TB6560AHQ.pdf
TB6560AFG(O,8)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; PWM; QFP64; 1.5A; 4.5÷34V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: QFP64
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -30...85°C
Input voltage: 0...5.5V
Output voltage: 4.5...34V
Output current: 1.5A
Interface: PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.76 грн
3+338.17 грн
5+256.70 грн
12+243.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB6561FG(O,8,EL)
Виробник: TOSHIBA
TB6561FG Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6568KQ(O,8) TB6568KQ.pdf
TB6568KQ(O,8)
Виробник: TOSHIBA
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brush motor controller; PWM; HSIP7-P-2.54A
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brush motor controller
Case: HSIP7-P-2.54A
Output current: 3A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...48V DC
Output voltage: 50V
Interface: PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.67 грн
5+263.75 грн
12+240.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 86 172 258 344 430 516 556 557 558 559 560 561 562 563 564 565 566 602 688 774 860 866  [ Наступна Сторінка >> ]