Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40248) > Сторінка 343 з 671

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 402 469 536 603 670 671  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PLZ18C-G3/H PLZ18C-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24B-G3/H PLZ24B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DGHM3/I SE10DGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10db-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V40DL45-M3/I V40DL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40dl45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.65 грн
4000+35.44 грн
6000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
V40M150C-M3/4W V40M150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40m150c.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V TO220
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V60M120C-M3/4W V60M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60m120c.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V TO220
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT60M45C-M3/4W VT60M45C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vt60m45c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ18A-G3/H PLZ18A-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.36 грн
16+20.24 грн
100+10.76 грн
500+6.64 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ18C-G3/H PLZ18C-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 13 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.72 грн
21+15.60 грн
100+7.62 грн
500+5.97 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24B-G3/H PLZ24B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plzseries.pdf Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DGHM3/I SE10DGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10db-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.34 грн
10+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V40DL45-M3/I V40DL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v40dl45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.79 грн
10+72.62 грн
100+57.34 грн
500+42.52 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CSH02HM3/86A VS-10CSH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10csh02hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH01HM3/86A VS-4CSH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4csh01hm3.pdf Description: DIODE HFAST REC 100V 2A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02HM3/86A VS-4CSH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4csh02hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02-M3/86A VS-4CSH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4csh02-m3.pdf Description: DIODE HFAST REC 200V 2A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01HM3/86A VS-4ESH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01-M3/86A VS-4ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.47 грн
3000+14.18 грн
7500+13.46 грн
10500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH02HM3/86A VS-4ESH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh02hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01-M3/86A VS-6CSH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6csh01-m3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH02-M3/86A VS-6CSH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6csh02-m3.pdf Description: DIODE HYP FAST 200V 3A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01HM3/86A VS-6ESH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01-M3/86A VS-6ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06HM3/86A VS-6ESH06HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh06hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06-M3/86A VS-6ESH06-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh06-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06HM3/86A VS-6ESU06HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esu06hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06-M3/86A VS-6ESU06-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esu06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CSH02HM3/86A VS-10CSH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10csh02hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.61 грн
10+53.48 грн
100+37.12 грн
500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH01HM3/86A VS-4CSH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4csh01hm3.pdf Description: DIODE HFAST REC 100V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02HM3/86A VS-4CSH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4csh02hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02-M3/86A VS-4CSH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4csh02-m3.pdf Description: DIODE HFAST REC 200V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.35 грн
10+36.31 грн
100+27.06 грн
500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01HM3/86A VS-4ESH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.98 грн
10+45.60 грн
100+34.93 грн
500+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01-M3/86A VS-4ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 14524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
10+35.92 грн
100+24.99 грн
500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH02HM3/86A VS-4ESH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh02hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+40.80 грн
100+32.13 грн
500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01-M3/86A VS-6CSH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6csh01-m3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.62 грн
10+39.07 грн
100+27.05 грн
500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH02-M3/86A VS-6CSH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6csh02-m3.pdf Description: DIODE HYP FAST 200V 3A TO277A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.17 грн
10+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01HM3/86A VS-6ESH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+48.91 грн
100+33.84 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01-M3/86A VS-6ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06HM3/86A VS-6ESH06HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh06hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.43 грн
10+45.92 грн
100+36.13 грн
500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06-M3/86A VS-6ESH06-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh06-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.16 грн
10+43.48 грн
100+31.06 грн
500+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06HM3/86A VS-6ESU06HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esu06hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.98 грн
10+53.01 грн
100+38.02 грн
500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06-M3/86A VS-6ESU06-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esu06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.89 грн
10+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SE10PG-M3/84A SE10PG-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10pb.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.90 грн
16+19.85 грн
100+12.18 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SE10PJ-M3/84A SE10PJ-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SE15PG-M3/84A SE15PG-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division se15pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO220AA
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01HM3/86A VS-6CSH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6csh01hm3.pdf Description: DIODE 100V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH02-M3/86A VS-6ESH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh02-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DBHM3/I SE10DBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10db-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01HM3/86A VS-6CSH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6csh01hm3.pdf Description: DIODE 100V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH02-M3/86A VS-6ESH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh02-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.99 грн
10+37.57 грн
100+26.04 грн
500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DBHM3/I SE10DBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10db-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10MQ100HM3/5AT VS-10MQ100HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10mq100hm3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 38pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-15MQ040HM3/5AT VS-15MQ040HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15mq040hm3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 134pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+7.66 грн
15000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20MQ060HM3/5AT VS-20MQ060HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20mq060hm3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS140-M3/5BT VS-MBRS140-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vsmbrs140m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10BQ030-M3/5BT VS-10BQ030-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10bq030-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2000pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 24322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
20+16.15 грн
100+13.22 грн
500+9.31 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30BQ060HM3/9AT VS-30BQ060HM3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30bq060hm3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 180pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+12.42 грн
7000+11.51 грн
10500+11.40 грн
17500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30BQ100HM3/9AT VS-30BQ100HM3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30bq100hm3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 115pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+12.44 грн
7000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
V20202C-M3/4W V20202C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20202c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.85 грн
10+131.69 грн
100+90.78 грн
500+68.73 грн
1000+63.43 грн
2000+58.97 грн
5000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
V20202G-M3/4W V20202G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20202g-m3.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ18C-G3/H plzseries.pdf
PLZ18C-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24B-G3/H plzseries.pdf
PLZ24B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DGHM3/I se10db-m3.pdf
SE10DGHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V40DL45-M3/I v40dl45.pdf
V40DL45-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.65 грн
4000+35.44 грн
6000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
V40M150C-M3/4W v40m150c.pdf
V40M150C-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 150V TO220
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
V60M120C-M3/4W v60m120c.pdf
V60M120C-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V TO220
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT60M45C-M3/4W vt60m45c.pdf
VT60M45C-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ18A-G3/H plzseries.pdf
PLZ18A-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO219AC
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.36 грн
16+20.24 грн
100+10.76 грн
500+6.64 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ18C-G3/H plzseries.pdf
PLZ18C-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 13 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.72 грн
21+15.60 грн
100+7.62 грн
500+5.97 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ24B-G3/H plzseries.pdf
PLZ24B-G3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: DO-219AC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 23.19 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AC (microSMF)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DGHM3/I se10db-m3.pdf
SE10DGHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.34 грн
10+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V40DL45-M3/I v40dl45.pdf
V40DL45-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.79 грн
10+72.62 грн
100+57.34 грн
500+42.52 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CSH02HM3/86A vs-10csh02hm3.pdf
VS-10CSH02HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH01HM3/86A vs-4csh01hm3.pdf
VS-4CSH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE HFAST REC 100V 2A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02HM3/86A vs-4csh02hm3.pdf
VS-4CSH02HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02-M3/86A vs-4csh02-m3.pdf
VS-4CSH02-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE HFAST REC 200V 2A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01HM3/86A vs-4esh01hm3.pdf
VS-4ESH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01-M3/86A vs-4esh01-m3.pdf
VS-4ESH01-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.47 грн
3000+14.18 грн
7500+13.46 грн
10500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH02HM3/86A vs-4esh02hm3.pdf
VS-4ESH02HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01-M3/86A vs-6csh01-m3.pdf
VS-6CSH01-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 100V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH02-M3/86A vs-6csh02-m3.pdf
VS-6CSH02-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE HYP FAST 200V 3A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01HM3/86A vs-6esh01hm3.pdf
VS-6ESH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01-M3/86A vs-6esh01-m3.pdf
VS-6ESH01-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06HM3/86A vs-6esh06hm3.pdf
VS-6ESH06HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06-M3/86A vs-6esh06-m3.pdf
VS-6ESH06-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06HM3/86A vs-6esu06hm3.pdf
VS-6ESU06HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06-M3/86A vs-6esu06-m3.pdf
VS-6ESU06-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CSH02HM3/86A vs-10csh02hm3.pdf
VS-10CSH02HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.61 грн
10+53.48 грн
100+37.12 грн
500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH01HM3/86A vs-4csh01hm3.pdf
VS-4CSH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE HFAST REC 100V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02HM3/86A vs-4csh02hm3.pdf
VS-4CSH02HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4CSH02-M3/86A vs-4csh02-m3.pdf
VS-4CSH02-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE HFAST REC 200V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.35 грн
10+36.31 грн
100+27.06 грн
500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01HM3/86A vs-4esh01hm3.pdf
VS-4ESH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.98 грн
10+45.60 грн
100+34.93 грн
500+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01-M3/86A vs-4esh01-m3.pdf
VS-4ESH01-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 14524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.17 грн
10+35.92 грн
100+24.99 грн
500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH02HM3/86A vs-4esh02hm3.pdf
VS-4ESH02HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.35 грн
10+40.80 грн
100+32.13 грн
500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01-M3/86A vs-6csh01-m3.pdf
VS-6CSH01-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 100V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.62 грн
10+39.07 грн
100+27.05 грн
500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH02-M3/86A vs-6csh02-m3.pdf
VS-6CSH02-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE HYP FAST 200V 3A TO277A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.17 грн
10+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01HM3/86A vs-6esh01hm3.pdf
VS-6ESH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.89 грн
10+48.91 грн
100+33.84 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01-M3/86A vs-6esh01-m3.pdf
VS-6ESH01-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06HM3/86A vs-6esh06hm3.pdf
VS-6ESH06HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.43 грн
10+45.92 грн
100+36.13 грн
500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH06-M3/86A vs-6esh06-m3.pdf
VS-6ESH06-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.16 грн
10+43.48 грн
100+31.06 грн
500+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06HM3/86A vs-6esu06hm3.pdf
VS-6ESU06HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.98 грн
10+53.01 грн
100+38.02 грн
500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESU06-M3/86A vs-6esu06-m3.pdf
VS-6ESU06-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.89 грн
10+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SE10PG-M3/84A se10pb.pdf
SE10PG-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.90 грн
16+19.85 грн
100+12.18 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SE10PJ-M3/84A se10pb.pdf
SE10PJ-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SE15PG-M3/84A se15pj.pdf
SE15PG-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO220AA
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01HM3/86A vs-6csh01hm3.pdf
VS-6CSH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE 100V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH02-M3/86A vs-6esh02-m3.pdf
VS-6ESH02-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DBHM3/I se10db-m3.pdf
SE10DBHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 3A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6CSH01HM3/86A vs-6csh01hm3.pdf
VS-6CSH01HM3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE 100V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH02-M3/86A vs-6esh02-m3.pdf
VS-6ESH02-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.99 грн
10+37.57 грн
100+26.04 грн
500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SE10DBHM3/I se10db-m3.pdf
SE10DBHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 3A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10MQ100HM3/5AT vs-10mq100hm3.pdf
VS-10MQ100HM3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 38pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-15MQ040HM3/5AT vs-15mq040hm3.pdf
VS-15MQ040HM3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 134pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+7.66 грн
15000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20MQ060HM3/5AT vs-20mq060hm3.pdf
VS-20MQ060HM3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBRS140-M3/5BT vsmbrs140m3.pdf
VS-MBRS140-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10BQ030-M3/5BT vs-10bq030-m3.pdf
VS-10BQ030-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2000pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 24322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.17 грн
20+16.15 грн
100+13.22 грн
500+9.31 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30BQ060HM3/9AT vs-30bq060hm3.pdf
VS-30BQ060HM3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 180pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+12.42 грн
7000+11.51 грн
10500+11.40 грн
17500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
VS-30BQ100HM3/9AT vs-30bq100hm3.pdf
VS-30BQ100HM3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 115pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+12.44 грн
7000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
V20202C-M3/4W v20202c.pdf
V20202C-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.85 грн
10+131.69 грн
100+90.78 грн
500+68.73 грн
1000+63.43 грн
2000+58.97 грн
5000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
V20202G-M3/4W v20202g-m3.pdf
V20202G-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 402 469 536 603 670 671  [ Наступна Сторінка >> ]