Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (42175) > Сторінка 405 з 703

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BAS381-TR BAS381-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas381.pdf Description: DIODE SCHOTTK 40V 30MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.39 грн
21+14.90 грн
100+9.33 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR3 BAS385-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas385.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 13589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.98 грн
20+15.74 грн
100+9.85 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
2000+5.44 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05-G3-08 BAS70-05-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas70-00-gtobas70-06-g.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 11954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.53 грн
16+19.26 грн
50+13.91 грн
100+11.42 грн
500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS86-GS18 BAS86-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas86.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 6155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.81 грн
22+13.91 грн
50+9.98 грн
100+8.17 грн
500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W-E3-18 BAT42W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bat42w.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 37728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.53 грн
16+19.41 грн
50+13.98 грн
100+11.48 грн
500+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-18 BAW56-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw56.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 27036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.19 грн
20+15.28 грн
50+10.94 грн
100+8.96 грн
500+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 BY252P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.78 грн
10+61.21 грн
100+40.52 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 BY253P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.33 грн
12+27.58 грн
100+20.62 грн
500+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 BY254P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.78 грн
10+61.21 грн
100+40.52 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR BY268TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division by268.pdf Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 36640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.78 грн
10+107.21 грн
50+81.38 грн
100+68.54 грн
500+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 BY520-16E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by5201416.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 BYG10G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.33 грн
15+21.62 грн
100+13.75 грн
500+9.69 грн
1000+8.66 грн
2000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 BYG10K-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.57 грн
17+18.80 грн
100+11.09 грн
500+9.07 грн
1000+8.10 грн
2000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.71 грн
15+21.09 грн
100+13.40 грн
500+9.45 грн
1000+8.44 грн
2000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 BYG20D-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.37 грн
10+31.56 грн
100+20.29 грн
500+14.49 грн
1000+13.02 грн
2000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 BYG20G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.75 грн
10+32.93 грн
50+24.07 грн
100+19.88 грн
500+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 BYG20J-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.37 грн
10+31.56 грн
100+20.29 грн
500+14.49 грн
1000+13.02 грн
2000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR BYG22A-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.26 грн
12+26.44 грн
100+17.96 грн
500+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H BYG22DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.73 грн
10+49.36 грн
100+32.34 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 BYM07-100-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.88 грн
13+24.60 грн
100+18.38 грн
500+13.28 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 BYM07-150-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 BYM07-200-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 BYM07-200-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.70 грн
10+51.88 грн
50+38.39 грн
100+31.94 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 BYM07-400-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.53 грн
12+27.05 грн
100+20.21 грн
500+14.90 грн
1000+11.51 грн
2000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.20 грн
11+29.57 грн
50+21.53 грн
100+17.77 грн
500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.27 грн
14+23.33 грн
100+14.88 грн
500+10.54 грн
1000+9.43 грн
2000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 BYM10-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 BYM10-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.15 грн
16+19.18 грн
100+11.63 грн
500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 BYM10-600-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.15 грн
18+17.96 грн
100+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.95 грн
15+20.48 грн
100+15.23 грн
500+10.96 грн
1000+8.81 грн
2000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 BYM11-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.91 грн
12+25.67 грн
100+15.38 грн
500+13.36 грн
1000+9.09 грн
2000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/96 BYM12-400-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
13+23.92 грн
100+19.12 грн
500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50-E3/96 BYM12-50-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.09 грн
13+24.15 грн
100+16.37 грн
500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/97 BYM13-40-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.95 грн
13+25.45 грн
100+17.60 грн
500+13.80 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35-E3/TR BYS10-35-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.74 грн
15+21.62 грн
100+10.90 грн
500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-M3/TR BYS11-90-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys11-90.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 6962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.61 грн
11+27.97 грн
100+17.89 грн
500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-M3/TR BYS12-90-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys12-90-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+9.44 грн
500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52J-TR BYT52J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt52.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/54 BYV26DGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TR BYV26D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.36 грн
10+108.66 грн
50+82.51 грн
100+69.49 грн
500+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TR BYV27-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv27.pdf Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 15941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.58 грн
10+122.95 грн
50+93.76 грн
100+79.15 грн
500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-200-TR BYV28-200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv2850.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 14444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.15 грн
10+189.27 грн
100+133.02 грн
500+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW32-TR BYW32-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw32.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.26 грн
10+101.32 грн
100+68.87 грн
500+51.60 грн
1000+47.42 грн
2000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-200-E3/81 BYWB29-200-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.71 грн
10+93.91 грн
100+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYX10GP-E3/54 BYX10GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx10gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C15P-E3-08 BZD17C15P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
на замовлення 31338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
15+21.70 грн
50+15.76 грн
100+12.95 грн
500+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C24P-E3-08 BZD17C24P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B9V1-TR BZM55B9V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.81 грн
20+15.44 грн
100+7.53 грн
500+5.89 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C9V1-TR3 BZM55C9V1-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.81 грн
22+13.98 грн
50+10.06 грн
100+8.23 грн
500+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C150-TR BZT03C150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 150V 1.3W SOD57
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 17686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.56 грн
10+93.07 грн
50+70.22 грн
100+59.00 грн
500+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C15-TR BZT03C15-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
на замовлення 30542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.93 грн
10+41.42 грн
100+28.52 грн
500+21.26 грн
1000+16.72 грн
2000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C16-TR BZT03C16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 13VWM 22.9VC SOD57
Tolerance: ±5.63%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
на замовлення 14526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.13 грн
10+48.14 грн
100+36.88 грн
500+27.36 грн
1000+21.89 грн
2000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C200-TR BZT03C200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 200V 1.3W SOD57
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 19532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.59 грн
10+90.70 грн
50+68.48 грн
100+57.53 грн
500+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C56-TR BZT03C56-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 47VWM 78.6VC SOD57
Tolerance: ±7.14%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.64 грн
10+36.07 грн
100+24.96 грн
500+19.57 грн
1000+16.65 грн
2000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B20-G3-08 BZT52B20-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52-g.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
на замовлення 14627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.19 грн
20+15.74 грн
50+11.34 грн
100+9.29 грн
500+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4-E3-18 BZT52B2V4-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.95 грн
17+18.34 грн
100+11.58 грн
500+8.10 грн
1000+7.21 грн
2000+6.46 грн
5000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-E3-18 BZT52B5V1-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.95 грн
17+18.49 грн
100+11.67 грн
500+8.17 грн
1000+7.27 грн
2000+6.51 грн
5000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-HE3-08 BZT52B5V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-E3-18 BZT52C10-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
на замовлення 7673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.74 грн
17+18.87 грн
50+13.60 грн
100+11.17 грн
500+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS381-TR bas381.pdf
BAS381-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 40V 30MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.39 грн
21+14.90 грн
100+9.33 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR3 bas385.pdf
BAS385-TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 13589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.98 грн
20+15.74 грн
100+9.85 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
2000+5.44 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05-G3-08 bas70-00-gtobas70-06-g.pdf
BAS70-05-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 11954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.53 грн
16+19.26 грн
50+13.91 грн
100+11.42 грн
500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS86-GS18 bas86.pdf
BAS86-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 6155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.81 грн
22+13.91 грн
50+9.98 грн
100+8.17 грн
500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W-E3-18 bat42w.pdf
BAT42W-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 37728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.53 грн
16+19.41 грн
50+13.98 грн
100+11.48 грн
500+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-18 baw56.pdf
BAW56-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 27036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.19 грн
20+15.28 грн
50+10.94 грн
100+8.96 грн
500+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 by251p.pdf
BY252P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.78 грн
10+61.21 грн
100+40.52 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 by251p.pdf
BY253P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.33 грн
12+27.58 грн
100+20.62 грн
500+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 by251p.pdf
BY254P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.78 грн
10+61.21 грн
100+40.52 грн
500+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR by268.pdf
BY268TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 36640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.78 грн
10+107.21 грн
50+81.38 грн
100+68.54 грн
500+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 by5201416.pdf
BY520-16E-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.33 грн
15+21.62 грн
100+13.75 грн
500+9.69 грн
1000+8.66 грн
2000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10K-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.57 грн
17+18.80 грн
100+11.09 грн
500+9.07 грн
1000+8.10 грн
2000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.71 грн
15+21.09 грн
100+13.40 грн
500+9.45 грн
1000+8.44 грн
2000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.37 грн
10+31.56 грн
100+20.29 грн
500+14.49 грн
1000+13.02 грн
2000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.75 грн
10+32.93 грн
50+24.07 грн
100+19.88 грн
500+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20J-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.37 грн
10+31.56 грн
100+20.29 грн
500+14.49 грн
1000+13.02 грн
2000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR byg22a.pdf
BYG22A-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.26 грн
12+26.44 грн
100+17.96 грн
500+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H byg22a.pdf
BYG22DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.73 грн
10+49.36 грн
100+32.34 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 egl34.pdf
BYM07-100-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.88 грн
13+24.60 грн
100+18.38 грн
500+13.28 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 egl34.pdf
BYM07-150-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 egl34.pdf
BYM07-200-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 egl34.pdf
BYM07-200-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.70 грн
10+51.88 грн
50+38.39 грн
100+31.94 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 egl34.pdf
BYM07-400-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.53 грн
12+27.05 грн
100+20.21 грн
500+14.90 грн
1000+11.51 грн
2000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.20 грн
11+29.57 грн
50+21.53 грн
100+17.77 грн
500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-200-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+39.27 грн
14+23.33 грн
100+14.88 грн
500+10.54 грн
1000+9.43 грн
2000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.15 грн
16+19.18 грн
100+11.63 грн
500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.15 грн
18+17.96 грн
100+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.95 грн
15+20.48 грн
100+15.23 грн
500+10.96 грн
1000+8.81 грн
2000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 bym1150.pdf
BYM11-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.91 грн
12+25.67 грн
100+15.38 грн
500+13.36 грн
1000+9.09 грн
2000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/96 egl41.pdf
BYM12-400-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.09 грн
13+23.92 грн
100+19.12 грн
500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50-E3/96 egl41.pdf
BYM12-50-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.09 грн
13+24.15 грн
100+16.37 грн
500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/97 bym13.pdf
BYM13-40-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 9327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.95 грн
13+25.45 грн
100+17.60 грн
500+13.80 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35-E3/TR bys10.pdf
BYS10-35-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.74 грн
15+21.62 грн
100+10.90 грн
500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-M3/TR bys11-90.pdf
BYS11-90-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 6962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.61 грн
11+27.97 грн
100+17.89 грн
500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-M3/TR bys12-90-m3.pdf
BYS12-90-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+9.44 грн
500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52J-TR byt52.pdf
BYT52J-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/54 byv26dgp.pdf
BYV26DGP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TR byv26.pdf
BYV26D-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.36 грн
10+108.66 грн
50+82.51 грн
100+69.49 грн
500+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TR byv27.pdf
BYV27-150-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 15941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.58 грн
10+122.95 грн
50+93.76 грн
100+79.15 грн
500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-200-TR byv2850.pdf
BYV28-200-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 14444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.15 грн
10+189.27 грн
100+133.02 грн
500+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW32-TR byw32.pdf
BYW32-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.26 грн
10+101.32 грн
100+68.87 грн
500+51.60 грн
1000+47.42 грн
2000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-200-E3/81 byw29200.pdf
BYWB29-200-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.71 грн
10+93.91 грн
100+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYX10GP-E3/54 byx10gp.pdf
BYX10GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C15P-E3-08 BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf
BZD17C15P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
на замовлення 31338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.50 грн
15+21.70 грн
50+15.76 грн
100+12.95 грн
500+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C24P-E3-08 BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf
BZD17C24P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B9V1-TR bzm55.pdf
BZM55B9V1-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.81 грн
20+15.44 грн
100+7.53 грн
500+5.89 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C9V1-TR3 bzm55.pdf
BZM55C9V1-TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: MicroMELF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.81 грн
22+13.98 грн
50+10.06 грн
100+8.23 грн
500+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C150-TR bzt03.pdf
BZT03C150-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 150V 1.3W SOD57
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 17686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.56 грн
10+93.07 грн
50+70.22 грн
100+59.00 грн
500+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C15-TR bzt03.pdf
BZT03C15-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
на замовлення 30542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.93 грн
10+41.42 грн
100+28.52 грн
500+21.26 грн
1000+16.72 грн
2000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C16-TR bzt03.pdf
BZT03C16-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 13VWM 22.9VC SOD57
Tolerance: ±5.63%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
на замовлення 14526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.13 грн
10+48.14 грн
100+36.88 грн
500+27.36 грн
1000+21.89 грн
2000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C200-TR bzt03.pdf
BZT03C200-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 200V 1.3W SOD57
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 19532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.59 грн
10+90.70 грн
50+68.48 грн
100+57.53 грн
500+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C56-TR bzt03.pdf
BZT03C56-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 47VWM 78.6VC SOD57
Tolerance: ±7.14%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.64 грн
10+36.07 грн
100+24.96 грн
500+19.57 грн
1000+16.65 грн
2000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B20-G3-08 bzt52-g.pdf
BZT52B20-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
на замовлення 14627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.19 грн
20+15.74 грн
50+11.34 грн
100+9.29 грн
500+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B2V4-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.95 грн
17+18.34 грн
100+11.58 грн
500+8.10 грн
1000+7.21 грн
2000+6.46 грн
5000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B5V1-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.95 грн
17+18.49 грн
100+11.67 грн
500+8.17 грн
1000+7.27 грн
2000+6.51 грн
5000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52B5V1-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-E3-18 bzt52.pdf
BZT52C10-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
на замовлення 7673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.74 грн
17+18.87 грн
50+13.60 грн
100+11.17 грн
500+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.