Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41228) > Сторінка 404 з 688

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 476 544 612 680 688  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG10G-E3/TR3 BYG10G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.33 грн
15+20.98 грн
100+13.33 грн
500+9.40 грн
1000+8.40 грн
2000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 BYG10K-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.71 грн
17+18.23 грн
100+10.76 грн
500+8.80 грн
1000+7.86 грн
2000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.64 грн
15+20.46 грн
100+13.00 грн
500+9.17 грн
1000+8.19 грн
2000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 BYG20D-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+30.61 грн
100+19.68 грн
500+14.05 грн
1000+12.63 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 BYG20G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+30.61 грн
100+19.68 грн
500+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 BYG20J-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+30.61 грн
100+19.68 грн
500+14.05 грн
1000+12.63 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR BYG22A-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
12+25.65 грн
100+17.42 грн
500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H BYG22DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.70 грн
26+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 BYM07-100-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.72 грн
13+23.87 грн
100+17.83 грн
500+12.88 грн
1000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 BYM07-150-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 BYM07-200-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 BYM07-200-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
13+23.72 грн
100+18.79 грн
500+13.38 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 BYM07-400-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.56 грн
12+26.24 грн
100+19.61 грн
500+14.45 грн
1000+11.17 грн
2000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
17+17.94 грн
100+13.27 грн
500+10.24 грн
1000+8.69 грн
2000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.10 грн
14+22.63 грн
100+14.44 грн
500+10.22 грн
1000+9.15 грн
2000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 BYM10-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 BYM10-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.25 грн
16+18.60 грн
100+11.28 грн
500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 BYM10-600-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.25 грн
18+17.42 грн
100+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
15+19.86 грн
100+14.77 грн
500+10.63 грн
1000+8.54 грн
2000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 BYM11-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.87 грн
12+24.91 грн
100+14.92 грн
500+12.96 грн
1000+8.81 грн
2000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/96 BYM12-400-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
13+23.20 грн
100+18.55 грн
500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50-E3/96 BYM12-50-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
13+23.42 грн
100+15.88 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/97 BYM13-40-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
13+24.68 грн
100+17.07 грн
500+13.38 грн
1000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35-E3/TR BYS10-35-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.79 грн
15+20.98 грн
100+10.57 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-M3/TR BYS11-90-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys11-90.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.47 грн
21+14.16 грн
100+8.52 грн
500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-M3/TR BYS12-90-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys12-90-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
30+9.93 грн
100+9.16 грн
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52J-TR BYT52J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt52.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/54 BYV26DGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TR BYV26D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 13722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.72 грн
10+102.07 грн
100+69.53 грн
500+52.19 грн
1000+47.99 грн
2000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TR BYV27-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv27.pdf Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 17502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-200-TR BYV28-200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv2850.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW32-TR BYW32-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw32.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.33 грн
10+98.29 грн
100+66.81 грн
500+50.06 грн
1000+46.00 грн
2000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-200-E3/81 BYWB29-200-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.45 грн
10+91.10 грн
100+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYX10GP-E3/54 BYX10GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx10gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C15P-E3-08 BZD17C15P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
21+14.45 грн
100+6.74 грн
500+6.19 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C24P-E3-08 BZD17C24P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B9V1-TR BZM55B9V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.09 грн
20+14.97 грн
100+7.30 грн
500+5.71 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C9V1-TR3 BZM55C9V1-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.78 грн
44+6.75 грн
102+2.92 грн
500+2.62 грн
1000+2.39 грн
2000+2.36 грн
5000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C150-TR BZT03C150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 150V 1.3W SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 18006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.41 грн
10+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C15-TR BZT03C15-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
на замовлення 30542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.19 грн
10+40.17 грн
100+27.66 грн
500+20.62 грн
1000+16.22 грн
2000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C16-TR BZT03C16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 13VWM 22.9VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±5.63%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+46.70 грн
100+35.78 грн
500+26.54 грн
1000+21.24 грн
2000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C200-TR BZT03C200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 200V 1.3W SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.80 грн
12+25.50 грн
100+22.28 грн
500+16.88 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C56-TR BZT03C56-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 47VWM 78.6VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±7.14%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
10+34.99 грн
100+24.21 грн
500+18.98 грн
1000+16.15 грн
2000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B20-G3-08 BZT52B20-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52-g.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
25+12.08 грн
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4-E3-18 BZT52B2V4-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
17+17.79 грн
100+11.23 грн
500+7.86 грн
1000+7.00 грн
2000+6.27 грн
5000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-E3-18 BZT52B5V1-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
17+17.94 грн
100+11.32 грн
500+7.92 грн
1000+7.05 грн
2000+6.32 грн
5000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-HE3-08 BZT52B5V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-E3-18 BZT52C10-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
на замовлення 7807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.16 грн
73+4.08 грн
148+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-HE3-08 BZT52C10-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.39 грн
34+8.97 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C18-HE3-08 BZT52C18-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.39 грн
33+9.19 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24-E3-08 BZT52C24-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 24V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 11291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
17+18.09 грн
100+11.39 грн
500+7.98 грн
1000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C2V4-E3-18 BZT52C2V4-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.01 грн
45+6.60 грн
105+2.83 грн
500+2.54 грн
1000+2.30 грн
2000+2.27 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C33-E3-08 BZT52C33-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52_series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
19+16.38 грн
100+8.70 грн
500+5.37 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C33-E3-18 BZT52C33-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52_series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C36-E3-18 BZT52C36-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 36V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 87 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.39 грн
34+8.89 грн
100+5.50 грн
500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V3-G3-08 BZT52C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52-g.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 19845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.09 грн
22+13.64 грн
100+8.52 грн
500+5.91 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C9V1-HE3-18 BZT52C9V1-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7 V
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55B12-GS08 BZT55B12-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt55.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD80
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-80 Variant
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.09 грн
20+15.12 грн
100+7.38 грн
500+5.77 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55B8V2-GS08 BZT55B8V2-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt55.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-80 Variant
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.32 грн
38+7.86 грн
100+3.57 грн
500+3.29 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
15+20.98 грн
100+13.33 грн
500+9.40 грн
1000+8.40 грн
2000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10K-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
17+18.23 грн
100+10.76 грн
500+8.80 грн
1000+7.86 грн
2000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.64 грн
15+20.46 грн
100+13.00 грн
500+9.17 грн
1000+8.19 грн
2000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.80 грн
10+30.61 грн
100+19.68 грн
500+14.05 грн
1000+12.63 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.80 грн
10+30.61 грн
100+19.68 грн
500+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20J-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.80 грн
10+30.61 грн
100+19.68 грн
500+14.05 грн
1000+12.63 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR byg22a.pdf
BYG22A-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.03 грн
12+25.65 грн
100+17.42 грн
500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H byg22a.pdf
BYG22DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.70 грн
26+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 egl34.pdf
BYM07-100-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.72 грн
13+23.87 грн
100+17.83 грн
500+12.88 грн
1000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 egl34.pdf
BYM07-150-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 egl34.pdf
BYM07-200-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 egl34.pdf
BYM07-200-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.49 грн
13+23.72 грн
100+18.79 грн
500+13.38 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 egl34.pdf
BYM07-400-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.56 грн
12+26.24 грн
100+19.61 грн
500+14.45 грн
1000+11.17 грн
2000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
17+17.94 грн
100+13.27 грн
500+10.24 грн
1000+8.69 грн
2000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-200-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.10 грн
14+22.63 грн
100+14.44 грн
500+10.22 грн
1000+9.15 грн
2000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.25 грн
16+18.60 грн
100+11.28 грн
500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.25 грн
18+17.42 грн
100+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
15+19.86 грн
100+14.77 грн
500+10.63 грн
1000+8.54 грн
2000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 bym1150.pdf
BYM11-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.87 грн
12+24.91 грн
100+14.92 грн
500+12.96 грн
1000+8.81 грн
2000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/96 egl41.pdf
BYM12-400-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.95 грн
13+23.20 грн
100+18.55 грн
500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50-E3/96 egl41.pdf
BYM12-50-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.95 грн
13+23.42 грн
100+15.88 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/97 bym13.pdf
BYM13-40-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
13+24.68 грн
100+17.07 грн
500+13.38 грн
1000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35-E3/TR bys10.pdf
BYS10-35-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+30.79 грн
15+20.98 грн
100+10.57 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-M3/TR bys11-90.pdf
BYS11-90-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.47 грн
21+14.16 грн
100+8.52 грн
500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-M3/TR bys12-90-m3.pdf
BYS12-90-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
30+9.93 грн
100+9.16 грн
500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52J-TR byt52.pdf
BYT52J-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/54 byv26dgp.pdf
BYV26DGP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TR byv26.pdf
BYV26D-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 13722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.72 грн
10+102.07 грн
100+69.53 грн
500+52.19 грн
1000+47.99 грн
2000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TR byv27.pdf
BYV27-150-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 17502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-200-TR byv2850.pdf
BYV28-200-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW32-TR byw32.pdf
BYW32-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.33 грн
10+98.29 грн
100+66.81 грн
500+50.06 грн
1000+46.00 грн
2000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-200-E3/81 byw29200.pdf
BYWB29-200-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.45 грн
10+91.10 грн
100+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYX10GP-E3/54 byx10gp.pdf
BYX10GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C15P-E3-08 BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf
BZD17C15P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
21+14.45 грн
100+6.74 грн
500+6.19 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C24P-E3-08 BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf
BZD17C24P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B9V1-TR bzm55.pdf
BZM55B9V1-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.09 грн
20+14.97 грн
100+7.30 грн
500+5.71 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C9V1-TR3 bzm55.pdf
BZM55C9V1-TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.78 грн
44+6.75 грн
102+2.92 грн
500+2.62 грн
1000+2.39 грн
2000+2.36 грн
5000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C150-TR bzt03.pdf
BZT03C150-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 150V 1.3W SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 18006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.41 грн
10+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C15-TR bzt03.pdf
BZT03C15-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
на замовлення 30542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.19 грн
10+40.17 грн
100+27.66 грн
500+20.62 грн
1000+16.22 грн
2000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C16-TR bzt03.pdf
BZT03C16-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 13VWM 22.9VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±5.63%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.42 грн
10+46.70 грн
100+35.78 грн
500+26.54 грн
1000+21.24 грн
2000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C200-TR bzt03.pdf
BZT03C200-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 200V 1.3W SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.80 грн
12+25.50 грн
100+22.28 грн
500+16.88 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C56-TR bzt03.pdf
BZT03C56-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 47VWM 78.6VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±7.14%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.34 грн
10+34.99 грн
100+24.21 грн
500+18.98 грн
1000+16.15 грн
2000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B20-G3-08 bzt52-g.pdf
BZT52B20-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
25+12.08 грн
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B2V4-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
17+17.79 грн
100+11.23 грн
500+7.86 грн
1000+7.00 грн
2000+6.27 грн
5000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B5V1-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
17+17.94 грн
100+11.32 грн
500+7.92 грн
1000+7.05 грн
2000+6.32 грн
5000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52B5V1-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-E3-18 bzt52.pdf
BZT52C10-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
на замовлення 7807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+6.16 грн
73+4.08 грн
148+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52C10-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.39 грн
34+8.97 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C18-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52C18-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.39 грн
33+9.19 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24-E3-08 bzt52.pdf
BZT52C24-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 11291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
17+18.09 грн
100+11.39 грн
500+7.98 грн
1000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C2V4-E3-18 bzt52.pdf
BZT52C2V4-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.01 грн
45+6.60 грн
105+2.83 грн
500+2.54 грн
1000+2.30 грн
2000+2.27 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C33-E3-08 bzt52_series.pdf
BZT52C33-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
19+16.38 грн
100+8.70 грн
500+5.37 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C33-E3-18 bzt52_series.pdf
BZT52C33-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C36-E3-18 bzt52.pdf
BZT52C36-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 87 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.39 грн
34+8.89 грн
100+5.50 грн
500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V3-G3-08 bzt52-g.pdf
BZT52C3V3-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 19845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.09 грн
22+13.64 грн
100+8.52 грн
500+5.91 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C9V1-HE3-18 bzt52.pdf
BZT52C9V1-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7 V
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55B12-GS08 bzt55.pdf
BZT55B12-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD80
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-80 Variant
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.09 грн
20+15.12 грн
100+7.38 грн
500+5.77 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55B8V2-GS08 bzt55.pdf
BZT55B8V2-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-80 Variant
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.32 грн
38+7.86 грн
100+3.57 грн
500+3.29 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 476 544 612 680 688  [ Наступна Сторінка >> ]