Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41143) > Сторінка 404 з 686

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 476 544 612 680 686  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BAW56-E3-18 BAW56-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw56.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 27648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.35 грн
21+14.45 грн
100+9.05 грн
500+6.29 грн
1000+5.58 грн
2000+4.98 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 BY252P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.77 грн
10+60.59 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 BY253P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
12+27.31 грн
100+20.42 грн
500+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 BY254P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.77 грн
10+60.59 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR BY268TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division by268.pdf Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Part Status: Active
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.92 грн
12+26.17 грн
100+22.93 грн
500+18.36 грн
1000+16.15 грн
2000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 BY520-16E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by5201416.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 BYG10G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
15+21.41 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.57 грн
2000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 BYG10K-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.28 грн
17+18.61 грн
100+10.98 грн
500+8.98 грн
1000+8.02 грн
2000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.35 грн
15+20.88 грн
100+13.27 грн
500+9.36 грн
1000+8.36 грн
2000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 BYG20D-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.85 грн
10+31.24 грн
100+20.08 грн
500+14.34 грн
1000+12.89 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 BYG20G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.85 грн
10+31.24 грн
100+20.08 грн
500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 BYG20J-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.85 грн
10+31.24 грн
100+20.08 грн
500+14.34 грн
1000+12.89 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR BYG22A-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
12+26.17 грн
100+17.78 грн
500+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H BYG22DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.07 грн
26+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 BYM07-100-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.49 грн
13+24.36 грн
100+18.20 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 BYM07-150-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 BYM07-200-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 BYM07-200-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.28 грн
13+24.21 грн
100+19.18 грн
500+13.65 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 BYM07-400-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.21 грн
12+26.78 грн
100+20.01 грн
500+14.75 грн
1000+11.40 грн
2000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
17+18.31 грн
100+13.54 грн
500+10.45 грн
1000+8.87 грн
2000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.88 грн
14+23.10 грн
100+14.74 грн
500+10.43 грн
1000+9.34 грн
2000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 BYM10-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 BYM10-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.85 грн
16+18.99 грн
100+11.51 грн
500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 BYM10-600-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.85 грн
18+17.78 грн
100+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
15+20.27 грн
100+15.08 грн
500+10.85 грн
1000+8.72 грн
2000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 BYM11-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.56 грн
12+25.42 грн
100+15.23 грн
500+13.23 грн
1000+8.99 грн
2000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/96 BYM12-400-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.71 грн
13+23.68 грн
100+18.93 грн
500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50-E3/96 BYM12-50-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.71 грн
13+23.90 грн
100+16.20 грн
500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/97 BYM13-40-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
13+25.19 грн
100+17.42 грн
500+13.66 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35-E3/TR BYS10-35-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.42 грн
15+21.41 грн
100+10.79 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-M3/TR BYS11-90-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys11-90.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.85 грн
21+14.45 грн
100+8.70 грн
500+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-M3/TR BYS12-90-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys12-90-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.93 грн
30+10.14 грн
100+9.35 грн
500+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52J-TR BYT52J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt52.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/54 BYV26DGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TR BYV26D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 13722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.11 грн
10+104.17 грн
100+70.96 грн
500+53.26 грн
1000+48.97 грн
2000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TR BYV27-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv27.pdf Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 17502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-200-TR BYV28-200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv2850.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW32-TR BYW32-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw32.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.61 грн
10+100.31 грн
100+68.18 грн
500+51.09 грн
1000+46.94 грн
2000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-200-E3/81 BYWB29-200-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+92.97 грн
100+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYX10GP-E3/54 BYX10GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx10gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C15P-E3-08 BZD17C15P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.78 грн
21+14.75 грн
100+6.88 грн
500+6.32 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C24P-E3-08 BZD17C24P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B9V1-TR BZM55B9V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.57 грн
20+15.28 грн
100+7.45 грн
500+5.83 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C9V1-TR3 BZM55C9V1-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzm55.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.00 грн
44+6.88 грн
102+2.98 грн
500+2.68 грн
1000+2.43 грн
2000+2.40 грн
5000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C150-TR BZT03C150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 150V 1.3W SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 18006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.35 грн
10+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C15-TR BZT03C15-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
на замовлення 30542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+41.00 грн
100+28.23 грн
500+21.05 грн
1000+16.55 грн
2000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C16-TR BZT03C16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 13VWM 22.9VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±5.63%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+47.66 грн
100+36.51 грн
500+27.09 грн
1000+21.67 грн
2000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C200-TR BZT03C200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: DIODE ZENER 200V 1.3W SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
12+26.02 грн
100+22.74 грн
500+17.23 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C56-TR BZT03C56-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt03.pdf Description: TVS DIODE 47VWM 78.6VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±7.14%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.21 грн
10+35.71 грн
100+24.71 грн
500+19.37 грн
1000+16.49 грн
2000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B20-G3-08 BZT52B20-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52-g.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.21 грн
25+12.33 грн
100+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4-E3-18 BZT52B2V4-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
17+18.16 грн
100+11.46 грн
500+8.02 грн
1000+7.14 грн
2000+6.40 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-E3-18 BZT52B5V1-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
17+18.16 грн
100+11.46 грн
500+8.02 грн
1000+7.14 грн
2000+6.40 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-HE3-08 BZT52B5V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.64 грн
27+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-E3-18 BZT52C10-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
на замовлення 7807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.28 грн
73+4.16 грн
148+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-HE3-08 BZT52C10-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.71 грн
34+9.15 грн
100+5.71 грн
500+3.93 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C18-HE3-08 BZT52C18-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.71 грн
33+9.38 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24-E3-08 BZT52C24-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 24V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 11291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.85 грн
17+17.85 грн
100+11.28 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C2V4-E3-18 BZT52C2V4-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.21 грн
45+6.73 грн
105+2.89 грн
500+2.59 грн
1000+2.35 грн
2000+2.32 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C33-E3-08 BZT52C33-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52_series.pdf Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.21 грн
19+16.72 грн
100+8.88 грн
500+5.48 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-18 baw56.pdf
BAW56-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 27648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.35 грн
21+14.45 грн
100+9.05 грн
500+6.29 грн
1000+5.58 грн
2000+4.98 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 by251p.pdf
BY252P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.77 грн
10+60.59 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 by251p.pdf
BY253P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
12+27.31 грн
100+20.42 грн
500+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 by251p.pdf
BY254P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.77 грн
10+60.59 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR by268.pdf
BY268TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Part Status: Active
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.92 грн
12+26.17 грн
100+22.93 грн
500+18.36 грн
1000+16.15 грн
2000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 by5201416.pdf
BY520-16E-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
15+21.41 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.57 грн
2000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10K-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.28 грн
17+18.61 грн
100+10.98 грн
500+8.98 грн
1000+8.02 грн
2000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.35 грн
15+20.88 грн
100+13.27 грн
500+9.36 грн
1000+8.36 грн
2000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.85 грн
10+31.24 грн
100+20.08 грн
500+14.34 грн
1000+12.89 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.85 грн
10+31.24 грн
100+20.08 грн
500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20J-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.85 грн
10+31.24 грн
100+20.08 грн
500+14.34 грн
1000+12.89 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR byg22a.pdf
BYG22A-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.85 грн
12+26.17 грн
100+17.78 грн
500+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H byg22a.pdf
BYG22DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.07 грн
26+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 egl34.pdf
BYM07-100-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.49 грн
13+24.36 грн
100+18.20 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 egl34.pdf
BYM07-150-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 egl34.pdf
BYM07-200-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 egl34.pdf
BYM07-200-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.28 грн
13+24.21 грн
100+19.18 грн
500+13.65 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 egl34.pdf
BYM07-400-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.21 грн
12+26.78 грн
100+20.01 грн
500+14.75 грн
1000+11.40 грн
2000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
17+18.31 грн
100+13.54 грн
500+10.45 грн
1000+8.87 грн
2000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-200-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.88 грн
14+23.10 грн
100+14.74 грн
500+10.43 грн
1000+9.34 грн
2000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.85 грн
16+18.99 грн
100+11.51 грн
500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.85 грн
18+17.78 грн
100+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
15+20.27 грн
100+15.08 грн
500+10.85 грн
1000+8.72 грн
2000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 bym1150.pdf
BYM11-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.56 грн
12+25.42 грн
100+15.23 грн
500+13.23 грн
1000+8.99 грн
2000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/96 egl41.pdf
BYM12-400-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.71 грн
13+23.68 грн
100+18.93 грн
500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50-E3/96 egl41.pdf
BYM12-50-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.71 грн
13+23.90 грн
100+16.20 грн
500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-40-E3/97 bym13.pdf
BYM13-40-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
13+25.19 грн
100+17.42 грн
500+13.66 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-35-E3/TR bys10.pdf
BYS10-35-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.42 грн
15+21.41 грн
100+10.79 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS11-90-M3/TR bys11-90.pdf
BYS11-90-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+18.85 грн
21+14.45 грн
100+8.70 грн
500+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYS12-90-M3/TR bys12-90-m3.pdf
BYS12-90-M3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.93 грн
30+10.14 грн
100+9.35 грн
500+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52J-TR byt52.pdf
BYT52J-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/54 byv26dgp.pdf
BYV26DGP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TR byv26.pdf
BYV26D-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 13722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.11 грн
10+104.17 грн
100+70.96 грн
500+53.26 грн
1000+48.97 грн
2000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TR byv27.pdf
BYV27-150-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 17502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-200-TR byv2850.pdf
BYV28-200-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW32-TR byw32.pdf
BYW32-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 32281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+162.61 грн
10+100.31 грн
100+68.18 грн
500+51.09 грн
1000+46.94 грн
2000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-200-E3/81 byw29200.pdf
BYWB29-200-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.62 грн
10+92.97 грн
100+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYX10GP-E3/54 byx10gp.pdf
BYX10GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C15P-E3-08 BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf
BZD17C15P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.78 грн
21+14.75 грн
100+6.88 грн
500+6.32 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD17C24P-E3-08 BZD17C3V6P%20thru%20BZD17C200P.pdf
BZD17C24P-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55B9V1-TR bzm55.pdf
BZM55B9V1-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.57 грн
20+15.28 грн
100+7.45 грн
500+5.83 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZM55C9V1-TR3 bzm55.pdf
BZM55C9V1-TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: MicroMELF
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.00 грн
44+6.88 грн
102+2.98 грн
500+2.68 грн
1000+2.43 грн
2000+2.40 грн
5000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C150-TR bzt03.pdf
BZT03C150-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 150V 1.3W SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: SOD-57
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 18006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
10+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C15-TR bzt03.pdf
BZT03C15-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 1.3W SOD57
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
на замовлення 30542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.35 грн
10+41.00 грн
100+28.23 грн
500+21.05 грн
1000+16.55 грн
2000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C16-TR bzt03.pdf
BZT03C16-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 13VWM 22.9VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±5.63%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
10+47.66 грн
100+36.51 грн
500+27.09 грн
1000+21.67 грн
2000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C200-TR bzt03.pdf
BZT03C200-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 200V 1.3W SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.63 грн
12+26.02 грн
100+22.74 грн
500+17.23 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT03C56-TR bzt03.pdf
BZT03C56-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 47VWM 78.6VC SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-57
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Tolerance: ±7.14%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.21 грн
10+35.71 грн
100+24.71 грн
500+19.37 грн
1000+16.49 грн
2000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B20-G3-08 bzt52-g.pdf
BZT52B20-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.21 грн
25+12.33 грн
100+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B2V4-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
17+18.16 грн
100+11.46 грн
500+8.02 грн
1000+7.14 грн
2000+6.40 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B5V1-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
на замовлення 8551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
17+18.16 грн
100+11.46 грн
500+8.02 грн
1000+7.14 грн
2000+6.40 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52B5V1-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.64 грн
27+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-E3-18 bzt52.pdf
BZT52C10-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
на замовлення 7807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+6.28 грн
73+4.16 грн
148+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52C10-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.71 грн
34+9.15 грн
100+5.71 грн
500+3.93 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C18-HE3-08 bzt52.pdf
BZT52C18-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.71 грн
33+9.38 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24-E3-08 bzt52.pdf
BZT52C24-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18 V
на замовлення 11291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.85 грн
17+17.85 грн
100+11.28 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C2V4-E3-18 bzt52.pdf
BZT52C2V4-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.21 грн
45+6.73 грн
105+2.89 грн
500+2.59 грн
1000+2.35 грн
2000+2.32 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C33-E3-08 bzt52_series.pdf
BZT52C33-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.21 грн
19+16.72 грн
100+8.88 грн
500+5.48 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 476 544 612 680 686  [ Наступна Сторінка >> ]