Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41143) > Сторінка 406 з 686

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 476 544 612 680 686  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BZX85B6V8-TR BZX85B6V8-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85_Series.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Impedance (Max) (Zzt): 3.5 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 4 V
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
на замовлення 33290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
30+10.38 грн
100+4.28 грн
500+3.84 грн
1000+3.65 грн
2000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C11-TR BZX85C11-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85_Series.pdf Description: DIODE ZENER 11V 1.3W DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.38 грн
100+20.20 грн
500+14.42 грн
1000+12.96 грн
2000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C3V3-TR BZX85C3V3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85_Series.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 1.3W DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.13 грн
10+31.69 грн
100+20.43 грн
500+14.58 грн
1000+13.10 грн
2000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C43-TR BZX85C43-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85_Series.pdf Description: DIODE ZENER 43V 1.3W DO41
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 33 V
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
33+9.47 грн
100+6.35 грн
500+4.55 грн
1000+4.08 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C8V2-TR BZX85C8V2-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85_Series.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.38 грн
100+20.20 грн
500+14.42 грн
1000+12.96 грн
2000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF005SA-E3/77 DF005SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfsa.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+46.04 грн
100+30.08 грн
500+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1501S-E3/77 DF1501S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division df15005s.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.81 грн
10+53.68 грн
100+35.10 грн
500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1506S-E3/77 DF1506S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division df15005s.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
10+48.41 грн
100+31.81 грн
500+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1508S-E3/77 DF1508S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division df15005s.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+47.65 грн
100+31.28 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFL1510S-E3/77 DFL1510S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dfl15005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.64 грн
10+51.69 грн
100+33.97 грн
500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1THE3/5CA EGF1THE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1t.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1THE3/67A EGF1THE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1t.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34B-E3/98 EGL34B-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
13+24.43 грн
100+18.22 грн
500+13.19 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D-E3/83 EGL34D-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/83 EGL34G-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
13+24.36 грн
100+18.14 грн
500+13.12 грн
1000+11.75 грн
2000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10C-E3/54 EGP10C-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
12+25.96 грн
100+17.65 грн
500+12.99 грн
1000+11.80 грн
2000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
19+16.95 грн
100+15.65 грн
500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BHE3_A/H ES1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
12+26.34 грн
100+16.82 грн
500+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1C-E3/5AT ES1C-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+11.47 грн
500+8.06 грн
1000+5.82 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CHE3_A/H ES1CHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
19+16.65 грн
100+13.23 грн
500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1PC-M3/84A ES1PC-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.72 грн
12+26.11 грн
100+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B-E3/5BT ES2B-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.47 грн
14+22.14 грн
100+17.66 грн
500+12.58 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/H ES2BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.82 грн
12+26.88 грн
100+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D-E3/5BT ES2D-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 8058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+32.83 грн
100+21.18 грн
500+15.14 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DHE3_A/H ES2DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.40 грн
10+40.62 грн
100+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DHE3_A/I ES2DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.40 грн
10+40.62 грн
100+26.42 грн
500+19.04 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2G-E3/5BT ES2G-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2f.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
10+32.45 грн
100+20.91 грн
500+14.95 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3B-E3/9AT ES3B-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
10+42.91 грн
100+27.95 грн
500+20.19 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3DHE3_A/H ES3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
11+29.86 грн
100+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3DHE3_A/I ES3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
10+37.72 грн
100+29.70 грн
500+21.58 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3G-E3/9AT ES3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3f.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
10+42.91 грн
100+27.95 грн
500+20.19 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3GHE3_A/H ES3GHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3f.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.57 грн
10+56.66 грн
100+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1PC-M3/84A ESH1PC-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh1pb.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 11490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
14+23.44 грн
100+18.99 грн
500+13.56 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16DT-E3/81 FESB16DT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1MHE3/67A GF1MHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL34D-E3/83 GL34D-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/97 GL41M-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.68 грн
11+29.24 грн
100+20.30 грн
500+14.87 грн
1000+12.08 грн
2000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41YHE3/96 GL41YHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.47 грн
11+28.48 грн
100+19.39 грн
500+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP10M-E3/73 GP10M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
11+28.33 грн
100+18.16 грн
500+12.91 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP10T-E3/54 GP10T-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
13+25.20 грн
100+20.20 грн
500+14.44 грн
1000+11.59 грн
2000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP15G-E3/54 GP15G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp15a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+39.09 грн
100+25.40 грн
500+18.30 грн
1000+16.51 грн
2000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP15M-E3/54 GP15M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp15a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
10+36.42 грн
100+25.30 грн
500+18.54 грн
1000+15.07 грн
2000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP30G-E3/54 GP30G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30x.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+62.23 грн
100+50.05 грн
500+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP30J-E3/54 GP30J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30x.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.02 грн
10+69.33 грн
100+53.92 грн
500+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPP20J-E3/54 GPP20J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gpp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
22+14.28 грн
100+9.58 грн
500+6.92 грн
1000+6.24 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPP20M-E3/54 GPP20M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gpp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO204AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
22+14.28 грн
100+9.58 грн
500+6.92 грн
1000+6.24 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSD2004A-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE ARR GP 240V 225MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 225mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSD2004W-E3-18 GSD2004W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gsd2004w.pdf Description: DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
40+7.71 грн
100+5.14 грн
500+3.68 грн
1000+3.29 грн
2000+2.96 грн
5000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSD2004WS-HE3-08 GSD2004WS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gsd2004w.pdf Description: DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
32+9.70 грн
100+6.50 грн
500+4.66 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT05C-HE3-08 GSOT05C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gsot03c.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT23
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 480W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 24692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
14+22.07 грн
100+11.12 грн
500+9.24 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT05C-HG3-08 GSOT05C-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gsot03c.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT233
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 480W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
19+16.19 грн
100+7.82 грн
500+7.24 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT24-E3-08 GSOT24-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gsot03.pdf Description: TVS DIODE 24V 47V SOT23-3
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT36-E3-08 GSOT36-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gsot03.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23-3
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 248W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 71V
Voltage - Breakdown (Min): 39V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 52pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
17+18.33 грн
100+9.26 грн
500+7.70 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08 IMBD4148-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
29+10.54 грн
100+5.70 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL103A-GS18 LL103A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ll103a.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD80
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
20+15.88 грн
100+10.00 грн
500+6.97 грн
1000+6.19 грн
2000+5.53 грн
5000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1560CT-E3/81 MBRB1560CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrf15xxct.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 60V 7.5A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 7.5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB2045CT-E3/81 MBRB2045CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbr20xxct.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB2060CT-E3/81 MBRB2060CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division packaging.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.42 грн
10+87.28 грн
100+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20H100CT-E3/81 MBRB20H100CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division packaging.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB3045CT-E3/81 MBRB3045CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRx30x5CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85B6V8-TR BZX85_Series.pdf
BZX85B6V8-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO204AL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Impedance (Max) (Zzt): 3.5 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 4 V
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
на замовлення 33290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.86 грн
30+10.38 грн
100+4.28 грн
500+3.84 грн
1000+3.65 грн
2000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C11-TR BZX85_Series.pdf
BZX85C11-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 1.3W DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.33 грн
10+31.38 грн
100+20.20 грн
500+14.42 грн
1000+12.96 грн
2000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C3V3-TR BZX85_Series.pdf
BZX85C3V3-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 1.3W DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.13 грн
10+31.69 грн
100+20.43 грн
500+14.58 грн
1000+13.10 грн
2000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C43-TR BZX85_Series.pdf
BZX85C43-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 1.3W DO41
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 33 V
Power - Max: 1.3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
33+9.47 грн
100+6.35 грн
500+4.55 грн
1000+4.08 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C8V2-TR BZX85_Series.pdf
BZX85C8V2-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1.3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 6.2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.33 грн
10+31.38 грн
100+20.20 грн
500+14.42 грн
1000+12.96 грн
2000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF005SA-E3/77 dfsa.pdf
DF005SA-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.12 грн
10+46.04 грн
100+30.08 грн
500+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1501S-E3/77 df15005s.pdf
DF1501S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.81 грн
10+53.68 грн
100+35.10 грн
500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1506S-E3/77 df15005s.pdf
DF1506S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.09 грн
10+48.41 грн
100+31.81 грн
500+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1508S-E3/77 df15005s.pdf
DF1508S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.29 грн
10+47.65 грн
100+31.28 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFL1510S-E3/77 dfl15005.pdf
DFL1510S-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: DFS
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.64 грн
10+51.69 грн
100+33.97 грн
500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1THE3/5CA egf1t.pdf
EGF1THE3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1THE3/67A egf1t.pdf
EGF1THE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34B-E3/98 egl34.pdf
EGL34B-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.85 грн
13+24.43 грн
100+18.22 грн
500+13.19 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D-E3/83 egl34.pdf
EGL34D-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G-E3/83 egl34.pdf
EGL34G-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.85 грн
13+24.36 грн
100+18.14 грн
500+13.12 грн
1000+11.75 грн
2000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10C-E3/54 egp10a.pdf
EGP10C-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.44 грн
12+25.96 грн
100+17.65 грн
500+12.99 грн
1000+11.80 грн
2000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1AHE3_A/H es1.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.17 грн
19+16.95 грн
100+15.65 грн
500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BHE3_A/H es1.pdf
ES1BHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.40 грн
12+26.34 грн
100+16.82 грн
500+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1C-E3/5AT es1.pdf
ES1C-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+11.47 грн
500+8.06 грн
1000+5.82 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CHE3_A/H es1.pdf
ES1CHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.37 грн
19+16.65 грн
100+13.23 грн
500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1PC-M3/84A es1pb.pdf
ES1PC-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.72 грн
12+26.11 грн
100+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B-E3/5BT es2.pdf
ES2B-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.47 грн
14+22.14 грн
100+17.66 грн
500+12.58 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/H es2.pdf
ES2BHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.82 грн
12+26.88 грн
100+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D-E3/5BT es2.pdf
ES2D-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 8058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.51 грн
10+32.83 грн
100+21.18 грн
500+15.14 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DHE3_A/H es2.pdf
ES2DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.40 грн
10+40.62 грн
100+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DHE3_A/I es2.pdf
ES2DHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.40 грн
10+40.62 грн
100+26.42 грн
500+19.04 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2G-E3/5BT es2f.pdf
ES2G-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.71 грн
10+32.45 грн
100+20.91 грн
500+14.95 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3B-E3/9AT es3.pdf
ES3B-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.36 грн
10+42.91 грн
100+27.95 грн
500+20.19 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3DHE3_A/H es3.pdf
ES3DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.06 грн
11+29.86 грн
100+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3DHE3_A/I es3.pdf
ES3DHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.71 грн
10+37.72 грн
100+29.70 грн
500+21.58 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3G-E3/9AT es3f.pdf
ES3G-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.36 грн
10+42.91 грн
100+27.95 грн
500+20.19 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES3GHE3_A/H es3f.pdf
ES3GHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.57 грн
10+56.66 грн
100+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1PC-M3/84A esh1pb.pdf
ESH1PC-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 11490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.27 грн
14+23.44 грн
100+18.99 грн
500+13.56 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16DT-E3/81 fes16jt.pdf
FESB16DT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1MHE3/67A gf1x.pdf
GF1MHE3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL34D-E3/83 gl34a.pdf
GL34D-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/97 bym10-xxx.pdf
GL41M-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.68 грн
11+29.24 грн
100+20.30 грн
500+14.87 грн
1000+12.08 грн
2000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41YHE3/96 bym10-xxx.pdf
GL41YHE3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.47 грн
11+28.48 грн
100+19.39 грн
500+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP10M-E3/73 gp10a.pdf
GP10M-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.58 грн
11+28.33 грн
100+18.16 грн
500+12.91 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP10T-E3/54 gp10a.pdf
GP10T-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.85 грн
13+25.20 грн
100+20.20 грн
500+14.44 грн
1000+11.59 грн
2000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP15G-E3/54 gp15a.pdf
GP15G-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.02 грн
10+39.09 грн
100+25.40 грн
500+18.30 грн
1000+16.51 грн
2000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP15M-E3/54 gp15a.pdf
GP15M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.40 грн
10+36.42 грн
100+25.30 грн
500+18.54 грн
1000+15.07 грн
2000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP30G-E3/54 GP30x.pdf
GP30G-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.32 грн
10+62.23 грн
100+50.05 грн
500+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP30J-E3/54 GP30x.pdf
GP30J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.02 грн
10+69.33 грн
100+53.92 грн
500+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPP20J-E3/54 gpp20a.pdf
GPP20J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.20 грн
22+14.28 грн
100+9.58 грн
500+6.92 грн
1000+6.24 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPP20M-E3/54 gpp20a.pdf
GPP20M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO204AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 37017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.20 грн
22+14.28 грн
100+9.58 грн
500+6.92 грн
1000+6.24 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSD2004A-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR GP 240V 225MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 225mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSD2004W-E3-18 gsd2004w.pdf
GSD2004W-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.89 грн
40+7.71 грн
100+5.14 грн
500+3.68 грн
1000+3.29 грн
2000+2.96 грн
5000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSD2004WS-HE3-08 gsd2004w.pdf
GSD2004WS-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.07 грн
32+9.70 грн
100+6.50 грн
500+4.66 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT05C-HE3-08 gsot03c.pdf
GSOT05C-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT23
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 480W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
на замовлення 24692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.51 грн
14+22.07 грн
100+11.12 грн
500+9.24 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT05C-HG3-08 gsot03c.pdf
GSOT05C-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT233
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 480W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.37 грн
19+16.19 грн
100+7.82 грн
500+7.24 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT24-E3-08 gsot03.pdf
GSOT24-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24V 47V SOT23-3
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSOT36-E3-08 gsot03.pdf
GSOT36-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 36VWM 71VC SOT23-3
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 248W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 71V
Voltage - Breakdown (Min): 39V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 52pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.96 грн
17+18.33 грн
100+9.26 грн
500+7.70 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08
IMBD4148-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.07 грн
29+10.54 грн
100+5.70 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL103A-GS18 ll103a.pdf
LL103A-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD80
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.96 грн
20+15.88 грн
100+10.00 грн
500+6.97 грн
1000+6.19 грн
2000+5.53 грн
5000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1560CT-E3/81 mbrf15xxct.pdf
MBRB1560CT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 60V 7.5A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 7.5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB2045CT-E3/81 mbr20xxct.pdf
MBRB2045CT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB2060CT-E3/81 packaging.pdf
MBRB2060CT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.42 грн
10+87.28 грн
100+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20H100CT-E3/81 packaging.pdf
MBRB20H100CT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB3045CT-E3/81 MBRx30x5CT.pdf
MBRB3045CT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 476 544 612 680 686  [ Наступна Сторінка >> ]