Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41402) > Сторінка 412 з 691

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 483 552 621 690 691  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UG2B-E3/54 UG2B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG2A-UG2D.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.47 грн
10+35.58 грн
100+22.97 грн
500+16.45 грн
1000+14.81 грн
2000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1B-E3/5AT US1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1J-M3/61T US1J-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
14+22.98 грн
100+14.56 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1K-E3/5AT US1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
19+16.42 грн
100+11.17 грн
500+8.56 грн
1000+6.78 грн
2000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/I US1MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
13+24.82 грн
50+18.04 грн
100+14.85 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-M3/61T US1M-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 47664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.47 грн
14+21.91 грн
50+15.84 грн
100+13.02 грн
500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
USB260HM3/52T USB260HM3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division usb260.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+58.95 грн
50+43.84 грн
100+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10HM3_A/I V10P10HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.40 грн
10+42.22 грн
100+33.51 грн
500+24.45 грн
1000+21.53 грн
2000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/87A V10P10-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+45.89 грн
100+30.13 грн
500+21.91 грн
1000+19.27 грн
2000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/86A V10P20-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p20.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.21 грн
10+96.06 грн
100+69.63 грн
500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/87A V10P20-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p20.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 49108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.81 грн
10+44.90 грн
100+33.07 грн
500+24.12 грн
1000+21.24 грн
2000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45-M3/86A V10P45-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.81 грн
10+55.66 грн
100+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45S-M3/86A V10P45S-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p45s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.81 грн
10+55.66 грн
100+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V12P6-M3/86A V12P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 4.6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.9 mA @ 60 V
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+62.08 грн
100+41.12 грн
500+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V3PAL45-M3/I V3PAL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pal45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 13805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
12+25.73 грн
100+17.49 грн
500+12.87 грн
1000+11.70 грн
2000+10.70 грн
5000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V4PAL45-M3/I V4PAL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v4pal45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.61 грн
11+28.40 грн
100+19.37 грн
500+14.30 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAL45-M3/I V8PAL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pal45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.85 mA @ 45 V
на замовлення 18460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.15 грн
10+57.50 грн
100+37.92 грн
500+27.70 грн
1000+25.16 грн
2000+23.02 грн
5000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB20100C-E3/8W VB20100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.40 грн
10+125.30 грн
100+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB60100C-E3/8W VB60100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.26 грн
10+150.65 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBT4045C-E3/8W VBT4045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbt4045c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.75 грн
10+143.93 грн
100+109.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBT6045C-E3/8W VBT6045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbt6045c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.41 грн
10+197.84 грн
50+153.28 грн
100+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS54DD-HS4-G4-08 VBUS54DD-HS4-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbus54dd.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 19VC LLP1010-5L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: LLP1010-5L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 57W
Power Line Protection: No
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.82 грн
11+29.40 грн
100+20.01 грн
500+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03GHE3-08 VCAN26A2-03GHE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vcan26a2-03g.pdf Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-323
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
21+14.97 грн
100+10.09 грн
500+7.31 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03S-E3-08 VCAN26A2-03S-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vcan26a2-03s.pdf Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.54 грн
100+13.00 грн
500+9.14 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA210-M3/61T VSSA210-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssa210.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
на замовлення 10069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.34 грн
16+19.09 грн
100+12.93 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF3N50-M3/6A VSSAF3N50-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf3n50.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
11+29.55 грн
100+18.95 грн
500+13.48 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF5N50-M3/6A VSSAF5N50-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf5n50.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 850pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 50 V
на замовлення 10501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.26 грн
10+35.89 грн
50+26.33 грн
100+21.78 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSB420S-M3/5BT VSSB420S-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssb420s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
10+32.83 грн
50+24.01 грн
100+19.83 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSC520S-M3/9AT VSSC520S-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssc520s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
11+28.33 грн
100+21.23 грн
500+15.35 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS15ASMF-HM3-08 VTVS15ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vtvs3v3asmf.pdf Description: TVS DIODE 15.1VWM 25VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.1V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.47A
Capacitance @ Frequency: 684pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.64 грн
10+37.26 грн
100+24.11 грн
500+17.31 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS23ASMF-HM3-08 VTVS23ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vtvs3v3asmf.pdf Description: TVS DIODE 22.6VWM 38VC DO219AB
на замовлення 5537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.64 грн
10+37.26 грн
100+24.11 грн
500+17.31 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZGL41-180A-E3/96 ZGL41-180A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zgl41.pdf Description: DIODE ZENER 180V 1W GL41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 136.9 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Impedance (Max) (Zzt): 900 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
10+32.45 грн
100+22.58 грн
500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4729A-GS08 ZM4729A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zm4728a.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.34 грн
17+18.86 грн
100+9.58 грн
500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4749A-GS18 ZM4749A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zm4728a.pdf Description: DIODE ZENER 24V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 18.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.37 грн
11+28.79 грн
100+18.47 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
2000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY22-GS18 ZMY22-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1W DO213AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 17 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.82 грн
13+25.20 грн
100+16.03 грн
500+11.33 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY30-GS18 ZMY30-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.5 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
16+20.16 грн
100+13.67 грн
500+9.95 грн
1000+7.96 грн
2000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY4V3-GS18 ZMY4V3-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 1W DO213AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.13 грн
16+19.62 грн
100+13.20 грн
500+9.59 грн
1000+7.39 грн
2000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20-M3,G2SB60-M3,G2SB80-M3_Aug05,2015_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5752E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/45 G3SBA60-5410M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/51 G3SBA60-5410M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5705E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5705M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5708E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5708M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-6000E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-6000M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG2B-E3/54 UG2A-UG2D.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.47 грн
10+35.58 грн
100+22.97 грн
500+16.45 грн
1000+14.81 грн
2000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1B-E3/5AT us1_test_dcicons.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1J-M3/61T us1_test_dcicons.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.85 грн
14+22.98 грн
100+14.56 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1K-E3/5AT us1_test_dcicons.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
19+16.42 грн
100+11.17 грн
500+8.56 грн
1000+6.78 грн
2000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/I us1_test_dcicons.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.23 грн
13+24.82 грн
50+18.04 грн
100+14.85 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-M3/61T us1_test_dcicons.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 47664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.47 грн
14+21.91 грн
50+15.84 грн
100+13.02 грн
500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
USB260HM3/52T usb260.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.74 грн
10+58.95 грн
50+43.84 грн
100+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10HM3_A/I v10p10.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.40 грн
10+42.22 грн
100+33.51 грн
500+24.45 грн
1000+21.53 грн
2000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/87A v10p10.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.12 грн
10+45.89 грн
100+30.13 грн
500+21.91 грн
1000+19.27 грн
2000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/86A v10p20.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.21 грн
10+96.06 грн
100+69.63 грн
500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/87A v10p20.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 49108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.81 грн
10+44.90 грн
100+33.07 грн
500+24.12 грн
1000+21.24 грн
2000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45-M3/86A v10p45.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.81 грн
10+55.66 грн
100+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45S-M3/86A v10p45s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.81 грн
10+55.66 грн
100+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V12P6-M3/86A v12p6.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 4.6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.9 mA @ 60 V
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.29 грн
10+62.08 грн
100+41.12 грн
500+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V3PAL45-M3/I v3pal45.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 13805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
12+25.73 грн
100+17.49 грн
500+12.87 грн
1000+11.70 грн
2000+10.70 грн
5000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V4PAL45-M3/I v4pal45.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.61 грн
11+28.40 грн
100+19.37 грн
500+14.30 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAL45-M3/I v8pal45.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.85 mA @ 45 V
на замовлення 18460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.15 грн
10+57.50 грн
100+37.92 грн
500+27.70 грн
1000+25.16 грн
2000+23.02 грн
5000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB20100C-E3/8W v20100c.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.40 грн
10+125.30 грн
100+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VB60100C-E3/8W v60100c.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.26 грн
10+150.65 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBT4045C-E3/8W vbt4045c.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.75 грн
10+143.93 грн
100+109.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBT6045C-E3/8W vbt6045c.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.41 грн
10+197.84 грн
50+153.28 грн
100+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS54DD-HS4-G4-08 vbus54dd.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.5VWM 19VC LLP1010-5L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: LLP1010-5L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 57W
Power Line Protection: No
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.82 грн
11+29.40 грн
100+20.01 грн
500+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03GHE3-08 vcan26a2-03g.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-323
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.99 грн
21+14.97 грн
100+10.09 грн
500+7.31 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03S-E3-08 vcan26a2-03s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
15+20.54 грн
100+13.00 грн
500+9.14 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA210-M3/61T vssa210.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
на замовлення 10069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.34 грн
16+19.09 грн
100+12.93 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF3N50-M3/6A vssaf3n50.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.16 грн
11+29.55 грн
100+18.95 грн
500+13.48 грн
1000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF5N50-M3/6A vssaf5n50.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 850pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 50 V
на замовлення 10501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.26 грн
10+35.89 грн
50+26.33 грн
100+21.78 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSB420S-M3/5BT vssb420s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.71 грн
10+32.83 грн
50+24.01 грн
100+19.83 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VSSC520S-M3/9AT vssc520s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.78 грн
11+28.33 грн
100+21.23 грн
500+15.35 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS15ASMF-HM3-08 vtvs3v3asmf.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15.1VWM 25VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.1V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.47A
Capacitance @ Frequency: 684pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.64 грн
10+37.26 грн
100+24.11 грн
500+17.31 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS23ASMF-HM3-08 vtvs3v3asmf.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 22.6VWM 38VC DO219AB
на замовлення 5537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.64 грн
10+37.26 грн
100+24.11 грн
500+17.31 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZGL41-180A-E3/96 zgl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 180V 1W GL41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 136.9 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Impedance (Max) (Zzt): 900 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
10+32.45 грн
100+22.58 грн
500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4729A-GS08 zm4728a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.34 грн
17+18.86 грн
100+9.58 грн
500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4749A-GS18 zm4728a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 18.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.37 грн
11+28.79 грн
100+18.47 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
2000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY22-GS18 zmy3v9.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 1W DO213AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 17 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.82 грн
13+25.20 грн
100+16.03 грн
500+11.33 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY30-GS18 zmy3v9.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.5 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
16+20.16 грн
100+13.67 грн
500+9.95 грн
1000+7.96 грн
2000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY4V3-GS18 zmy3v9.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 1W DO213AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-213AB
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.13 грн
16+19.62 грн
100+13.20 грн
500+9.59 грн
1000+7.39 грн
2000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/51 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751M3/45 G2SB20-M3,G2SB60-M3,G2SB80-M3_Aug05,2015_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5752E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/51 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Package / Case: 4-SIP, GBL
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/45 G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/51 G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702E3/45 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702M3/45 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5705E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5705M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5708E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: GBU
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBU
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5708M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-6000E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-6000M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 483 552 621 690 691  Наступна Сторінка >> ]