Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40147) > Сторінка 409 з 670

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 469 536 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TZX5V1B-TR TZX5V1B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.67 грн
28+11.01 грн
100+5.37 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
2000+2.53 грн
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1C-TR TZX5V1C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.67 грн
28+11.01 грн
100+5.37 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
2000+2.53 грн
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TR TZX5V6C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
на замовлення 18190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.67 грн
22+14.07 грн
100+7.66 грн
500+4.43 грн
1000+3.02 грн
2000+2.56 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX6V8C-TR TZX6V8C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.94 грн
75+4.13 грн
182+1.68 грн
500+1.55 грн
1000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
UF4005-M3/54 UF4005-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division uf4001.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+23.16 грн
100+16.60 грн
500+11.76 грн
1000+10.08 грн
2000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
UG2B-E3/54 UG2B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG2A-UG2D.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.54 грн
10+35.63 грн
100+23.00 грн
500+16.47 грн
1000+14.83 грн
2000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
US1B-E3/5AT US1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 6039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
13+25.38 грн
100+16.20 грн
500+11.45 грн
1000+10.25 грн
2000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
US1J-M3/61T US1J-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
22+14.07 грн
100+9.82 грн
500+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
US1K-E3/5AT US1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
19+16.44 грн
100+11.18 грн
500+8.57 грн
1000+6.79 грн
2000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/I US1MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
17+18.73 грн
100+12.49 грн
500+9.71 грн
1000+7.94 грн
2000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-M3/61T US1M-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 58047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
22+14.07 грн
100+10.10 грн
500+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
USB260HM3/52T USB260HM3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division usb260.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.31 грн
12+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10HM3_A/I V10P10HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.69 грн
10+43.04 грн
100+34.15 грн
500+24.91 грн
1000+21.94 грн
2000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/87A V10P10-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.18 грн
10+51.37 грн
100+41.71 грн
500+30.61 грн
1000+26.48 грн
2000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/86A V10P20-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p20.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.47 грн
10+97.47 грн
100+77.58 грн
500+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/87A V10P20-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p20.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 50779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
10+33.87 грн
100+23.45 грн
500+18.39 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45-M3/86A V10P45-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+55.73 грн
100+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45S-M3/86A V10P45S-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p45s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+55.73 грн
100+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V12P6-M3/86A V12P6-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12p6.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 4.6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.9 mA @ 60 V
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.80 грн
10+50.00 грн
100+37.81 грн
500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V3PAL45-M3/I V3PAL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pal45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 13805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.69 грн
12+25.76 грн
100+17.51 грн
500+12.89 грн
1000+11.71 грн
2000+10.71 грн
5000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V4PAL45-M3/I V4PAL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v4pal45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.66 грн
11+28.44 грн
100+19.40 грн
500+14.32 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAL45-M3/I V8PAL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pal45.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.85 mA @ 45 V
на замовлення 21360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+45.41 грн
100+31.39 грн
500+23.52 грн
1000+21.57 грн
2000+19.91 грн
5000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VB20100C-E3/8W VB20100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.89 грн
10+122.24 грн
100+83.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VB60100C-E3/8W VB60100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v60100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.27 грн
10+129.05 грн
100+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VBT4045C-E3/8W VBT4045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbt4045c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.11 грн
10+151.60 грн
100+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VBT6045C-E3/8W VBT6045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbt6045c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+162.68 грн
100+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS54DD-HS4-G4-08 VBUS54DD-HS4-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbus54dd.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 19VC LLP1010-5L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: LLP1010-5L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 57W
Power Line Protection: No
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
11+29.43 грн
100+20.04 грн
500+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03GHE3-08 VCAN26A2-03GHE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vcan26a2-03g.pdf Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-323
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
21+14.98 грн
100+10.11 грн
500+7.32 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03S-E3-08 VCAN26A2-03S-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vcan26a2-03s.pdf Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 32497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
24+12.92 грн
100+7.79 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA210-M3/61T VSSA210-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssa210.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
на замовлення 10069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
16+19.11 грн
100+12.94 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF3N50-M3/6A VSSAF3N50-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf3n50.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
14+22.48 грн
100+15.21 грн
500+11.13 грн
1000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF5N50-M3/6A VSSAF5N50-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf5n50.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 850pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 50 V
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
12+26.68 грн
100+21.87 грн
500+15.64 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VSSB420S-M3/5BT VSSB420S-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssb420s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 13654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
16+20.18 грн
100+13.47 грн
500+11.23 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VSSC520S-M3/9AT VSSC520S-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssc520s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
10+31.73 грн
100+22.03 грн
500+16.15 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS15ASMF-HM3-08 VTVS15ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vtvs3v3asmf.pdf Description: TVS DIODE 15.1VWM 25VC DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 684pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.47A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.1V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.61 грн
19+16.21 грн
100+11.57 грн
500+9.00 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS23ASMF-HM3-08 VTVS23ASMF-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vtvs3v3asmf.pdf Description: TVS DIODE 22.6VWM 38VC DO219AB
на замовлення 24694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.31 грн
11+28.97 грн
100+19.72 грн
500+13.88 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZGL41-180A-E3/96 ZGL41-180A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zgl41.pdf Description: DIODE ZENER 180V 1W GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Impedance (Max) (Zzt): 900 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 136.9 V
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.69 грн
10+32.49 грн
100+22.61 грн
500+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4729A-GS08 ZM4729A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zm4728a.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
17+18.88 грн
100+9.59 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4749A-GS18 ZM4749A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zm4728a.pdf Description: DIODE ZENER 24V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 18.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
18+17.35 грн
100+8.07 грн
500+7.00 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY22-GS18 ZMY22-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 17 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
13+25.23 грн
100+16.05 грн
500+11.35 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY30-GS18 ZMY30-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
16+20.18 грн
100+13.68 грн
500+9.96 грн
1000+7.97 грн
2000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY4V3-GS18 ZMY4V3-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division zmy3v9.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
16+19.65 грн
100+13.22 грн
500+9.60 грн
1000+7.40 грн
2000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20-M3,G2SB60-M3,G2SB80-M3_Aug05,2015_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5752E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/45 G3SBA60-5410M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/51 G3SBA60-5410M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5705E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBAx0.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1B-TR tzxserie.pdf
TZX5V1B-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
28+11.01 грн
100+5.37 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
2000+2.53 грн
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1C-TR tzxserie.pdf
TZX5V1C-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
28+11.01 грн
100+5.37 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
2000+2.53 грн
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V6C-TR tzxserie.pdf
TZX5V6C-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
на замовлення 18190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
22+14.07 грн
100+7.66 грн
500+4.43 грн
1000+3.02 грн
2000+2.56 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX6V8C-TR tzxserie.pdf
TZX6V8C-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.94 грн
75+4.13 грн
182+1.68 грн
500+1.55 грн
1000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
UF4005-M3/54 uf4001.pdf
UF4005-M3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.73 грн
14+23.16 грн
100+16.60 грн
500+11.76 грн
1000+10.08 грн
2000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
UG2B-E3/54 UG2A-UG2D.pdf
UG2B-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
10+35.63 грн
100+23.00 грн
500+16.47 грн
1000+14.83 грн
2000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
US1B-E3/5AT us1_test_dcicons.pdf
US1B-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 6039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
13+25.38 грн
100+16.20 грн
500+11.45 грн
1000+10.25 грн
2000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
US1J-M3/61T us1_test_dcicons.pdf
US1J-M3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
22+14.07 грн
100+9.82 грн
500+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
US1K-E3/5AT us1_test_dcicons.pdf
US1K-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
19+16.44 грн
100+11.18 грн
500+8.57 грн
1000+6.79 грн
2000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/I us1_test_dcicons.pdf
US1MHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
17+18.73 грн
100+12.49 грн
500+9.71 грн
1000+7.94 грн
2000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-M3/61T us1_test_dcicons.pdf
US1M-M3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 58047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
22+14.07 грн
100+10.10 грн
500+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
USB260HM3/52T usb260.pdf
USB260HM3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
12+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10HM3_A/I v10p10.pdf
V10P10HM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+43.04 грн
100+34.15 грн
500+24.91 грн
1000+21.94 грн
2000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V10P10-M3/87A v10p10.pdf
V10P10-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 100 V
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.18 грн
10+51.37 грн
100+41.71 грн
500+30.61 грн
1000+26.48 грн
2000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/86A v10p20.pdf
V10P20-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.47 грн
10+97.47 грн
100+77.58 грн
500+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
V10P20-M3/87A v10p20.pdf
V10P20-M3/87A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2.4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 200 V
на замовлення 50779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
10+33.87 грн
100+23.45 грн
500+18.39 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45-M3/86A v10p45.pdf
V10P45-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+55.73 грн
100+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V10P45S-M3/86A v10p45s-m3.pdf
V10P45S-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+55.73 грн
100+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V12P6-M3/86A v12p6.pdf
V12P6-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 4.6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4.6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.9 mA @ 60 V
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.80 грн
10+50.00 грн
100+37.81 грн
500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
V3PAL45-M3/I v3pal45.pdf
V3PAL45-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 13805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.69 грн
12+25.76 грн
100+17.51 грн
500+12.89 грн
1000+11.71 грн
2000+10.71 грн
5000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V4PAL45-M3/I v4pal45.pdf
V4PAL45-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 45 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
11+28.44 грн
100+19.40 грн
500+14.32 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V8PAL45-M3/I v8pal45.pdf
V8PAL45-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 4A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.85 mA @ 45 V
на замовлення 21360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+45.41 грн
100+31.39 грн
500+23.52 грн
1000+21.57 грн
2000+19.91 грн
5000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VB20100C-E3/8W v20100c.pdf
VB20100C-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 100 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.89 грн
10+122.24 грн
100+83.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VB60100C-E3/8W v60100c.pdf
VB60100C-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.27 грн
10+129.05 грн
100+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VBT4045C-E3/8W vbt4045c.pdf
VBT4045C-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.11 грн
10+151.60 грн
100+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VBT6045C-E3/8W vbt6045c.pdf
VBT6045C-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.69 грн
10+162.68 грн
100+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VBUS54DD-HS4-G4-08 vbus54dd.pdf
VBUS54DD-HS4-G4-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.5VWM 19VC LLP1010-5L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: LLP1010-5L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power - Peak Pulse: 57W
Power Line Protection: No
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
11+29.43 грн
100+20.04 грн
500+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03GHE3-08 vcan26a2-03g.pdf
VCAN26A2-03GHE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-323
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
21+14.98 грн
100+10.11 грн
500+7.32 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26A2-03S-E3-08 vcan26a2-03s.pdf
VCAN26A2-03S-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 26.5VWM 50VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 32497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
24+12.92 грн
100+7.79 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
VSSA210-M3/61T vssa210.pdf
VSSA210-M3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.7A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
на замовлення 10069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+19.11 грн
100+12.94 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF3N50-M3/6A vssaf3n50.pdf
VSSAF3N50-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 570pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.7A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
14+22.48 грн
100+15.21 грн
500+11.13 грн
1000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VSSAF5N50-M3/6A vssaf5n50.pdf
VSSAF5N50-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 850pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 50 V
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
12+26.68 грн
100+21.87 грн
500+15.64 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VSSB420S-M3/5BT vssb420s-m3.pdf
VSSB420S-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
на замовлення 13654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
16+20.18 грн
100+13.47 грн
500+11.23 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VSSC520S-M3/9AT vssc520s-m3.pdf
VSSC520S-M3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
10+31.73 грн
100+22.03 грн
500+16.15 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS15ASMF-HM3-08 vtvs3v3asmf.pdf
VTVS15ASMF-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15.1VWM 25VC DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 684pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.47A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.1V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
19+16.21 грн
100+11.57 грн
500+9.00 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS23ASMF-HM3-08 vtvs3v3asmf.pdf
VTVS23ASMF-HM3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 22.6VWM 38VC DO219AB
на замовлення 24694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
11+28.97 грн
100+19.72 грн
500+13.88 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZGL41-180A-E3/96 zgl41.pdf
ZGL41-180A-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 180V 1W GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 180 V
Impedance (Max) (Zzt): 900 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 136.9 V
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.69 грн
10+32.49 грн
100+22.61 грн
500+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4729A-GS08 zm4728a.pdf
ZM4729A-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
17+18.88 грн
100+9.59 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZM4749A-GS18 zm4728a.pdf
ZM4749A-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 18.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
18+17.35 грн
100+8.07 грн
500+7.00 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY22-GS18 zmy3v9.pdf
ZMY22-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 22V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 17 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
13+25.23 грн
100+16.05 грн
500+11.35 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY30-GS18 zmy3v9.pdf
ZMY30-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 22.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
16+20.18 грн
100+13.68 грн
500+9.96 грн
1000+7.97 грн
2000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZMY4V3-GS18 zmy3v9.pdf
ZMY4V3-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 1W DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-213AB
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
16+19.65 грн
100+13.22 грн
500+9.60 грн
1000+7.40 грн
2000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5700E3/51 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5751M3/45 G2SB20-M3,G2SB60-M3,G2SB80-M3_Aug05,2015_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5752E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/45 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2SB60L-5753E3/51 G2SB20,G2SB60,G2SB80_ProdBundle.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/45 G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf
G3SBA60-5410M3/45
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60-5410M3/51 G3SBA20-M3%2CG3SBA60-M3%2CG3SBA80-M3_Aug5%2C2015_DS.pdf
G3SBA60-5410M3/51
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5700M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702E3/45 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5702M3/45 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5703M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5704M3/51 G3SBA20-M3,G3SBA60-M3,G3SBA80-M3_Aug5,2015_DS.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3SBA60L-5705E3/51 G3SBAx0.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2.3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 469 536 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]