Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40417) > Сторінка 470 з 674

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 465 466 467 468 469 470 471 472 473 474 475 536 603 670 674  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMSZ5254C-E3-08 MMSZ5254C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APU04LHN3 VS-60APU04LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-60epu04lhn3_vs-60apu04lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C16-E3-08 BZT52C16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
6000+3.09 грн
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C16-E3-08 BZT52C16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
на замовлення 16481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
41+7.78 грн
100+3.84 грн
500+3.43 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B6V2-E3-18 BZT52B6V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B6V2-E3-18 BZT52B6V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
36+8.81 грн
100+4.07 грн
500+3.51 грн
1000+3.19 грн
2000+3.08 грн
5000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241C-E3-08 MMSZ5241C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+3.81 грн
15000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241C-E3-08 MMSZ5241C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 23692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
16+20.52 грн
100+10.87 грн
500+6.71 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
V1FM15HM3/H V1FM15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1fm15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.22 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V1FM15HM3/H V1FM15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1fm15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.22 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
15+21.00 грн
100+10.62 грн
500+8.13 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
V3PM10HM3/H V3PM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pm10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V3PM10HM3/H V3PM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pm10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
14+22.57 грн
100+13.55 грн
500+11.78 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100-E3/81 BYVB32-100-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100-E3/81 BYVB32-100-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-65EPS08L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-65epsl-m3.pdf Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-17E-M3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-xxE.pdf Description: DIODE GP 1.7KV 500MA DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-17E-E3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp02.pdf Description: DIODE GP 1.7KV 500MA DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B2V7-E3-08 BZX84B2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B2V7-E3-08 BZX84B2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.62 грн
45+7.08 грн
100+3.66 грн
500+3.22 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHE3_A/H 1.5SMC51AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHE3_A/I 1.5SMC51AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3_A/H 1.5SMC51AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3_A/I 1.5SMC51AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3/H 1.5SMC51AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3/I 1.5SMC51AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/H P6SMB20AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/H P6SMB20AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/I P6SMB20AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/I P6SMB20AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/H P6SMB20AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/I P6SMB20AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 GP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
12+26.74 грн
100+18.17 грн
500+13.37 грн
1000+12.16 грн
2000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBR2035CT-M3 VS-MBR2035CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr2035_45ct-m3.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT SSC53L-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssc53l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT SSC53L-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ssc53l.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+37.12 грн
100+25.68 грн
500+20.14 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smb10j40a.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H S1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+4.43 грн
3600+4.00 грн
5400+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H S1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.60 грн
25+12.74 грн
100+7.82 грн
500+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ8.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/H SMCJ6.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/I SMCJ6.5AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHM3_A/H SMCJ6.5AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5AHE3_A/H SMBJ8.5AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4686-GS08 TZS4686-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4678_to_TZS4717_Rev1.9_22-Feb-18.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.80 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
V1F6HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1f6.pdf Description: 1A 60V SMF TRENCH SKY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 TZM5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+2.69 грн
5000+2.34 грн
7500+2.21 грн
12500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 TZM5260B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm5221.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 14564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.80 грн
48+6.61 грн
100+4.41 грн
500+3.15 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB9.1AHE3_A/H TPSMB9.1AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW27-TAP BAW27-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw27.pdf Description: DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
36+8.89 грн
100+4.34 грн
500+3.40 грн
1000+2.36 грн
2000+2.05 грн
5000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.63 грн
3000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/5CA GF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
12+27.76 грн
100+21.07 грн
500+15.54 грн
1000+13.00 грн
2000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+40.73 грн
100+32.04 грн
500+23.22 грн
1000+19.32 грн
2000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/I EGF1B-1HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/H EGF1B-1HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/5CA EGF1B-1HE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5254C-E3-08 mmsz5225.pdf
MMSZ5254C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APU04LHN3 vs-60epu04lhn3_vs-60apu04lhn3.pdf
VS-60APU04LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C16-E3-08 bzt52.pdf
BZT52C16-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.59 грн
6000+3.09 грн
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C16-E3-08 bzt52.pdf
BZT52C16-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 410MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
на замовлення 16481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
41+7.78 грн
100+3.84 грн
500+3.43 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B6V2-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B6V2-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B6V2-E3-18 bzt52.pdf
BZT52B6V2-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
36+8.81 грн
100+4.07 грн
500+3.51 грн
1000+3.19 грн
2000+3.08 грн
5000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241C-E3-08 mmsz5225.pdf
MMSZ5241C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.55 грн
6000+3.81 грн
15000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241C-E3-08 mmsz5225.pdf
MMSZ5241C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
на замовлення 23692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
16+20.52 грн
100+10.87 грн
500+6.71 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
V1FM15HM3/H v1fm15.pdf
V1FM15HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.22 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V1FM15HM3/H v1fm15.pdf
V1FM15HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.22 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
15+21.00 грн
100+10.62 грн
500+8.13 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
V3PM10HM3/H v3pm10.pdf
V3PM10HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V3PM10HM3/H v3pm10.pdf
V3PM10HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.21 грн
14+22.57 грн
100+13.55 грн
500+11.78 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100-E3/81 byv32.pdf
BYVB32-100-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100-E3/81 byv32.pdf
BYVB32-100-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-65EPS08L-M3 vs-65epsl-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: NEW INPUT DIODES - TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-17E-M3S/73 RGP02-xxE.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.7KV 500MA DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-17E-E3S/73 rgp02.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.7KV 500MA DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B2V7-E3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B2V7-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.7V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.21 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B2V7-E3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B2V7-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.7V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.62 грн
45+7.08 грн
100+3.66 грн
500+3.22 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHE3_A/H 15smc.pdf
1.5SMC51AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHE3_A/I 15smc.pdf
1.5SMC51AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3_A/H 15smc.pdf
1.5SMC51AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3_A/I 15smc.pdf
1.5SMC51AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3/H 15smc.pdf
1.5SMC51AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC51AHM3/I 15smc.pdf
1.5SMC51AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43.6V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 48.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/H p6smb.pdf
P6SMB20AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/H p6smb.pdf
P6SMB20AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHE3_A/I p6smb.pdf
P6SMB20AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3_A/I p6smb.pdf
P6SMB20AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/H p6smb.pdf
P6SMB20AHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB20AHM3/I p6smb.pdf
P6SMB20AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 gp10a.pdf
GP10J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
GP10J-E3/54 gp10a.pdf
GP10J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.65 грн
12+26.74 грн
100+18.17 грн
500+13.37 грн
1000+12.16 грн
2000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-MBR2035CT-M3 vs-mbr2035_45ct-m3.pdf
VS-MBR2035CT-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT ssc53l.pdf
SSC53L-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSC53L-E3/9AT ssc53l.pdf
SSC53L-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 30 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.91 грн
10+37.12 грн
100+25.68 грн
500+20.14 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J36A-M3/52 smb10j40a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H s1.pdf
S1MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+4.43 грн
3600+4.00 грн
5400+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHE3_A/H s1.pdf
S1MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.60 грн
25+12.74 грн
100+7.82 грн
500+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ8.5AHE3_A/H smcj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ6.5AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ6.5AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AHM3_A/H smcj.pdf
SMCJ6.5AHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 133.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.5AHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ8.5AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4686-GS08 TZS4678_to_TZS4717_Rev1.9_22-Feb-18.pdf
TZS4686-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.80 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
V1F6HM3/I v1f6.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 1A 60V SMF TRENCH SKY RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 tzm5221.pdf
TZM5260B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+2.69 грн
5000+2.34 грн
7500+2.21 грн
12500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5260B-GS08 tzm5221.pdf
TZM5260B-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 93 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 33 V
на замовлення 14564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.80 грн
48+6.61 грн
100+4.41 грн
500+3.15 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB9.1AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB9.1AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW27-TAP baw27.pdf
BAW27-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
36+8.89 грн
100+4.34 грн
500+3.40 грн
1000+2.36 грн
2000+2.05 грн
5000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+18.63 грн
3000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/67A egf1a.pdf
EGF1B-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GF1B-E3/5CA gf1x.pdf
GF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.91 грн
12+27.76 грн
100+21.07 грн
500+15.54 грн
1000+13.00 грн
2000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-E3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-E3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.69 грн
10+40.73 грн
100+32.04 грн
500+23.22 грн
1000+19.32 грн
2000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/H egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1BHE3_A/I egf1a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/I egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3_A/H egf1a.pdf
EGF1B-1HE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1B-1HE3/5CA egf1a.pdf
EGF1B-1HE3/5CA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 465 466 467 468 469 470 471 472 473 474 475 536 603 670 674  [ Наступна Сторінка >> ]